「Sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(123ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for forming the sputtering target comprises: (a) providing a target surface component; (b) providing a core backing component; (c) providing at least one surface area feature which increases the effective surface area of the core backing plate; and (d) coupling the surface target material to the coupling surface of the core backing material.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの形成方法は、ａ）ターゲット表面要素を提供することと、ｂ）芯裏打要素を提供することと、ｃ）芯裏打板の有効表面積を増大させる少なくとも１つの表面積形状を提供することと、ｄ）表面ターゲット材料を芯裏打材料の連結面に連結することを備えている。 - 特許庁

To provide a film deposition method in which the film deposition rate by the sputtering is reduced, a metal thin film with excellent coatability is formed on an inner wall surface and an inner bottom surface of a hole or a groove with the aspect ratio being ≥3 formed in a surface of a workpiece, and the self-hold discharge in a target is generated even with small power.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing an indium metal target, a metal ingot or a slab is prepared by melting and casting an indium metal raw material, and then a target is obtained by cold rolling the ingot or the slab in a sheet-shape, wherein the sputtering surface of the target is made to be mainly oriented in the (101) plane by the cold rolling.例文帳に追加

インジウムメタル原料を溶解鋳造してインジウムメタルインゴット又はスラブを作製した後、該インゴット又はスラブを薄板状に冷間圧延してターゲットとするインジウムメタルターゲットの製造方法であって、前記冷間圧延により、ターゲットのスパッタ面を１０１主配向とすることを特徴とするインジウムメタルターゲットの製造方法。 - 特許庁

There is provided a method of manufacturing the light emitting device for depositing a semiconductor layer by using a the target material representative of a semiconductor material and the sputtering apparatus having parts covered with the thermal spraying material with the same material as the target material, and applying high-frequency power by using the target material in an atmosphere containing rare gases.例文帳に追加

半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 - 特許庁

The process for producing the sputtering target comprises the steps of: forming a molded object comprising a mixed powder composed of an NaF powder and a Cu-Ga powder or a mixed powder composed of an NaF powder, a Cu-Ga powder and a Cu powder; and sintering the molded object in a vacuum atmosphere, an inert gas atmosphere or a reductive atmosphere.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、ＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末との混合粉末、又はＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末とＣｕ粉末との混合粉末からなる成形体を形成し、その後、真空、不活性ガスまたは還元雰囲気中で焼結する工程を有している。 - 特許庁

To provide a processing method that takes measures against the following problems: when a via hole is formed in a semiconductor substrate using a CO2YAG laser, resin residues are produced at a via hole bottom part; and then film formation by sputtering is incomplete owing to unevenness of the via hole formed by laser processing, so that metal is diffused in a resin.例文帳に追加

半導体用サブストレートにおいて、ＣＯ２ＹＡＧレーザを用いてビアホールを形成すると、ビアホール底部で樹脂残渣が生じ、レーザ加工によるビアホール内の凹凸によりスパッタが完全に皮膜形成されず、樹脂中に金属が拡散するため、これらの問題点を対策した加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a glass substrate regenerating apparatus for efficiently regenerating a color filter without using acid treatment for transparent electrode treatment in a regenerating process of a glass substrate which is produced in the manufacturing step of a color filter substrate but does not meet quality standards or a dummy substrate of a sputtering device, and to provide a regenerating method using the regenerating apparatus.例文帳に追加

カラーフィルタ基板の製造工程で発生した品質基準を満足しないガラス基板、あるいはスパッタリング装置のダミー基板の再生プロセスにおいて、透明電極処理に酸処理を用いずに、カラーフィルタを効率的に再生処理するガラス基板の再生装置及びこれを用いた再生方法を提供する。 - 特許庁

When the piezoelectric layer 24b is formed by a sputtering method in manufacturing, the piezoelectric thin film is heteroepitaxially grown on one surface side of the substrate 20a for element formation while the substrate 20a for element formation is held at a specified temperature of ≥500°C, and then the substrate 20a for element formation is rapidly cooled from the specified temperature.例文帳に追加

製造時、圧電層２４ｂをスパッタ法により形成する際は、素子形成用基板２０ａの温度を５００℃以上の規定温度として素子形成用基板２０ａの一表面側に圧電薄膜をヘテロエピタキシャル成長させた後、素子形成用基板２０ａを規定温度から急速冷却する。 - 特許庁

In the method for depositing a MgO film on a base metal by the ion beam assist sputtering method, a four-times symmetry MgO film can be deposited by executing the film deposition with the back pressure of <0.001 Pa, and a three-times symmetry MgO film can be deposited by executing the film deposition with the back pressure of ≥0.001 Pa.例文帳に追加

