「Sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(124ページ目) - Weblio英語例文検索

The sputtering target is composed of a metal oxide expressed by the chemical formula of MO_x, wherein the MO_x is a metal oxide in which oxygen is more depleted than the stoichiometric composition, M is Nb, the range of x satisfies 2<x<2.5, and also, the value of specific resistance at room temperature is ≤0.45 Ωcm.例文帳に追加

化学式ＭＯ_ｘで表される金属酸化物からなるスパッタリングターゲットにおいて、ＭＯｘは化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物であって、ＭがＮｂであって、ｘの範囲が２＜ｘ＜２．５であり、かつ、室温での比抵抗値が０．４５Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To solve a problem that a target made by a prior art leaves its peripheral part unsputtered and consequently uneroded, when sputtered after having been mounted on a sputtering apparatus and surrounded by an earth shield, because when plasma is generated, an electric current passes to the earth shield from the target and the plasma is not formed on the surface of the peripheral part of the target.例文帳に追加

従来技術にかかるターゲットをスパッタリング装置に装着し、ターゲットの周囲にアースシールドを設けると、プラズマを発生させた際に、ターゲットからアースシールドへと電流が流れるため、ターゲットの外周縁部の表面ではプラズマが形成されず、ターゲットの外周縁部がスパッタされない非侵食領域として残る。 - 特許庁

The manufacturing method of the GaN-based LED element includes the steps of forming a first TCO film on a surface of a p-type GaN-based semiconductor layer by a vapor deposition method; and forming a second TCO film continuously from on the surface of the p-type GaN-based semiconductor layer to on a surface of the first TCO film by a sputtering method.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面に、蒸着法を用いて第１のＴＣＯ膜を形成する工程と、スパッタリング法を用いて、ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面上から第１のＴＣＯ膜の表面上にかけて連続した、第２のＴＣＯ膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a sintered body which forms a PZT (lead titanate zirconate) thin film capable of eliminating characteristic dispersion of a thin film itself by suppressing local dispersion of the Pb concentration, prevents generation of cracks even under the high power, and is used for a target suitable for high-rate film deposition, a manufacturing method thereof, and a sputtering target using the same.例文帳に追加

Ｐｂ濃度の局所的なばらつきを抑えることで薄膜自体の特性ばらつきを解消することができるＰＺＴ薄膜を形成でき、かつ高電力をかけても割れが発生せず高速成膜に好適なターゲットに用いる焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of an organic electroluminescent element for forming the protective film on the organic electroluminescent element formed on a substrate, the protective film is formed in the sputtering method by plasma emission monitoring for controlling the amount of introduction of reactive gas by monitoring plasma light emitting intensity.例文帳に追加

基板上に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、プラズマ発光強度をモニターして、反応性ガスの導入量を制御するプラズマエミッションモニタリングによるスパッタリング法で、前記保護膜を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

A first interlayer dielectric is formed on a semiconductor substrate having a semiconductor element formed thereon, and a tantalum nitride film is formed on the first interlayer dielectric by first sputtering at a substrate temperature from a normal temperature to 400°C with a nitride gas partial pressure ratio of 3-10% in a reaction gas.例文帳に追加

半導体素子が形成された半導体基板上に第１層間絶縁膜を形成し、基板温度を常温から４００℃までの温度に設定し、反応ガス中の窒素ガス分圧比を３乃至１０％として、第１スパッタリングにより、前記第１層間絶縁膜上に窒化タンタル膜を形成する。 - 特許庁

In the sputtering film deposition apparatus, a flat plate type magnetron cathode and a base material holding mechanism are arranged opposite to each other in a vessel to be evacuated to vacuum, an annular magnetic material is arranged surrounding a discharge surface of the magnetron cathode between the magnetron cathode and the base material holding mechanism.例文帳に追加

真空に排気可能な容器内に、平板型マグネトロンカソードと基材保持機構とが対向して配置されているスパッタ成膜装置において、前記マグネトロンカソードと前記基材保持機構との間に、前記マグネトロンカソードの放電面を囲んで環状の磁性体が配置されていることを特徴とする、スパッタ成膜装置。 - 特許庁

The method for manufacturing a photomask blank having a thin film for forming at least a pattern on a transparent substrate is characterized in that the thin film is formed by sputtering a target facing the position to which the center axis of the substrate shifts while the substrate is rotated.例文帳に追加

透明基板上に少なくともパターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記薄膜を、前記基板を回転させながら、前記基板の中心軸からその中心軸がずれた位置に対向するターゲットをスパッタリングすることによって成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - 特許庁

