「Sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(119ページ目) - Weblio英語例文検索

This is a terminal having a barrier portion against solder rising, in which the percentages of detection intensities of Ni, Au and O on the surface of the barrier portion by the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) satisfies the relationship of 30%≤Ni/Au≤60% and 50%≤O/Au at a sputtering time =0.例文帳に追加

半田吸い上がりバリア部を有する端子であって、Ｘ線電子分光法（ＸＰＳ）による該バリア部表面のＮｉ、Ａｕ及びＯの検出強度百分率がスパッタリング時間＝０のところで３０％≦Ｎｉ／Ａｕ≦６０％、及び５０％≦Ｏ／Ａｕを満足する端子。 - 特許庁

By the use of a load locked type sputtering device with a front chamber and a film-forming chamber, with niobium as the target in the formation of the first superconductive material and with magnesium oxide as the target in the formation of the second dielectric layer, the above formations can be continuously laminated under the same vacuum.例文帳に追加

前室と成膜室とを備えるロードロック式スパッタリング装置を用い、第一超伝導体層の形成にはニオブをターゲットとし、引き続き、第二誘電体層の形成には酸化マグネシウムをターゲットとして、同一真空下で連続的に成層するようにしてもよい。 - 特許庁

A seed layer of a magnetic recording medium is formed with a sputtering target comprising an alloying element having solubility to tantalum (Ta) and a tantalum (Ta) phase of a body-centered cubicle ≤10 atom% at room temperature and mass susceptibility ≤1.5×10^-7m^3/kg on a substrate.例文帳に追加

磁気記録媒体のシード層を、タンタル(Ｔａ)と、体心立方のタンタル(Ｔａ)相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり且つ１．５×１０^-7ｍ^3/ｋｇ以下の質量磁化率を有する合金化元素とからなるスパッタターゲットで基板上に形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a two-layer copper clad laminated sheet which can further inhibit oxidation discoloration after a heat treatment which raises folding resistance in the two-layer copper clad laminated sheet (two-layer CCL material) wherein a copper layer is formed on a polyimide film by sputtering and plating, and to provide the two-layer copper clad laminated sheet.例文帳に追加

ポリイミドフィルム上にスパッタリング及びメッキ処理により銅層を形成した２層銅張積層板（２層ＣＣＬ材料）において、耐折性を向上させる熱処理後に、さらに酸化変色を防止できる２層銅張積層板の製造方法及び２層銅張積層板を得る。 - 特許庁

The reactive sputtering device is provided with a wafer holder 11 on which a wafer 22 is arranged, a target 12 obliquely arranged above the wafer holder 11 deviating from its rotary shaft, and a gas introducing part 17 and exhausting port 16 respectively provided interposing the wafer holder 11 between them below the wafer holder 11.例文帳に追加

反応性スパッタリング装置であって、ウエハー２２が配置されるウエハーホルダ１１と、ウエハーホルダ１１の回転軸から外れた上方に傾斜して設けられたターゲット１２と、ウエハーホルダ１１の下方に該ウエハーホルダ１１を挟んでそれぞれ設けられたガス導入部１７と排気ポート１６とを設ける。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD (Atomic Layer Deposition) process in the case a film deposition system is composed so that film deposition by an ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a treatment substrate on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

The large-sized sputtering target is produced by joining together a plurality of the targets by using metallic foil containing part or whole of component elements of the targets or cooling plates, or metallic foil of the material of which the dielectric constant, magnetic permeability, and thermal conductivity are the same as or similar to those of the targets or the cooling plates.例文帳に追加

ターゲットもしくは冷却板の成分元素の一部または全部を含む金属箔、もしくは、ターゲットもしくは冷却板と誘電率、透磁率、熱伝導率の同一または近似の材質の金属箔を使用して複数のターゲットを繋ぎ合わせて大型のスパッタリングターゲットを作製する。 - 特許庁

To provide a solar cell having a constituent layer of a (Zn, Al)O-based transparent electrode layer, having a high volume resistivity and thus contributing to the improvement of the efficiency of photoelectric conversion: and to provide a ZnO-Al_2O_3-based sputtering target for use in forming the (Zn, Al)O-based transparent electrode layer.例文帳に追加

