「Sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(122ページ目) - Weblio英語例文検索

On a bottom surface of a connection hole 8 formed on the metal cap layer 6 consisting of a Cu wiring portion CL1, a silicide region 6s, and a non-silicide region 6n, a barrier metal layer 13a and the silicide region 6s of the cap metal layer 6 are selectively removed through Ar sputtering processing.例文帳に追加

Ｃｕ配線部ＣＬ１及びシリサイド領域６ｓ及び非シリサイド領域６ｎよりなるキャップメタル層６上に形成される接続孔８の底面において、Ａｒスパッタ処理により、バリアメタル層１３ａ及びキャップメタル層６のシリサイド領域６ｓを選択的に除去する。 - 特許庁

The sputtering target is manufactured by a powder metallurgy method and has a plate-like shape, and is characterized in that the ratio occupied by pinholes present in the vicinity of the lower surface side in the target is higher than the ratio occupied by pinholes present in the vicinity of the upper surface side in the target.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、粉末冶金法により作製されてなる板状のスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲット内に存在するピンホールによって占有される割合が、該スパッタリングターゲット内の上面側近傍よりも下面側近傍の方が高いことを特徴とする。 - 特許庁

The pair of sputtering evaporation sources 2, 2 are constituted to arrange the respective cylindrical targets 13 oppositely each other in parallel, and the respective magnetic field generating members 14, 14 generate a magnetic field of forming magnetic field lines passing respective surfaces of the cylindrical targets 13, 13 and having a direction attractive each other.例文帳に追加

前記一対のスパッタ蒸発源２，２は、それぞれの円筒状ターゲット１３が平行に対向して配置され、それぞれの磁場発生部材１４，１４は円筒状ターゲット１３，１３の表面を通り、互いに引き合う向きの磁力線を形成する磁場を発生させる。 - 特許庁

The film is deposited on an object to be deposited by sputtering the target of the Heusler's alloy of Co_2MnAl, Co_2MnSi, CeCrAl, NiMnSb, SrLaMnO, PtMjSb, Mn_2VAl, Fe_2VAl, Co_2FeSi, Co_2MnGe, and Co_2FexCr(1-x)Al, using xenon as a discharge gas.例文帳に追加

放電ガスとしてキセノンを用いて、Ｃｏ_2ＭｎＡｌ、Ｃｏ_2ＭｎＳｉ、ＣｏＣｒＡｌ、ＮｉＭｎＳｂ、ＳｒＬａＭｎＯ、ＰｔＭｎＳｂ、Ｍｎ_2ＶＡｌ、Ｆｅ_2ＶＡｌ、Ｃｏ_2ＦｅＳｉ、Ｃｏ_2ＭｎＧｅ、Ｃｏ_2ＦｅｘＣｒ(1-x)Ａｌなどのホイスラー合金のターゲットをスパッタリングして被成膜体に成膜する。 - 特許庁

A sputtering target is composed of a high-purity Ge a Ge alloy containing, in the range of 0.1-50 atom.%, at least one element selected from Al, Si, Fe, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W, Ni, Ti, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B and C.例文帳に追加

高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

The oxide transparent conductive film which contains In-O, Sn-O or Zn-O as basic oxides, is formed on a substrate 14 by the reactive sputtering method with using the metalic target material 10 which contains In, Sn or Zn in a vacuum as basic elements.例文帳に追加

本発明では、真空中においてＩｎ、Ｓｎ又はＺｎを基本構成元素とする金属からなるターゲット材１０を用い反応性スパッタ法によって基板１４上にＩｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ又はＺｎ−Ｏを基本構成元素とする酸化物透明導電膜を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film is formed on a transparent resin film substrate by the sputtering of a silicon target in a nitrogen-containing atmosphere to form the silicon nitride film to form a barrier transparent laminated film with a steam permeability of 0.05 g/m^2/day and parallel light transmissivity of 80% or more.例文帳に追加

