「Sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(126ページ目) - Weblio英語例文検索

As a means for periodically repeating the film deposition process and the sputtering process, firstly, the voltage applied to the substrate WA with respect to a vacuum container 10, secondly, the current supplied between a plasma gun 30 and the hearth liner 53, and thirdly, the atmospheric pressure in a vacuum container 10 are periodically changed.例文帳に追加

成膜工程とスパッタリング工程とを周期的に繰り返すための手段として、第１に真空容器１０に対する基板ＷＡの電圧と、第２にプラズマガン３０とハースライナー５３との間に供給する電流と、第３に真空容器１０中の雰囲気圧とをそれぞれ周期的に変化させる。 - 特許庁

This magnetic recording medium is a magnetic recording medium having at least one layer of base layers adhered between a substrate and a cobalt-based magnetic layer, at least one layer of the base layers comprising an amorphous sputtering film consisting essentially of one or more kind of group Va elements, group VIa elements and group VIII elements and of silicon.例文帳に追加

基板とＣｏ系磁性層との間に少なくとも１層以上の下地層が被着されている磁気記録媒体であって、前記下地層のうち少なくとも１層は、Ｖａ族元素、VIa族元素、VIII族元素のいずれか１種または２種以上とシリコンとを主体としたアモルファスのスパッタリング膜である磁気記録媒体である。 - 特許庁

The method is provided for manufacturing the thin film transistor, and includes the steps of forming the metal oxide film 2 by performing the sputtering without heating a substrate 1, and forming constituents such as a channel layer 3, a source electrode 4, a drain electrode 5 and a gate electrode 1 on the substrate followed by applying heat treatment.例文帳に追加

基板１の加熱を行わずに上記スパッタを行って上記金属酸化膜３を形成し、上記チャネル層３、ソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極２の各要素を基板上に形成した後、熱処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The composite target for sputtering 1 includes an oxide component 2 containing zinc oxide and carbon components 3a-3d, provided that, when the oxide component 2 and the carbon components 3a-3d exist separately from each other, the carbon components 3a-3d are layered on at least a portion of surface of the oxide component 2.例文帳に追加

スパッタリング複合ターゲット１は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分２と、炭素系成分３ａ〜３ｄとを有し、酸化物系成分２と炭素系成分３ａ〜３ｄが各々別体の場合は、酸化物系成分２の表面の少なくとも一部に炭素系成分３ａ〜３ｄを積層して用いる。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical information recording medium comprises a process for forming an intermediate layer 6d thicker than the depth of the track guide grooves 3 of a track guide layer 4 on the substrate 2 on which the track guide layer 4 is formed and further alternately and continuously depositing the recording layers and the intermediate layers thereon by a vacuum deposition process or a sputtering process.例文帳に追加

トラックガイド層４を形成した基板２上に、前記トラックガイド層４のトラックガイド溝３の深さより厚い中間層６ｄを形成し、さらに記録層と中間層を真空蒸着プロセス、またはスパッタリングプロセスにより交互に連続形成する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In this discharge type surge absorption element 1, recessed parts 13 are formed in end faces of electrodes 3 arranged facing each other with a discharge gap, the recessed parts are coated with an electrode coating material having a sputtering prevention effect and ribs 14 for a partition in a "+" shape are projected from upper surfaces of the recessed parts to control the movement of the electrode coating material.例文帳に追加

放電型サージ吸収素子１は、放電間隙を設けて相対向して配置してなる電極３の端面に凹部１３を形成し、該凹部にスパッタリング防止効果を有する電極塗布材を塗布するとともに、この凹部上面には「＋」形状の仕切り用リブ１４を突設させ、上記電極塗布材の移動を規制する。 - 特許庁

This is the method of manufacturing the transparent conductive film in which in a state that the base material film having a cyclic olefin based polymer of a glass transition temperature of 130°C or more is heated to 100°C or more and the temperature obtained by subtracting 20°C from the glass transition temperature or less, the transparent conductive layer is formed by a sputtering method.例文帳に追加