低い体積抵抗率を有し、もって光電変換効率の向上に寄与する（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３系スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The magnetic random access memory comprises a lower electrode 20; the magnetoresistance effect element 23 which is formed above the lower electrode 20 and has side faces; and a protective film 24 which covers the side faces of the magnetoresistance effect element 23, and has the same flat shape as that of the lower electrode 20, and is formed by a sputtering method.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極２０と、この下部電極２０の上方に設けられ、側面を有する磁気抵抗効果素子２３と、この磁気抵抗効果素子の側面を覆い、下部電極２０と同一の平面形状であり、スパッタ法で形成された保護膜２４とを具備する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for oxide film formation which can increase production efficiency of a metal oxide film, e.g. an optical thin film etc. by inhibiting a decrease in film-forming rate of the metal oxide film at sputter-deposition of the oxide film which is suitably used as an optical thin film.例文帳に追加

光学薄膜に好適な金属酸化膜をスパッタ成膜するにあたって、金属酸化膜の成膜速度の低下を抑制することによって、金属酸化膜ひいては光学薄膜等の生産効率を高めることを可能にした酸化膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a high-performance superconductive magnet device which is capable of effectively cooling down a superconductor, reducing apparatuses (a superconductive magnet, a magnetizing coil, a pulse power supply and the like) which are required for magnetization in size, and has magnetic poles capable of generating a strong magnetic field and compact in structure and to provide a film sputtering device using the same.例文帳に追加

超電導体を効果的に冷却でき、更に、着磁に必要な機器（超電導マグネット、着磁コイル、パルス電源等）が小型で済み、強力な磁場を発生できるコンパクトな磁極を持った高性能な超電導磁石装置とそれによるスパッタリング成膜装置を提供する。 - 特許庁

In the carrying/supporting methods, a sputtering system 100 is used wherein the system includes a chamber 104 having a decompression chamber 101, a target holder 102 and an object holder 103, a superconducting magnet 105 provided at the rear side of the target holder 102, and a freezer 108 which cools the superconductive magnet 105 to cryogenic temperatures.例文帳に追加

減圧室１０１とターゲットホルダ１０２と対象物ホルダ１０３とをもつチャンバ１０４と、ターゲットホルダ１０２の裏側に設けられた超電導磁石１０５と、超電導磁石１０５を極低温に冷却する冷凍機１０８とをもつスパッタ装置１００を用いる。 - 特許庁

In the process to form a pole part of a recording head, a dummy pattern is formed by using the material such as photoresist so that the end of the pattern is positioned at the position for forming the pole part, and a soft magnetic material becoming the pole is formed to the film on the side surface of this dummy pattern by using a method such as a gradient sputtering.例文帳に追加

記録ヘッドのポール部分を形成する工程において、ポール部分を形成する位置にパターンの端が位置するようにフォトレジストなどの材料を用いてダミーパターンを形成し、このダミーパターンの側面に傾斜スパッタリングなどの手法を用いてポールとなる軟磁性材料を成膜する。 - 特許庁

To reutilize a target material and a backing plate in a sputtering target assembled body in which the target material and the backing plate are firmly joined via an inert material by solid phase diffusion joining, by separating the target material and the backing plate by a simple and secure method.例文帳に追加

ターゲット材２とバッキングプレート３とがインサート材４を介して固相拡散接合により強固に接合されてなるスパッタリングターゲット組立体１において簡便且つ確実な方法にてターゲット材２とバッキングプレート３とを分離することにより、ターゲット材２とバッキングプレート３とを再利用する。 - 特許庁

This electronic circuit board 10 has an insulation board 1 and a circuit wiring 6 comprising a plurality of thin film foundation layers 2 and 3 made of different metals and formed on the insulation board 1 by sputtering, and a conductive layer 5 formed on the foundation layer 3 by plating.例文帳に追加

本発明の電子回路基板１０は、絶縁基板１上にスパッタによる異なる金属の複数の薄膜下地導電層２、３と、その薄膜下地導電層３の上にメッキによる導電層５が被着、積層された構造の回路配線６が形成されている。 - 特許庁