Metal particles 4 having catalyst activity and additive particles 3 for improving the catalyst activity of the metal particles are deposited and supported on a surface of conductive powder 2 by physical deposition, for instance, sputtering; and the metal particles 4 and the additive particles 3 are gradually deposited and supported by another process.例文帳に追加

導電性粉体２の表面に、触媒活性を有する金属粒子４と、この金属粒子の触媒活性を向上させる添加物粒子３とを、物理蒸着例えばスパッタリングによって析出担持させ、金属粒子４と添加物粒子３とを別工程によって段階的に析出担持させる。 - 特許庁

Then another insulating film is formed on the insulating film by the sputtering method so that the film may contain a region having a hydrogen concentration of ≤0.2 atomic % when the hydrogen concentration of the film is measured by the HFS analysis method.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を形成する際、絶縁膜を、HFS分析（水素前方散乱分析）により膜中水素濃度を測定したとき０．４〜１．６atomic％である領域が存在するようスパッタ法で形成し、その上に絶縁膜を、HFS分析により膜中水素濃度を測定したとき、０．２atomic％以下である領域が存在するようスパッタ法で形成する。 - 特許庁

In manufacturing an organic LED element by forming a first electrode, an organic LED layer having at least one luminous layer, and a second electrode in turn on a substrate, the second electrode is intermittently formed by a sputtering method.例文帳に追加

基板上に、第１電極、少なくとも１層の発光層を有する有機ＬＥＤ層および第２電極を順次形成して有機ＬＥＤ素子を製造するにあたり、第２電極をスパッタ法により間欠的に形成することを特徴とする有機ＬＥＤ素子の製造方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium 10, the magnetic layer 3 made of a maghemite thin film at least containing cobalt is formed on the substrate 1 made of plastic film; and the maghemite thin film containing cobalt is formed by subjecting the maghemite thin film containing cobalt formed by a facing target sputtering method to oxidation treatment.例文帳に追加

プラスチックフィルムよりなる基体１上に、少なくともコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層３とが形成された構成を有し、コバルト含有マグヘマイト薄膜は、対向ターゲット式スパッタ法により形成されたコバルト含有マグネタイト薄膜を酸化処理することによって形成された磁気記録媒体１０を提供する。 - 特許庁

A process of manufacturing heat absorbing substrate wherein a large number of holes can be produced employing gas phase etching medium in equal proportion of O2, Ar and CCl2F2, and exposing the medium to the substrate, the substrate is placed near the sputterable component, and …effect sputtering, and complete etching are conducted. 例文帳に追加

多数の空孔を生成するように、ガス状エッチング媒体として等比率のO2、Ar、及びCCl2F2を使用し、該ガス状エッチング媒体に基板をさらすことからなる基板の製造方法において、基板をスパッタ可能な組成の近くに置きスパッタをさせ、エッチングすることを特徴とする熱吸収基板の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the sputtering target formed of a high-purity base material having the purity of 99.999% or higher, wherein the content of oxygen is 10 ppm or lower, the content of sulfur is 1 ppm or lower and the content of iron is 1 ppm or lower in the target.例文帳に追加

純度が９９．９９９％以上の高純度銅基材から形成されるスパッタリングターゲットの製造方法であり、ターゲットの酸素含有量を１０ｐｐｍ以下とし、硫黄含有量を１ｐｐｍ以下とし、鉄含有量を１ｐｐｍ以下とすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法である。 - 特許庁

To provide a glow starter essentially improving the sputtering of an electrode activator, reducing the required lighting time in order to improve startup characteristics in dark conditions, and controlling a decrease in re- operating voltage during its lifetime to ensure stable operation throughout its lifetime, and a luminaire using the same.例文帳に追加

電極活性剤のスパッタリングを本質的に改善するとともに、点灯所要時間を短縮して暗所条件下における始動特性を改善するとともに、寿命中の再動作電圧の低下を抑制し、寿命を通して安定動作するグロースタータおよびこれを使用した照明器具を提供する。 - 特許庁

Moreover, the method of manufacturing the electrode for the lithium battery includes interface part forming step of forming the interface part containing the lithium metal oxide on the current collector by a sputtering method, and an upper layer part forming step of forming the upper layer part containing the lithium metal oxide on this interface part by a vapor-deposition method.例文帳に追加

また、本発明のリチウム電池用電極の製造方法は、集電体上にスパッタリング法によりリチウム金属酸化物を含む界面部を形成する界面部形成工程と、この界面部上に蒸着法によりリチウム金属酸化物を含む上層部を形成する上層部形成工程とを備える。 - 特許庁