イオンビームアシストスパッタ法により金属基材上にＭｇＯ膜を成膜する方法において、背圧を０．００１Ｐａ未満として成膜することにより４回対称ＭｇＯ膜を成膜することができ、背圧を０．００１Ｐａ以上として成膜することにより３回対称ＭｇＯ膜を成膜することができる。 - 特許庁

An AlN thin film 22 and a metallic thin film 23 are formed within the same sputtering device by using a gaseous mixture of Ar and nitrogen, and the time required for the switching of the gas is saved to produce an AlN thin film 10 having increased C-axis orientation properties by a buffer thin film made of the AlN thin film and the metallic thin film in a short time.例文帳に追加

ＡｌＮ薄膜２２、ならびに、金属薄膜２３を、Ａｒと窒素との混合ガスを用いることにより、同一スパッタリング装置内で形成し、ガス切り替えに要する時間を省き、ＡｌＮ薄膜と金属薄膜とからなるバッファー薄膜によるＣ軸配向性を高めたＡｌＮ薄膜１０を短時間で製造する。 - 特許庁

In the film deposition method of a piezoelectric film composed of a lead-containing perovskite type oxide, the electric potential of a substrate is changed from a first substrate electric potential Vsub1 to a second substrate electric potential Vsub2 to obtain the desired lead composition of the piezoelectric film in the film deposition by the sputtering method.例文帳に追加

本発明の鉛含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電体膜の成膜方法は、スパッタリング法による成膜において、成膜途中で、前記基板の電位を第1の基板電位Ｖｓｕｂ１から、前記圧電体膜の鉛組成を所望の組成とするように第２の基板電位Ｖｓｕｂ２に変更する。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus for preventing warping of a tray to hold a substrate to be treated or heat radiation from the substrate to the tray and ensuring the temperature uniformity on the substrate in a process for sputtering a ferroelectric film or the like while maintaining the heat uniformity of 600°C±5°C.例文帳に追加

６００℃±５℃の均熱性を保持しながら強誘電体膜などをスパッタリングするプロセスにおいて、被処理基板を保持するトレーの反りや被処理基板からトレーへの放熱を防止し、処理被処理基板上での温度均一性を確保することが可能な成膜装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

An intermediate layer (a base film 2) consisting of at least one material selected from a group consisting of chromium, titanium and vanadium is formed on a base 1 consisting of aluminum, an aluminum alloy, titanium or a titanium alloy, and a boron carbide film 3 is formed by sputtering on the base film 2.例文帳に追加

アルミニウム若しくはアルミニウム合金又はチタン若しくはチタン合金からなる基材１の上に、クロム、チタン及びバナジウムからなる群から選択された少なくとも１種からなる中間層（下地膜２）を形成し、この下地膜２の上にスパッタリングにより炭化ホウ素膜３をスパッタリングにより形成する。 - 特許庁

To provide a dispersing agent which satisfactorily disperses the powder of a metal oxide including indium oxide powder, and to provide a method for efficiently producing a sputtering target comprising indium oxide and having high density at high productive efficiently without depending on the change of the production environment caused by the variation of the seasons.例文帳に追加

酸化インジウム粉を含む金属酸化物の粉末を水に良好に分散させる分散剤を提供するとともに、酸化インジウムを含有し、かつ、密度の高いスパッタリングターゲットを、季節変動による製造環境の変化に左右されずに、高い生産効率で、効率的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

The Mg-containing ITO sputtering target and evaporation material, consisting essentially of In, Sn, Mg and O, can be manufactured by mixing an indium oxide powder and a tin oxide powder or an indium oxide - tin oxide powder with a magnesium hydroxide powder, compacting and sintering the resultant powder mixture, and fabricating the resultant sintered compact.例文帳に追加

酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末、又は酸化インジウムー酸化スズ粉末と、水酸化マグネシウム粉末とを混合・成形した後、焼結してなる焼結体を加工することを特徴とする、実質的にＩｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯからなるＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲット／蒸着材の製造方法 - 特許庁

To provide a method for effectively removing an Ni film without eroding a mask member made of stainless steel when removing the Ni film deposited in a thin film pattern forming process from a surface of the mask member made of stainless steel used for pattern forming in the film pattern forming process such as sputtering.例文帳に追加

