「Sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(129ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing a thin film transistor having an active layer of a transparent oxide film containing In, Zn and O at an electronic carrier concentration of less than the level of 10^18 /cm^3, a source electrode, a drain electrode, a gate insulation film, and a gate electrode comprises a step of forming the active layer by the sputtering method in an atmosphere gas containing water.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｚｎ及びＯを含み、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である透明アモルファス酸化物膜からなる活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを含む薄膜トランジスタの製造方法において、活性層をスパッタ法により形成する工程を含み、スパッタ法により活性層を形成する際の雰囲気ガス中に水を含む。 - 特許庁

In the respective electrodes, glow plasma is formed and kept by supplying high frequency power forming glow discharge between the first and third electrodes 3, 11 and the sputtering of the insulating object bulk sample S arranged between the first and second electrodes is performed by applying DC bias voltage across the second and third electrodes 4, 11.例文帳に追加

各電極において、第１の電極３と第３の電極１１の間にグロー放電を生成する高周波電力を供給することによってグロープラズマの生成及び維持を行い、第２の電極４と第３の電極１１の間に直流のバイアス電圧を印加することによって、第１の電極と第２の電極との間に配置した絶縁物バルク試料Ｓのスパッタリングを行う。 - 特許庁

The method for producing the two-layer film includes a process for forming the first metal film containing nickel of 60-100 wt.% by a vacuum evaporation method, an ion plating method or a sputtering method under an atmosphere containing nitrogen gas on the polymer film; and a process for forming the second metal film having copper as the main component on the first metal film.例文帳に追加

高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に、銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a capacitor structure comprises a process for forming a lower electrode film 91 on a substrate 10, a process for forming an insulating film 92 on the lower electrode film 91, and a process for forming an upper electrode film 93 on the insulating film 92 by sputtering in a state in which a susceptor electrode 35 to which a negative potential is applied is arranged on the undersurface of the substrate 10.例文帳に追加

キャパシタ構造の製造方法は、基板１０上に下部電極膜９１を形成する工程と、下部電極膜９１上に絶縁膜９２を形成する工程と、基板１０の裏面に、負の電位が印加されたサセプタ電極３５を配置した状態で、スパッタ法によって絶縁膜９２上に上部電極膜９３を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To prevent the disconnection or deterioration in the electromigration resistance of metallic wiring by forming Al films or Al alloy films in the bottom edges and flanks of contact holes to a film thickness of ≥20% than the film thickness in the plane parts in spite of finer electronic devices and increasing of the aspect ratio of the contact hoes larger than 1.0 relating to the thin-film formation method by DC bias sputtering.例文帳に追加

直流バイアススパッタによる薄膜形成方法に関し、電子デバイスが微細化されコンタクトホールのアスペクト比が１．０より大きくなった場合であっても、コンタクトホール底部エッジ部、および側面のＡｌ膜または、Ａｌ合金膜の膜厚を、平面部の膜厚と比較して１０％以上形成し、金属配線の断線、もしくはエレクトロマイグレーション耐性の劣化を防止する。 - 特許庁

The face to be eroded in a sputtering target is subjected to precision machining to reduce working decomposed layers, and, after that, etching time is controlled in such a manner that the surface roughness prescribed by the center line average roughness Ra in the face to be eroded in the target lies in the range of 0.1 to 10% of the average crystal grain size of metallic atoms composing the target.例文帳に追加

スパッタリングターゲットのエロージョンされる面を精密機械加工により加工変質層を低減した後、エッチングにより加工変質層を除去し、さらに前記ターゲットのエロージョンされる面の中心線平均粗さＲａで規定される表面粗さをターゲットを構成する金属原子の平均結晶粒径の０．１％から１０％の範囲となるようにエッチング時間を調整する。 - 特許庁

A thin film of a constant film thickness is deposited without impairing the appearance of the thin film or even when multilayer films are mass-produced by electrically insulating a mask which surrounds the outer periphery of a substrate from a deposition-preventive plate which is disposed immediately above the mask without connecting a metal film deposited on the substrate to the grounding electric potential during the sputtering.例文帳に追加