In the clathrate compound thin film manufacturing method for manufacturing a clathrate compound thin film having a crystalline structure of a basket-shaped molecular aggregate on a substrate 16, a target 20 is sputtered by a helicon excitation sputtering method, and the clathrate compound thin film is deposited on the substrate 16.例文帳に追加

籠状分子集合体の結晶構造を有するクラスレート化合物薄膜を基板１６上に製造する方法であって、ターゲット２０をヘリコン励起スパッタ法によりスパッタし、基板１６上に前記クラスレート化合物薄膜を形成することを特徴とするクラスレート化合物薄膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a high-purity ruthenium sputtering target with a uniform forged structure of 5N (99.999 wt.%) or higher purity, and in addition, a method for easily and stably manufacturing the above target by employing ruthenium powder of comparatively low purity like 3N (99.9 wt.%).例文帳に追加

５Ｎ（９９．９９９ｗｔ％）レベル以上の均一な鍛造組織を有する高純度ルテニウムスパッタリングターゲットを得、さらに３Ｎ（９９．９ｗｔ％）レベルの比較的低純度のルテニウム粉末を使用して５レベル以上の均一な鍛造組織を有する高純度ルテニウムスパッタリングターゲットを簡便にかつ安定して製造する方法を得る。 - 特許庁

To provide a sputtering cathode in which the target has a particularly high service life or the high availability the target material to be used is made possible, moreover, the magnet is not surrounded by a cooling medium for the cathode and suitable for a coating method having a high film forming rate.例文帳に追加

スパッタリングカソードのターゲットが特に高い耐用寿命を有しもしくは使用されるターゲット材料の高い活用性を可能にし、しかもスパッタリングカソードの磁石がカソードのための冷却媒体によって取り囲まれることがなく、高い成膜速度を有する被覆法に適しているようなスパッタリングカソードを提供する。 - 特許庁

The conductive film 131 consisting of an ITO film is formed on the surface of a lower-side planar member 130 by a sputtering method and in order to separate a wiring pattern part and a planar pattern part for position detection electrically, the conductive film at the boundary is separated linearly by laser work.例文帳に追加

下側面状部材１３０の表面にスパッタ法によりＩＴＯ膜からなる導電膜１３１を形成し、配線パターン該当部と位置検出用の面状パターン部とを電気的に分離するため、当該境界にある導電膜をレーザ加工により線状に剥離して絶縁部１３１１〜１３１４を形成する。 - 特許庁

To provide an inexpensive target capable of reducing particles produced during the sputtering that is a problem in a multi-fraction target applied to cope with the jumboizing of the target for thin film deposition used in manufacturing products of flat panel displays such as semi-conductor, magnetic disk and liquid crystal at low cost.例文帳に追加

半導体、磁気ディスク、液晶等の平面表示装置（フラットパネルディスプレイ）等の製品の製造に用いられている薄膜形成用のターゲットの大型化に対応するために適用されている多分割ターゲットで問題となっている、スパッタリング時に発生するパーティクルを抑制するための低コストなターゲットを提供する。 - 特許庁

In a first stage, as catalyst metal, platinum, iridium, osmium, ruthenium, rhodium, palladium or their alloy(s) is added to the surface of the object to be plated by sputtering, and, in a second stage, surface treatment for controlling the catalytic capacity of the catalyst metal added to the surface of the object to be plated in the first stage is performed.例文帳に追加

第１工程で白金、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウムあるいはそれらの合金をスパッタにより被めっき物の表面に触媒金属として付与し、上記第１工程で被めっき物の表面に付与された触媒金属の触媒能を制御するための表面処理を第２工程で行う。 - 特許庁

In the plasma etching method, a substrate W having a mask pattern formed on a surface is etched in a plasma chamber wherein a target material 30 for sputtering is installed, and plasma of an oxygen-based gas is generated in the plasma chamber in or after the etching of the substrate to ash a surface of a target material 30.例文帳に追加

本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材３０が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材３０の表面をアッシングする。 - 特許庁

To completely remove a creeping transparent conductive thin film creeping to the side surface of a transparent substrate and onto a colored filter layer when at least the colored filter layer is formed on one surface of the transparent substrate and then a transparent conductive film is formed by sputtering on the other surface of a the transparent substrate.例文帳に追加

