「Sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(127ページ目) - Weblio英語例文検索

In a magnetron discharge type sputtering apparatus, a cylindrical carbon target having a hollow portion with one end opened and the other end closed is disposed, the plasma is generated in the hollow portion, and an aperture of the target is separated from a substrate so as to deposit the amorphous carbon having the film hardness Hv≥1,500 kgf/mm2.例文帳に追加

一端が開口し他端が閉じた中空部を有する円筒状炭素ターゲットが配置され、該中空部にプラズマが発生するように構成され、該ターゲットの開口部と基板との間の距離が、Ｈｖ＝１５００ｋｇｆ／ｍｍ^2以上の膜硬度を有するアモルファス炭素が形成されるように離してあるマグネトロン放電型スパッタ装置。 - 特許庁

A manufacturing method of a sputtering target comprises a pressure bonding process of pressure bonding powder 2 consisting of a forming material of a transparent oxide conductor to at least one side of a plate body 21 formed of a conductor by performing the rolling between rolling rollers 4A, 4B, and a sintering process of sintering the powder 2 pressure bonded to the plate body.例文帳に追加

圧延ローラ４Ａ，４Ｂ間において圧延処理することによって導電体からなる板状体２１の少なくとも一方の面に透明酸化物導電体の形成材料からなる粉末２を圧着させる圧着工程と、上記板状体に圧着された上記粉末２を焼結させる焼結工程とを有する。 - 特許庁

A direction controller 391 is provided to launch part of sputter particles 300 on the surface of the substrate 9 as much as possible, the part of which is emitted from the target 30 by sputtering and travels toward the surface of the substrate 9 in a selected slanting direction Ds having the direction component of a direction Dr to increase coercive force.例文帳に追加

スパッタによりターゲット３０から放出されるスパッタ粒子３００のうち、保磁力を強くする方向Ｄｒに方向成分を持つとともに基板９の表面に対して斜めの選択方向Ｄｓに飛行するスパッタ粒子３００を多く基板９の表面に入射させる方向規制具３９１が設けられている。 - 特許庁

In a sputtering apparatus, the target 3 is arranged in a vacuum chamber 1, gas is fed into the vacuum chamber 1 to form a lean gas atmosphere, the lean gas is ionized, ionized charged particles are collided with the target 3, and thus, the particles generated from the target 3 are deposited on the substrate 5 opposing the target 3 to deposit a thin film.例文帳に追加

スパッタリング装置は、真空チャンバ１内にターゲット３を配置し、同真空チャンバ１内にガスを供給して希薄ガス雰囲気とすると共に、この希薄ガスを電離し、電離した荷電粒子を前記ターゲット３に衝突させて、これによりターゲット３から発生して粒子をターゲット３と対向する基板５上に堆積させて薄膜を形成するものである。 - 特許庁

This ZnS-SiO_2 sputtering target of ≥90% in relative density is sintered by using the powder prepared by uniformly dispersing and mixing 1 to 50 mol% SiO_2 base glass powder contg. 0.01 to 20 wt.% in total ≥1 kind selected from metal elements, boron, phosphorus, arsenic and their oxides as additives and the balance ZnS powder.例文帳に追加

添加物として金属元素、硼素、燐、砒素又はこれらの酸化物から選択した１種以上を総量で０．０１〜２０ｗｔ％含有するＳｉＯ_２系ガラス粉末１〜５０ｍｏｌ％と残部ＺｎＳ粉末とを均一に分散混合した粉を使用して焼結したことを特徴とする相対密度９０％以上のＺｎＳ−ＳｉＯ_２スパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a reactive-gas introduction device for reactive sputtering, which can uniformly supply a reactive gas across the width of a base material in order to continuously form a transparent electroconductive film on a long base material, which is homogeneous lengthwise as well as widthwise on the base material, with the reactive sputter method.例文帳に追加