スパッタリング中において基板上に形成される金属膜をアース電位に接続させることなく、かつ、基板の外周を取り囲むマスクと前記マスクの直上に設けられた防着板とを電気的に絶縁させることにより、外観上、薄膜に損傷を与えることなく、かつ、多層膜を量産した場合でも、安定した膜厚で薄膜を形成することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the transparent conductive film includes: a step in which on one side or both sides of a transparent film base material, a first layer undercoat layer is formed by an organic material; a step in which on the undercoat layer, the transparent conductor layer is formed by a sputtering method; and a step in which the transparent conductor layer is patternized by etching.例文帳に追加

透明なフィルム基材の片面または両面に、透明なフィルム基材から第一層目のアンダーコート層を有機物により形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、および前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁

The forming method of the thermoelectric material thin film formes the nanocomposite thermoelectric material thin film in which the dispersant nanoparticles are dispersed in the mother phase of the thermoelectric material on a substrate by using a material in which the dispersant nanoparticles are dispersed in the thermoelectric material as a target and by sputtering by beam irradiation which has a larger beam diameter than particle sizes of the dispersant nanoparticles.例文帳に追加

熱電材料中に分散材ナノ粒子が分散した原料をターゲットとして用いて、該分散材ナノ粒子の粒子サイズより大きいビーム径を有するビーム照射によってスパッタリングして基板上に熱電材料の母相中に分散材のナノ粒子が分散されたナノコンポジット熱電材料薄膜を形成することを特徴とする熱電材料薄膜の製造方法。 - 特許庁

A second sputter rate of a second upper electrode 82 is smaller than a first sputter rate of a first upper electrode 81, so when a part of a protective film 100 formed on the second upper electrode 82 is removed by sputtering, the second upper electrode 82 is less sputtered than the upper electrode 80 composed of only the first upper electrode 81, thereby reducing variance in film thickness of the second upper electrode 82.例文帳に追加

第２上電極８２の第２のスパッタレートが、第１上電極８１の第１のスパッタレートと比較して小さいので、第２上電極８２上に形成された保護膜１００の一部をスパッタによって取り除く際に、第１上電極８１のみからなる上電極８０と比較して、第２上電極８２がスパッタされにくく、第２上電極８２の膜厚のバラツキを少なくできる。 - 特許庁

The sputtering target has a component composition including 30-70 atom% Fe and a balance comprising Pt and inevitable impurities, wherein the structure includes a pure Pt phase and an FePt alloy phase, and the FePt alloy phase is locally dotted in the pure Pt phase, and an Fe rich area having Fe concentration of 70 atom% or more is distributed and formed with an area ratio of 5-40 area%.例文帳に追加

Ｆｅ：３０〜７０原子％を含有し、残部：Ｐｔおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、その組織が、純Ｐｔ相とＦｅＰｔ合金相とで構成され、かつＦｅＰｔ合金相が純Ｐｔ相中に局所的に点在し、Ｆｅ濃度が７０原子％以上であるＦｅリッチ領域が、５〜４０面積％の面積率で分散形成されている。 - 特許庁

The magnet unit 5 for a magnetron-sputtering electrode C has a central magnet 52 which is linearly arranged along a longitudinal direction of the target, and an endless peripheral magnet 53 which is formed of linear portions 53a that extend in parallel on both sides of the central magnet and corner portions 53b which act as a bridge between respective ends of each linear portion so that the polarities in the target side are different.例文帳に追加

本発明のマグネトロンスパッタ電極Ｃ用の磁石ユニット５は、ターゲットの長手方向に沿って線状に配置された中央磁石５２と、中央磁石両側で平行にのびる直線部５３ａ及び各直線部両端をそれぞれ橋し渡すコーナー部５３ｂからなる無端状の周辺磁石５３とをターゲット側の極性をかえて有する。 - 特許庁

By using side face protecting plates 20 arranged in sides of a glass substrate to cover the whole circumferences of the side faces of the glass substrate 10, and a shield plate 30 arranged above the glass substrate to cover an outer edge of a film formation surface 11 of the glass substrate, at least a reflective layer and an absorptive layer are formed on the glass substrate in this order by sputtering.例文帳に追加

