「Sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(128ページ目) - Weblio英語例文検索

An Ni or Ti barrier metal layer 2 in the range of 50-150 nm thickness which is not directly reactive with Cu is formed by vapor deposition or sputtering film forming method on regions 4 times as wide as the area of a surface for laminating a semiconductor light emitting element 5 at the surface for laminating the light emitting element 5 and a light emitting surface.例文帳に追加

その後、半導体発光素子５を接着する面および光出射される側の面に、半導体発光素子５の接着面の面積の４倍に値する領域に、蒸着およびスパッタ成膜法により、銅と直接反応しないNiまたはTiからなるバリア金属層２を50ｎｍ以上150ｎｍ以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

The process further contains the process forming a high-density plasma from the process gas 28 in the process chamber 10 during the initial period by applying a power to an inductive coupling coil 26 and the process applying a bias towards a substrate 45 in the plasma, promoting the sputtering effect of the plasma and depositing a PSG film over the substrate during the initial period.例文帳に追加

さらに、プロセスは、誘導結合コイル２６にパワーを印加して上記初期期間中、プロセスチャンバ１０内のプロセスガス２８から高密度プラズマを形成する工程、上記プラズマを基板４５に向かってバイアスをかけ、プラズマのスパッタリング効果を促進させ、上記初期期間中、基板にわたりＰＳＧ膜を堆積させる工程を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of a substrate with a transparent conductive film includes: a step of depositing an Sn-containing indium oxide film on a transparent substrate by a sputtering method; and a step of exposing the substrate having the Sn-containing indium oxide film in plasma generated from gaseous oxygen while the gas pressure of gaseous oxygen in a chamber is ≥300 Pa.例文帳に追加

透明基板上に、Ｓｎ含有酸化インジウム膜をスパッタリング法により形成する工程と、チャンバー中の酸素ガスのガス圧を３００Ｐａ以上とし、酸素ガスより生成したプラズマ中に、前記Ｓｎ含有酸化インジウム膜付き基板を曝露する工程とを、含むことを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法である。 - 特許庁

The high density target material for producing a Co based magnetic thin film comprising a low melting point metal oxide and the production method are characterized in that, in a sputtering target material composed of a Co based metal magnetic phase and a metal oxide nonmagnetic phase, the nonmagnetic phase is composed of a metal oxide having a melting point of ≤1,400°C, and also, relative density is ≥97%.例文帳に追加

Ｃｏ系金属磁性相と金属酸化物非磁性相よりなるスパッタリングターゲット材において、該非磁性相が融点１４００℃以下の金属酸化物からなり、かつ、相対密度が９７％以上であることを特徴とする低融点金属酸化物を含むＣｏ系磁性薄膜作製用高密度ターゲット材またはその製造方法。 - 特許庁

On the fuel cell of a structure pinching a gas diffusion layer 30 made of a fibrous material between an electrode and a metallic separator 2, a plated layer made of a corrosion-resistant conductive material is not formed on the metallic separator 2 side, but a layer 31 made of the corrosion-resistant conductive material is formed on the gas diffusion layer 30 side by evaporation, sputtering, plating or the like.例文帳に追加

電極と金属セパレータ２との間に繊維質材料からなるガス拡散層３０を挟持した構成の燃料電池において、金属セパレータ２側には耐食導電材料からなるメッキ層を形成せずに、ガス拡散層３０側に耐食導電材料からなる層３１を蒸着、スパッタリング、めっき処理などにより形成する。 - 特許庁

A method includes: forming an insulation film 13 composed of SiO_2 film or SiN film according to a sputtering method on the common electrode 12; and forming the patterned pixel electrode 14 on the insulation film 13, whereby liquid crystal 8 is arranged on the pixel electrode 14 and the alignment of the liquid crystal 8 is changed by parallel electric field formed in the liquid crystal 8 to display letters and images.例文帳に追加