ガラス転移温度が１３０℃以上の環状オレフィン系重合体を有する基材フィルムを、１００℃以上、上記ガラス転移温度−２０℃以下の温度に加熱した状態で、スパッタリングにより透明導電層を形成することを特徴とする、透明導電性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering apparatus comprises manifolds 9 and 10, which have symmetrical configurations with respect to each orthogonal center axis inside the face of the target 8, and are arranged to surround the circumference of the target 8, and comprises openings 9a and 10a for feeding process gas, which are dispersively arranged in the whole manifolds 9 and 10 in order to feed process gas to the target 8.例文帳に追加

マニホールド９，１０がターゲット８の面内において互いに直交する中心軸のそれぞれに対称な形状を有してターゲット８の全周を囲むように配置され、プロセスガス放出口９ａ，１０ａがターゲット８にプロセスガスを放出するためにマニホールド９，１０全体に分散して設けられている。 - 特許庁

As the zinc alloy used as the emissive material 4 has relatively high fusing point compared to that of zinc, vanish by sputtering is restrained and discharge starting time is reduced through a life warrant period and also the voltage rise of discharge start is significantly small as gas discharge is reduced.例文帳に追加

電子放射性物質４として用いる亜鉛合金は、亜鉛に比べると、融点が高くなるので、スパッタによる消失が抑制されるので、寿命保証期間中にわたって放電開始時間が短縮されるとともに、またガス放出が少なくなるので、放電開始電圧の上昇がすこぶる少ない。 - 特許庁

The Pd alloy sputtering target contains Pd as the principal component, and 1-60 at%, in total, of at least one selected from among V, Nb, and Ta, with the balance comprising Pd and unavoidable impurities, and has an oxygen content of 2,000 mass ppm or less based on the entire target.例文帳に追加

Ｐｄを主要成分として含有するＰｄ合金系スパッタリングターゲットであって、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなり、ターゲット全体に対する酸素含有量を２０００質量ｐｐｍ以下にする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the impurity contained in a lower wiring layer is not diffused to a metal silicide gate electrode side even when an insulating layer is heat-treated, and to provide a sputtering target for metal silicide wiring which can suppress the particles generated by charge-up, and its manufacturing method.例文帳に追加

絶縁層の熱処理によっても下層の配線層に含まれる不純物が金属シリサイドのゲート電極側に拡散することがない半導体装置の製造方法、チャージアップによるパーティクルの発生を抑えることができる金属シリサイド配線用スパッタターゲット、及びその製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

(1) With the both-side breaking electromagnetic relay 10 equipped with two contact point pairs of a fixed contact point 11 and a movable contact point 12 arrayed in series, the both contact point pairs are to have a contact point opposing the side of the contact point emitting electrons at arc generation out of the fixed and the movable contact points of a material A strong at sputtering.例文帳に追加

（１）固定接点１１と可動接点１２とからなる接点対を２対直列に有する両切りの電磁継電器１０において、２対の接点対とも、固定接点と可動接点のうちアーク発生時に電子を放出する側の接点の相手側の接点の材料をスパッタリングに強い材料Ａとした。 - 特許庁

To provide a glass substrate for a magnetic disk wherein the increase of frictional force and adhesion force between a magnetic recording medium and a head in a dynamic pressure floating head type is prevented without reducing an S/N ratio and a magnetic film can be easily formed by a sputtering method, to provide a manufacturing method therefor and to provide a magnetic recording medium using the substrate.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比を低下させることなく、動圧浮動ヘッド方式における磁気記録媒体とヘッドとの間の摩擦力の増加や吸着力の増大を防ぎ、さらに、スパッタ法により磁性膜の形成が容易な磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法、ならびに該基板を用いた磁気記録媒体の提供。 - 特許庁

To prevent a rotatably driven side part including a cutting blade from sputtering small stones, cans, etc., presenting in a working place during bush-cutting works by a worker and also performing the bush-cutting work by smoothly swinging the cutting blade installed at the tip end part of a handle shaft in left and right directions by bringing a guide part in contact with the ground.例文帳に追加