ガラス基板１０の側面全周を覆うように前記ガラス基板の側方に配置される側面保護板２０、および、前記ガラス基板の成膜面１１の外縁部を覆うように前記ガラス基板の上方に配置される遮蔽板３０を用いて、前記ガラス基板上に前記反射層および前記吸収層を少なくともこの順にスパッタリングして形成する。 - 特許庁

The sputtering target has a composition composed of a matrix material comprising a first oxide and a metallic component, wherein the first oxide having a high refractive index is selected from a group of oxides consisting of titanium oxide, niobium oxide, vanadium oxide, yttrium oxide, molybdenum oxide, zirconium oxide, tantalum oxide, tungsten oxide and hafnium oxide which are in an arbitrary transformation, or a mixture of them.例文帳に追加

第一酸化物を含むマトリックス材料、及び金属性成分を含む組成物を有するスパッタリングターゲットであって、高屈折率を有する第一酸化物が、任意の酸化物変態にある、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化バナジウム、酸化イットリウム、酸化モリブデン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化タングステン及び酸化ハフニウムからなる酸化物の群、又はその混合物から選択される。 - 特許庁

The sputtering metal mask is a plate material made of metal which includes penetrated aperture parts having nearly rectangular and similar aperture shapes and which has an overhanging part formed by a wall of the aperture part at an end of the aperture part of a plane having the aperture shape having the smaller similitude ratio, wherein a plane having the aperture shape having the larger similitude ratio is on the side in contact with a material to be sputtered.例文帳に追加

略方形で相似形の開口形状を有する貫通した開口部を備え、相似比が小さい方の開口形状を有する平面の開口部縁に、前記開口部の壁が張り出し部を形成している金属製板材で、相似比の大きな方の開口形状を有する平面が、被スパッタ材と接する側であることを特徴とするスパッタ用メタルマスク。 - 特許庁

The present invention relates to the method of manufacturing the IGZO-based amorphous oxide thin film by forming the IGZO-based amorphous oxide thin film on a substrate by sputtering and then performing annealing processing, in which the amorphous oxide thin film having the arbitrary electric resistance value within the range from the conductor region to the insulator region is manufactured by changing a combination of an amount of water in a film forming device and temperature of the annealing processing.例文帳に追加

ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後アニール処理してＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、成膜装置内の水分量とアニール処理の温度の組み合わせを変化させて、導電体領域から絶縁体領域の範囲内の任意の電気抵抗値を有するアモルファス酸化物薄膜を製造する。 - 特許庁

To cut even a Cu-Ga alloy ingot, which is manufactured by, for example, the dissolved casting and has relatively large composition ratio of Ga, into a desired shape without causing cracking, cracking or chipping, and to provide a sputtering target consisting of a Cu-Ga alloy and having an excellent surface smoothness Ra of ≤0.1 μm by the surface polishing in a relatively short period of time.例文帳に追加

例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の形状に切断し、Ｒａが０．１μｍ以下の優れた表面平滑性を有するＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットを比較的短時間の表面研磨により提供する。 - 特許庁

In the sputtering target which is used when a magnetic recording layer of the perpendicular magnetic recording medium provided with at least the magnetic recording layer 6 on a substrate 1 is film-deposited and comprises a ferromagnetic material and a metal oxide, the metal oxide is so formed that the number of oxygen atoms contained in the metal oxide is made smaller than that of a stoichiometric ratio.例文帳に追加

基板１上に少なくとも磁気記録層６を備えた垂直磁気記録媒体の前記磁気記録層を成膜する際に使用するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは強磁性材料と金属酸化物とからなり、その金属酸化物はその金属酸化物中に含まれる酸素の原子数が化学量論比よりも小さくなるようにした。 - 特許庁

The transparent conductive film having the electric resistivity lower than that by the conventional manufacturing method and manufacturing apparatus can be obtained by maintaining the horizontal magnetic field intensity on a target surface at ≥1,000 Gauss and supplying microwaves superposed to the interior of the plasma generated by impression a DC electric field to the above target, thereby sputtering the target.例文帳に追加

