「Sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(130ページ目) - Weblio英語例文検索

The sputtering target contains an alloy based on CoPt or CoCrPt or CoCrPtB and a combination of oxides, where the combination of oxides includes CuO and at least one oxide selected from TiO_2, Cr_2O_3, Ta_2O_5, Nb_2O_5, Y_2O_3, ZrO_2 and HfO_2.例文帳に追加

ＣｏＰｔ又はＣｏＣｒＰｔ又はＣｏＣｒＰｔＢに基づく合金及び酸化物組合せを含み、前記酸化物組合せが、酸化銅（ＣｕＯ）と、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）からなる群から選択される少なくとも１つの酸化物とを含むスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The multilayer film is obtained by forming an underlying metal, a metal rendered conductive, an inorganic dielectric, and a metal rendered conductive sequentially by thin film coating technology such as sputtering, deposition, CVD, electroless plating, or electroplating on a polyimide benzo oxazole film employing diamines having benzo oxazole frame and aromatic tetra carboxylic acid dianhydride as a source and having a linear expansion coefficient of 1-12 ppm/°C.例文帳に追加

ベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸二無水物を出発材料とする線膨張係数が１〜１２ｐｐｍ／℃のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムに、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、無電解メッキ法、電気メッキ法などの薄膜形成技術により、下地金属、導電化金属、無機誘電体、導電化金属の順で積層し主題の積層フィルムを得る。 - 特許庁

The method of manufacturing a piezoelectric thin-film element having a PZT thin film formed on a substrate has a first process of forming a metal film on the substrate, a second process of sputtering a PZT precursor film on the metal film in an atmosphere containing no oxygen, and a process of applying heating processing to the precursor film to form a PZT crystal.例文帳に追加

基板上にＰＺＴ薄膜を形成した圧電体薄膜素子の製造方法であって、基板上に金属膜を形成する第１の工程と、前記金属膜上にＰＺＴの前駆体膜を酸素を含有しない雰囲気でスパッタリングする第２の工程と、前記前駆体膜を熱処理してＰＺＴの結晶体を形成する工程と、を備えてなる。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device 1000 comprises a step for forming a gate insulating layer 20 on a semiconductor layer 16 provided on a substrate 12, and a step for forming a gate electrode 30 on the gate insulating layer 20 wherein the gate electrode 30 is formed by simultaneous sputtering using at least two kinds of metal targets having different work functions.例文帳に追加

本発明の半導体装置１０００の製造方法は、基板１２に設けられた半導体層１６上に、ゲート絶縁層２０を形成する工程と、前記ゲート絶縁層２０上にゲート電極３０を形成する工程と、を含み、前記ゲート電極３０は、仕事関数が異なる少なくとも２種の金属のターゲットを用いて同時スパッタリング法により形成される。 - 特許庁

In this plasma sputter type negative ion source generating plasma 13 inside the hermetic chamber 1, sputtering a sputter target 6 by the plasma 13, and emitting ions of a target atom, multiple kinds of sputter targets 6 including a predetermined target element are arranged inside the hermetic chamber 1, and positive ions inside the plasma 13 are guided to one target selected from multiple kinds of sputter targets 6.例文帳に追加

気密チャンバ１中にプラズマ１３を発生させ、該プラズマ１３によりスパッタターゲット６をスパッタリングし、ターゲット原子のイオンを射出するプラズマスパッタ型負イオン源において、気密チャンバ１内に、所定の目的元素を含むスパッタターゲット６が複数種類配置され、複数種類のスパッタターゲット６の中から選択された一つのスパッタターゲットにプラズマ１３中の正イオンを誘導する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the SAW device for making a protecting film formed by silicon dioxide mainly on an IDT electrode of a piezoelectric substrate after forming the IDT electrode 33 on the piezoelectric substrate 32, the SAW device can be formed by forming the silicon dioxide film by sputtering while introducing inert gas into a chamber and introducing oxygen into the chamber simultaneously.例文帳に追加