長尺基材上に反応性スパッタ法にて基材長手方向に加えて基材幅方向にも均質な透明導電性膜を連続的に製膜するため、上記反応性スパッタにおける反応性ガス導入装置として、基材幅方向に均等に反応性ガスを供給できるような反応性ガス導入装置を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing the conductive catalyst particles comprises arranging the conductive powder 1 and balls 3, etc., as vibration amplifying means on a vibration surface 20 and simultaneously vibrating both in depositing a catalyst material 18, such as Pt, by a physical vapor deposition method, such as sputtering, to the surface of the conductive powder while vibrating the conductive powder 1, such as carbon.例文帳に追加

カーボン等の導電性粉体１を振動させながら、この導電性粉体１の表面に、スパッタ等の物理蒸着法によりＰｔ等の触媒物質１８を付着させる際、導電性粉体１と、振動増幅手段としてのボール３等とを振動面２０上に配置し、これらを同時に振動させる、導電性触媒粒子の製造方法。 - 特許庁

A protective layer 242 comprising at least one of magnesium oxide, aluminum oxide, and spinel is produced by a method selected from among a plasma CVD method, a sputtering method, and an ion plating method while applying a negative bias voltage to a front panel 20, and in a crystal structure of the protective layer 242, oxygen defectives (F-centers) where two free electrons are trapped are formed.例文帳に追加

負のバイアス電圧をフロントパネル２０に印加しつつ、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、イオンプレーティング法から選択した方法により酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、スピネルのうち１種類以上よりなる保護層２４２を作製し、当該保護層２４２の結晶構造中に２個の自由電子がトラップされた酸素欠陥（Ｆ中心）を形成する。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a film deposition system where, when a metal fluoride such as MgF_2 is used as a target, and film deposition is performed by a sputtering process, a thin film free from light absorption and also having sufficient mechanical strength can be produced with high film thickness reproducibility even if an erosion shape is changed by the repeated use of a target material.例文帳に追加

ＭｇＦ_２等の金属フッ化物をターゲットとしスパッタリング法で成膜するにあたり、光吸収がなくかつ十分な機械的強度を有する薄膜を、ターゲット材料を繰り返し使用することによりエロージョン形状が変化しても、膜厚再現性良く作製可能にする成膜方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

In the film deposition method by the magnetron sputtering method, the soiling due to the organic materials stuck on the surface of the substrate is removed by producing a plasma gas of gaseous oxygen which is composed of 30-100 vol.% gaseous oxygen and 0-70 vol.% one or more kinds of gases selected from gaseous helium, gaseous neon, gaseous argon, gaseous xenon and gaseous krypton and using the gaseous oxygen plasma.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング法による成膜方法において、３０〜１００容積％の酸素ガスと、０〜７０容積％の窒素ガス、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、キセノンガス、クリプトンガスの中から選ばれる１種以上のガスとからなり、酸素ガスのプラズマ気体を発生させ、該酸素プラズマを用いて基板の表面に付着した有機系物質の汚れを除去する。 - 特許庁

The forming method of the multi-layered mirror for the manufacture of a micro-cavity of a light emitting device comprises a process of forming the buffer layer on a transparent base plate of the light emitting device, and a process of forming the multi-layered mirror by sputtering a plurality of thin films having different refractive index from each other on the buffer layer.例文帳に追加

発光装置のマイクロキャビティ構造用の多層ミラーの形成方法であって、発光装置の透明基板上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に異なる屈折率の複数の薄膜をスパッタリングし、多層ミラーとする工程とからなることを特徴とする上記方法、及びマイクロキャビティ構造用の多層ミラー。 - 特許庁

The method for manufacturing the metal foil with the electric resistance layer includes a step of forming the electric resistance layer by vapor growth method while applying oxygen as an atmosphere gas, on the metal foil having a surface where the average roughness of ten points measured by an optical method is adjusted to 4.0 to 6.0 μm, using a sputtering target containing nickel, chromium, and silicon.例文帳に追加

光学的方法で測定した十点平均粗さが４．０〜６．０μｍに調整した表面を有する金属箔上に、ニッケル、クロム、シリコンを含むスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気気体として酸素を付与しながら気相成長法により電気抵抗層を形成させる工程を含む電気抵抗層付き金属箔の製造方法である。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which has smooth surface properties and an undercoat film by which deterioration of surface properties and a crack are not generated and which has no fear to cause blocking, even when a ferromagnetic metal thin film is formed by a sputtering method, a deposition method and the like obliged to heat a substrate, and can be easily manufactured at low cost.例文帳に追加