ターゲット表面の水平磁界強度を１０００Ｇａｕｓｓ以上に保持するとともに、上記ターゲットに直流電界を印加することにより生じるプラズマ中にマイクロ波を重畳して供給し、上記ターゲットをスパッタリングすることにより、従来の製造方法および製造装置よりも低電気抵抗率の透明導電膜を得ることができるようになった。 - 特許庁

To provide a method for producing a fine crystal grain copper material which can produce a fine crystal grain copper material made of high purity copper or a low concentration copper alloy at low cost, in which crystal grains are refined, and which is thermally stable, to provide a fine crystal grain copper material produced by the production method, and to provide a sputtering target composed of the fine crystal grain copper material.例文帳に追加

高純度銅や低濃度銅合金からなり、結晶粒が微細化されるとともに熱的に安定した微細結晶粒銅材料を低コストで製造することが可能な微細結晶粒銅材料の製造方法、この製造方法によって製造される微細結晶粒銅材料、並びに、この微細結晶粒銅材料からなるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a transit-type inline vacuum processing apparatus, such as a sputtering apparatus, which has a mechanism capable of uniforming the distance between adjacent substrates and can control the mechanism, since the distance between substrates (between a preceding substrate and a succeeding substrate) that are continuous and adjacent to each other when depositing, has the effect on the conductance and also the gas pressure in a process chamber.例文帳に追加

通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing machine of a multiplayer optical recording disk medium consisting of several signal recording/reproducing layers stacked by using light or heat, which can manufacture a disk having light transmissive layers of even thickness with less bubbles and wrinkles and form the reflector layers and recording layers using a general use sputtering machine and also with tilting stabilized after manufacturing.例文帳に追加

光又は熱を用いて信号を記録・再生する層を複数有する貼り合わせ多層構造型ディスク状光記録媒体の製造装置において、光透過層の厚さが均一であり、また気泡やしわの発生が極めて少なく、反射膜や記録膜を汎用のスパッタ装置で形成することができ、製造後のチルトの安定性が極めて高い製造装置を提供する。 - 特許庁

According to one embodiment, the sputtering apparatus is provided with grounding counter electrodes disposed around a substrate holding section in a vacuum chamber, and the grounding counter electrodes has, in the surfaces of the counter electrodes facing the targets, a plurality of openings which extend toward the deep parts of the counter electrodes while inclining at an angle 10 to 70° with respect to the direction perpendicular to the target surface.例文帳に追加

本発明の一実施例によれば、スパッタリング装置の真空チャンバー内に、基板保持部の周囲に設けられた接地対向電極が、対向電極のターゲットに対向する表面に、ターゲット表面に垂直な方向に対し、１０°乃至７０°の角度で傾斜して対向電極の深部に向かって延在する複数の開口部を有することを特徴とするスパッタリング装置である。 - 特許庁

This Mg-containing ITO sputtering target has a composition consisting essentially of In, Sn, Mg and O and can be manufactured by using a method wherein indium oxide powder, tin oxide powder and basic magnesium carbonate powder are mixed or indium oxide - tin oxide powder and basic magnesium carbonate powder are mixed, formed and sintered and the resultant sintered body is subjected to working.例文帳に追加

実質的にＩｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯからなるＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットであって、酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、又は酸化インジウム−酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、成形した後、焼結してなる焼結体を加工するＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法を用いる。 - 特許庁

To provide a method for inexpensively and stably manufacturing a target with high density of 97% or more, and further a method for efficiently manufacturing a sputtering target especially consisting of a material mainly including oxide, nitride, carbide, boride, and chalcogen, or a material mainly including single phases or plural phases of them, in order to enhance uniformity of film formation and productivity.例文帳に追加

９７％以上の高密度ターゲットを低コストでかつ安定して製造出来るようにし、さらに成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、特に酸化物、窒化物、炭化物、硼化物及びカルコゲン化物を主成分する材料又はこれらの単相又は複相を主成分とする材料からなるスパッタリングターゲットを効率良く製造できる方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a metal fluoride optical element, at the time when reactive sputtering is performed with a metal target and reactive gas, free from variation in optical properties caused by the phenomenon that the content of fluorine in a metal fluoride thin film deviates from a stoichiometric composition in accordance with the using time of the target, to provide its production method, and to provide a production device therefor.例文帳に追加

