「Sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(125ページ目) - Weblio英語例文検索

After that, the polyaryl ether film 18 is selectively etched, the viahole 24a extending the surface of a first wiring layer 16 is opened, second thermal treatment is performed at 350°C for 5 minutes, and water content absorbed in the second interlayer insulating film 22 is discharged by exposure to the outside air when a semiconductor base substance is transferred to sputtering equipment.例文帳に追加

その後、ポリアリールエーテル膜１８を選択的にエッチングし第１配線層１６表面にまで達するビアホール２４ａを開口した後、温度３５０℃、５分間の第２の熱処理を施し、半導体基体をスパッタ装置に搬送する際の外気暴露によって第２層間絶縁膜２２に吸収された水分を放出する。 - 特許庁

The SAW element 1 is formed by laminating a diamond layer 3, a ZnO piezoelectric layer 4, the IDTs 6, 8 comprising interdigital electrodes, and an SiO_2 insulation protection film 11 on a principal side of an Si substrate 2, Au particles 12 are uniformly coated to the surface of the SiO_2 substrate by sputtering to adjust the frequency of the SAW element.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の主面にダイヤモンド層３とＺｎＯの圧電体層４と交差指電極からなるＩＤＴ６，８とＳｉＯ_２ の絶縁保護膜１１とを積層してＳＡＷ素子１を形成し、その表面にＡｕ粒子１２をスパッタリングで均一に被着させて、ＳＡＷ素子の周波数を調整する。 - 特許庁

The method for manufacturing a high-strength sputtering target for forming the phase-change memory film comprises pulverizing an alloy ingot for forming the phase-change memory film to produce an alloy powder, holding the obtained alloy powder at a crystallization temperature to crystallization-heat-treating it, pulverizing the crystallization-heat-treated alloy powder and then hot-pressing the resultant powder.例文帳に追加

相変化メモリ膜形成用合金インゴットを粉砕して合金粉末を作製し、得られた合金粉末を結晶化温度に保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕したのちホットプレスすることを特徴とする相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

A metal very high in adhesion to the insulating film is formed so as to cover the edge of the insulating film 4, the guard ring 3, and the certain conductivity epitaxial layer 2 through a means such as evaporation or sputtering, and an anode electrode layer 6 formed of metal superior in wettability by solder or gold is provided thereon.例文帳に追加

絶縁被膜４との接着強度が非常に強い金属を絶縁被膜４の縁部とガードリング３と一導電型エピタキシャル層２上に覆うように蒸着，スパッタリング等の手段で形成した後、その上にはんだや金とのぬれ性が良い金属でアノード電極層６を構成している。 - 特許庁

Further, a Pd alloy powder comprising 1-60 at%, in total, of at least one selected from among V, Nb, and Ta with the balance comprising Pd and unavoidable impurities is made by an atomization method, and the obtained Pd alloy powder is heated and molded under pressure to produce the Pd alloy sputtering target.例文帳に追加

また、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＰｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｐｄ合金粉末を加圧下で加熱して成形してＰｄ合金系スパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a display unit, and a display unit, wherein particles arising due to a sputtering target of an oxide conductor are reduced to assure excellent conducting characteristics between a metal and an oxide conductor when a first electrode is of a laminated structure of the metal and the oxide conductor.例文帳に追加

第１電極を金属と酸化物導電体との積層構造とした場合に、酸化物導電体のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルを低減し、金属と酸化物導電体との間で良好な通電特性を得ることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供する。 - 特許庁

In a sputtering system of a Carrousel type or in a vacuum evaporation film deposition, substrates to be film-deposited are set in a position horizontal (front) to target faces similarly to the case in normal film deposition so that plural wedge films can be worked by using a film thickness compensation mechanism.例文帳に追加

その構成としては、カルーセルタイプ等のスパッタ装置上あるいは真空蒸着による真空蒸着成膜上に於いて、成膜基板を通常成膜時と同様にターゲット面に対して水平（正面）位置に設置することによって、膜厚補正機構を用いて複数個のウエッジ膜を加工可能とする。 - 特許庁

To provide a silver alloy sputtering target for forming a conductive film, which is capable of suppressing splashing, even when a high electric power is applied to a large target due to the size increase of the target, and is capable of forming a film that is excellent in corrosion resistance and heat resistance and has a low electrical resistance, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-density printed circuit board by applying a strippable adhesive layer on a reinforced substrate (rigid substrate or carrier film) used as a base substrate, forming a metal foil on the adhesive layer by means of plating, lamination, or sputtering, and forming a high-density circuit on the metal foil serving as a seed layer by means of pattern plating.例文帳に追加

ベース基板として使用する補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）上に剥離可能な接着層を塗布し、接着層上にメッキ、積層またはスパッタリング金属薄膜を形成し、形成された金属薄膜をシード層としパターンメッキで高密度回路を形成する高密度基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prepare a high-reflection and low-resistance thin film which is useful as a reflection film, reflection electrodes, electrode, wiring, or the like, of a flat panel display(FPD), has high reflectivity, is stable, is low in electric resistance and is, in addition, excellent in film adhesion property and durability as well and a sputtering target usable for deposition of this thin film.例文帳に追加