透明樹脂フィルム基板上に、ケイ素単体ターゲットの窒素含有雰囲気中スパッタリングにより、窒化ケイ素膜を形成して、水蒸気透過度が０．０５ｇ／ｍ^２／日以下且つ平行光線透過率が８０％以上であるバリア性透明積層フィルムを形成する。 - 特許庁

The cylindrical sputtering target can be obtained by joining a plurality of cylindrical target materials comprising cylindrical ceramic sintered compacts onto the outside surface of a cylindrical base material, wherein a prescribed gap is provided at each joining part between the cylindrical target materials.例文帳に追加

円筒形基材の外側面に円筒形状のセラミックス焼結体からなる円筒形ターゲット材を複数接合してなる円筒形スパッタリングターゲットとするとともに、前記円筒形ターゲット材同士の接続部に所定量の間隙を有する円筒形スパッタリングターゲットとする。 - 特許庁

To provide a cold-cathode fluorescent lamp which has superior sputtering-resistant characteristics, even when a tube current of high current is applied and which restrains the formation of amalgams and has a light environmental load, and can easily, effectively and inexpensively manufacture electrodes of long service life of practical level.例文帳に追加

高電流の管電流が印加された場合でも優れた耐スパッタリング性を有し、アマルガムの形成を抑制し、環境に対する負荷が小さく、長寿命の実用レベルの電極を、容易に安価に、且つ、効率よく製造することができる冷陰極蛍光ランプを提供する。 - 特許庁

The cylindrical sputtering target is manufactured by electrolytically reducing an inner circumferential surface of a cylindrical ceramics target material 21 to form an underlayer 31 formed of a reduced metal of the target material, and then bonding the cylindrical ceramics target material to the outer circumferential surface of a cylindrical support base material 11.例文帳に追加

円筒形セラミックスターゲット材２１の内周面を電界還元して、ターゲット材の還元金属から成る下地層３１を形成し、次いで円筒形支持基材１１の外周面に円筒形セラミックスターゲット材を接合することにより、円筒形スパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

To provide a diffusedly joined target assemblage of a high purity cobalt target with a backing plate with which a high purity cobalt ferromagnetic target can effectively be sputtered, and the occurrence of warpage and peeling can be prevented even at the time of being joined with the backing plate and in the severe conditions of high power sputtering, and to provide its production method.例文帳に追加

高純度コバルト強磁性体ターゲットの実効あるスパッタリングが可能であり、またバッキングプレートとの接合時及びハイパワースパッタの過酷な条件下でも、反りや剥れの発生が防止できる高純度コバルトターゲットとバッキングプレートとの拡散接合ターゲット組立体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the translucent reflective film for optical recording media forms the film by sputter using a sputtering target that comprises a silver alloy having a composition consisting of: greater then 1 mass% and not more than 3 mass% of Mg; 0.05 to 1 mass% of Eu; and the balance of Ag and unavoidable impurities.例文帳に追加

この光記録媒体用半透明反射膜の製造方法は、Ｍｇを、１質量％を超え３質量％以下含有し、さらにＥｕを、０．０５〜１質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金で構成されているスパッタリングターゲットを用いてスパッタにより成膜する。 - 特許庁

In sputtering a silicon target by using, as a reactive gas, a gas containing oxygen and nitrogen in a vacuum system in which reduced pressure atmosphere can be regulated, the amounts of oxygen and nitrogen to be introduced into the vacuum system during deposition are altered to deposit a single-layer film having refractive index distribution due to changes in composition in a thickness direction.例文帳に追加

減圧した雰囲気が調整できる真空装置内でシリコンターゲットを反応性ガスとしての酸素と窒素を含むガスでスパッタリングするに際し、被覆中に真空装置内に導入する酸素と窒素の量を変更し、厚み方向に組成変化により生じる屈折率分布を有する単層膜を被膜する。 - 特許庁