The production method for the tantalum sputtering target includes forging and recrystallization-annealing a tantalum ingot or a billet obtained by melting and casting, and rolling it to form a crystal structure in which an orientation (222) is preferential toward the central plane of the target from the position of 10% of a target thickness.例文帳に追加

溶解鋳造したタンタルインゴット又はビレットを鍛造及び再結晶焼鈍した後圧延し、ターゲット厚さの１０％の位置からターゲットの中心面に向かって、（２２２）配向が優先的である結晶組織を形成するタンタルスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

To provide paint for protection of electrodes, used for forming a paint film for protection on electrodes of a fluorescent lamp, excellent in adhesion to the electrodes as well as mechanical strength, and providing the electrodes with sputtering resistance for a long period of time, and also to provide a paint film using the above paint.例文帳に追加

蛍光ランプの電極に保護用の塗膜を形成するために用いられ、電極に対する密着性および機械的強度に優れ、長期に渡って電極に耐スパッタリング性を付与することができる電極保護用の塗料およびそれを用いた塗膜を提供する。 - 特許庁

A recording region 10a of a disk substrate 11 is sputtered while a shielding member 50A whose shape is formed based on film thickness distribution of the thin film to be formed on the disk substrate is disposed between the disk substrate 11 which is rotated and a sputtering target 25.例文帳に追加

回転するディスク基板１１とスパッタターゲット２５との間に、ディスク基板に形成しようとする薄膜の膜厚分布に基づいてその形状が形成された遮蔽部材５０Ａを配置した状態で、ディスク基板１１の記録領域１０ａに対するスパッタリングを行う。 - 特許庁

The method for manufacturing the electrically conductive titanium dioxide (TiO_2) sputtering target with an electrical resistivity of less than 5 Ωcm, comprises mixing starting materials consisting of titanium dioxide with a doping agent or a mixture of doping agents, cold compacting it, and subsequently sintering it.例文帳に追加

５Ωｃｍ未満の比電気抵抗を有する二酸化チタン（ＴｉＯ_２）からなる導電性スパッタターゲットを製造する方法の場合に、二酸化チタンからなる出発物質をドーピング剤またはドーピング剤混合物と混合し、その後に冷間圧縮し、引続き焼結させる。 - 特許庁

The base material for immobilizing the biological substance can be manufactured by the steps of forming the sputtered SiO_2 film by sputtering SiO_2 on the surface of the glass base material containing the alkaline component, and treating the surface of the sputtered SiO_2 film obtained with a silane-coupling agent.例文帳に追加

当該生体物質固定用基材は、アルカリ成分を含有するガラス基材の表面にＳｉＯ_2をスパッタリングして、ＳｉＯ_2スパッタ膜を形成する工程、および得られたＳｉＯ_2スパッタ膜の表面をシランカップリング剤で処理する工程を実施して製造することができる。 - 特許庁

There are provided (a) an article including zinc sulfide or zinc selenide, and (b) a method for depositing a layer of alumina with a thickness of >20 μm on the zinc sulfide or zinc selenide at a deposition rate of ≥60 Å/min by a micro wave assisted magnetron sputtering.例文帳に追加

ａ）硫化亜鉛またはセレン化亜鉛を含む物品を提供し；並びに、ｂ）マイクロ波アシストマグネトロンスパッタリングによって、２０μｍを超える厚みのアルミナの層を硫化亜鉛またはセレン化亜鉛上に、６０Å／分以上の堆積速度で堆積させる；ことを含む方法。 - 特許庁

After that, a via hole reaching the tantalum nitride film is formed by wet etching on the second interlayer dielectric formed on the first interlayer dielectric, a metal film is deposited by second sputtering to form the metal film in the via hole, and a via connected to the tantalum nitride film is formed.例文帳に追加

その後、第１層間絶縁膜上に形成した第２層間絶縁膜に窒化タンタル膜に至るビアホールを湿式エッチングにより形成し、第２スパッタリングにより金属膜を堆積して前記ビアホール内に金属膜を形成し、前記窒化タンタル膜に接続するビアを設ける。 - 特許庁