非常に平滑な表面性を有し、さらに支持体加熱を伴うスパッタ法や蒸着法等で強磁性金属薄膜を作製した場合でも、表面性の劣化やクラックの発生がなく、ブロッキングを引き起こす虞れもない下塗り膜を有し、低コストで容易に製造することのできる磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

This method for producing a spinel ferrite thin film with (100) the preferred orientation on a substrate includes: a sputter deposition step of forming a spinel ferrite thin film or a thin film serving as a precursor thereof on the substrate by means of a sputtering method; and a vacuum heating step of heating the substrate in a vacuum.例文帳に追加

基板上に（１００）優先配向のスピネルフェライト薄膜を製造する方法であって、前記製造方法は、スパッタリング法でスピネルフェライト薄膜もしくはその前駆体となる薄膜を基板上に形成するスパッタ成膜ステップと、その基板を真空中で加熱する真空加熱ステップとを有することを特徴とするスピネルフェライト薄膜の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the secondary lithium battery comprises a process of forming the activator layer on a current collector 42a, using a sputtering method, and a process of keeping an electrode (negative electrode) 42, which comprises the current collector having the activator layer formed thereon, at least either in an inactive atmosphere or in a vacuum atmosphere until the battery is manufactured.例文帳に追加

このリチウム二次電池の製造方法は、集電体４２ａ上に、スパッタ法を用いて活物質層を形成する工程と、活物質層が形成された集電体からなる電極（負極）４２を、電池を作製するまでの間、不活性雰囲気下および真空雰囲気下の少なくともいずれかで保持する工程とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming the lower electrode 20 having a step of depositing Co on the surface of a capacitive element storage hole 18 by a sputtering method at a substrate temperature of 400°C to form a Co film 19 having an uneven surface, and a step of forming the lower electrode 20 made of titanium nitride over the Co film 19.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、下部電極２０を形成する工程が、容量素子収容孔１８の表面に４００℃の基板温度でスパッタ法によってＣｏを堆積し、表面に凹凸を有するＣｏ膜１９を形成する工程と、Ｃｏ膜１９を覆って窒化チタンから成る下部電極２０を形成する工程とを有する。 - 特許庁

Voltage is applied to a pair of targets 41a, 41b provided in a vacuum chamber 11 via an AC power source E at prescribed frequency in such a manner that polarity is changed, each target is alternately changed to an anode electrode and a cathode electrode, glow discharge is generated between the anode electrode and the cathode electrode to form a plasma atmosphere, and each target is subjected to sputtering.例文帳に追加

真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。 - 特許庁

To provide an Ag alloy reflection film for optical recording medium which can maintain environmental resistance such as excellent moisture and heat resistance and light resistance for long term even when a metal reflection film and the resin layer directly have contact with each other, an optical information recording medium comprising the reflection film, and a sputtering target for making the reflection film.例文帳に追加

金属反射膜と前記樹脂層とが直接接触する場合でも、優れた耐湿熱性や耐光性などの耐環境性を長期に亙って維持できる、光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、この反射膜を備えた光情報記録媒体、及び、この反射膜形成用のスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。 - 特許庁

In the semiconductor multilayer film comprising an Si single crystal substrate, and an Si_1-XGe_X (0<X≤1) film formed thereon, the Si_1-XGe_X film is preferably formed by magnetron sputtering method such that the surface defect density on the Si_1-XGe_X film becomes 10^4/cm^2 or less.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板と、このＳｉ単結晶基板上に形成されたＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ（０＜Ｘ≦１）膜とを具えた半導体積層膜において、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜は好ましくはマグネトロンスパッタリング法で形成し、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜の表面欠陥密度が１０^４／ｃｍ^２以下となるようにする。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing a resilient roller capable of finishing the surface into a smooth and flat cylindrical shape with a high accuracy, eliminating dispersion of the electric resistance value by making uniform the thickness of a coating film layer, preventing the coating material from sputtering to outside, decreasing the loss of material, and reducing the cost required to maintain the environment.例文帳に追加