In this forming method of the multilayered film, a plurality of materials made of different components are laminated and mounted on one electrode for sputtering, a separating plate is provided above a boundary between a plurality of the materials, and a substrate is moved on a target while performing discharge to form a multilayered film on the substrate.例文帳に追加

一つのスパッタリング用電極上に、異種成分からなる複数の素材を張り合わせて取り付け、前記複数の素材同士の境界の上方に分離板を設けておき、放電行いながら基板を前記ターゲット上を移動させて該基板上に多層膜を形成すること特徴とする多層膜の形成方法。 - 特許庁

In the optical disk on which information is recorded or reproduced by irradiation of proximity field light spot, a projected part 11a constituting a land 21 on an optical disk substrate 11 and a recessed part 11b constituting a groove 22 are formed and an aluminum reflecting film 12 consisting essentially of aluminum is adhered on the substrate 11 by sputtering.例文帳に追加

近接場光スポットの照射を受けて情報が記録あるいは再生される光ディスクにおいて、光ディスク基板１１上にランド２１を構成する凸部１１ａとグルーブ２２を構成する凹部１１ｂを形成し、この基板１１上にＡｌを主体とするＡｌ反射膜１２をスパッタ法により被着する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a vertical magnetic recording medium that forms a plurality of layers on a disk substrate 110 by sputtering, at least two consecutive layers among the plurality of layers are formed in the same chamber using the same target in a single process time while varying sputter conditions.例文帳に追加

ディスク基体１１０上に複数の層をスパッタリングによって成膜する垂直磁気記録媒体の製造方法において、複数の層のうち、少なくとも２つの連続する層を、同一チャンバーにおいて同一のターゲットを用いて１つのプロセスタイム内でスパッタ条件を異ならせて成膜することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a means capable of attaining low temperature film deposition and high speed film deposition in magnetron sputtering of a dual form for making low temperature film deposition and high speed film deposition compatible, and thereby to obtain various inorganic crystal films being highly functional materials, on organic films at a low temperature and at high speed.例文帳に追加

低温成膜、高速成膜を両立させることができるデュアル形式のマグネトロンスパッタリングにおいて、低温成膜と、高速成膜を達成しうる手段を提供し、これによって有機フィルムの上に高機能性材料である例えば各種無機結晶膜を低温、高速で得ようというものである。 - 特許庁

In the case a rutile type titanium oxide thin film 12 is deposited on the surface of an object 11 to be film-deposited by sputtering and this surface is irradiated with a laser beam 88, a titanium oxide crystal system is converted from the rutile type into an anatase type, by which an anatase type titanium oxide thin film 13 high in photocatalytic activity can be obtained.例文帳に追加

成膜対象物１１表面にスパッタリングによりルチル型酸化チタン薄膜１２を形成し、この表面にレーザー光線８８を照射すると、酸化チタン結晶系はルチル型からアナターゼ型に変換されるので、光触媒活性の高い、アナターゼ型酸化チタン薄膜１３を得ることができる。 - 特許庁

The termination method of the diamond electrode includes a rare gas terminating process for sputtering the surface of the diamond electrode 42, which is terminated by hydrogen, by a rare gas to terminate the diamond electrode 42 by the rare gas and a target substance terminating process for replacing the rare gas on the surface of the diamond electrode 42 with a target substance to terminate the diamond electrode 42.例文帳に追加

水素終端化されているダイヤモンド電極４２の表面を、希ガスをスパッタリングすることにより、当該希ガスで終端化する希ガス終端化工程と、そのダイヤモンド電極４２の表面の希ガスを、目的物質で置き換えて終端化する目的物質終端化工程とを備えるようにした。 - 特許庁

In the magnetron cathode of the sputtering apparatus comprising the target, and a magnet unit disposed on a back side of the target and comprising a center magnet and an outer circumferential magnet, the target has a part inclined in the direction of a substrate and the outer circumferential magnet is higher than the center magnet on an outer circumferential part side of the target.例文帳に追加