スパッタリングなどの薄膜パターン形成プロセスにおいてパターン形成のために使用されるステンレス鋼製のマスク部材の表面から、薄膜パターン形成過程で堆積されたＮｉ膜を除去するにあたり、ステンレス鋼製マスク部材を侵食させることなく、Ｎｉ膜を効果的に除去し得る方法を提供する。 - 特許庁

The heating resistor having improved durability characteristics can be obtained by investigating target materials of TaSiN and TaBN as a heat element from powder by sintering in molding the materials by reactive sputtering and making their oxygen density of 1,100 ppm or lower.例文帳に追加

上記目的を達成するために、発熱抵抗体としてＴａＳｉＮ，ＴａＢＮについて検討した結果、これら材料を反応性スパッタリングで形成する時に、ターゲットを各粉末から焼結で作成し、かつその酸素濃度が１１００ｐｐｍ以下にすることで耐久特性が向上した発熱抵抗体が得られることがわかった。 - 特許庁

The film deposition method by a sputtering process using a target composed of a material having a specific resistance of ≥1×10^3 Ω cm and intermittently applying negative voltage to the target is characterized in that the application of negative voltage is performed at the frequency of <1 MHz while feeding electrons to the surface of the target.例文帳に追加

比抵抗１×１０^３Ω・ｃｍ以上の材料からなるターゲットを用い、該ターゲットに負電圧を間欠的に印加して行なうスパッタリング法による成膜方法であって、該ターゲット表面に電子を供給しつつ、負電圧の印加を１ＭＨｚ未満の周波数で行なうことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

Since a dense film with low absorption and tight adhesion cannot be obtained in the case the object 9 to be treated lies under no-heating or low temperature, the object 9 to be treated in the process of the film deposition is irradiated with neutral grains and negative ions generated by magnetron sputtering in which high frequency is applied on a target 4 as assists.例文帳に追加

被処理物９が無加熱あるいは低温であると、低吸収かつ緻密で密着性の良い膜を得ることができないため、ターゲット４に高周波を印加するマグネトロンスパッタリングによって発生した中性粒子および負イオンをアシストとして成膜中の被処理物９に照射する。 - 特許庁

The method is a method of forming a thin film of the metal oxide on a substrate 1 by a sputtering method, wherein the number of times of collision against the atoms of plasma is increased when the thin film-constituting atoms head toward the substrate 1 and the flying speed of the substrate direction components of the thin film-constituting atoms is efficiently decelerated by the collision.例文帳に追加

スパッタ法により基板１に金属酸化物の薄膜を形成する方法であって、薄膜構成原子が前記基板１に向かう際にプラズマガスの原子との衝突回数を増大させ、またその衝突により薄膜構成原子の基板方向成分の飛行速度を効率的に減速させる。 - 特許庁

A first dielectric layer 12 is formed on one side of a recording layer 13 while a portion of particles emitted from a sputtering target including a metal oxide such as ZnS-SiO_2 toward a disk substrate 11 which is rotated is shielded by a shielding member 50A formed based on a prescribed film thickness distribution.例文帳に追加

、ＺｎＳ−ＳｉＯ２などの金属酸化物を含むスパッタターゲットから回転するディスク基板１１に向けて射出された粒子を、所定の膜厚分布に基づいて形成された遮蔽部材５０Ａによって一部遮蔽した状態で、記録層１３の一側に第１誘電体層１２を形成する。 - 特許庁

A composite material, which is prepared by developing a solution of a polymer B having a molecular structure different from that of a solid polymer A on the polymer A to dry the developed solution, is used on the main body of the electrode 3 as a target and a polymer film 4 is formed on the main body of the electrode 3 by high frequency sputtering.例文帳に追加

電極本体上に、固体の高分子Ａの上に、前記高分子Ａと異なる分子構造を有する高分子Ｂ溶液を展開し乾燥させた複合材料をターゲットとして用い、高周波スパッタで前記電極３本体上に高分子膜４を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Two targets 14 and 15 are set to the inside of a process chamber 2, voltage for sputtering is made selectively applicable from a cathode electrode 11 common to both, and moreover, a substrate 17 introduced into the process chamber 2 via a load lock chamber 3 is made capable of being carried to the respectively confronted film forming positions of the targets 14 and 15.例文帳に追加

プロセスチャンバ２内に２つのターゲット１４・１５を設置し、それぞれに共通のカソード電極１１からスパッタリング用の電圧を選択的に印加可能とし、また、ロードロック室３を介してプロセスチャンバ２内に導入した基板１７をターゲット１４・１５のそれぞれと対向する成膜位置に搬送可能とする。 - 特許庁