ＦＰＤの反射膜、反射電極、電極および配線等として有用で、反射率が高く安定し、電気抵抗が低いことに加えて、膜密着性、耐久性にも優れた高反射低抵抗薄膜と、その薄膜を成膜するために用いることができるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

An optical fiber coil 10 formed by spirally winding a primary coated optical fiber having a carbon thin film formed by heat-treating an optical fiber with a polyimide coating in an inert atmosphere and fixing the winding shape by metal sputtering and high-temperature soldering, is sandwiched between a case lower lid 130 and a case upper lid 131, and sealed with a ceramic resin 140.例文帳に追加

ポリイミド被覆を形成した光ファイバを不活性雰囲気中で熱処理して炭素薄膜を形成した光ファイバ素線を渦巻き形状に巻き、その形状を金属スパッタ及び高温半田で固定した光ファイバコイル（１０）を、ケース下蓋（１３０）とケース上蓋（１３１）とで挟み、セラミック樹脂（１４０）で封止する。 - 特許庁

The film capacitor is obtained by forming a metal electrode on both surfaces of a polyimide benzoxazole film using a sputtering method, deposition method, electric plating method or the like, the polyimide benzoxazole film being prepared using diamines with a benzoxazole skeleton and aromatic tetracarboxylic dianhydride as starting materials, and having an absolute value of a linear expansion coefficient of 5 ppm/°C or less.例文帳に追加

ベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸二無水物を出発材料とする線膨張係数の絶対値が５ｐｐｍ／℃以下のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムの両面に、スパッタリング法、蒸着法、電気めっき法などにより金属電極を形成し、主題のコンデンサを得る。 - 特許庁

The method of depositing a film by a sputtering method or the like where raw material particles are flown onto a substrate to deposit a film is provided with, in particular, a means of controlling/managing a film thickness in the process of film deposition, and a means of stopping the working so that the working is ended when the controlled deposition film obtains a prescribed objective film thickness.例文帳に追加

本発明は、基板上に原料粒子を飛翔させて膜を製造する、スパッタリング法などによる膜の製造方法に関し、特に、成膜中の膜厚を制御・管理する手段と、その制御された堆積膜を所定の目標膜厚で正確に加工終了させるように停止させる手段に関する。 - 特許庁

This transparent conductive film satisfies resistivity of less than 250 μΩ.cm, the maximum vertical interval of surface unevenness/film thickness of less than 10% and this conductive film can be made, for example, by sputtering a target consisted of In, Sn, Ge, and O with sputter power in which a radio frequency current is superimposed on a direct current.例文帳に追加

抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下で表面凹凸の最大高低差／膜厚が１０％以下を満足する透明導電膜であり、この導電膜は、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、ＧｅおよびＯからなるスパッタリングターゲットを、ｄｃにｒｆを重畳したスパッタ電力でスパッタすることにより得られる。 - 特許庁

The sputtering target for forming a magnetic recording film is composed of a Co-based sintered alloy having a composition comprising, by mass, 2 to 15% silica, 0.01 to 0.5% chromium oxide, 3 to 20% Cr, and 15 to 45% Pt, and the balance Co, and having a structure where the silica and chromium oxide are uniformly dispersed into grain boundaries.例文帳に追加

シリカ：２〜１５質量％、酸化クロム：０．０１〜０．５質量％、Ｃｒ：３〜２０質量％、Ｐｔ：１５〜４５質量％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成を有し、前記シリカおよび酸化クロムは粒界に均一分散している組織を有するＣｏ基焼結合金からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tungsten sputtering target by which the occurrence of particle defect in film deposition can be suppressed even if powder having a particle size of a level identical with that of now generally distributed and commercially available powder is used, i.e., a tungsten target having high density, fine grain size and low oxygen content can be easily manufactured with stability at a low cost.例文帳に追加

現在一般的に市販・流通されている粒径の粉末を使用しても、成膜上のパーティクル欠陥の発生を抑え、すなわち、高密度・結晶粒径が微細、且つ酸素含有量が低いタングステンターゲットを低いコストで且つ安定して容易に製造できるスパッタリング用タングステンターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

Upon production of a cylindrical sputtering target, when a joining material is filled into a space formed by the inside face of the cylindrical target and the outside face of a cylindrical base material by a pressure difference between the space and the joining material, the joining material can be densely filled, and further, the occurrence of cracking and chipping upon production can be remarkably reduced.例文帳に追加

円筒形スパッタリングターゲットの製造時に、円筒形ターゲット内側面、及び円筒形基材外側面によって形成される空間と接合材との圧力差により接合材を前記空間に充填した場合に、接合材を密に充填できるとともに、製造時の割れ、欠けの発生が著しく低減できる。 - 特許庁