透明基板の一方の面に少なくとも着色フィルタ層を形成した後透明基板の他方の面にスパッタリングで透明導電膜を形成する際、透明基板の側面及び着色フィルタ層上に廻りこんだ廻り込み透明導電薄膜を完全に除去したカラーフィルタ基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of efficiently removing the cobalt, chromium, copper, iron, nickel, silicon, etc., included into scrap, such as mills end, swarf and grinding chips, produced in production process steps, etc., for platinum and platinum-containing targets for sputtering and recovering the high-purity platinum and palladium recyclable to the palladium and platinum-containing targets at a low cost.例文帳に追加

スパッタリング用白金及び白金含有ターゲットの製造工程等に発生する端材、切削屑、平研屑等のスクラップに混入するコバルト、クロム、銅、鉄、ニッケル、シリコン等を効率良く除去し、白金及び白金含有ターゲットに再使用できる高純度白金、パラジウムを低コストで回収する方法を提供する。 - 特許庁

When a thin-film resistor is formed by sputtering method, one kind or two or more kinds among Ti, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta and W are added to combine whose main component is NiCr, and a TCR value of the thin-film resistor is controlled by the kind and the amount of the additives.例文帳に追加

スパッタリング法によって薄膜抵抗体を形成するに際して、ＮｉＣｒを主成分とする合金に、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ又はＷを単独又は２種以上の組み合わせで添加し、添加物の種類及び量によって薄膜抵抗体のＴＣＲ値を制御するようにした。 - 特許庁

The method is a low-temperature process for manufacturing the thin film of alumina crystalline and particularly for manufacturing the thin film of α phase alumina, which is the most stable and has the most superior characteristic in alumina crystalline phases, includes forming a thin film of chromium oxide crystalline on a substrate or a base material by a sputtering method beforehand and forming an alumina thin film on it.例文帳に追加

スパッタ法により酸化クロム結晶質薄膜をあらかじめ基板や母材に形成し、その上にアルミナ薄膜を形成するアルミナ結晶質薄膜の低温製法であって、特にアルミナ結晶相の中で、最も安定で、且つ特性の最も優れたα相アルミナ薄膜の低温製法である。 - 特許庁

To realize the stable maintenance of plasma discharge, and to prevent the inclusion of the impurity into the film due to etching of the constituent disposed within the discharge space induced by the collapse of the stability of the plasma discharge, in an apparatus for forming a thin film, in particular an insulated film, on a substrate, using sputtering phenomenon.例文帳に追加

スパッタリング現象を用いて基板に薄膜、特に絶縁膜を形成する装置において、プラズマ放電の安定維持の実現、およびプラズマ放電の安定性が崩れることによって引き起こされる放電空間内に配置された構成物のエッチングによる不純物の膜中への混入を防止する。 - 特許庁

To provide a high purity nickel or nickel alloy sputtering target in which the advantages of nickel silicide (NiSi) by a salicide process are made the most of, and simultaneously, the cause of its phase transition into an NiSi_2 phase is investigated, and the phase transition can effectively be suppressed, and which is particularly useful as a gate electrode material, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

ゲート電極材料としてサリサイドプロセスによるニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）の利点を生かすと同時に、ＮｉＳｉ_２相に相転移させる原因を究明し、これを効果的に抑制できる、特にゲート電極材料として有用な高純度ニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The first reflection layer 32 and the second reflection layer 34 are formed by vacuum vapor deposition or sputtering, the light made incident from the translucent window 31 repeats total reflection on the first reflection layer 32, the second reflection layer 34 and the total reflection surface, illumination distribution is equalized and the light is emitted from the translucent pattern 33.例文帳に追加

第１反射層３２及び第２反射層３４は真空蒸着あるいはスパッタによって成膜され、前記透光窓３１から入射した光が、第１反射層３２、第２反射層３４及び全反射面で全反射を繰り返し、照度分布が均一化されて透光パターン３３より出射される。 - 特許庁

A target used for forming a Co series magnetic layer of a magnetic recording medium by a sputtering method contains 5 mol% or more of Cr or Cr alloy, 5 mol% or more of CoO, and 3 mol% to 20 mol% of oxides having a melting point of 800°C or less in total, and the porosity thereof is 7% or less.例文帳に追加

磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットを、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含み、気孔率が７％以下とする。 - 特許庁

On a transparent insulating substrate 1, a titanium film as a lower layer 2a, an aluminum film as a middle layer 2b and a nitrogen containing titanium film as an upper layer 2c are laminated by a sputtering process by 30 nm, 100 nm, 50 nm respectively in this order and a gate electrode and gate signal line 2 are formed by a photolithography-dry etching technique.例文帳に追加