共通電極１２上に、スパッタリング法によってＳｉＯ_2膜又はＳｉＮ膜から成る絶縁膜１３を形成し、その絶縁膜１３上にパターニングした画素電極１４を形成し、画素電極１４上に液晶８を配置し、液晶８中に形成する平行電界によって液晶８の配向を変え、文字や画像を表示する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a holding jig including an elastic member 6A provided with an adhesive part 7A and a non-adhesive part 8A on the surface thereof, a metal thin film 11 is formed on the surface by vapor deposition or sputtering, and laser 12 is irradiated on an area in which the adhesive part 7A is provided to remove the metal thin film 11.例文帳に追加

表面に粘着部７Ａと非粘着部８Ａとが配置された弾性部材６Ａを備えて成る保持治具を製造する方法であって、蒸着又はスパッタリングで表面に金属薄膜１１を形成し、粘着部７Ａが配置される領域にレーザー１２を照射して金属薄膜１１を除去する保持治具の製造方法。 - 特許庁

To provide a zinc oxide laminated thin film body capable of affording a zinc oxide thin film layer having sufficiently low resistance in the film thickness direction in a zinc oxide laminated thin film body in which a zinc oxide thin film is laminated on a substrate by a sputtering method, and a thicker zinc oxide thin film is laminated thereon by an electrodeposition method and to provide a production method therefor.例文帳に追加

基体上にスパッタ法による酸化亜鉛薄膜を積層し、その上により厚い電析法による酸化亜鉛薄膜を積層した酸化亜鉛積層薄膜体において、膜厚方向の抵抗が充分に低い酸化亜鉛薄膜層を得ることができる酸化亜鉛積層薄膜体、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetron sputtering apparatus having a target to be sputtered, a substrate arranged so as to face the target, on which the sputtered material from the target is deposited, and a magnetic field generating means for generating the magnetic field on the surface of the target, comprises the target composed of magnetic materials, arranging the magnetic field generating means so as to surround the target, and forming an unbalanced magnetic field.例文帳に追加

スパッタリングされるためのターゲットと、ターゲットからスパッタリングされた物質を付着すべく対向配置された基板と、ターゲットの表面に磁場を発生するための磁界発生手段とを有するマグネトロンスパッタ装置において、ターゲットを磁性体で構成し、且つ磁界発生手段をターゲットを取り囲むように設け、アンバランス磁場を形成することである。 - 特許庁

A substrate retaining member 13 for retaining the semiconductor substrate 2 is arranged in a sputtering chamber 11 over a target 12 and a tapered hole 132, whose opening area is reduced gradually from an upper end surface side opening 131, bigger than the size of the semiconductor substrate 2, toward a lower end surface side opening 134, smaller than the size of the semiconductor substrate 2, is formed on the substrate retaining member 13.例文帳に追加

半導体基板２を保持する基板保持部材１３は、スパッタリング室１１内においてターゲット１２の上方に配置され、半導体基板２の大きさよりも大きな上端面側開口１３１から半導体基板２の大きさよりも小さな下端面側開口１３４にかけて開口面積が漸減するテーパー穴１３２が形成されている。 - 特許庁

In the method of producing a titanium oxide film, an inert gas is introduced into a vacuum vessel, high voltage is applied to the space between a base material and a titanium target, and sputtering is performed to produce a titanium film on the base material, and next, gas comprising oxygen atoms is introduced, the polarity of the high voltage is changed, and high voltage is again applied to oxidize the titanium film.例文帳に追加

本発明の酸化チタン膜の作製方法は、真空容器内に不活性ガスを導入し、基材とチタンターゲットとの間に高電圧を印加してスパッタリングを行い、前記基材上にチタン膜を作製し、つぎに酸素原子を有するガスを導入し、前記高電圧の極性を変えて再び高電圧を印加し、前記チタン膜を酸化するものである。 - 特許庁

The system has: a base 24 having a vacuum chamber 17 inside; a target 28 attached detachably to the base 24 in such a way to constitute one side of the vacuum chamber 17; and a sputtering-driving section 25 which is provided detachably to the base 24 and presses the target 18 against the base 24 by interposing the target 18 between the base 24 and itself.例文帳に追加

内部に真空漕１７を有する基部２４と、前記真空漕１７の一面を構成するように、前記基部２４に着脱自在に取りつけられたターゲット２８と、前記基部２４に対して着脱自在に設けられ、前記基部２４との間に前記ターゲット１８を挟むことで、前記ターゲット１８を基部２４に対して押し付けるスパッタリング駆動部２５とを有する。 - 特許庁