本発明は、金属ターゲットと反応性ガスとによるリアクティブスパッタリングを行うに際し、ターゲットの使用時間と共に金属フッ化物薄膜のフッ素含有量が化学量論組成から乖離することに起因して光学特性がばらつくことがない金属フッ化物光学素子及びその製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a sintered compact having a composition comprising 5 to 15 mol% Si and one or two kinds selected from Cr and Pt by 5 to 40 mol% in total as well, and the balance Co with inevitable impurities, and having a structure where the Si is dispersed into the matrix as the silicide of at least one kind selected from Co, Pt and Cr.例文帳に追加

Ｓｉ：５〜１５モル％を含有し、さらにＣｒおよびＰｔの内の１種または２種を合計で５〜４０モル％含有し、残りがＣｏおよび不可避不純物からなる組成を有し、かつ前記ＳｉはＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒの内の少なくとも１種のシリサイドとして素地中に分散している組織を有する焼結体からなることを特徴とする。 - 特許庁

A measuring cell is constituted by bonding glass substrates 1, 2 and a flow channel groove 6 is formed in the bonding surface of the glass substrate 1 by photofabrication technique and wet etching technique and through- holes 9, 10 for introducing and discharging a liquid sample are formed in the glass substrate 2 and an optically opaque Si film 3 is formed in the bonding surface as a slit by a sputtering method.例文帳に追加

ガラス基板１、２を接合して構成され、ガラス基板１の接合面にはフォトファブリケーション技術およびウェットエッチング技術により流路溝６が形成されるとともに、ガラス基板２には液体試料導入および排出のための貫通孔９、１０が形成され、接合面にスパッタ法等により光学的に不透明なＳｉ膜３をスリットとして形成する。 - 特許庁

To provide an translucent reflecting layer for an optical information recording medium, the layer having the transmittance and the reflectance required as a translucent reflecting layer of an optical information recording medium and having favorable chemical stability such as corrosion resistance, aggregation resistance or the like, and to provide an optical information recording medium and a sputtering target for the translucent reflecting layer to be used for an optical information recording medium.例文帳に追加

光情報記録媒体の半透明反射層として要求される透過率と反射率を有すると共に、耐食性及び耐凝集性等の化学的安定性も良好な光情報記録媒体用半透明反射層、光情報記録媒体、及び光情報記録媒体に用いる半透明反射層用スパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method for the particles for the display medium that constitute the display medium used for the panel for information display which displays information of an image etc., by moving the display medium by charging the display medium between two opposite substrates at least one of which is transparent and applying an electric field to the display medium, a metal compound is formed on particle surfaces by a sputtering method.例文帳に追加

少なくとも一方が透明な対向する２枚の基板間に表示媒体を封入し、表示媒体に電界を付与することによって、表示媒体を移動させて画像等の情報を表示する情報表示用パネルに用いる表示媒体を構成する表示媒体用粒子の製造方法において、粒子表面に金属化合物をスパッタリング法にて形成する。 - 特許庁

By forming an oxide semiconductor film using a sputtering target including a sintered body of a metal oxide whose concentration of hydrogen contained is low, for example, lower than 1×10^16 atoms/cm^3, the oxide semiconductor film contains a small amount of impurities such as a compound containing hydrogen typified by H_2O or a hydrogen atom.例文帳に追加

金属酸化物の焼結体を含み、その金属酸化物の焼結体の含有水素濃度が、たとえば、１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満と低いスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することで、Ｈ_２Ｏに代表される水素原子を含む化合物、もしくは水素原子等の不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を成膜する。 - 特許庁

The catalyst structure for storing and generating hydrogen in which a carrier surface is coated with the catalyst material by a reactive sputtering method; the storage method for hydrogen using the catalyst structure and aromatic hydrocarbon; and the generation method for hydrogen using the catalyst structure and a hydrogenated derivative of the aromatic hydrocarbon are provided.例文帳に追加