透明絶縁性基板１上にスバッタ法を用いて下層２ａにチタニウム膜、中間層２ｂにアルミニウム膜、上層２ｃに窒素を含有したチタニウム膜を順にそれぞれ３０ｎｍ、１００ｍｍ、５０ｎｍ積層し、フォトリソ・ドライエッチ技術を用いて、ゲート電極及びゲート信号線２を形成した。 - 特許庁

A precursor thin film 20 in which a first layer 21 containing In, a second layer 22 containing Cu and Ga and a third layer 23 containing Cu are laminated successively is formed on a substrate 10 by using a sputtering method, and a Cu (In, Ga) Se2 thin film is formed by thermally treating the precursor thin film 20 in an atmosphere comprising Se.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて、Ｉｎを含む第１層２１と、ＣｕおよびＧａを含む第２層２２と、Ｃｕを含む第３層２３とが順次積層してなる前駆体薄膜２０を基板１０上に形成した後、Ｓｅを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜２０を熱処理して、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_2薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a film having photocatalytic function imparted to the surface thereof by a sputtering method, preventing fogging or the adhesion of waterdrops by the super-hydrophilic function imparted to the surface of the film by the photocatalytic function to obtain a clear visual field, having durability, easy in maintenance and keeping these effects over a long period of time.例文帳に追加

この発明は、フィルムの表面に、スパッタリング法で光触媒機能を付与し、その超親水性機能により、曇りや水滴の付着を防止して、明瞭な視界を得ようとするもので、耐久性があり、メンテナンスも容易で、しかも長期間効果が持続するフィルムを提供しようとするものである。 - 特許庁

At this time, a film performing process is carried out to form a lower base metallic film 131 as a tantalum film not containing nitrogen by sputtering each substrate 20x fed in the film growth chamber, in such a condition that the supply of the nitrogen gas is stopped, and then a reactive sputter film forming process is carried out by starting the supply of the nitrogen gas.例文帳に追加

その際、成膜室に基板２０ｘを搬入するたびに、窒素ガスの供給を停止した状態でスパッタリングして窒素を含有しないタンタル膜からなる下地金属膜１３１を形成する成膜前処理を行った後、窒素ガスの供給を開始して反応性スパッタ成膜処理を行う。 - 特許庁

The composition of a silicon oxynitride film can be easily controlled by changing power to be applied to a target or changing a flow rate ratio of nitrogen gas to argon gas as reactive gas in sputtering using a target material 13c composed of silicon monoxide and target materials 13a, 13b composed of silicon dioxide.例文帳に追加

一酸化シリコンからなるターゲット材１３ｃと二酸化シリコンからなるターゲット材１３ａ、１３ｂを用いるスパッタリングにおいて、ターゲットへの印加電力を変化させることにより、または反応性ガスとしてアルゴンガスに対する窒素ガスの流量比を変化させることにより、酸窒化シリコン膜の組成を容易に制御できる。 - 特許庁

The face to be deposited compoed of PES, PMMA, Teflon (R), epoxy or polyimide is deposited with a coating film of carbon or essentially consisting of carbon having a self-bias on a degree in which damage caused by sputtering is not given thereto, having an SP3 hybrid orbital and havihng an amorphous or semiamorphous structure, and high frequency energy is slowly increased to increase the hardness of the coating film.例文帳に追加

PES、PMMA、テフロン、エポキシまたはポリイミドからなる被形成面にスパッタによる損傷を与えない程度のセルフバイアスで、ＳＰ^３混成軌道を有し、アモルファスまたはセミアモルファス構造を持った炭素または炭素を主成分とする被膜を形成し、徐々に高周波エネルギを増加して被膜の硬度を上げていく。 - 特許庁

Or, the silicon material is produced by forming amorphous silicon by ion beam sputtering at ≤450°C on a compd. clathrate crystal expressed by BaxRySi46-y (wherein x is 1 to 8, y is 1 to 6, and R is Ag or Au) and heating the amorphous silicon in vacuum or inert atmosphere at a temp. over 450°C and ≤1300°C to epitaxially grow.例文帳に追加

(3)Ｂａ_xＲ_yＳｉ_46-y（ここで、ｘ＝1〜8、ｙ＝1〜6、ＲはＡｇまたはＡｕ）の化合物クラスレート結晶の上に、450℃以下の温度にてイオンビームスパッタリング法でアモルファスシリコンを成膜した後、真空または不活性雰囲気中にて、450℃超1300℃以下の温度に加熱してエピタキシャル成長させる上記(2)のシリコン材料の製造方法。 - 特許庁