To provide a sputtering system for depositing transparent conductive films on substrates of a large size, where uniformity of a film thickness distribution is secured by suppressing bending of a bar-shaped electrode owing to its self weight and its further bending owing to the stress of transparent conductive films deposited on the electrode in accordance with the increase of the number of the substrates.例文帳に追加

大サイズの基板に透明導電膜を成膜するスパッタ装置において、棒状電極がその自重による撓み及び基板の枚数増加に伴いう電極に堆積する透明導電膜の応力による撓みを抑制して膜厚分布の均一性を確保するスパッタ装置の提供にある。 - 特許庁

To provide a sputtering composite target forming a transparent conductive film into which a stable fixed amount of oxygen defect can be introduced, and which has satisfactory light transmission, low electric resistance and satisfactory conductivity, to provide a method for producing a transparent conductive film using the same, and to provide a transparent conductive film-fitted base material.例文帳に追加

安定した一定量の酸素欠陥を導入することができ、光透過率が良好であり、低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を形成するスパッタリング複合ターゲット、これを用いた透明導電膜の製造方法及び透明導電膜付基材を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes the step (1) of acquiring a surface-modified workpiece by modifying the surface of a workpiece having a predetermined specification with the use of a vacuum sputtering device, and the step (2) of coating or painting the surface-modified workpiece to finish it into the metallic product.例文帳に追加

バキューム・スパッタリング・デバイスによって所定の仕様のワーク・ピースの表面に表面改質を実施することによって改質されたワーク・ピースを取得するステップ（１）と、改質されたワーク・ピースに対しコーティング加工やペインティング加工などを実施することによって金属製品を製造し出すステップ（２）とを包含している。 - 特許庁

First, a silica thin film incorporating a columnar metal-containing layer oriented almost vertically to the main face of the substrate is formed by sputtering with a mixture of metal oxide or the like and silica as a target, the metal-containing layer is removed, and then, the solid electrolyte layer is buried in the openings thus the electrolyte film is obtained.例文帳に追加

まず、金属酸化物などとシリカの混合物をターゲットとするスパッタリングにより、基板の主面に対して略垂直に配向した柱状の金属含有層を内蔵するシリカ薄膜を形成し、金属含有層を除去し、得られた開口部に固体電解質層を埋め込んで形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the vertical recording medium including a deposition process by using sputtering equipment places an ejection hole of material gas near a target in a chamber during deposition so as to achieve an almost homogeneous distribution of the material gas in the vicinity of the target or more favorably within a radius of 20 mm from the target position.例文帳に追加

スパッタリング装置を用いた成膜工程を含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、成膜時にチャンバー内のターゲット近傍、好ましくはターゲット位置から２０ｍｍ以内の範囲にほぼ均一な材料ガス分布が存在するように、材料ガスの噴出口を前記ターゲットの近傍に配置した。 - 特許庁

Sputtering equipment 1 has, in a vacuum chamber 2, a substrate- fixing holder 6 for holding a substrate 7 where a thin film is to be formed on the surface, a target 3 set in a position opposite to the substrate-fixing holder 6, and a film thickness correcting plate 9 disposed between the substrate- fixing holder 6 and the target 3.例文帳に追加

スパッタリング装置１は、真空チャンバー２内に、表面に薄膜が形成される基板７を保持する基板取り付けホルダー６と、基板取り付けホルダー６に対向する位置に設置されたターゲット３と、基板取り付けホルダー６とターゲット３との間に配置された膜厚補正板９とを有している。 - 特許庁

The particle generating process and the flying and scattering process are preliminarily calculated according to the flow chart shown in (a) at any points in a sputtering chamber or at specified positions on a substrate so as to obtain the incident angle of particles, namely the distribution of horizontal and vertical incident angle of entering particles, and to obtain the energy distribution function at the angle.例文帳に追加

粒子発生過程と飛翔散乱行程を図１（ａ）に示すフローに従い、予めスパッターチャンバー内の任意の点、又は基板上特定位置において計算しておき、その入射方向、即ち入射する各粒子の水平、垂直入射角分布、及びその角度でのエネルギー分布関数を求めておく。 - 特許庁

A sputtering apparatus has a substrate-holding means for holding a substrate, a gas introduction path which has a plurality of gas exhaust nozzles arranged in a shape of a closed curve at a plurality of positions surrounding the circumference of the substrate, and gas-introduction connection ports provided in at least two positions of approximately opposing to each other on the closed curve.例文帳に追加