作業者は、草刈作業中に刈払刃を含む被回動駆動側部が作業場所にある小石や缶等を跳ね飛ばすことを防止すると共に、ガイド部を地面に接触させて、ハンドルシャフトの先端部に設けられている刈払刃を左右に滑らかに揺動させて草刈作業ができるようにすること。 - 特許庁

The surfaces of the smooth electrodes (412, 422) manufactured by the DC magnetron reactive sputtering process enables relatively strong polarization and less fatigue and less imprint with aging, in ferroelectric thin-film capacitors (400, 500) used for electronic memories (600, 700, 800).例文帳に追加

本発明のＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスによって製造された平滑電極（４１２、４２２）の表面は、電子メモリ（６００、７００、８００）に使用される強誘電体薄膜キャパシタ（４００、５００）において、エージングするにつれ、比較的強力な分極、より小さい疲労およびより小さいインプリントを、可能にする。 - 特許庁

A thin film of a metal selected from titanium oxide, aluminum oxide and copper oxide is formed with a thickness of ≤2 nm on the surface of an oriented polypropylene (OPP) film by a film forming method achieving high adhesion, e.g. the sputtering method, and a gas-barrier thin film, e.g. a film of aluminum oxide or silicon oxide, is then formed.例文帳に追加

延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）フィルムの表面に酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化銅のうち何れかの金属の薄膜をスパッタ法などの密着力が強い成膜方法にて２ｎｍ以下形成した後、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、その他のガスバリア性薄膜を形成することによって密着強度が弱いという問題を解決した。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact containing zinc oxide as a main component, aluminum, and gallium and its manufacturing method, a target capable of forming a film continuously for a long time without causing an abnormal discharge in a sputtering method or the like, a transparent electroconductive film of high quality with a low resistance and a high transparency obtained by using it, and a solar cell having a high conversion efficiency.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とし、さらにアルミニウムとガリウムを含有する酸化物焼結体とその製法、スパッタリング法などで異常放電が全く発生せず、連続で長時間成膜できるターゲット、それを用いた低抵抗で高透過性の高品質な透明導電膜、高変換効率の太陽電池を提供。 - 特許庁

The first and second piezoelectric films 103, 104 are formed continuously by sputtering at mutually different substrate temps., such that, e.g. their polarization directions are mutually reverse, as shown by arrow marks A, B on the drawing, thus forming a piezoelectric element having a thin-film bimorph structure.例文帳に追加

上記第１圧電体薄膜１０３、および第２圧電体薄膜１０４は、それぞれ互いに異なる基板温度でスパッタリングされることによって連続的に形成され、例えば同図に矢印Ａ，Ｂで示すように分極方向が互いに逆方向になり、薄膜バイモルフ構造の圧電素子が構成されている。 - 特許庁

To provide a gas barrier plastic film having improved gas barrier properties and good adhesion between a base and a gas barrier layer without generating unevenness of the gas barrier properties in the case that the gas barrier layer is formed on the base composed of an organic material by plasma CVD or sputtering.例文帳に追加

本発明は、有機素材からなる基材に、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法によりガスバリア層を形成した場合においても、ガスバリア性にムラを生じることなく、基材とガスバリア層の密着性が良好であり、ガスバリア性の向上したガスバリア性プラスチックフィルムを提供することを主目的とする。 - 特許庁

An amorphous oxychalcogenide system thin film 102 is grown on a substrate 101 comprising a YSZ substrate, a MgO substrate, or the like, by the pulse laser deposition method and the sputtering method, and a single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 is formed by crystallizing the amorphous oxychalcogenide system thin film 102 by the reactive solid-phase epitaxial growth method.例文帳に追加

ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。 - 特許庁

In a manufacturing method for a semiconductor device having a device isolating embedded oxide film, after an isolating trench is formed in a silicon semiconductor substrate, the embedded oxide film is embedded using the same plasma CVD apparatus in the isolating trench, by executing successive film formation processings altering processing conditions (deposition/ sputtering ratio) plurality of times.例文帳に追加