弾性ローラを製造するにあたって、表面を緻密かつ平滑な円筒形に高精度で仕上げることができるとともに、塗膜層の厚さを均一にして、電気抵抗値のばらつきをなくし、さらに、塗料の外部への飛散を防止し、材料ロスを減少し、併せて環境維持に要する費用を低減できるようにする。 - 特許庁

The higher performance of the logic circuits and their higher integration are achieved by forming cobalt-siliciding films 11 on the source/drain regions 7a and 7b for the transistors in logic-circuit regions in regions not coated with the USGs and the upper sections of the gate electrodes 4 by depositing cobalt on the whole surface of a wafer by a sputtering method and conducting a thermal treatment such as a lump annealing.例文帳に追加

コバルトをスパッタ法によりウエハ全面に成膜してランプアニール等の熱処理を行うことにより、ＵＳＧに覆われていない領域のロジック回路領域のトランジスタのソース／ドレイン領域７ａ、７ｂとゲート電極４上にコバルトシリサイド膜１１を形成することにより、ロジック回路の高性能化及び高集積化が可能となる。 - 特許庁

In a reactive sputtering device where the inside of a movable target unit whose one end is opened and in which conductance is controlled is provided with an inert gas feed hole for Ar, Xe, Kr or the like, and the reactive gas including at least fluorine or oxygen can be fed to the space between the target and a substrate, the reactive gas is jetted to the direction of the substrate.例文帳に追加

一端が開口した、コンダクタンスが制御された可動ターゲットユニット内部にＡｒ，Ｘｅ，Ｋｒ等の不活性ガス供給孔を設け、該ターゲットと基板間に少なくともフッ素もしくは酸素を含む反応性ガスを供給可能な反応性スパッタリング装置において、該反応性ガスが基板方向に噴出する構成とする。 - 特許庁

The neutral density film is obtained by sputtering a plurality of targets at least composed of first and second substances with different optical properties with a working gas so as to perform film deposition in a layered shape in order of the first substance and the second substance, and the neutral density film comprises: an equal density region wherein film thickness is almost equal; and a gradation region wherein film thickness is linearly gradually decreased.例文帳に追加

減光膜は、光学特性の異なる少なくとも第１第２の物質から成る複数のターゲットを動作ガスでスパッタリングして第１物質、第２物質の順に積層状に成膜し、この減光膜は膜厚さが略々等しい等濃度領域と、膜厚さが直線的に漸減するグラデーション領域とを有する。 - 特許庁

The sputtering target of tantalum further includes 0-100 mass ppm (though excluding 0 mass ppm) molybdenum and/or niobium so that the total amount of tungsten, molybdenum and niobium is 1-150 mass ppm, and has a purity of 99.998% or more when tungsten, molybdenum, niobium and the gas component are excluded.例文帳に追加

０〜１００ｍａｓｓｐｐｍ（但し０ｍａｓｓｐｐｍを除く）のモリブデン及び／又はニオブをさらに含有し、タングステン、モリブデン、ニオブの合計含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１５０ｍａｓｓｐｐｍ以下であり、タングステン、モリブデン、ニオブ及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とする上記のタンタルスパッタリングターゲット。 - 特許庁

In this method for manufacturing a tungsten-containing diamond-like carbon coating on the base material of the contact probe pin for the semiconductor inspection device, the tungsten-containing diamond-like carbon coating is formed on the base material by performing sputtering in mixed gas of hydrocarbon gas and argon gas by using a tungsten carbide target.例文帳に追加

半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を製造する方法であって、前記タングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜は、タングステン炭化物ターゲットを用いて、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中でスパッタリングを行うことにより基材上に形成されることを特徴とする製造方法を用いる。 - 特許庁

A sputtering target includes: indium oxide as a main component; one or more metals selected from the first metal group M1 consisting of W, Mo, Nb, Ni, Pt and Pd, or an oxide thereof; and the oxides of one or more metals selected from the second metal group M2 consisting of lanthanoid group metals.例文帳に追加