The MIS compound semiconductor device is manufactured by forming an AlN film (gate insulating film) 103 composed of a nitride of a group III element on a substrate 101 provided with an epitaxial layer (semiconductor layer) 102 composed of an InP-based compound semiconductor by the ECR sputtering method.例文帳に追加

ＩｎＰ系の化合物半導体からなる半導体層エピタキシャル層（半導体層）１０２を備えた基板１０１の上に、ＥＣＲスパッタ法により、ＩＩＩ族元素の窒化物であるＡｌＮ膜（ゲート絶縁膜）１０３を形成することで、ＭＩＳ型化合物半導体装置を製造する。 - 特許庁

The sputtering target composed of an indium zinc oxide has a two-phase structure consisting of an In-enriched phase where Zn is allowed or not allowed to enter into solid solution in an indium oxide crystal and a Zn-enriched phase where In is allowed or not allowed to enter into solid solution in a zinc oxide crystal.例文帳に追加

酸化インジウム結晶中にＺｎが固溶した又は未固溶のＩｎリッチ相と酸化亜鉛結晶中にＩｎが固溶した又は未固溶のＺｎリッチ相の２相の組織を備えていることを特徴とするインジウム−亜鉛系酸化物からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁

At least one of the magnetic layers is formed by making the target of two or more compositions discharge simultaneously in the sputtering method, and the fine structure of this magnetic layer is formed with ferromagnetic crystal grains and crystal grain boundary phases of non-magnetic oxides.例文帳に追加

本発明は、磁性層のうち少なくとも１層を、スパッタリング法を用いて２種類以上の異なる組成を持つターゲットを同時放電させながら形成し、さらに該磁性層の微細構造を強磁性の結晶粒と非磁性である酸化物の結晶粒界相とから構成することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor memory device with the variable resistive element for storing data formed between an upper electrode and a lower electrode comprises the steps of sputtering an electrically conductive metallic oxide in an atmosphere including no oxygen, and forming the variable resistive element.例文帳に追加

上部電極と下部電極の間にデータを蓄積するための可変抵抗体を形成してなる半導体記憶装置の製造方法であって、導電性の金属酸化物を、酸素を含まない雰囲気中でスパッタリングし、前記可変抵抗体を形成する可変抵抗体形成工程を実行する。 - 特許庁

The cadmium sulfide layer may be deposited preferably by a high-frequency sputtering method at an ambient temperature, and the cadmium telluride layer may be deposited preferably by a closed-space sublimation method at a so efficient increased temperature as to convert an amorphous cadmium stannate into a polycrystal cadmium stannate having a single spinel structure.例文帳に追加

好ましくは、硫化カドミウム層は周囲温度で高周波スパッタ法で堆積させ、テルル化カドミウム層は、非晶スズ酸カドミウムを単一スピネル構造を有する多結晶スズ酸カドミウムに変換させるのに効果的な昇温温度で、クローズスペース昇華法によって堆積する。 - 特許庁

To provide a copper alloy sputtering target which can form a stable and uniform seed layer free of flocculation particularly in copper electroplating on a wiring material of a semiconductor element and has an excellent sputter deposition characteristic and semiconductor element wiring formed by using the target.例文帳に追加

半導体素子の配線材、特に銅電気メッキの際に凝集がなく、安定で均一なシード層を形成させることができ、かつスパッタ成膜特性に優れた銅合金スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された半導体素子配線を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for manufacturing a highly efficient flexible copper film-laminated strip by improving adhesiveness between a polyimide strip and a thin metal film, and removing stress from copper films laminated through magnetron sputtering being a dry deposition process.例文帳に追加

ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性を向上させ、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法により形成された銅積層膜の応力を除去して、高効率の軟性銅箔積層フィルムを製造する軟性回路基板の製造装置及び方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing a sputtering target by subjecting a melt-cast Ta ingot or billet to forging, annealing, rolling, etc., the ingot or billet is subjected to recrystallization annealing at 1,373K-1,673K after subjected to the forging.例文帳に追加