圧電基板３２上にＩＤＴ電極３３を形成した後で、前記圧電基板の主としてＩＤＴ電極上に二酸化珪素による保護膜を形成するようにしたＳＡＷデバイスの製造方法であって、チャンバー内に、不活性ガスを導入するとともに、該チャンバー内に酸素を同時に導入しながらスパッタリングにより前記二酸化珪素膜を成膜することにより形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode for a lithium secondary cell is provided with a process forming a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer on a collector 8 under an atmosphere including an Ar element being cation, using a sputtering method in a condition of a voltage impressed on the collector 8 using an RF power source 7 so that a potential of the collector 8 is to be practically negative.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、集電体８の電位が実質的に負電位になるように、ＲＦ電源７を用いて集電体８に電圧を印加した状態で、スパッタリング法を用いて、正イオンになるＡｒ元素を含む雰囲気下で、集電体８上に、Ｌｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する工程を備える。 - 特許庁

In a thin-film bulk acoustic resonator manufacturing method having an elastic resonant film in which at least a lower part electrode, a piezoelectric film and an upper part electrode are laminated, a lower part electrode 12 is firstly formed on a substrate 10, and a piezoelectric film 13 is formed by a non-reactive sputtering which targets compound materials expressing piezoelectric property on an upper layer of the lower part electrode 12.例文帳に追加

少なくとも下部電極、圧電膜および上部電極を積層させてなる弾性共振膜を有する薄膜バルク音響共振子の製造する方法であり、まず、基板１０に下部電極１２を形成し、下部電極１２の上層に圧電性を発現する化合物材料をターゲットとする非反応性スパッタリングにより圧電膜１３を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the substrate is such that, after the metallic films 12, 13 are formed in vacuum on the surface of the belt-like plastic film 11 by a sputtering device, the plastic film 11 is wound around in a role shape in a manner that the metallic films 12, 13 are superimposed on the carbon film 14 formed on the entire surface of the reverse corresponding to the metallic film-formed part.例文帳に追加

帯状のプラスチックフィルム１１の表面にスパッタリング装置によって金属膜１２、１３を真空成膜した後に、プラスチックフィルム１１を、裏面における上記金属膜の成膜部対応部分の全面に形成したカーボン膜１４と上記表面の金属膜１２、１３とを重ねるようにロール状に巻き取るフレキシブル基材の製造方法とした。 - 特許庁

In the electrochromic element having a layered film wherein a first conductive film, an oxidation coloring layer, an electrolyte layer, a reduction coloring layer and a second conductive film are layered in this order or in the reverse order on a substrate, any one, or two or more layers of the oxidation coloring layer, the electrolyte layer and the reduction coloring layer are film-deposited by a dual magnetron sputtering method in an atmosphere containing hydrogen.例文帳に追加

基板上に、第１の導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層、及び第２の導電膜がこの順或いは逆順で積層されてなる積層膜を有するエレクトロクロミック素子において、該酸化発色層、電解層及び還元発色層のうちのいずれか１層又は２層以上が、水素を含有する雰囲気において、デュアルマグネトロンスパッタ法により成膜される。 - 特許庁

To provide a low-cost Ag alloy film and an Ag alloy reflecting film which have a fixed value as a reflection factor within a visible light range while keeping a high reflection factor and has heat resistance and corrosion resistance and have adhesion to a substrate and a patterning capability improved and to provide a flat panel display device having the Ag alloy film and a sputtering target material for Ag alloy film formation.例文帳に追加

高反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、耐熱性、耐食性を兼ね備え、基板への密着性とパタニング性を改善した低コストなＡｇ合金膜およびＡｇ合金系反射膜、ならびにそのＡｇ合金膜を有する平面表示装置およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