ターゲットと、該ターゲットの裏側に配置され中心磁石及び外周磁石からなる磁石ユニットと、から構成されるスパッタリング装置のマグネトロンカソードにおいて、前記ターゲットは基板方向に傾斜する部分を有し、前記ターゲットの外周部側で前記外周磁石を中心磁石より高くしたことを特徴とする。 - 特許庁

The bonding underlayer preferably has a thickness of less than 50 μm and is made by using physical vapor deposition, e.g. by cathode sputtering, to deposit a plurality of individual layers alternately of aluminum and of a metal from the platinum group, and by causing the metals in the resulting layers to react together exothermally.例文帳に追加

結合下地層は、好ましくは５０μｍよりも薄い厚さを有しており、陰極スパッタリング等の物理的蒸着法を使用して、複数のアルミニウム層とプラチナ系金属層とを交互に堆積させるとともに、それによって得られた層中の金属間で発熱反応を引き起こすことによって形成される。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film 22 composed of silicon nitride film of 20-50 nm is laminated by a sputtering method using an RF power supply.例文帳に追加

ソース領域またはドレイン領域１２ｂ、１３ｂ、１４ｂに達するコンタクトホールを形成した後、層間絶縁膜２０上に上端部に曲面を有する感光性の有機絶縁物材料から成る層間絶縁膜２１を形成し、さらに、ＲＦ電源を用いたスパッタ法により２０〜５０ｎｍの窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜２２を積層する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film, which can inhibit a magnetic layer from being oxidized even when an oxide is formed on the magnetic layer that includes nonoxide with a sputtering technique suitable for a high-volume production; and to provide an apparatus for forming the thin film, and a laminated film having thereby controlled low RA value.例文帳に追加

量産に適したスパッタ法において非酸化物からなる磁性層上に酸化物をスパッタ成膜する場合でも、磁性層が酸化されることを抑制することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置を提供するとともに、それによって、ＲＡ値が低く抑えられた積層膜を提供する。 - 特許庁

The sputtering target has a composition which contains chromium as a main component and also contains 10 to 50 atomic % of at least one element selected from the group consisting of aluminum, silicon, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, tungsten, molybdenum and boron and in which the total content of oxygen, carbon, sulfur and hydrogen is made to ≤3,000 ppm.例文帳に追加

クロムを主成分とし、アルミニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、タングステン、モリブデンおよびボロンからなる群より選択される少なくとも一種の元素を１０〜５０原子％含み、酸素、炭素、硫黄および水素の合計含有量が３０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする、スパッタリングターゲット。 - 特許庁

While a piezoelectric actuator 60 is constituted by forming a PZT piezoelectric film 64 on a ZrO_2 substrate 62 which becomes a diaphragm by the aerosol deposition method, a stress buffer layer 66 composed of platinum (Pt) having a required thickness is interposed between the ZrO_2 substrate 62 and PZT piezoelectric film 64 by the sputtering method etc.例文帳に追加

この圧電アクチュエータ６０は、振動板となるZrO2基板６２上にエアロゾルデポジション法によりＰＺＴ圧電膜６４を成膜して構成されるが、このZrO2基板６２とＰＺＴ圧電膜６４との間にスパッタ法等により所要の厚みをもった白金(Pt)からなる応力バッファ層６６を介在させる。 - 特許庁

A film forming device is used to attain high directivity sputtering using a titanium target for forming the barrier metal layer, and includes a substrate bias mechanism for applying a high frequency voltage as a bias voltage to a semiconductor substrate to allow the semiconductor substrate to attract sputter particles from the titanium target, thereby allowing the titanium nitride film 11 to include an amorphous metallic film.例文帳に追加