酸化インジウムを主成分とし、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄからなる第１金属群Ｍ１から選ばれた１種又は２種以上の金属又はその金属の酸化物と、ランタノイド系金属からなる第２金属群Ｍ２から選ばれた１種又は２種以上の金属の酸化物と、を含むスパッタリングターゲットを利用して、透明導電膜を作製する。 - 特許庁

The method for forming a polysilicon (p-Si) film in a process for manufacturing an integrated circuit(IC) comprises a step for sputtering an amorphous silicon (a-Si) material on a substrate, a step for supplying mixture gas containing hydrogen by about 4 vol.% during gas supply, and a step for forming an amorphous silicon film containing hydrogen.例文帳に追加

集積回路（ＩＣ）製造プロセスにおける多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜を形成する方法は、基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）材料をスパッタリングする工程と、ガス供給中に水素含有量が４体積％程度のガス混合気を供給する工程と、水素を含有するアモルファスシリコン膜を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

To obtain a high quality film and to prevent particles from diffusing in a chamber 3 in a sputtering apparatus of a continuous system that a first target 17a and a second target 17b are arranged to obliquely face a substrate 6 and other targets to form a film while conveying the substrate 6 along a conveying part 15.例文帳に追加

第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂが、それぞれ基板６及び他のターゲットに対して斜めに対向して配置され、基板６を搬送経路１５に沿って搬送しながら成膜する連続方式のスパッタリング装置において、高品質の膜が得られるようにすると共に、粒子のチャンバー３内拡散を防止できるようにする。 - 特許庁

In the antifog and antistain article for manufacturing the article a film 11 comprising a metal oxide semiconductor having photocatalytic activity and a film 12 essentially comprising silica formed by reactive sputtering under the condition of ≥0.8 Pa pressure during depositing the film are formed on a transparent substrate 10.例文帳に追加

透明基板１０上に、光触媒活性を有する金属酸化物半導体を主成分とする膜１１と、その上に、成膜時の圧力が０．８Ｐａ以上の条件で反応性スパッタ法により形成された二酸化シリコンを主成分とする膜１２とが形成されたことを特徴とする防曇防汚物品とその製造方法。 - 特許庁

In the optical recording medium 101 having at least dielectric layers 13 and 15 and a recording layer 14 on a base material 11, the dielectric layers 13 and 15 and the recording layer 14 are composed of materials which can be formed by a DC sputtering method using a DC power source or a pulse DC power source.例文帳に追加

基材１１上に少なくとも誘電体層１３、１５と記録層１４とを有する光記録媒体１０１であって、誘電体層１３、１５および記録層１４は、ＤＣ電源もしくはパルスＤＣ電源を用いたＤＣスパッタリング法により形成できる材料からなる光記録媒体１０１により、上記課題を解決する。 - 特許庁

Since the main component of a protection film 14 formed on a PDP 100 contains SrO and MgO and the concentration of MgO in the protection film is made 30 mol% or more and 70 mol% or less, a PDP 100 having a low discharge voltage and a high sputtering resistance and capable of shortening an aging time can be obtained.例文帳に追加

ＰＤＰ１００に形成される保護膜１４が主成分にＳｒＯ及びＭｇＯを含有し、前記保護膜中の前記ＭｇＯの濃度が３０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下であることとしたので、放電電圧を低電圧とし、高い耐スパッタ性を有し、かつ、エージング時間も短縮することが可能なＰＤＰ１００を得ることができる。 - 特許庁

To provide inkjet ink for forming a transparent conductive tin oxide film suitable for inkjet process in which it is possible to form a pattern of a transparent conductive tin oxide film by a method that is less costly and timesaving without using expensive vacuum devices such as sputtering and requiring neither complicated process such as photolithography nor plates for screen printing.例文帳に追加

スパッタ等の高価な真空装置を用いることなく、さらにフォトリソグラフィー法のような煩雑な工程や、スクリーン印刷用の版を要せずに、より安価で手間のかからない方法で透明導電性酸化すず膜のパターンを形成できる、インクジェット法に適した、透明導電性酸化すず膜形成用インクジェットインクを提供する。 - 特許庁