In the connection method, the objects to be connected are connected each other by forming a connecting surface of the object to be connected which is surface-activated with a metal film by sputtering a metal onto at least one of the objects to be connected in the vacuum chamber to form the metal film, when the objects to be connected having the surface-activated connecting surfaces are to be connected each other.例文帳に追加

表面活性化された接合表面を有する被接合物どうしを接合するときに、真空チャンバー内において、少なくとも一方の被接合物に金属をスパッタして金属膜を形成することにより、金属膜により当該被接合物の表面活性化された接合表面を形成して、被接合物どうしを接合する。 - 特許庁

The reflection film for constituting an anode layer of the upper-emission-type organic EL element and the sputtering target used for forming the reflection film are each formed from an Al-alloy having a component composition comprising, by mass, 0.05-0.5% of Ca and 2-6% of Ni as alloy components and the balance being Al with inevitable impurities (but, ≤0.01%).例文帳に追加

上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜、および前記反射膜の形成に用いられるスパッタリングターゲットを、合金成分として、質量％で、Ｃａ：０．０５〜０．５％、Ｎｉ：２〜６％、を含有し、残りがＡｌと不可避不純物（ただし、０．０１％以下）からなる成分組成を有するＡｌ合金で構成する。 - 特許庁

The (Zn, Al)O-based transparent electrode layer constituting the solar cell is formed by sputter deposition using a ZnO-Al_2O_3-based sputtering target consisting of a pressurized and molded sintered compact having a blended composition of 0.1-5 mass% aluminum oxide, 0.1-5 mass% metal Al, the residual of zinc oxide (wherein ≤0.1% inevitable impurity content).例文帳に追加

太陽電池を構成する（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を、質量％で、 酸化アルミニウム：０．１〜５％、金属Ａｌ：０．１〜５％、酸化亜鉛：残り、からなる配合組成（ただし、不可避不純物含有量：０．１％以下）を有する加圧成形体の焼結体で構成されたＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３系スパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜する。 - 特許庁

The coating composition comprises a combination of a polymer containing a carboxylic group or an acid anhydride and a compound containing an epoxy group or a polymer containing a carboxylic group and an epoxy group, an organic solvent and a specific imidazole compound, and realizes a protective film excellent in sputtering resistance while maintaining preservation stability equal or superior to conventional compositions.例文帳に追加

カルボキシル基または酸無水物を含むポリマーとエポキシ基を含む化合物との組み合わせ、あるいはカルボキシル基およびエポキシ基を含むポリマー、有機溶剤、および特定のイミダゾール化合物を含んでなるコーティング組成物は、従来品と同等以上の保存安定性、を維持したままでスパッタ耐性に優れた保護膜を実現する。 - 特許庁

This radiation image conversion panel has: the substrate formed of a metal or an alloy; an oxide layer formed on the substrate by a vapor phase deposition method such as a sputtering method, an ion plating method or an ion beam assist evaporation method; and a phosphor layer formed on the oxide layer by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

本発明の放射線像変換パネルは、金属または合金により構成された基板と、この基板上に、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法などの気相堆積法により形成された酸化物層と、この酸化物層上に気相堆積法により形成された蛍光体層とを有するものである。 - 特許庁

A sputtering apparatus in which a raw material sputter- evaporated from a target is deposited on the substrate on a revolving substrate holder has a tool 1103 which is installed between the target and the substrate, has an aperture of the same shape as that of an erosion area 1102 of the target 1101, and unifies the raw material reaching the substrate from the target on the substrate.例文帳に追加

ターゲットからスパッタ蒸発した原料物質を、公転する基板ホルダー上の基板に成膜するスパッタ装置において、ターゲットと基板との間に設置され、ターゲット１１０１のエロージョン領域１１０２の形状と同じ形状の開口部を有し、ターゲットから基板に到達する原料物質を、基板上で均一にする治具１１０３を備えた。 - 特許庁

To provide a composite film deposition system where a thin film for optical use with a multilayer constitution having high quality and excellent optical properties can be produced at a low cost, a magnesium fluoride film part used mainly in the final layer which can not relatively easily be worked by a sputtering film deposition device can be worked by a vacuum deposition device, and also, continuous film deposition is made possible.例文帳に追加