溶解鋳造したＴａインゴット又はビレットを鍛造、焼鈍、圧延加工等によりスパッタリングターゲットを製造する方法において、インゴット又はビレットを鍛造した後に１３７３Ｋ〜１６７３Ｋの温度で再結晶焼鈍することを特徴とするＴａスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

In the dual magnetron sputtering apparatus for depositing a film containing a target component to a substrate disposed in a vacuum chamber, by applying an AC voltage to two cathodes, an earth shield is disposed around each target, and the periphery of a cathode in the chamber is electrically insulated.例文帳に追加

２つのカソードに交流電圧を印加し、真空槽内に配置された基板にターゲット成分を含む膜を付着するデュアルマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲットの周囲にはアースシールドが設けられ、かつ、チャンバー内のカソードの周辺をアースと電気的に絶縁した。 - 特許庁

After laminating a conductive material protection film on the organic material film by non-reactive sputtering method, an electrode is formed from the surface of this film by conversion to an oxide film by making use of a plasma oxidation method using oxygen radical ions by a low electron temperature high-density plasma apparatus.例文帳に追加

有機物材料膜の上に非反応性スパッタリング法で導電性材料保護膜を積層し、その後、この膜の表面から低電子温度高密度プラズマ装置による酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を利用して酸化物膜へと変換させて、電極を形成する。 - 特許庁

The plasma image screen has a protection layer 5, made of the material with low electron affinity and high sputtering resistance, chosen from crystalline diamond, AlN, AlGaN, BN, or tetrahedral amorphous carbon, and a sealed gas contains more than 7 volume % xenon.例文帳に追加

プラズマ画像スクリーンが、結晶質ダイヤモンド、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＢＮ及び四面体非結晶質炭素の群から選択された、電子親和力が低く且つ耐スパッタリング性が高い材料から成る保護層５を有し、封入ガスが７容量％よりも多くの相対量のキセノンを含有すること。 - 特許庁

After forming a copper layer of 50-500 nm thick by sputtering on the surface of a metal layer formed on a polyimide film surface, a substrate having a copper film formed by electroplating on the copper layer is heat treated at temperatures of 120-200°C.例文帳に追加

ポリイミドフィルム表面に形成された金属層表面にスパッタリング法により５０〜５００ｎｍの厚さを有する銅層を形成した後、該銅層上に電気めっきにより銅被膜を形成してなる基板を、１２０〜２００℃の温度下で熱処理に付すことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a fluoride thin film manufacturing method capable of manufacturing a fluoride thin film by sputtering without complicated works by solving a problem when forming a target of fluoride, and depositing the fluoride thin film of the desired composition with less lack of fluorine.例文帳に追加

フッ化物をターゲットとする場合の問題を解決して煩雑な作業を伴うことなくフッ化物薄膜をスパッタリングにより製造することを可能とし、よりフッ素の欠乏が少なく目的とする組成に近いフッ化物薄膜を成膜し得るフッ化物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

Preferably, the liquid-impermeable catalyst layer is formed through at least one process chosen from electroplating, vapor deposition, sputtering and ion plating, has a thickness of 0.5-30 μm and has a platinum group metal deposited inside or on its surface through electroless plating.例文帳に追加

前記液不透過性触媒層が電気めっき、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティングのいずれかの１つ以上の方法により形成され、その厚さが０．５μｍから３０μｍであること、前記隔膜の表面或いはまた内部に、無電解めっきによる白金族金属を担持していることが好ましい。 - 特許庁

In the case of forming the fluoride optical thin film on the quartz substrate by the reactive DC magnetron sputtering, especially a 1st layer of a multilayer optical thin film is formed by a filming process with priority given to adhesiveness rather than to absorbong characteristics.例文帳に追加

本発明は、反応性ＤＣマグネトロンスパッタにおいて、フッ化物光学薄膜を石英基板に成膜する際、多層光学薄膜の特に第１層目の成膜プロセスを、膜の吸収特性よりも密着性を優先したものとして成膜を行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group-III nitride semiconductor, which can efficiently form a film of the group-III nitride semiconductor having an adequate film quality on a substrate through a reactive sputtering method.例文帳に追加