The silver coated Bi2223 superconductive particle powder is obtained by coating silver powder of nano order on the particle surface of Bi2223 superconductive particle powder or by coating a silver thin film on the Bi2223 superconductive particle powder by a sputtering or CVD method; and the superconductive cable can be manufactured by using the silver coated Bi2223 superconductive particle powder.例文帳に追加

銀被覆Ｂｉ２２２３超伝導粒子粉末は、ナノオーダーの銀粒子をＢｉ２２２３超伝導粒子粉末の粒子表面に被覆、あるいは、スパッタやＣＶＤ法によってＢｉ２２２３超伝導粒子粉末に銀薄膜を被覆することによって得られ、前記銀被覆Ｂｉ２２２３超伝導粒子粉末を用いて超伝導ケーブルを作製することができる。 - 特許庁

Deposition-preventive shields 261-264 for preventing deposition of a material emitted from a substrate 9 are disposed in an exchangeable manner in the pre-etching chamber 2 which is connected to a sputter chamber 4 for performing the deposition by the sputtering so as to ensure the continuous vacuum and performs the pre-etching of the surface of the substrate 9 therein.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜処理が行われるスパッタチャンバー４に真空が連続するよう接続され、スパッタリングに先立ち基板９の表面をエッチングする前処理が内部で行われる前処理エッチングチャンバー２内には、基板９から放出された材料の付着を防止する防着シールド２６１〜２６４が交換可能に設けられている。 - 特許庁

When the second metal thin film 32 is formed, oxygen gas or nitrogen gas is introduced into a sputtering atmosphere, and a metal target 61 is sputtered while increasing the introduction amount, whereby the content of oxygen or nitrogen of the second metal thin film 32 is increased toward the front surface, and wear resistance of the surface of the lower electrode layer 30 is improved.例文帳に追加

第二の金属薄膜３２を成膜する際には、スパッタリング雰囲気中に酸素ガス又は窒素ガスを導入し、導入量を増大しながら金属ターゲット６１をスパッタリングするので、第二の金属薄膜３２は表面側程酸素又は窒素の含有量が多くなり、下部電極層３０の表面の耐摩耗性が高くなる。 - 特許庁

In covering the surface of a unidirectional silicon steel sheet after the completion of finish annealing with a plurality of ceramic film layers, a very thin TiNO film, as the first layer, is formed by a hollow cathode method (HCD method) using an arc cut bias voltage as the bias voltage and then forming thereon a ceramic film by a magnetron-sputtering method.例文帳に追加

仕上げ焼鈍済みの一方向性珪素鋼板の表面に、複数層のセラミック被膜を被覆するに際し、少なくとも第１層については、バイアス電圧としてアークカットバイアス電圧を使用する中空陰極法（ＨＣＤ法）を用いてTiNOの極薄被膜を被成し、ついでその上にマグネトロン・スパッタ法を用いてセラミック被膜を被成する。 - 特許庁

To provide an Ag alloy film in which a reflectance in a visible light range takes a fixed value while keeping a high reflectance and which has low electric resistance and combines heat resistance, corrosion resistance, adhesion to a substrate and patterning characteristics, and also to provide a sputtering target material for depositing the Ag alloy film and a planar display device having low power consumption.例文帳に追加

高い反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、かつ低い電気抵抗を有し、さらに耐熱性、耐食性、そして基板への密着性およびパタニング性を兼ね備えたＡｇ合金膜とそのＡｇ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材および低消費電力な平面表示装置を提供する。 - 特許庁

The sputtering apparatus includes a rotatable substrate holder 103, target holders 107a-107d obliquely arranged with respect to the substrate holder 103, and a first shutter 115 and a second shutter 116 that each are provided between the target holders and the substrate holder and have two holes arranged two-fold symmetrical with respect to a rotational axis X.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置は、回転可能な基板ホルダー１０３と、基板ホルダー１３０に対して斜めに配置されたターゲットホルダー１０７ａ〜１０７ｄと、ターゲットホルダーと基板ホルダーの間に設けられ、回転軸Ｘに対して２回対称に配置された２個の孔を有する第１シャッター１１５および第２シャッター１１６とを備える。 - 特許庁