高品質で光学特性の優れた多層構成の光学用薄膜をローコストで作成でき、スパッタリング成膜装置では、比較的安易には加工できない主に最終層で用いられるフッ化マグネシウム膜部分を真空蒸着装置で加工することができ、尚かつ連続成膜が可能な複合成膜装置の提供。 - 特許庁

The sputtering target for the highly resistant transparent conductive film to deposit the highly resistant transparent conductive film with the resistivity of about 0.9 × 10^-3 to 10 × 10^-3 Ωcm contains indium oxide and tin oxide as necessary, and also contains a silicon oxide, in which the relative density is ≥100% and the Fc density is confined to ≤15 ppm.例文帳に追加

抵抗率が０．９×１０^−３〜１０×１０^−３Ω・ｃｍ程度の高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有すると共に酸化珪素を含有し、相対密度が１００％以上であり、且つＦｅ濃度を１５ｐｐｍ以下とする。 - 特許庁

The sputtering device 10 includes a substrate 20, at least one cathode 40, and at least one target 50 arranged near the cathode inside a chamber, and has a separation plate 60 for partitioning a space partially surrounded by the substrate and the target and the other space inside the chamber, and a heating means 70 for heating the separation plate.例文帳に追加

スパッタリング装置１０が基板２０と、少なくとも一つの陰極４０と、当該陰極の近傍に配置する少なくとも一つのターゲット５０をチャンバー内に備え、チャンバー内において、基板とターゲットによりその一部が囲まれる空間と他の空間を仕切るための分離板６０と、当該分離板を加熱する加熱手段７０を備える。 - 特許庁

As a target 1 using a metal target 5 for circuit formation consisting of metal for circuit formation, and a metal target 6 with high adhesiveness composed of metal whose adhesion property to the substrate 3 is higher than that of the metal for circuit formation, the conductive film 4 composed of both the metals is formed on the substrate 3 by simultaneously sputtering the metals from respective targets 5 and 6.例文帳に追加

ターゲット１として、回路形成用の金属からなる回路形成用金属ターゲット５と、回路形成用金属よりも基板３に対する密着性の高い金属からなる高密着性金属ターゲット６を用い、各ターゲット５，６から同時に金属をスパッタさせて両金属からなる導体膜４を基板３に形成する。 - 特許庁

In the antireflection film having a base material, a bar code layer arranged on the surface of the base material and the laminated body consisting of laminated thin layers formed on the surface of the bar code layer, the laminated body is formed by laminating a thin layer formed by a plasma CVD method and a thin layer formed by a sputtering method or a deposition method.例文帳に追加

基材と、基材上に位置するハードコート層と、ハードコート層上に位置し、複数の薄層が積層されてなる積層体と、を有する反射防止フィルムにおいて、当該積層体を、プラズマＣＶＤ法により形成される薄層と、スパッタリング法または蒸着法により形成される薄層とを積層することにより形成する。 - 特許庁

To provide a production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell in which formation of a discontinuous layer (insular In film) can be prevented when a pure In film is deposited by sputtering, and oxidation of Ga can preferably be minimized when a CIGS based light absorption layer, or the like, containing Ga is produced.例文帳に追加

スパッタリング法によって純Ｉｎ膜を成膜したときにおける不連続層生成（島状Ｉｎ膜の形成）を防止でき、好ましくはＧａを含むＣＩＧＳ系光吸収層などを製造する場合には、Ｇａの酸化を抑制することが可能な化合物薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Ag alloy-based reflective film improving adhesion and patterning to a substrate, by making a reflectance a constant value in a visible range after maintaining a high reflectance and providing thermal resistance and corrosive resistance, and to provide a sputtering target material for forming the Ag alloy-based reflective film, and a high quality and low power consumption planar display unit.例文帳に追加

高い反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、耐熱性、耐食性を兼ね備え、さらに基板への密着性とパタニング性を改善したＡｇ合金系反射膜とそのＡｇ合金系反射膜を形成するためのスパッタリングターゲットおよびより高品位かつ低消費電力な平面表示装置を提供する。 - 特許庁