このバリアメタル層の形成に際しては、チタンターゲットを用いた高指向性スパッタリングが可能で、かつ、高周波電圧を半導体基板にバイアスする基板バイアス機構を備え、チタンターゲットからのスパッタ粒子を半導体基板に引き付けることで、窒化チタン膜１１をアモルファス金属膜とすることが可能となる。 - 特許庁

This manufacturing method is a method to manufacture an optical recording medium which has at least a recording layer and a reflection layer on its base, and is featured in that the reflection layer is made by sputtering while adjusting its thickness to maintain the sheet resistance constant.例文帳に追加

基板上に少なくとも記録層と反射層とを有する光学的情報記録用媒体を量産する製造方法であって、該反射層がスパッタリングによって形成され、該スパッタリングの際に、該反射層の面積抵抗率をほぼ一定に保つように該反射層の膜厚を調整することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing an electroless nickel plating film includes the steps of: forming an aluminum layer having a purity of 99.99% or more and a film thickness of 2.5 μm or more on a substrate by using a sputtering; and forming the electroless nickel plating film on the aluminum layer by using an electroless plating.例文帳に追加

スパッタ法を用いて、基材上に９９．９９％以上の純度および２．５μｍ以上の膜厚を有するアルミニウム層を形成する工程と、無電解メッキを用いて、アルミニウム層の上に無電解ニッケルメッキ膜を形成する工程とを含むことを特徴とする無電解ニッケルメッキ膜の製造方法。 - 特許庁

The magnetic recording medium provided with the FePt magnetic thin film having ≥40 KOe coercive force is obtained by film-depositing the FePt magnetic thin film having an L1_0 structure by a sputtering method on a substrate having 650 to 850°C surface temperature and applying 4 to 10 KOe magnetic field to the FePt magnetic thin film.例文帳に追加

表面温度が６５０℃〜８５０℃である基板上に、スパッタ法によりＬ１_0構造を有するＦｅＰｔ磁性薄膜を成膜し、前記ＦｅＰｔ磁性薄膜に４ＫＯｅ〜１０ＫＯｅの磁場を印加して４０ＫＯｅ以上の保磁力を有するＦｅＰｔ磁性薄膜を備えた磁気記録媒体を得る。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical disk constituted by sticking two sheets of disk halves, a cooling stage 20 is disposed after an injection molding stage 10 of the disk halves and a sputtering stage 30, a buffer stage 40 and a sticking stage 50 are successively disposed in this order.例文帳に追加

２枚のディスクハーフを貼り合わせることにより構成される光ディスクの製造方法において、ディスクハーフの射出成形工程１０の後に冷却工程２０を配置し、冷却工程２０の後にスパッタリング工程３０、スパッタリング工程３０の後にバッファ工程４０、その後貼合わせ工程５０を配置する。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive sheet for masking capable of performing application work efficiently, and preventing bleed of a bonding material caused by the use of the adhesive tape for masking (the bleed from gaps because of overlapping of the tape, and the bleed from puckering and lifting of the tape), when used for producing sputtering targets.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの製造に用いた際に、貼付作業を効率よく行うことができ、マスキング用粘着テープの使用に起因するボンディング材の流出（粘着テープの重なりによる隙間、粘着テープのシワおよび粘着テープの浮きからのボンディング材の流出）を防止できるマスキング用粘着シートを提供する。 - 特許庁

This high frequency magnetron sputtering apparatus comprises a vessel 11 with the inside evacuated by an exhaust mechanism 22, a target 16, a substrate holder 41, a gas feed mechanism 25 for feeding gas into the vessel, a high frequency feed mechanism 18 for feeding the high frequency to the target, and a electrostatic adsorption mechanism built in the substrate holder.例文帳に追加

この高周波マグネトロンスパッタリング装置は、排気機構２２により内部が減圧された容器１１、ターゲット１６、基板ホルダ４１、容器内にガスを供給するガス供給機構２５、ターゲットに高周波を与える高周波供給機構１８、基板ホルダに内蔵される静電吸着機構を備える。 - 特許庁