The interconnection and an electrode for flat panel display using a thin-film transistor having superior adhesiveness, formed by a copper alloy thin film having a composition containing oxygen by 0.4 to 6 atomic%, one or more of Ni, Co and Zn by 0.001 to 3 atomic% in total, and the rest consisting of Cu and unavoidable impurities, and is also relates to a sputtering target for forming interconnections and the electrode.例文帳に追加

酸素：０．４〜６原子％を含有し、さらにＮｉ、ＣｏおよびＺｎのうちの１種または２種以上を合計で０．００１〜３原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The manufacturing method of the color filter includes steps for film-forming a black matrix and colored layers of a plurality of colors on a transparent substrate to form the color filter layer; applying pressure to the surface of the color filter layer to make compressive stress generated at only a surface layer part of the color filter layer; and forming the transparent conductive film on the color filter layer by a sputtering method.例文帳に追加

透明基板上に、ブラックマトリックス及び複数色の着色層を成膜して、カラーフィルター層を形成する工程、前記カラーフィルター層の表面に圧力を印加し、前記カラーフィルター層の表層部のみに圧縮応力を生じさせる工程、及び前記カラーフィルター層上にスパッタ法により透明導電膜を形成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

This surge absorber 1 is used by respectively connecting a metallic terminal 3 to the surge voltage generating side and another one metallic terminal 4 to the surge voltage absorbing side, and a surge absorbing element 2 between the metallic terminals 3 and 4 has cloth 21 woven with high insulating fiber and a metallic layer 22 by sticking metal to the surface of the cloth 21 by sputtering.例文帳に追加

サージアブソーバ１は、金属端子３をサージ電圧が発生する側に、もう一方の金属端子４をサージ電圧を吸収する側に、それぞれ接続して使用され、金属端子３，４の間のサージ吸収素子２は、絶縁性の高い繊維で織られた布２１と、布２１の表面にスパッタリングによって金属を付着させてなる金属層２２と、を備えている。 - 特許庁

To provide a barrier film for a highly dense copper wiring semiconductor which can obtain a sufficient barrier effect with a film thickness enough to prevent film peeling and a fine wiring pitch in suppressing diffusion of a copper in the highly dense copper wiring semiconductor, and has no variation in barrier characteristics even if a temperature rises due to heat treatment, and to provide a sputtering target for forming the barrier film.例文帳に追加

高密度銅配線半導体の銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また細かい配線ピッチでも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がない高密度銅配線半導体用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

The magnetron sputtering source comprises a backing plate 3 to function as a cathode electrode, a target 2, and a magnet 4 to generate the magnetron magnetic field, and further comprises a heating mechanism to heat the target 2 on the target 2 side of the backing plate 3, and a cooling mechanism to cool the magnet 4 on the side opposite to the target 2 side of the backing plate 3.例文帳に追加

カソード電極として機能するバッキングプレート３と、ターゲット２と、マグネトロン磁場を発生する磁石４とを具えるマグネトロンスパッタ源であって、前記バッキングプレート３の前記ターゲット２の側に前記ターゲット２を加熱する為の加熱機構と、前記バッキングプレート３の前記ターゲット２のある側と反対側に前記磁石４を冷却する為の冷却機構とを具える。 - 特許庁

Metallic elements composing a target material are homogeneously mixed by a mechanical alloying method, this powdery mixture is subjected to molding by controlling temperature and pressure while introducing suitable porosity to produce a formed body free from cracking, and the obtained formed body and a backing plate are joined via an insert material by an electric heating means under pressure to produce a sputtering target assembly.例文帳に追加

ターゲット材を構成する金属元素を機械的合金化法によって均質に混ざるように混合し、この混合粉末を用いて、温度、圧力を制御して適当な空孔率を導入しつつ成形することによって割れのない成形体を作製し、得られた成形体とバッキングプレートを、インサート材を介して加圧下通電加熱法を用いて接合し、スパッタリングターゲット組立体を製造する。 - 特許庁