The method of forming a semiconductor structure includes: providing a stack, which comprises a high dielectric constant (k) dielectric 14 and an interfacial layer 12, on a surface of a substrate 10; and forming a TiC film 16 on the stack by sputtering with a Ti target in an atmosphere comprising Ar and a carbon (C) source that is diluted with He.例文帳に追加

高誘電率（ｋ）の誘電体１４および界面層１２を含む積層体を基板１０の表面上に設けるステップと、Ｈｅによって希釈された炭素（Ｃ）源およびＡｒを含む雰囲気において、Ｔｉターゲットをスパッタすることにより、前記積層体上にＴｉＣ膜１６を形成するステップとを含む、半導体構造を形成する方法である。 - 特許庁

A step of manufacturing the semiconductor device 100 includes a step of forming a pair of electrode groups 24 and 16 which are connected with a main electrode on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element region 100a, and a step of forming a sputter layer 12 on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element isolation region 100b by using a sputtering method.例文帳に追加

半導体装置１００は、素子領域１００ａ内の半導体積層部１１の表面に、主電極に接続する一対の電極群２４，１６を形成する電極群形成工程と、素子分離領域１００ｂ内の半導体積層部１１の表面に、スパッタ法を用いてスパッタ層１２を形成するスパッタ工程を備えている。 - 特許庁

A mask (not shown) used for the sputtering has a stepped part or inclination part in a shape similar to that of a formation region (left linear stepped region) of the thin film wiring 6 formed with the wiring board 3 and three semiconductor chips 4 which are stacked shifting to the right, and also has a slit for thin film wiring formation at the stepped part or inclination part.例文帳に追加

スパッタに用いるマスク（図示せず）は、右方にそれぞれずらして積層した配線板３および３個の半導体チップ４により生じた薄膜配線６の形成領域（左方の直線階段領域）と同様の形状の階段部または傾斜部を有しており、その階段部または傾斜部に薄膜配線形成用のスリットを有する。 - 特許庁

The sputtering target for forming the thin film of a Mo alloy on the substrate has a composition comprising 2-50 atom.% of one or two selected from V and Nb, and the balance Mo with unavoidable impurities, has relative density of 95% or higher, and preferably has deflection strength of 300 MPa or higher.例文帳に追加

基板上にＭｏ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、その組成が、ＶとＮｂから選ばれる１種以上を合計で２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなり、相対密度が９５％以上、好ましくは、抗折力が３００ＭＰａ以上である薄膜形成用スパッタリングターゲットである。 - 特許庁

In the method for producing a cut filter for near IR rays in which low reflective index films and high reflective index films are alternately stacked on a substrate, the respective films are formed by magnetron sputtering, and oxygen is fed to an electron cyclotron resonance type ion source and an assist ion source, while plasma is excited so as to oxidize the films.例文帳に追加

基板上に低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層されてなる近赤外線カットフィルターの製造方法であって、それぞれの前記膜をマグネトロンスパッタリングにより成膜し、電子サイクロトロン共鳴型イオン源及びアシストイオン源に酸素を供給するとともに、プラズマを励起させて前記膜を酸化することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a cold-cathode fluorescent discharge lamp of high quality and high reliability, by shortening discharge starting time of the lamp through reduction of a volume of a sputtering phenomenon, and by improving on high luminance, long life as well as darkness starting characteristic through maintenance of stable discharge over a long period of time, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

スパッタ現象の発生量を低減させて冷陰極蛍光放電ランプにおける放電開始時間を短縮させ、且つ安定した放電が長時間に亘って維持させることによって高輝度、長寿命と共に暗黒始動特性を向上させ、品質及び信頼性の高い冷陰極蛍光放電ランプ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Voltage is applied to a pair of targets 41a, 41b provided in a vacuum chamber 11 via an AC power source E at prescribed frequency in such a manner that polarity is alternately changed, each target is alternately changed to an anode electrode and a cathode electrode, glow discharge is generated between the anode electrode and the cathode electrode to form a plasma atmosphere, and each target is subjected to sputtering.例文帳に追加