To provide a tantalum sputtering target having a high deposition speed and excellent uniformity of film, producing less arcings and particles and having excellent film forming properties, and to provide the method capable of stably manufacturing the target by improving and devising plastic working steps such as forging and rolling, and the heat treatment step.例文帳に追加

鍛造・圧延等の塑性加工工程及び熱処理工程を改良・工夫することにより、成膜速度が大きく、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れ、またアーキングやパーティクルの発生が少ない成膜特性に優れたタンタルスパッタリング用ターゲット及び該ターゲットを安定して製造できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition suitable for forming a protective film for an optical device, which film is forming a highly flat cured film even on a substrate of a low flatness surface, and is excellent in transparency, surface hardness, heat resistance, pressure resistance, acid resistance, alkali resistance, sputtering resistance and storage stability.例文帳に追加

表面の平坦性が低い基体であっても、当該基体上に、平坦性の高い硬化膜を形成することができ、しかも、透明性および表面硬度が高く、耐熱耐圧性、耐酸性、耐アルカリ性、耐スパッタ性、保存安定性等に優れた光デバイス用保護膜を形成するために好適な組成物を提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method for the transparent conductive film, a zinc oxide doped with at least aluminum is used as a target 20 and the transparent conductive film is formed on a substrate 30 by a magnetron sputtering method using a sputter voltage with high frequency electric power superimposed on DC electric power.例文帳に追加

透明導電膜の製造方法において、少なくともアルミニウムがドープされた酸化亜鉛をターゲット２０として用い、水素を導入した雰囲気中で、直流電力に高周波電力を重畳したスパッタ電圧を用いたマグネトロンスパッタリング法により基体３０上に透明導電膜を形成する。 - 特許庁

The film-forming apparatus is directed at forming the film on a substrate by using a sputtering technique, and has: an irradiating means for irradiating the substrate with a laser beam having a smaller beam diameter than the external diameter of the substrate; and a scanning means for scanning the whole area of the substrate with the laser beam.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて基板に膜を成膜する成膜装置であって、前記基板に前記基板の外径よりも小さいビーム径を有するレーザー光を照射する照射手段と、前記レーザー光を前記基板の全面に走査させる走査手段とを有することを特徴とする成膜装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the transparent conductive film, by using a magnetron sputtering in which a gas having carbon dioxide 50 vol% or less added in hydrogen or argon is used as a carrier gas, a carbon film of which the refractive index is controlled to 1.35-1.85 is formed on a transparent conductive oxide layer having zinc oxide as a main component on the transparent substrate.例文帳に追加

水素またはアルゴンに二酸化炭素を５０体積％以下添加したガスをキャリアガスとして使用するマグネトロンスパッタにより、透明基板上に酸化亜鉛を主成分とする透明導電酸化物層の表面に屈折率を１．３５〜１．８５に制御したカーボン膜を形成することが可能となる。 - 特許庁

The GaSb-based phase changing type recording film with a low melting point comprising an Sb-based alloy comprising 5-20% Ga in terms of atomic%, in addition, less than 5 to <20% In, and remaining part being Sb and inevitable impurities, and the target for forming the GaSb-based phase changing type recording film by sputtering, are provided.例文帳に追加

原子％でＧａ：５〜２０％を含有し、さらにＩｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなるするＳｂ基合金からなる融点の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、並びにこのＧａＳｂ系相変化型記録膜をスパッタリングにより形成するためのターゲット。 - 特許庁

To provide an Ag alloy film in which a reflectance in a visible light range takes a fixed value while keeping a high reflectance and which has low electric resistance and combines heat resistance and corrosion resistance and also to provide a sputtering target material for depositing the Ag alloy film and a flat panel display device having low power consumption.例文帳に追加