担体表面に反応性スパッタリング法により触媒材料をコーティングしてなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに、該触媒構造体と、芳香族炭化水素とを用いることを特徴とする水素の貯蔵方法、及び上記触媒構造体と、芳香族炭化水素の水素化誘導体とを用いることを特徴とする水素の発生方法である。 - 特許庁

To provide a high-density sintered compact which is excellent in durability and has a high proton conductivity suitable as an electrolyte member of a solid oxide fuel cell, a water vapor electrolytic apparatus, a hydrogen separation apparatus, a hydrogen sensor, etc., and a sintered compact useful as a sputtering target for forming a thin-film electrolyte material having a high proton conductivity.例文帳に追加

固体酸化物形燃料電池、水蒸気電解装置、水素分離装置、水素センサー等の電解質部材として適用可能な良好なプロトン導電性を有し且つ優れた耐久性を有する高密度焼結体、及び良好なプロトン導電性を有する薄膜電解質材料を形成するために利用し得るスパッタターゲットとして有用な焼結体を提供する。 - 特許庁

The method for producing the thin film formed of oriented crystals of tungsten oxide on the surface of the substrate having low crystallinity includes sputtering a target containing tungsten while controlling a substrate temperature and a deposition rate to form tungsten oxide film with strongly oriented crystals on the (001) surface of monoclinic crystals.例文帳に追加

結晶性の低い基板の表面に結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製する方法であって、タングステンを含むスパッタリングターゲットを結晶性の低い基板の表面にスパッタリングすることを含み、スパッタリングを行う際の基板温度及び堆積速度を制御することにより、単斜晶（００１）面に強く結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製することを特徴とする前記方法。 - 特許庁

The method for forming the PZT piezoelectric membrane on the diamond membrane is provided with processes to form the PZT piezoelectric membrane by a sputtering method at temperatures at which the diamond membrane is not eliminated by oxidization and which the composition of the PZT piezoelectric membrane is not altered and then to perform annealing treatments at temporaries at which phase-transition into a perovskite structure in a non-oxygen environment occurs.例文帳に追加

ダイヤモンド薄膜上にＰＺＴ圧電薄膜を形成する方法であって、ダイヤモンド薄膜が酸化により消失せず且つＰＺＴ圧電薄膜の組成が変化しないような温度でスパッタリング法によりＰＺＴ圧電薄膜を成膜した後、非酸素雰囲気中でペロブスカイト構造に相転移するような温度でアニール処理する工程を備えていることを特徴とする方法。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor element formed by lamination so as to include an n-type semiconductor and a p-type semiconductor on a substrate 110 includes a step of forming a group III-V compound semiconductor film on the substrate 110 by sputtering at least two targets (a first target 21 and a second target 22) made of different group III elements with a gas containing a group V element.例文帳に追加

基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor layer, by which the doping concentration of Si as a dopant element in a crystal of a group III nitride semiconductor is optimized easily, film is formed efficiently by using a sputtering method, and the high activation rate of Si being the dopant element is attained, and to provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming metal wiring in a semiconductor device capable of preventing a loss of the metal wiring by forming a capping film on the metal wiring to address an issue that, because a sputtering process is employed to make inter-metal wiring insulation in a process of forming an insulating film, ion bombardment accelerated by a high energy causes a loss of a part of the metal wiring.例文帳に追加

金属配線の間を絶縁させるために、絶縁膜形成工程の際にスパッタリング方法を用いるため、高いエネルギーで加速されたイオン衝撃によって金属配線が一部損失してしまうが、金属配線の上部にキャッピング膜を形成することにより、金属配線の損失を防止することが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供。 - 特許庁

In the film substrate for mounting the semiconductor, a metallized polyimide film having the oxygen transmission of 20 ml/m^2×day×atm or less of a polyimide film and a heat linear expansion coefficient of 12 ppm/°C or less is used as a base material in the metallized polyimide film using a sputtering layer composed of a nickel-chromium alloy as the foundation layer and having a thickened metallic layer.例文帳に追加