真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。 - 特許庁

To prevent a sheet from being shifted downward by a simple structure even when the sheet can travel in the forward and reverse directions in a surface treatment apparatus for performing surface reforming treatment by plasma or the like and surface treatment including film deposition by a sputtering method, a plasma CVD method, etc., while continuously transporting the strip- like sheet so that the width direction thereof is perpendicular.例文帳に追加

帯状シート材をその幅方向が鉛直方向となるように連続走行させつつ、プラズマ等による表面改質処理やスパッタ法、プラズマＣＶＤ法等による成膜処理などの表面処理を行なう表面処理装置において、シート材を正逆走行可能に構成した場合でも、簡易な構造でシート材の下方へのズレを防止する。 - 特許庁

A sewing machine 1 includes nitriding compound layer made of a porous layer and a dense layer formed on the surface of a base material composed of low-carbon steel and low-carbon alloy steel not applied with hardening treatment, on which an intermediate layer made of a metal layer such as Cr or W is interposed by a sputtering coating method and formed with a DLC layer over the intermediate layer.例文帳に追加

ミシン１において、硬化処理を行っていない低炭素鋼及び低炭素合金鋼からなる母材の表面にポーラス層と緻密層からなる窒化化合物層を生成し、その上にスパッタリングコーティング方式によりＣｒ又はＷ等の金属層からなる中間層を介在させ、さらにその上にＤＬＣ層を形成した。 - 特許庁

The method for forming electric wiring or the electrode for the liquid crystal display, which does not have the thermal defect and is superior in adhesiveness, includes: using a copper target having a composition comprising 0.04 to 1 mass% oxygen and the balance Cu with unavoidable impurities; and sputtering the target in an inert gas atmosphere or in an inert gas atmosphere containing 3 vol% or less oxygen.例文帳に追加

酸素：０．０４〜１質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅ターゲットを用い、不活性ガス雰囲気中または酸素：３体積％以下含んだ不活性ガス雰囲気中でスパッタリングする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線または電極の形成方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the thermoelectric transducer 1 has the super-lattice structure 20 includes a step of alternately laminating the first layers 11 and the second layers 12 at -100°C to 400°C, by the ion beam sputtering method after adjusting two or more ion beams for irradiating two or more kinds of targets.例文帳に追加

超格子構造２０を有する熱電変換素子１の製造方法であって、イオンビームスパッタ法により、２種類以上のターゲットに照射する２以上のイオンビームを調整して、−１００℃以上４００℃以下において、Ｓｉを含む第１の層１１と、ＧｅおよびＡｕを含む第２の層１２とを交互に積層する工程を含む熱電変換素子の製造方法。 - 特許庁

Deviation of composition from the sputtering target has a film composition of 10 atom.% or less.例文帳に追加

10〜98原子％のＭｎを含み、残部が実質的にＮｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷおよびＲｅから選ばれる少なくとも1種のＲ元素からなるスパッタリングターゲットを用いて、スパッタ成膜してなる反強磁性体膜であって、スパッタリングターゲットからの組成のずれが10原子％以下の膜組成を有している。 - 特許庁

To provide a sintered compact used for a target on which a PZT thin film is deposited by suppressing the local variation of Pb concentration to eliminate the variation of the characteristics of the thin film itself and which is prevented from the breaking even under high voltage and is suitable for high speed film deposition, and a manufacturing method of the sintered compact and the sputtering target using the sintered compact.例文帳に追加

Ｐｂ濃度の局所的なばらつきを抑えることで薄膜自体の特性ばらつきを解消することができるＰＺＴ薄膜を形成でき、かつ高電力をかけても割れが発生せず高速成膜に好適なターゲットに用いる焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a gas seal between a pre-treatment chamber and a surface treatment chamber with a simple structure which can ensure the sufficient performance even when a sheet-like material is wide in a surface treatment device for performing the surface treatment by plasma, sputtering, CVD, vapor deposition, or the like, while allowing the sheet-like material to continuously travel in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空室内においてシート状材料を連続走行させつつ、プラズマやスパッタ、ＣＶＤ、蒸着等によって表面処理を行なう表面処理装置において、前処理室と表面処理室との間のガスシールとして、簡易な構造でありながら、シート状材料が広幅になった場合でも十分な性能が得られるものを提供する。 - 特許庁