To provide an in-line sputtering apparatus which employs a method of overcoming the following problem: when a processing substrate and a target is made to counter in parallel and the processing substrate is processed while being arranged tilted from the horizontal or vertical direction so as to be above the target, warpage occurs due to the weight of the processing substrate, which causes the variation in the quality of deposited film.例文帳に追加

処理基板とターゲットとを、平行に対向させ、且つ、処理基板を、ターゲットに対して上側、水平もしくは鉛直方向から斜めに傾けた状態として処理する場合において、処理基板の自重により、ソリが発生し、これが原因で、成膜される膜品質にばらつきが発生するという問題を、解決できる方法を採り入れたインラインスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film forming system capable of stably forming a thin film of various desired characteristics uniformly in its longitudinal and transverse directions with good reproducibility in thin film formation of continuously forming the thin film (functional thin film) by sputtering treatment on the surface of a long-length film-shaped substrate continuously supplied to a substrate transport route, and to provide a thin film forming method.例文帳に追加

基板搬送経路に連続的に供給される長尺のフィルム状基板の表面に、スパッタ処理により連続的に薄膜（機能性薄膜）を形成する薄膜形成において、求められる諸特性の薄膜をその長手、幅方向において均一に、かつ再現性よく安定させて形成することができる薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The method for refining the structure of an Al series target material for sputtering in which a molten alloy containing one or more elements selected from transition metals by 10 atomic % or less, essentially containing the group 3A elements as the above transition elements and the balance substantial by Al is subjected to rapid cooling treatment to finely disperse and form compounds in the target structure is applied.例文帳に追加

遷移元素から選択される元素のいずれか１種または２種以上を１０原子％以下含み、前記遷移元素として３Ａ族元素を必須として含有し、残部実質的にＡｌからなる合金溶湯を急冷処理することにより、ターゲット組織中の化合物を微細に分散形成させるＡｌ系スパッタリング用ターゲット材の組織微細化方法を適用する。 - 特許庁

The catalyst structure for storing and generating hydrogen made by coating a carrier surface with the catalyst material by a gas flow sputtering method; a storage method for hydrogen using the catalyst structure and aromatic hydrocarbon; and a generation method for hydrogen using the catalyst structure and a hydrogenated derivative of the aromatic hydrocarbon are provided.例文帳に追加

担体表面にガスフロースパッタリング法により触媒材料をコーティングしてなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに、該触媒構造体と、芳香族炭化水素とを用いることを特徴とする水素の貯蔵方法、及び上記触媒構造体と、芳香族炭化水素の水素化誘導体とを用いることを特徴とする水素の発生方法である。 - 特許庁

In this case, the surface of the membrane 2 is coated with platinum or palladium by sputtering, the upper surface is electroless-plated with platinum and iridium, and a carbon grain 3 is firmly held between the membrane and cathode plate.例文帳に追加

イオン交換膜２の両側に陽極側電極板１ｂ及び陰極側電極板１ａを接触させる水電解ガス発生装置において、イオン交換膜２表面に白金又はパラジウムをスパッタリングにてコートし、その上面に白金及びイリジウムの無電解メッキを施し、イオン交換膜と陰極側電極板間にカーボン粒３を密着保持させたことを特徴とする水電解ガス発生装置。 - 特許庁

The MoSiON film 12 having a prescribed transmissivity is obtained by polishing and cleaning SiO2 (synthetic quartz glass) to become the substrate, forming the MoSiON film 12 of an oxide film thereon by vacuum deposition or sputtering, forming a W thin film on the formed MoSiON film and heat treating to allow the W thin film to cause the sucking action.例文帳に追加

基板になるＳｉＯ_２（合成石英ガラス）１１を研磨・洗浄し、その上に真空蒸着やスパッタリング法で酸化膜であるＭｏＳｉＯＮ膜１２の被膜形成を行い、その形成されたＭｏＳｉＯＮ膜１２の上にＷ薄膜１３を形成し、熱処理を施すことによりＷ薄膜１３に吸出し作用を起こさせて所望の透過率を有するＭｏＳｉＯＮ膜１２を得る。 - 特許庁