素子分離埋め込み酸化膜を有する半導体装置の製造方法において、シリコン半導体基板に分離溝を形成した後に、同一のプラズマＣＶＤ装置を用いて、処理条件（デポジション／スパッタリング比）を変更した複数回の連続した成膜処理を実行することにより、前記分離溝に埋め込み酸化膜を埋設する。 - 特許庁

The radiator is equipped with a radiator block 101 bl', that has direct contact with the peripheral region 1ws, and quantity of substance that deposits on the light exit window 1ww can be reduced to prolong life of the discharge tube because substances produced by sputtering of electrodes in the discharge tube largely deposit on the peripheral region 1ws.例文帳に追加

放熱体は、周辺領域１ｗｓに直接接触する放熱ブロック１０１ｂｌ’を備えており、放電管における電極のスパッタ等によって発生した物質は、周辺領域１ｗｓに多く付着するので、光出射窓部１ｗｗに付着する物質量が低下し、放電管の寿命を長期化することができる。 - 特許庁

This apparatus has a direction regulating tool 391 installed between a target 30 and a substrate 9, for giving the magnetic anisotropy to the magnetic film, by selectively passing particles emitted from the target 30 by sputtering, in a chamber 1 for forming a base film as a magnetic recording layer to be precedently formed beneath the magnetic film.例文帳に追加

磁気記録層用の磁性膜の下に予め作成される下地膜を作成する下地膜作成チャンバー１内には、ターゲット３０からスパッタリングにより放出されるスパッタ粒子を選択的に通過させることにより磁性膜に磁気異方性を与える方向規制具３９１がターゲット３０と基板９との間に設けられている。 - 特許庁

The multiple-split cylindrical sputtering target has a cylindrical base material and a plurality of cylindrical targets which are joined with each other by using joining material, and has a split part in which adjacent cylindrical targets are arranged with a spacing therebetween, and a step of outer circumferential surfaces of the cylindrical targets adjacent at the split parts is ≤0.5 mm.例文帳に追加

円筒形基材と複数の円筒形ターゲット材とを接合材を用いて接合してなる多分割の円筒形スパッタリングターゲットにおいて、隣り合う円筒形ターゲット材が間隔を有して配置されている分割部を有し、かつ分割部において隣り合う円筒形ターゲット材の外周面の段差が０．５ｍｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In the ion beam sputtering apparatus for depositing an insulating thin film on a substrate by irradiating a target with ion beams from an ion gun, a conductive target 31 is arranged at the position where a part of the ion beams are emitted, and a conductive film is deposited on a grid 22 of the ion gun 13 by particles sputtered out from the conductive target 31.例文帳に追加

イオンガンよりイオンビームをターゲットに照射して絶縁性の薄膜を基板上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、イオンビームの一部が照射される位置に導電材ターゲット３１を配置し、その導電材ターゲット３１よりスパッタアウトされた粒子によってイオンガン１３のグリッド２２に導電膜が堆積される構成とする。 - 特許庁

The manufacturing method comprises the steps of: providing a porous stainless steel tube for a support; filling the support with a metal; forming the palladium film thereon by electroless plating the support in a palladium salt solution; and subsequently forming the palladium film on the above support by using a DC sputtering technique.例文帳に追加

多孔性ステンレス鋼管を提供して支持体とする工程と、前記支持体に対して金属充填を行う工程と、パラジウム塩溶液で前記支持体に対して無電界めっきを行うことによりパラジウム膜を堆積する工程と、ＤＣスパッタリング法を利用してパラジウム膜を前記支持体上に継続的に堆積する工程とを備えてなる。 - 特許庁

After having formed a metal mode film 102 with an Al-O molecule on the silicon substrate 101, a sputtering state in a target 203 is stopped by stopping the supply of a high-frequency power with respect to the target 203 or the like, and a state that the surface of the metal mode film 102 on the silicon substrate 101 is irradiated with plasma 110 of Ar and oxygen is brought about.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に、Ａｌ−Ｏ分子によるメタルモード膜１０２を形成した後、ターゲット２０３に対する高周波電力の供給を停止するなどにより、ターゲット２０３におけるスパッタ状態を停止し、シリコン基板１０１上のメタルモード膜１０２表面に、Ａｒと酸素のプラズマ１１０が照射される状態とする。 - 特許庁