本発明に従ったスパッタ装置は、基板を保持する基板保持手段、及び基板の周囲を囲む複数の位置に閉曲線状に配置された複数のガス噴出口を有するガス導入経路を有し、閉曲線上の略対向する少なくとも２つの位置にガス導入接続口が設けられている。 - 特許庁

The method for room temperature joining is used for joining a plurality of substrates 4 via an intermediate material at room temperature, and includes a step of forming intermediate materials on the to-be-joined surfaces of the substrates by subjecting a plurality of targets 7 to physical sputtering, and a step of activating the to-be-joined surfaces with ion beams.例文帳に追加

複数の基板４を中間材を介して常温で接合する方法において、複数のターゲット７を物理スパッタリングすることによって、前記基板の被接合面上に前記中間材を形成する工程と、被接合面をイオンビームにて活性化する工程と、を含む常温接合方法である。 - 特許庁

Therefore, in the case of continuously performing a film formation on many objective materials with the sputtering, the sheet thickness of the target part 22 is thinner as the film is formed but since the sheet thickness for sputter is thicker by the thickness available by having no circulating path, the same target 22 can be used at longer time in comparison with the conventional target.例文帳に追加

従って、スパッタリングによって多数の成膜対象物の成膜を連続して行う場合、成膜を重ねる毎にターゲット部２２の板厚が薄くなるが、循環路が形成されていない分スパッタリング可能な板厚が大きいので、従来に比べて同じターゲット部２２を長く使用することができる。 - 特許庁

When sputtering targets are produced from the Al-Cu alloy, the Al-Cu alloy (slab) is charged into a heat treatment furnace, is subjected to the homogenizing treatment, and is subjected to rolling treatment (cold rolling) using a rolling mill provided with a pair of rolling rollers 10, 10 so as to be worked into a rolled sheet.例文帳に追加

Ａｌ−Ｃｕ合金からスパッタリングターゲットを製造する場合には、Ａｌ−Ｃｕ合金（スラブ）を熱処理炉に入れて、本発明に係る均質化処理を施した後、一対の圧延ローラ１０・１０を備えた圧延機を用いて当該Ａｌ−Ｃｕ合金に圧延処理（冷間圧延）を行って圧延板に加工する。 - 特許庁

The method of manufacturing the magnetic head element having a soft magnetic layer, is characterized in that the method has the steps of: depositing a plating base layer of the soft magnetic layer by sputtering; and applying a magnetic field to the direction parallel with an orientation flat of a wafer in which the head element is formed during the deposition step.例文帳に追加

軟磁性層を有する磁気ヘッド素子の製造方法であって、前記軟磁性層のメッキベース層をスパッタリングにより成膜するステップと、前記成膜ステップ中に前記ヘッド素子が形成されるウェハのオリフラと平行な方向に磁場を印加するステップとを有することを特徴とする方法を提供する。 - 特許庁

In the method for depositing the silicon dioxide thin film onto the diamond-like carbon, a diamond-like carbon film 2 is deposited onto a substrate 1 by a CVD method and a silicon film 3 is deposited as a buffer layer onto the diamond-like carbon film 2 by a sputtering method and then the silicon dioxide thin film 4 is deposited onto the silicon film 3.例文帳に追加

ダイヤモンド様炭素上への二酸化珪素薄膜の堆積方法において、基板１上にＣＶＤ法でダイヤモンド様炭素膜２を堆積し、このダイヤモンド様炭素膜２上にバッファ層としてシリコン膜３をスパッタ法で堆積し、このシリコン膜３上に二酸化珪素薄膜４を堆積することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target by firing a raw mixture powder containing an indium oxide powder and an stannic oxide powder comprises the steps of: calcining at least indium oxide at 1,100°C to 1,300°C; preparing the raw mixture powder by using the calcined powder; and firing the mixture powder at a temperature 150°C or higher than the calcination temperature.例文帳に追加

酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末を含む混合粉末からなる原料粉末を焼成してスパッタリングターゲットを製造する際に、少なくとも酸化インジウムを１１００℃〜１３００℃で仮焼して原料の混合粉末とし、この混合粉末を前記仮焼した温度から１５０℃以上高い温度で焼成する。 - 特許庁

A noble gas having an atomic weight above Kr is introduced, and a metal oxide target containing a metal element which is heavier than the introduced noble gas is used to form, by sputtering, the metal oxide insulating film containing a metal element of La, Hf, etc., heavier than the introduced noble gas like LaHfO, LaAlO, and ZrAlO.例文帳に追加