The sputtering target has a component composition comprising 0.5 to 15 mol% non-magnetic oxide, 4 to 20 mol% Cr, 5 to 25 mol% Pt, 0.5 to 8 mol% B, and the balance Co with unavoidable impurities; and has such a structure that Co-Cr-B ternary alloy phases are uniformly dispersed in a matrix.例文帳に追加

非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは素地中にＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が均一分散している組織を有する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium of the ferro-magnetic thin film type in which the magnetic thin film made of a metal or an alloy of ferromagnetism is formed on a substrate as a magnetic recording layer by a sputtering method, the magnetic thin film has a magnetization inversion mechanism being akin to a simultaneous rotation model and noise of the magnetic recording medium is lowered.例文帳に追加

基板上に、磁気記録層として強磁性金属もしくは合金からなる磁性薄膜をスパッタ法で形成した、強磁性薄膜型の磁気記録媒体であって、磁性薄膜が一斉回転モデルに近い磁化反転機構を有し、磁気記録媒体ノイズを低減させた磁気記録媒体とする。 - 特許庁

The stannic-oxide based, transparent electroconductive film containing gallium and indium, includes gallium of 0.1-30 mol% as Ga2O3 and indium of 0.1-30 mol% as In2O3 against the total volume of Ga2O3, In2O3, and SnO2, and a manufacturing method, and a sputtering target are also provided.例文帳に追加

ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫系の透明導電膜であって、Ｇａ_2 Ｏ_3 とＩｎ_2 Ｏ_3 とＳｎＯ_2 との総量に対して、ガリウムをＧａ_2 Ｏ_3換算で０．１〜３０モル％含有し、かつインジウムをＩｎ_2 Ｏ_3 換算で０．１〜３０モル％含有する透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット。 - 特許庁

By the titanium silicide target for thin film deposition having a target composition expressed by TiSi_x (wherein, x=2.0 to 2.7), having a W content of <50 ppm, and also comprising no precipitates of W compounds, a TiSi_x film having reduced generation of particles is obtained by sputtering.例文帳に追加

薄膜形成用チタンシリサイドターゲットにおいて、ターゲット組成がＴｉＳｉ_x（ここでｘ＝2.0〜2.7）と表され、ターゲット中のＷ含有量が50ppm未満であり、かつＷ化合物の析出物を含まないことを特徴とするチタンシリサイドターゲットによって、パーティクル発生の少ないＴｉＳｉ_x膜をスパッタリングによって得る。 - 特許庁

To provide a composition, which can form a cured film having high flatness on a substrate having low surface flatness, and which is for forming an optical device protective film having high transparency and surface hardness, and various excellent resistive characteristics such as heat and pressure resistance, acid resistance, alkali resistance, sputtering resistance, and etching resistance.例文帳に追加

表面の平坦性が低い基体上に、平坦性の高い硬化膜を形成することができ、しかも、透明性および表面硬度が高く、耐熱耐圧性、耐酸性、耐アルカリ性、耐スパッタ性、耐エッチング性などの各種の耐性に優れた光デバイス用保護膜を形成するための組成物を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the organic electroluminescence element manufacturing device is arranged by forming an angle of 30 to 70 ° relative to the upper face of the organic electroluminescence element in which a protective layer should be formed on the upper part, and has a sputtering device provided with two targets of a protective layer constituent material impressed with alternating current power, respectively.例文帳に追加

また本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置は、上部に保護層を形成すべき有機エレクトロルミネッセンス素子の上面に対して３０〜７０度の角度を成して配置され、各々交流電力の印加される保護層構成材質の二つのターゲットを備えたスパッタリング装置を有する。 - 特許庁

Then, the bar-shaped semiconductor laser is installed inside an ECR sputtering device provided with a silicon target, the inside of the device is evacuated, then a cleaning gas for which an argon gas and a nitrogen gas are mixed is introduced to a plasma chamber to generate ECR plasma, one of the cleavage planes is exposed to the plasma for prescribed time and cleaning is executed.例文帳に追加

次に、シリコンターゲットが設けられたＥＣＲスパッタ装置内にバー状半導体レーザを設置し、装置内を真空引きした後、プラズマ室にアルゴンガスと窒素ガスとを混合したクリーニングガスを導入してＥＣＲプラズマを生成させ、所定の時間だけ前記劈開面の一方をプラズマに曝してクリーニングを行う。 - 特許庁