In a manufacturing method of a magnetic disk comprising at least a first base layer of an amorphous material, a second base layer of a crystalline material, and a magnetic layer on a disk shape glass substrate, after depositing the above first base layer by reactive sputtering in atmosphere containing an oxidizing gas, the above second base layer is deposited at the substrate temperature in the range from 100 to 240°C.例文帳に追加

ディスク状ガラス基板上に、少なくとも、非晶質の第１下地層と、結晶質の第２下地層と、磁性層とを有する磁気ディスクの製造方法であって、酸化性ガスを含む雰囲気において反応性スパッタリングにより前記第１下地層を成膜した後、１００℃から２４０℃の範囲の基板温度で前記第２下地層を成膜する。 - 特許庁

In the optical recording medium, a recording layer (2) is formed by a solution coating method using a coating solution containing at least one selected from a metal chelate dye, a polymethine dye, a squarylium dye and an azaannulene dye on a substrate (1) with a guide groove to which reverse sputtering treatment is applied by using an inert gas such as a He gas under reduced pressure.例文帳に追加

予め減圧下でＨｅガス等の不活性ガスにより逆スパッタ処理が施された案内溝付基板(1)上に、金属キレート色素、ポリメチン色素、スクアリリウム色素、アザアヌレン色素から選ばれる少なくとも一種を含有する塗工液を用いて溶液塗布法により記録層(2)が形成された構成の光記録媒体とする。 - 特許庁

To provide a BST film, a capacitor insulating film using the BST film, and a sputtering target used for manufacturing the BST film, which make it possible to improve dielectric characteristics of the capacitor insulating film, and to contribute to improving speed and fineness of a semiconductor memory element or a thin-film capacitor by inhibiting deterioration of permittivity, and inhibiting increase of leakage of current and dielectric loss.例文帳に追加

誘電率の低下を抑制し、リーク電流や誘電損失の増加を抑制することによって、キャパシタ絶縁膜の誘電特性を向上させ、半導体メモリ素子又は薄膜コンデンサの高速化、微細化に寄与するＢＳＴ膜、このＢＳＴ膜を用いたキャパシタ絶縁膜、及びこのＢＳＴ膜を作製する際に用いるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

Further, the method for producing the sputtering target includes: a step of hot-pressing a powder mixture of Na_2S powder and Cu-Ga alloy powder or a powder mixture of Na_2S powder, Cu-Ga alloy powder and pure Cu powder in vacuum or an inert gas atmosphere; or a step of sintering the powder mixture according to a hot isostatic pressing method.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、Ｎａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末との混合粉末、又はＮａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末と純Ｃｕ粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程、または、熱間静水圧法で焼結する工程を有している。 - 特許庁

The sputtering apparatus 1 includes: a chamber 10 which is maintained in an evacuated state therein and forms the plasma discharge 20; a cathode 22 which is installed in the chamber 10 to hold a target 21; and a substrate holder 60 for holding the substrate 110, which holds the substrate 110 so that one surface of the substrate 110 is opposite to the surface of the target 21.例文帳に追加

スパッタリング装置１は、内部が減圧状態に維持されてプラズマ放電２０が形成されるチャンバ１０と、チャンバ１０内に設置され、ターゲット２１を保持するカソード２２と、基板１１０を保持し基板１１０の一表面がターゲット２１の表面に対向するように基板１１０を保持する基板ホルダ６０とを備えている。 - 特許庁

To provide a sputtering target having high strength and capable of forming a sputtered film having a stable amorphous property, high transmittance in a blue wavelength region and high refractive index in order to enhance characteristics of an optical information recording medium and to improve and stabilize quality of a thin film and to provide the thin film for the optical information recording medium.例文帳に追加