While the substrate stage 13 sucks and heats the substrate S and the rotary section 18 turns the substrate stage 13, the sputtering apparatus 10 sputters the GeTe target 22a and Sb_2Te_3 target 22b at different timings from each other to stack two metallic chalcogenide films having mutually different compositions on the substrate S.例文帳に追加

こうしたスパッタ装置１０は、基板ステージ１３が基板Ｓを吸着且つ加熱した状態で、回転部１８が基板ステージ１３を回転させつつ、ＧｅＴｅターゲット２２ａ及びＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂの各々を互いに異なるタイミングでスパッタすることにより、互いに異なる組成を有した二つの金属カルコゲナイド膜を基板Ｓ上に積層する。 - 特許庁

The sputtering system which includes the magnetic circuit fastened with the permanent magnet at a yoke and is arranged to be supplied with a refrigerant 21 to the magnetic circuit is furnished with at least, film consisting of a first layer of an epoxy resin and a second layer of a fluororesin in the segment of the magnetic circuit, which segment comes into contact with the refrigerant 21.例文帳に追加

ヨークに永久磁石が固着された磁気回路を具備し、前記磁気回路に冷媒２１が供給されるようにしたスパッタリング装置において、前記磁気回路の少なくとも前記冷媒２１と接触する部分に、少なくともエポキシ樹脂の第1層と、フッ素樹脂の第2層から成る膜が具備されているスパッタリング装置。 - 特許庁

The method of manufacturing a metal-clad plastic substrate, having a metal layer formed by sputtering on a polyimide film surface comprises treating the surface of the polyimide film surface with an alkali water solution of 0.001-10 mol/L concentration, prior to forming the metal layer, and then treating it with a polar organic solvent held at 20-40°C.例文帳に追加

ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法によって金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、前記金属層を形成するに先だって、ポリイミドフィルム表面を濃度０．００１〜１０ｍｏｌ／Ｌのアルカリ水溶液で処理した後、その後２０〜４０℃の温度に保持した極性有機溶媒で処理することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target for manufacturing a half-tone type phase-shift masking and a blank, being provided with a region transparent to an exposure light and a region of a translucent film having a controlled phase and transmittance on a glass substrate, which can cope with a shortening of exposure wavelength and the formation of a highly transmittant film.例文帳に追加

ガラス基板上に露光光に対して透明な領域と、位相および透過率が制御された半透明膜領域を設けたハーフトーン型位相シフトマスク及びブランクを製造するためのスパッタリングターゲットに於いて、ハーフトーンマスク及びブランクが露光波長の短波長化や高透過率化に対応できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The glow discharge analysis apparatus 1 analyzes components in a depth direction of the sample S by sputtering to a surface of the sample S using a glow discharge, and has a display 35 for displaying a depth component ratio graph 36 for indicating so as to correspond an average of the component ratio of each layer classified by the component ratio of each region of the sample to a location in the depth direction.例文帳に追加

グロー放電による試料Ｓ表面へのスパッタリングを用いて試料Ｓの深さ方向の成分分析を行なうグロー放電分析装置１であって、試料の各部の成分比によって層に分類した各層の成分比の平均を、深さ方向の位置に対応させて表わす深さ成分比グラフ３６の表示部３５を有する。 - 特許庁

In the sputtering target composed of chromium for chromium alloy, the total number of insulating oxides of ≥30 μm maximum length existing in the target, particularly particles of Al_2O_3, ZrO_2, TiO_2, SiO_2, CaO, and MgO, is ≤20 pieces/g and the average particle size of the chromium or chromium matrix phases constituting the target is ≤50 μm.例文帳に追加

ターゲット中に存在する最大長さが３０μｍ以上の絶縁性の酸化物、特に、Ａｌ_2Ｏ_3、ＺｒＯ_2、ＴｉＯ_2、ＳｉＯ_2、ＣａＯおよびＭｇＯの粒子の総数が２０個／ｇ以下であると共に、前記ターゲットを構成するクロムまたはクロムマトリクス相の平均粒径が５０μｍ以下であるクロムまたはクロム合金からなるスパッタリングターゲットとする。 - 特許庁