A plurality of heating resistors, a protective film for the heating resistors, and electrodes for supplying power selectively to the heaters are formed on a substrate using sputtering and photolithographic processes and the plurality of heating resistors being connected with the selection electrodes are formed while being split thus obtaining a thermal head where the protective film has a protruding and recessed surface.例文帳に追加

本発明は、基板上に、スパッタリングおよびフォトリソ工程等をもちいて複数の発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体を保護する保護膜と、発熱体に選択的に電力を供給する選択電極を設け、前記選択電極に対して接続する発熱抵抗体を複数に分割して形成することにより、保護膜面が凹凸形状になることを特徴とするサーマルヘッドにある。 - 特許庁

The carbon oxide thin film, the carbon oxynitride thin film and the diamond-like carbon oxide thin film are manufactured by plasma-decomposing gaseous starting materials including CO in an inert gaseous atmosphere, sputtering a carbonaceous material with at least part of ions in the generated plasma-forming components, and depositing the reaction product of at least part of the plasma-forming components and sputtered carbon atoms on a substrate.例文帳に追加

不活性ガス雰囲気において、一酸化炭素を含む原料ガスをプラズマ分解し、発生したプラズマ生成成分のうちのイオンの少なくとも一部で炭素原料をスパッタし、プラズマの生成成分の少なくとも一部とスパッタされた炭素原子との反応物を基板上に堆積させることで、酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜を製造する。 - 特許庁

To stably produce a target for depositing a phase transition type optical recording medium protective film provided with fine crystal grains, and having a high density of ≥97% at a low cost, and to increase a product yield by preventing or suppressing discoloration such as color irregularity in the target, and to improve the quality of the optical recording medium by performing sputtering using the target.例文帳に追加

微細結晶粒を備え９７％以上の高密度を有する相変化型光記録媒体保護膜形成用ターゲットを安定して低コストで製造できるようにするとともに、該ターゲットの色むら等の変色を防止又は抑制することにより製品歩留りを上げ、かつ該ターゲットを用いてスパッタリングすることによって光記録媒体の品質を向上させる。 - 特許庁

The method for depositing a conductive thin film having the texture structure further includes a step of depositing the conductive thin film formed of Ag containing aluminum oxide by using a vacuum film deposition process such as sputtering and vacuum vapor deposition, and a step of laminating a plurality of conductive thin films of different composition, and the mean surface roughness and the shape of the texture structure can be controlled.例文帳に追加

スパッタまたは真空蒸着などの真空成膜プロセスを使用して、酸化アルミニウムを含有したＡｇからなる導電性薄膜を形成すること、および異なる組成の導電性薄膜を複数積層する工程をさらに含み、テクスチャー構造の平均表面粗さおよび形状を制御することを特徴とするテクスチャー構造を有する導電性薄膜の形成方法。 - 特許庁

The magnetic particles 1 whose average particle diameter D including the hair-like projections 3 is within the range from 100 nm to 300 nm are excellently obtained as iron particles formed by a gas flow sputtering method, and are used as magnetic particles for destructing tumor cells by a converted magnetic field given inside the tumor cells from outside by phagocytosis or endocytosis.例文帳に追加

このとき、ヒゲ状突起３を含む粒子径Ｄの平均が１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内である磁性微粒子１は、ガスフロースパッタ法で形成された鉄微粒子として好ましく得ることができ、腫瘍細胞内に貪食又はエンドサイトーシスされて外部から加わる変換磁場により該腫瘍細胞を破壊する磁性微粒子として利用できる。 - 特許庁

The manufacturing method for a cathode electrode comprises a cathode electrode formation process of forming a cathode layer by forming a cathode active material on a cathode collector at a forming rate of a range of 0.4-2.0 Å/sec by using a sputtering method and forming the cathode electrode made of the cathode collector and the cathode layer.例文帳に追加