光情報記録媒体の特性の向上及び薄膜の品質を大幅に改善しかつ安定化するため、スパッタリングターゲットの強度が高く、スパッタ膜の非晶質性が安定であり、青色波長領域で透過率が高く、また屈折率も高い膜を形成できるスパッタリングターゲット及び光情報記録媒体用薄膜を提供する。 - 特許庁

The method does not disrupt the coverage of the deposited trench diffusion barrier in a line opening that is located atop the via opening, and/or does not introduce damages caused by creating a gouging feature at the bottom of the via opening by sputtering into the interconnect dielectric material that includes the via and line openings.例文帳に追加

本発明の方法は、ビア開口部の上に配置されるライン開口部内の堆積されたトレンチ拡散バリアの被覆率に影響を与えず、及び／又は、ビア開口部及びライン開口部を含む相互接続誘電体材料内にスパッタリングを行なうことによりビア開口部の底部にガウジング構造部を生成することに起因する損傷を生じさせない。 - 特許庁

The transparent conductive thin film 4 is produced by introducing argon at a flow rate of 18.0 cm^3/min into a vacuum chamber with a glass substrate 2 and a target containing Zn as a component are arranged in the vacuum chamber and sputtering the target while introducing oxygen at a flow rate of 1.0 cm^3/min or more and 2.0 cm^3/min or less.例文帳に追加

透明導電薄膜４は、真空チャンバ内に、ガラス基板２と、Ｚｎを成分とするターゲットとを配置した状態で、真空チャンバ内に、１８．０ｃｍ^３／ｍｉｎの流量でアルゴンを導入し、且つ、１．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以上、２．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以下の流量で酸素を導入しながら、ターゲットをスパッタすることで製造される。 - 特許庁

To provide a sputtering target which adopts a material containing an SiO_2 based oxide, hardly causes deterioration in an adjacent reflection layer and a recording layer, has satisfactory adhesion and achieves high speed film-deposition, and to provide a method for producing the same and to provide a thin film (especially used as a protective film) for an optical information recording medium and a method for producing the same.例文帳に追加

ＳｉＯ_２系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The oxide sputtering target contains ZnO and Cr_2O_3, and further contains SiO_2, wherein by atomic ratio to the component quantity of all metals other than inevitable impurities, Zn:p%, Cr:q% and Si:100-p-q% are satisfied, and their component compositions satisfy the relations of 33≤p≤90, 8≤q≤65 and 85≤(p+q)≤99.例文帳に追加

ＺｎＯおよびＣｒ_２Ｏ_３を含有する酸化物スパッタリングターゲットであって、さらにＳｉＯ_２を含有し、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｎ：ｐ％、Ｃｒ：ｑ％およびＳｉ：１００−ｐ−ｑ％とされており、これらの成分組成が、３３≦ｐ≦９０、８≦ｑ≦６５、８５≦（ｐ＋ｑ）≦９９の関係を満たしている。 - 特許庁

The combined lubricative thin film or the low friction characteristic intercalation compound is formed on the uppermost surface layer by carrying out sealing by sputter etching of reverse sputtering after an anodically oxydized film is formed on the core bar surface using aluminum or the aluminum alloy material.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金材料を用いた芯金表面に陽極酸化皮膜を形成した後に、逆スパッタリングのスパッタリングのスパッタエッチングにより封孔処理を施して、最表層に複合化潤滑性薄膜又は低摩擦性層間化合物をスパッタリングにより形成することを特徴とする上記加熱定着ローラの製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method includes the stages of: preparing a semiconductor substrate having a source region, a drain region, and a channel region connecting the source region and drain region; forming a gate insulating film on a top surface of the channel region; and forming a gate electrode of a metal compound material on the gate insulating film by a reactive sputtering method.例文帳に追加

その製造方法は、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域を結ぶチャネル領域を有する半導体基板を用意する工程と、チャネル領域の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、反応性スパッタリング法によってゲート絶縁膜上に金属化合物材料からなるゲート電極を形成する工程を備えている。 - 特許庁