高い反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、かつ低い電気抵抗を有し、さらに耐熱性、耐食性を兼ね備えたＡｇ合金膜とそのＡｇ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材および低消費電力な平面表示装置を提供する。 - 特許庁

This transparent conductive thin film lamination comprises a substrate on which ITO(indium/tin oxide) is formed by sputtering, featuring that the thin films are amorphous in crystal structure and the specific resistance of the films is 5×10-4 Ωcm or less.例文帳に追加

基材上にＩＴＯ（酸化インジウム／酸化スズ）薄膜が積層された透明導電性薄膜積層体おいて、該薄膜の結晶形態が無定型であり、且つ該薄膜の比抵抗値が５×１０^−４Ωcm以下であることを特徴とする、スパッタリング法によって形成された透明導電性薄膜積層体。 - 特許庁

After an imidazole ring-containing silane compound layer 2 is formed on a silicon wafer 1, copper is laminated thereon by sputtering to form a copper substrate layer 3 and therefore the surface thereof is subjected to nickel plating to form a nickel plating layer 4a, by which the plating structure having an improved contact property as shown in Figure 1 is formed.例文帳に追加

シリコンウェハ１上に含イミダゾール環シラン化合物層２を形成した後、銅をスパッタリングにより積層し、銅下地層３aを形成するようにしたので、その上にニッケル鍍金を行ない、ニッケル鍍金層４aを形成することにより図１に示すような密着性の向上した鍍金構造を形成することができる。 - 特許庁

The sputtering target comprises 0.1-20 mass% of at least one kind of an intermetallic compound forming element that forms Al and an intermetallic compound, 5 mass% or less (not including 0 mass%) of at least one kind of an element selected from Ar and Kr, and the balance substantially being Al.例文帳に追加

スパッタリングターゲットは、Ａｌと金属間化合物を形成する少なくとも１種の金属間化合物形成元素を０．１〜２０質量％と、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも１種の元素を５質量％以下（ただし０質量％を含まず）とを含有し、残部が実質的にＡｌからなる。 - 特許庁

In a laminate obtained by laminating a zinc oxide film and a silver film to a glass substrate, in order to make the zinc oxide film include 1-10 wt.% of a transparent oxide having a band-gap energy higher than 3.5 eV, a target obtained by adding a metal to provide the transparent oxide to metal zinc is used and the zinc oxide film is formed by using a reaction sputtering method.例文帳に追加

ガラス基板上に、酸化亜鉛膜及び銀膜を積層してなる積層体において、該酸化亜鉛膜は、バンドギャップエネルギーが３.５eVより大きい透明酸化物を１〜１０重量％含むように、金属亜鉛に該透明酸化物となる金属が添加されたターゲットを用いて、反応スパッタリング法により成膜する。 - 特許庁

The Mn alloy magnetic thin film can be obtained by using a sputtering target formed of an Mn alloy material for a magnetic material having a composition containing ≤100 ppm oxygen and ≤20 ppm S, and in which the total content of impurities (elements other than Mn and the alloy components) is preferably ≤500 ppm.例文帳に追加

酸素含有量が１００ｐｐｍ以下、Ｓ含有量が２０ｐｐｍ以下、好ましくはさらに不純物（Ｍｎおよび合金成分以外の元素）含有量が合計で５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする磁性材用Ｍｎ合金材料から形成したスパッタリングターゲットを用いることによって得られる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask blank capable of manufacturing a high-quality mask blank with a high yield, while suppressing generation of defects in a thin film for forming a mask pattern, to provide a method for manufacturing a transfer mask manufactured by patterning the thin film of the mask blank, and to provide a sputtering target that is used for manufacturing the mask blank.例文帳に追加

マスクパターンを形成するための薄膜の欠陥発生を抑えた高品質のマスクブランクを、高い歩留まりで製造することのできるマスクブランクの製造方法と、前記マスクブランクの薄膜をパターニングして製造する転写マスクの製造方法、並びに前記マスクブランクの製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