To provide a sputtering target which does not generate a camber caused by solidification shrinkage of a bonding material, has a superior relaxing and absorbing property for thermal stress during being sputtered, can be applied to a large-scale divided target material, and can uniformly join the approximately whole surface of a target material with a back plate, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ボンディング材の凝固収縮に起因するターゲット材の反りが発生せず、スパッタリング中における熱応力の緩和吸収性も良好で、しかも、大型分割ターゲット材にも適用可能な、ターゲット材の略全面にわたって均一にターゲット材とバッキングプレートとを接合することが可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Ag-based alloy wiring electrode film for a flat panel display (FPD) having low electric resistivity, high heat resistance, and high micro-fabricatability in combination, and an Ag-based alloy sputtering target used for forming the Ag-based alloy wiring electrode film, and a flat panel display having the Ag-based alloy wiring electrode film.例文帳に追加

低電気抵抗率、高耐熱性及び高微細加工性を兼備したフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用Ａｇ基合金配線電極膜及びこのＡｇ基合金配線電極膜を形成するために用いられるＡｇ基合金スパッタリングターゲット、並びにこのＡｇ基合金配線電極膜を備えるフラットパネルディスプレイを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which it is made hard to form a void in the Al electrode film above the insulating film step, even when an Al electrode film covering the semiconductor substrate having a step of an insulating film is more than twice as thick as the step, and to provide a sputtering apparatus for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

絶縁膜による段差を有する半導体基板上を覆うＡｌ電極膜の厚さが、前記段差の２倍以上の厚膜とする場合であっても、前記絶縁膜段差の上方でＡｌ電極膜にボイドが形成され難くすることのできる半導体装置の製造方法および半導体装置製造用スパッタ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an indium tin oxide (ITO) sintered compact by which a high purity high density ITO sintered compact is made again from a high density ITO sintered compact recovered from a spent sputtering target or a high density ITO sintered compact or the like discharged from a manufacturing process as a defective with the low cost method without incorporating impurities .例文帳に追加

使用済みのスパッタリングターゲットから回収された高密度ＩＴＯ焼結体や製造工程で不良品となった高密度ＩＴＯ焼結体等を原料として、不純物の混入が無く、安価な方法で、再び、高純度・高密度のＩＴＯ焼結体を作製することが可能なＩＴＯ焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering target has a component composition comprising 0.5 to 15 mol% non-magnetic oxide, 4 to 20 mol% Cr, 5 to 25 mol% Pt, further 0.5 to 8 mol% B as needed, and the balance Co with unavoidable impurities; and has such a structure that Co-Cr binary alloy phases are uniformly dispersed in a matrix.例文帳に追加

非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、さらに必要に応じてＢ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは素地中にＣｏ−Ｃｒ二元系合金相が均一分散している組織を有する。 - 特許庁

The gas barrier film is constituted by laminating a gas barrier layer on a film base material and the gas barrier layer is formed by producing a plasma forming gas in the periphery of the film base material by applying high frequency power to the film base material to form plasma and laminated by sputtering a target material while applying negative DC high voltage to the film base material.例文帳に追加

フィルム基材上にガスバリア層が積層された構成を有し、該ガスバリア層は、該フィルム基材に高周波電力を印加して該フィルム基材の周辺でプラズマ生成ガスをプラズマ化させ、更に、該フィルム基材に負の直流高電圧のパルスを印加しつつターゲット材料をスパッタすることにより積層されていることを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁

When the gas barrier laminated material is manufactured by forming a silicon oxynitride gas barrier layer on one side or both sides of the base material only under an argon atmosphere by a sputtering method, the oxygen permeability and steam permeability of the gas barrier layer are more reduced than before, that is, the gas barrier properties of the gas barrier laminated material can be enhanced.例文帳に追加

アルゴンガス雰囲気下のみで酸化窒化珪素膜ガスバリア層を、基材の片面又は両面にスパッタリング法により形成することによって、ガスバリア性積層材を製造した場合、ガスバリア層の酸素透過率、及び水蒸気透過率を従来のそれよりも小さくすること、つまり、ガスバリア性積層材のガスバリア性を向上することができる。 - 特許庁