The sputtering system 300 comprises: a substrate holding part 301 holding a substrate; opposing magnetic cathodes 302A and 302B arranged at the positions off-axis to the substrate holding part 301; a cathode box 303 storing the magnetic cathode 302A and 302B; and sticking prevention plates 311 and 312 arranged around the magnetic cathodes 302A and 302B.例文帳に追加

スパッタリング装置３００は、基板を保持する基板保持部３０１と、基板保持部３０１とオフアクシスな位置に配置された対向するマグネティックカソード３０２Ａおよび３０２Ｂと、マグネティックカソード３０２Ａおよび３０２Ｂを収容するカソードボックス３０３と、マグネティックカソード３０２Ａおよび３０２Ｂの周囲に配置された防着板３１１および３１２とを備える。 - 特許庁

Furthermore, the organic light-emitting device has two or more of light-emitting organic material layers arranged between the first electrode and the second electrode, the most upper layer of an organic material has resistance to sputtering adhesion rather than a lower layer of the organic material, and the electrode formed on the most upper layer of the organic material is a sputtered layer.例文帳に追加

さらに、第１の電極と第２の電極との間に配置された２つ以上の発光性有機材料層を有し、有機材料の最上層が有機材料の下側層よりもスパッタ付着に対し耐性を有し、さらに前記有機材料の最上層の上に形成された電極がスパッタ層である有機発光デバイスについても開示する。 - 特許庁

The sputtering target system is provided with: a backing plate 110 including a central surface and at least one step surface formed, so as to be low by a prescribed step on both the sides of the central surface; a standard target material 120 mounted on the central surface in the backing plate 110; and a reinforcing target 130 mounted on the step surface in the backing plate 110.例文帳に追加

中央表面及び中央表面の両側に所定の段差だけ低く形成される少なくとも１つの段差表面を含むバッキングプレート１１０と、バッキングプレート１１０の中央表面に装着される基準ターゲット材１２０と、バッキングプレート１１０の段差表面に装着される補強ターゲット材１３０とを備える。 - 特許庁

To provide a heat-resistant and light-shielding film capable of suppressing abrupt deposition of an oxide layer on the surface of a metal target by a reactive gas, depositing the metal oxide film of the metal oxide composition with excellent reproducibility by reactive sputtering, and achieving high light-shielding property, low reflectance and low glossiness in a visible ray region of the wavelength of 380-780 nm.例文帳に追加

反応性ガスによって金属ターゲット表面に急激な酸化物層が形成されることを抑え、反応性スパッタリングで金属酸化物組成の金属酸化物膜を再現性よく形成し、３８０〜７８０ｎｍの可視光域において高遮光性、低反射率化、低光沢化が達成された耐熱遮光フィルムを提供すること。 - 特許庁

This Mn-contained copper alloy sputtering target consists of a copper alloy containing 0.6-30 mass% Mn, and the balance Cu with impurities, wherein the contents of the impurities are regulated to be ≤40 ppm metallic impurities, ≤10 ppm oxygen, ≤5 ppm nitrogen, ≤5 ppm, and ≤10 ppm carbon.例文帳に追加

Ｍｎ：０．６〜３０質量％を含み、残部がＣｕおよび不純物からなる組成を有し、かつ前記不純物が金属系不純物：４０ｐｐｍ以下であり、かつ酸素が：１０ｐｐｍ以下、窒素：５ｐｐｍ以下、水素：５ｐｐｍ以下、炭素：１０ｐｐｍ以下に規制された銅合金からなるパーティクル発生の少ないＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁

This organic LED display device having a plurality of organic LED elements each consisting of a thin film transistor, a pixel electrode, at least an organic LED layer and the counter electrode laminated on a substrate comprises a polymer protecting layer formed between the counter electrode and the organic LED layer, the counter electrode being deposited by DC magnetron sputtering.例文帳に追加

基板上に、薄膜トランジスタと、画素電極と、少なくとも有機ＬＥＤ層と、対向電極とを積層した複数の有機ＬＥＤ素子を有する有機ＬＥＤ表示装置において、対向電極と有機ＬＥＤ層との間に形成された高分子保護層を備え、対向電極がＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜されていること。 - 特許庁