Ｋｒ以上の原子量を有する希ガスを導入して、導入希ガスより重い金属元素を含む金属酸化物ターゲットを用い、ＬａＨｆＯ、ＬａＡｌＯ、ＺｒＡｌＯのように導入希ガスより重いＬａまたはＨｆなどの金属元素を含む金属酸化物絶縁膜をスパッタ成膜する。 - 特許庁

The method for manufacturing the perpendicular magnetic recording medium includes: a step of using a NiCr alloy target or a Cr target and a Ni target, and forming a seed layer by sputtering; a step of forming a non-magnetic primary layer on the seed layer; and a step of a magnetic layer on the non-magnetic primary layer.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体の製造方法は、ＮｉＣｒ合金ターゲット又はＣｒターゲット及びＮｉターゲットを用い、スパッタ法によりシード層を形成する工程と、前記シード層の上に非磁性下地層を形成する工程と、前記非磁性下地層上に磁性層を形成する工程とを含んでいる。 - 特許庁

To obtain a sputtering target consisting of the composite of a chalcogenide and silicate advantageous for forming a phase change type optical disk protective film with which production efficiency can be enhanced by suppressing the occurrence of nodules and enhancing the uniformity of deposition, and an optical recording medium with the phase change type optical disk protective film formed thereon by using this target.例文帳に追加

ノジュールの発生を抑制し、成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、相変化型光ディスク保護膜形成に有用であるカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体を得る。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming an insulating film becoming a gate insulating film on a semiconductor substrate, and a step for forming a metal film becoming a metal gate electrode on the insulating film wherein the metal film is formed by sputtering a metal target composed of the same metal as that of the metal film in an atmosphere containing carbon elements.例文帳に追加

半導体基板上にゲート絶縁膜となる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に金属ゲート電極となる金属膜を形成する工程とを備え、金属膜は、炭素元素を含有した雰囲気中で金属膜と同じ金属からなる金属ターゲットをスパッタすることにより形成する。 - 特許庁

A silicon film is formed at the upper part of a substrate, a metal film is formed by sputtering on the silicon film, one part of the metal film is allowed to react with one part of the silicon film by first heat treatment for forming metal silicide, the metal film that does not react is removed, and the silicon film is crystallized by second heat treatment.例文帳に追加

基板の上方にシリコン膜を形成し、前記シリコン膜上にスパッタリングによって金属膜を形成し、第１の熱処理によって前記金属膜の一部と前記シリコン膜の一部を反応させて金属珪化物を形成し、未反応の前記金属膜を除去し、第２の熱処理によって前記シリコン膜を結晶化する。 - 特許庁

The nano/micro projection body is formed and grown, on a plate made of a noble metal having threshold energy of Ar ion sputtering of 25 eV or less and having activation energy of surface diffusion of 1.6 eV or less, by irradiating the plate with a high energy beam in low vacuum to induce surface diffusion of sputtered metal atoms in a direction toward the energy source.例文帳に追加

Ａｒイオンスパッタリングの閾値エネルギーが２５ｅV以下で、表面拡散の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以下の貴金属からなる板に、低真空下で高エネルギービームを照射して、スパッタされた金属原子のエネルギー源方向への表面拡散により形成・成長されたことを特徴とするナノ・マイクロ突起体。 - 特許庁

In the sputtering method in which a film is formed on a substrate in a film forming space while light emitting intensity of plasma is monitored, the film thickness formed on the substrate is measured, the measured value and a preset value of the film thickness is compared, and the target value of the light emitting intensity is decided on the basis of the comparison result.例文帳に追加

プラズマの発光強度をモニタしながら、成膜空間中で基板上に膜を形成するスパッタリング方法において、前記基板上に形成された膜厚を検出し、検出された値と予め設定された膜厚の設定値とを比較し、比較結果に基づいて前記発光強度の目標値を決定する。 - 特許庁

In the piezoelectric component, a member including a built-in piezoelectric element and securing the air tight of the piezoelectric element is formed from non-conductive material on which metal can be vapor-deposited or sputtered, and on the surface of the member, a metal film is deposited by vapor deposition or sputtering, thereby the piezoelectric component is given shield effect on external noise.例文帳に追加

本発明は、圧電素子を内蔵し、かつ、該圧電素子を内部に気密確保する金属を蒸着あるいはスパッタリング可能な非導通材料からなる部材の表面に金属膜を蒸着またはスパッタリングにより形成し、外来ノイズのシールド効果をもたせたことを特徴とする圧電部品に関する。 - 特許庁