本発明は、スパッタリング法を用いて、正極活物質を、０．４〜２．０Å／ｓｅｃの範囲内の成膜レートで、正極集電体上に成膜して正極層を形成し、上記正極集電体と上記正極層とからなる正極電極体を形成する正極電極体形成工程を有することを特徴とする正極電極体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The method comprises forming a metal oxide thin film on the surface of a plastic film by the vacuum vapor deposition, ion plating, sputtering or CVD method, applying, onto the oxide film, an active-energy-hardenable composition containing a silane coupling agent containing an acryloyl and/or a methacryloyl group, and irradiating active energy rays to form a hardened coating.例文帳に追加

プラスチックフィルム表面に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法及びＣＶＤ法から選ばれるいずれかの方法により金属酸化物薄膜を形成し、該金属酸化物薄膜上に、アクリロイル基及び／又はメタクリロイル基を有するシランカップリング剤を含有する活性エネルギー線硬化性組成物を塗布し、活性エネルギー線を照射して硬化被膜を形成するガスバリア性フィルムの製造方法。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a sintered body substantially consisting of In, Sn, Mg and O, which compacts a mixture of powders of indium oxide and tin oxide, and powders of magnesium indate and/or magnesium stanate, or a mixture of a composite oxide powder of indium oxide-tin oxide, and powders of magnesium indate and/or magnesium stanate, and then sintering the compact.例文帳に追加

酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末と、インジウム酸マグネシウム粉末及び／又はスズ酸マグネシウム粉末とを混合した混合物、又は、酸化インジウム−酸化スズ複合酸化物粉末と、インジウム酸マグネシウム粉末及び／又はスズ酸マグネシウム粉末とを混合した混合物を成形した後、焼結して得られる実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｍｇ及びＯからなる焼結体を用いてスパッタリングターゲットを構成する。 - 特許庁

The optical multilayer interference film 11 has low refractive index films 2 and high refractive index films 1 alternately layered on a transparent base body 10 and at least one layer of the high refractive index films 1 is a high refractive index oxide film having an amorphous structure deposited by sputtering a reduction type oxide target as the source material.例文帳に追加

透明基体１０上に、低屈折率膜２と高屈折率膜１とが交互に積層された光学多層干渉膜１１であって、該高屈折率膜１の少なくとも一層が還元型酸化物ターゲットを原料としてスパッタ成膜されたアモルファス構造を有する高屈折率酸化物膜であることを特徴とする光学多層干渉膜１１とその製造方法および該光学多層干渉膜を用いたフィルター。 - 特許庁

A manufacturing method includes a Cu coating forming step of forming CU coating on the surface of a transparent resin film (1) by vapor deposition or sputtering; a coloring step of coloring the surface in black or brown, by performing treatment using a solution of ammonium sulfide after the Cu coating forming step; and a wiring forming step of forming wiring (2), according to screen printing or photoresist after the coloring step.例文帳に追加

蒸着法またはスパッタリング法により透明樹脂フィルム（１）の表面にＣｕ被膜を形成するＣｕ被膜形成工程と、該Ｃｕ被膜形成工程の後、硫化アンモニウムの水溶液で処理をすることにより、表面を黒色または褐色に着色させる着色工程と、該着色工程の後、スクリーン印刷法またはフォトレジスト法により配線（２）を形成する配線形成工程とを有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the transparent conductive film has the process of forming at least one undercoat layer on one surface or each of both surfaces of a transparent film base material, the process of forming the transparent conductive layer on the undercoat layer by a sputtering method, the process of etching the transparent conductive layer to keep patternized, and the process of annealing and crystallizing the patternized transparent conductive layer.例文帳に追加

透明なフィルム基材の片面または両面に、少なくとも１層のアンダーコート層を形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程、および前記パターン化された透明導電体層をアニール化処理して結晶化させる工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁

After a sputtering method is used to start forming a substance layer 102 on a bonding surface of a crystal substrate 101 and to start forming a substance layer 102 on a bonding surface of a crystal substrate 111, the bonding surface of the crystal substrate 101 and the bonding surface of the crystal substrate 111 where the substance layers 102 of 0.2 to <1 nm in layer thickness are formed respectively are bonded together with the substrate layer 102 interposed.例文帳に追加

スパッタ法により、水晶基板１０１の接合面に対する物質層１０２の形成、および水晶基板１１１の接合面に対する物質層１０２の形成を開始した後、０．２ｎｍ以上１ｎｍ未満の層厚の物質層１０２が各々形成された水晶基板１０１の接合面および水晶基板１１１の接合面とを、物質層１０２を介して着接する。 - 特許庁

Sheet plasma 27 is guided so as to pass a space between the substrate 34B and the target 35B in the sputtering chamber 30, and when an Al material sputtered from the target 35B by charged particles in the sheet plasma 27 is deposited on the aperture of the substrate 34B, the coverage property of a deposited film made of the Al material is adjusted based on plasma discharge current ID and substrate bias voltage VA.例文帳に追加

シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４Ｂとターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ材料からなる堆積膜のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤおよび基板バイアス電圧ＶＡに基づいて調整されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a pure copper sheet, in which cold forging and cold rolling after hot forging and hot rolling and heat treatment after that are unnecessary, and a pure copper sheet which has fine structure obtained by the method, to which a high special intercrystalline rate is imparted by forming twin crystal structure by partial recrystallization and which is especially suitable for a copper target base stock for sputtering, a plating anode or the like.例文帳に追加

熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要な純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細な組織を有すると共に部分再結晶化によって双晶組織を形成させる事により、高い特殊粒界比率を付与した、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材やめっき用アノード等に適した純銅板を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a photoelectric conversion element 10 including laminated layers of a back electrode 12, a photoelectric conversion layer 13, an interface layer 14 and a translucent conductive layer 16, a first zinc oxide film 15 is deposited on the interface layer 14 using an organic metal chemical vapor deposition method, and a second zinc oxide film is deposited on the first zinc oxide film 15 using a sputtering method as the translucent conductive layer 16.例文帳に追加

裏面電極１２と光電変換層１３と界面層１４と透光性導電層１６とが積層されてなる光電変換素子１０の製造方法であって、界面層１４上に、有機金属化学気相蒸着法を用いて第１の酸化亜鉛膜１５を成膜し、第１の酸化亜鉛膜１５上に、スパッタ法を用いて第２の酸化亜鉛膜を透光性導電層１６として成膜する。 - 特許庁

When plural magnetron evaporation sources 3 are arranged around a substrate 2 in a magnetron sputtering apparatus and metal atoms or ions evaporated from the magnetron evaporation sources 3 are deposited on the substrate 2 to form a thin film on the substrate 2, auxiliary magnetic poles 9 having polarities in inverse relation to those of the outer magnetic poles 4 of the magnetron evaporation sources 3 are disposed at the intermediate position between the adjacent magnetron evaporation sources 3.例文帳に追加

基板２の外周に複数のマグネトロン蒸発源３が設けられ、マグネトロン蒸発源３より蒸発した金属原子又はイオンを、基板２に付着させて基板２に薄膜を形成するようにしたマグネトロンスパッタ装置において、隣合うマグネトロン蒸発源３の中間位置に、マグネトロン蒸発源３の外側磁極４の極性と相異なる極性を持った補助磁極９が配置されている。 - 特許庁

In the sputtering target of a CoCrPt-non-magnetic oxide obtained by pressure sintering a CoCrPt-non-magnetic oxide mixed powder formed by adding Co-Cr alloy powder and Pt powder to a preliminary mixed powder made of Co powder, Pt powder and non-magnetic oxide powder and mixing and crushing the resultant powder, 12 to 25 area% Pt rich regions are dispersed and formed in its structure.例文帳に追加

Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末及び非磁性酸化物粉末からなる予備混合粉末に、Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末及びＰｔ粉末を更に添加して混合・粉砕したＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物混合粉末を加圧焼結することによって得られた、ＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物スパッタリングターゲットであって、その組織中には、１２〜２５面積％のＰｔリッチ領域が分散形成されている。 - 特許庁

When only a thermal process in an oxidizing atmosphere is performed with a film which is formed by sputtering a ferroelectrics film, the magnetic field applied to a target is set to 270 Gausses or higher, and when thermal process in an inert atmosphere and that in the oxidizing atmosphere are performed with the formed film, the magnetic field applied to the target is set to 349 Gausses or lower.例文帳に追加

強誘電体膜をスパッタリングにより形成する際に、形成された膜に対して酸化雰囲気中での熱処理のみを行なう場合には、ターゲットに印加される磁場を２７０Ｇａｕｓｓ以上に設定し、一方形成された膜に対して不活性雰囲気中での熱処理と酸化雰囲気中での熱処理を行なう場合には、ターゲットに印加される磁場を３４９Ｇａｕｓｓ以下に設定する。 - 特許庁

In the etching process, the specimen 21 is heated to a temperature not lower than the point where the surface mobility of deposit begins to grow large, which is a reaction product between plasma 40 and the specimen 21 or the product resulting from the sputtering of the resist pattern 30 by plasma 40, and lower than the point where the deposit is firmly fixed on the surface of the specimen 21.例文帳に追加

該エッチング工程は試料２１を加熱し、試料２１の加熱温度は、プラズマ４０と試料２１とが反応してなる反応生成物又はレジストパターン３０がプラズマ４０によりスパッタされてなる生成物が試料２１の表面上に堆積物として堆積する際の堆積物の表面移動度が大きくなり始める温度以上で、且つ堆積物が試料の表面に固着する温度よりも低い温度に設定する。 - 特許庁

The method for the silicon carbide sintered body including silicon carbide includes steps of: forming a blending powder including silicon carbide; molding the blending powder in a predetermined form and sintering thereof; and forming a silicon carbide film on the surface of the sintered silicon carbide sintered body by the sputtering method.例文帳に追加

炭化ケイ素を含む炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、炭化ケイ素を含む混合粉体を形成する工程と、混合粉体を所定の形状に成形し焼成する工程と、炭化ケイ素と同一純度を有する炭化ケイ素をターゲットとして用いて、焼成された炭化ケイ素焼結体の表面に炭化ケイ素膜をスパッタリング法により形成する工程とを有する。 - 特許庁

The hard film 1 having a first layer 3 containing metal nitride, metal oxide or metal carbide, and a second layer 4 which is coated on the first layer 3 and has composition consisting of, by atom, 60-95% carbon and 5-40% silicon is manufactured by using a sputtering apparatus having reactive gas feed equipment by devising a method for introducing reactive gas.例文帳に追加

金属の窒化物又は金属の酸化物又は金属の炭化物を含む第１の層３と、この第１の層３の上部に被覆され組成割合６０〜９５原子％の炭素と組成割合５〜４０原子％の珪素を含む第２の層４とを有する硬質皮膜１を、反応ガス供給設備を備えたスパッタリング装置を用いて、反応ガスの導入方法を工夫して製造するものである。 - 特許庁

The sputtering target comprises a fine homogeneous dispersion mixed phase of an alloy phase consisting of at least one kind of metal elements of chromium, nickel, tantalum, and platinum and the balance a cobalt alloy, and a ceramic phase consisting of a compound of at least one kind of elements of oxygen, nitrogen and carbon, and at least one kind of elements of silicon, aluminum, boron, titanium and zirconium which have affinity to these elements.例文帳に追加

クロム、ニッケル、タンタルおよびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの合金からなる合金相と、酸素、窒素および炭素のうち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物からなるセラミックス相の微細均質分散混合相からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