良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering device having a magnet assembled body capable of easily assembling plural magnet units at a prescribed pitch and a magnetron cathode electrode part provided with the assembly and capable of forming a homogeneous film of a uniform film thickness distribution on a large substrate with high efficiency.例文帳に追加

複数の磁石ユニットを所定のピッチで組立の容易な磁石組立体およびその組立体を具備したマグネトロンカソード電極部を有し、大型基板に対して、均一な膜厚分布、均質な、かつ効率よく成膜が行えるマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

SILVER ALLOY, SPUTTERING TARGET, REFLECTOR FOR REFLECTION LCD, REFLECTION WIRING ELECTRODE, THIN FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, OPTICAL RECORDING MEDIUM, ELECTRO MAGNETIC WAVE SHIELD, METAL MATERIAL FOR ELECTRONIC PART, WIRING MATERIAL, ELECTRONIC PART, ELECTRONIC APPLIANCE, PROCESSING METHOD OF METAL FILM, ELECTRON OPTICAL PART, LAMINATE, AND GLASS OF BUILDING MATERIAL例文帳に追加

銀合金、スパッタリングターゲット、反射型ＬＣＤ用反射板、反射配線電極、薄膜、その製造方法、光学記録媒体、電磁波遮蔽体、電子部品用金属材料、配線材料、電子部品、電子機器、金属膜の加工方法、電子光学部品、積層体及び建材ガラス - 特許庁

To provide a target assembly capable of inhibiting generation of warpage at the time of making a target material and a backing plate into the target assembly through a bonding material, furthermore, effectively inhibiting peeling or breaking of the target material and the backing plate caused by temperature rise during sputtering, and having a high conductivity.例文帳に追加

ターゲット材とバッキングプレートをボンディング材を介してターゲット接合体とする際の反りの発生を抑制し、さらにはスパッタリング中の温度上昇に起因するターゲット材とバッキングプレートとの剥離や破壊を効果的に防止し、且つ導電性に優れたターゲット接合体を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel feed pipe having enhanced rust preventative performance structured so that even a part exposed to the outside is unlikely to be exfoliated caused by the sputtering of sand and grit etc. and that a gap in the joining part of members is applied with a coating exerting high rust preventative performance.例文帳に追加

防錆性能の向上を主眼として、第１に外部に対して露出した部分でも砂礫等の飛散による剥離を招きにくく、第２に部材相互の接合部の隙間でも高い防錆性能を発揮できる塗装を施した燃料給油管を提供する。 - 特許庁

A magnetron sputtering source has a means for generating a coating plasma, and at least one magnet arrangement 7 for generating a magnetic field for the purpose of influencing the coating plasma such that at least one plasma channel 8 is generated above one section of the surface 4' of the target 4.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング源はコーティング用プラズマを発生させるための手段と、磁場を発生させることでコーティング用プラズマに影響を与え、少なくとも１つのプラズマチャネル８をターゲット４の一部４´上方で発生させるための少なくとも１つの磁石配列７を備える。 - 特許庁

A collimator 6 is disposed between the target 2 and a substrate 4, and sputtering is performed by shielding the prescribed one or more apertures 7a among a plurality of the apertures 7, thereby regulating the amount of sputter particles SP arriving at the prescribed region of the substrate 4 and controlling the film thickness distribution.例文帳に追加

ターゲット２と基板４の間に、コリメータ６を配設し、その複数の開口部７のうち、所定の１以上の開口部７ａを遮蔽してスパッタを行うことにより、基板４の所定の領域に到達するスパッタ粒子ＳＰの量を調整して、膜厚分布を制御する。 - 特許庁

To provide a simple matching circuit for generating plasma, which can generate uniform plasma by high-frequency discharge by the high-frequency discharging current, can plasma process a dry etching as plasma etching or plasma CVD without sputtering.例文帳に追加

高周波電流による高周波放電によってプラズマを均一に発生させるとことができ、プラズマエッチングなどのドライエッチングやプラズマＣＶＤにおいて、スパッタを起こさずに、所定のプラズマ処理を行うことができ、しかも簡単な回路構成のプラズマ発生のためのマッチング回路を提供する。 - 特許庁