ニッケル−クロム合金のスパッタ層を下地層とし、さらに厚付けされた金属層を有する金属化ポリイミドフィルムにおいて、該ポリイミドフィルムの酸素透過率が２０ｍｌ／ｍ^2・ｄａｙ・ａｔｍ以下で、かつ熱線膨張率が１２ｐｐｍ／℃以下あることを特徴とする金属化ポリイミドフィルムを基材として用いたことを特徴とする半導体実装用フィルムサブストレート。 - 特許庁

The photocatalyst layer 15 comprising anatase titanium oxide as a main component is obtained without heating a substrate 11, when sputtering is carried out by using a target comprising a metal titanium under the condition that a pressure under vacuum atmosphere is 1,064 mPa or more and 1,596 mPa or les and a pressure of oxygen gas is more than 45% and less than 65% of the vacuum atmosphere.例文帳に追加

本発明によれば、真空雰囲気の圧力が、１０６４ｍＰａ以上１５９６ｍＰａ以下、酸素ガスの圧力が真空雰囲気の圧力の４５％以上６５％以下の条件で、金属チタンからなるターゲットを用いてスパッタリングを行った場合、基板１１の加熱をしなくてもアナターゼ型酸化チタンを主成分とする光触媒層１５が得られる。 - 特許庁

Disclosed is the manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light emitting element wherein a Ga target 47a containing a Ga element and a dopant target 47b consisting of a dopant element are used to form at least a portion of a semiconductor layer by exciting the Ga target 47a by sputtering and exciting the dopant target 47b with charged particles in a beam shape.例文帳に追加

Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。 - 特許庁

By this method, etching residues are removed without sputtering copper at the bottom parts of the opening parts, by providing an anisotropic hydrogen plasma, making ions in the plasma chemically react on the etching residues at the bottom of opening part including copper oxide on an exposed copper surface as ≥1 in relative permittivity, and then washing an exposed part on the copper surface.例文帳に追加

本方法は、異方性水素プラズマを提供して、プラズマ中のイオンと、露出した銅表面上の酸化銅を含む一以上の開口部の底部におけるエッチング残留物との間に化学反応を起こさせ、それによって、銅表面の露出した部分を洗浄して、開口部の底部で銅をスパッタリングすることなくエッチング残留物を除去することを含む。 - 特許庁

The sputtering target material of the Ag alloy comprises 0.1 to 0.7 atom% Si and 0.1 to 1.0 atom% Cu and/or Ge in total, as additional elements, and the balance Ag with unavoidable impurities; has a recrystallized structure dispersing a second phase containing the additional elements in the matrix mainly made of Ag; and has the Vickers hardness of 60 HV or lower.例文帳に追加

添加元素として、Ｓｉを０．１〜０．７原子％、Ｃｕおよび／またはＧｅを合計で０．１〜１．０原子％含有し、残部不可避的不純物およびＡｇからなるスパッタリングターゲット材であって、Ａｇを主体とする基地中に、添加元素を含む第二相が分散した再結晶組織を有し、ビッカース硬さが６０ＨＶ以下であるＡｇ合金スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁

The silver alloy sputtering target for forming a conductive film comprises a silver alloy having a composition comprising 0.1-1.5 mass% Ga and/or Sn in total and the balance being Ag and inevitable impurities, wherein the average grain size of the silver alloy crystal grains is 120-400 μm and the variation in the crystal grain size is within ≤20% of the average grain size.例文帳に追加

導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｓｎの内の１種または２種を合計で０．１〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜４００μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 - 特許庁

To solve the problems, in a method where a mask is provided on a substrate, and a transparent conductive film is pattern-formed on the substrate by a sputtering process, that, since the energy of particles made incident on the substrate is the extremely high one of about 600 eV, the particles infiltrate into the substrate, and the atoms composing the substrate are beaten out or defects are occurred in the substrate.例文帳に追加

基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、基板に入射する粒子のエネルギーは６００ｅＶ程度と非常に高く、粒子が基板内に入り込んだり、基板を構成する原子が叩き出されたり、あるいは基板に欠陥を発生させるといった問題が発生する。 - 特許庁