The sputtering apparatus 1 includes: a deposition chamber 2 housing a substrate W; and a sputtered particle ejecting unit 3, which is detachably disposed in the deposition chamber 2, and which produces sputtered particles 5P from a pair of targets 5a, 5b opposing to each other by plasma Pz and ejects the sputtered particles 5P toward the substrate W in the deposition chamber 2.例文帳に追加

基板Ｗを収容する成膜室２と、成膜室２に着脱可能に設けられ、対向する一対のターゲット５ａ，５ｂからプラズマＰｚによりスパッタ粒子５Ｐを生じさせ、スパッタ粒子５Ｐを成膜室２内の基板Ｗに向けて放出するスパッタ粒子放出ユニット３と、を備えるスパッタリング装置１である。 - 特許庁

A site other than sites that oppose the junction site of the silicon wafer 2 is metallized by metal using sputtering or the like to form a metal film 8 within a surface at the opposite side of a junction surface 13 of the silicon wafer 2 in the glass pedestal 7, and a site that opposes the junction site is subjected to mirror surface finishing to form a mirror surface 9.例文帳に追加

ガラス台座７におけるシリコンウェハ２との接合面１３と反対側の面内で、シリコンウェハ２との接合部位と対向する部位以外の部位は、蒸着又はスパッタなどにより金属でメタライズされて金属膜８が形成され、接合部位と対向する部位は鏡面仕上げが施され鏡面９が形成される。 - 特許庁

To increase the thickness uniformity of a thin film independently of its position, whether it is on the both ends or on the central part of a substrate in performing sputtering while allowing a magnet for applying a magnetic field which intersects an electric field between a target and a susceptor to perform a reciprocating motion in a direction parallel to the target to deposit a thin film onto the substrate placed on the susceptor.例文帳に追加

ターゲットとサセプタとの間の電界に対して交差する磁界を印加するマグネットをターゲットと平行な方向に往復移動させつつスパッタリングを行いサセプタ上に載置した基板に薄膜を形成する際に、基板の両端部と中央部とに関わらず膜厚均一性を高くする。 - 特許庁

To provide a discharge electrode and a discharge method, wherein a uniform parallel magnetic field distribution is formed on a target regardless of whether the target is a magnetic body or a nonmagnetic body, uniform erosion can be obtained, and effects for widening the target, enhancing a sputtering thin film forming speed, or enhancing a CVD film forming speed can be obtained.例文帳に追加

ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering composite target 1 comprises an oxide base component 2 including indium oxide and carbon base components 3a to 3d, and in the case the oxide base component 2 and the carbon base components 3a to 3d are different substances, respectively, the carbon base components 3a to 3d are stacked on at least a part of the surface of the oxide base component 2, so as to be used.例文帳に追加

スパッタリング複合ターゲット１は、酸化インジウムを含む酸化物系成分２と、炭素系成分３ａ〜３ｄとを有し、酸化物系成分２と炭素系成分３ａ〜３ｄが各々別体の場合は、酸化物系成分２の表面の少なくとも一部に炭素系成分３ａ〜３ｄを積層して用いる。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 10, the underlying layer 11a of a conductive film for lower electrode, and the like, are formed on a substrate 1, a Pt film having a thickness in the range of 50-500 nm, e.g. about 175 nm, is formed as the overlying layer 11b of the conductive film for lower electrode on the underlying layer 11a by DC magnetron sputtering.例文帳に追加

基板１上に層間絶縁膜１０及び下部電極用導電膜の下側層１１ａ等を形成した後、下側層１１ａ上に下部電極用導電膜の上側層１１ｂとして厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば約１７５ｎｍのＰｔ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する。 - 特許庁

A mask pattern 11a obtained by performing a photo-processing of a resist film is formed on a substrate 1, and then, a metal mask 20 having an opening part 22 formed slightly larger than a deposition area on the substrate is arranged on the mask pattern, then, for example, optical interference filters 2 and 2a are formed by introducing a vapor-deposition method and a sputtering method, etc.例文帳に追加

基板１上に、たとえばレジスト膜のフォトプロセスによって形成されたマスクパターン１１ａを形成し、その上に基板上の成膜領域よりも僅かに大きく形成された開口部２２を有するメタルマスク２０を配置して、たとえば蒸着法やスパッタリング法などによって光干渉フィルタ２、２ａを形成する。 - 特許庁

A porous insulation layer having a thickness of not thinner than 0.3 μm and not thicker than 3 μm is deposited on an activator layer of either a positive electrode plate having a positive electrode activator layer or a negative electrode plate having a negative electrode activator layer containing negative electrode activator particles, by a sputtering method, an ion plating method, or a CDV method (chemical vapor deposition method).例文帳に追加

正極活物質層を備えた正極板、または負極活物質粒子を含む負極活物質層を備えた負極板のうち、少なくともいずれかの活物質層上に厚みが０．３μｍ以上３μｍ以下の多孔質絶縁層をスパッタリング法、イオンプレーティグ法、ＣＶＤ法で堆積させる。 - 特許庁

This sputtering target can be manufactured by selecting CoO powder and at least one or more kinds among powder of Si oxide, such as SiO2 and SiO, powder of Ti oxide, such as TiO2, Ti2O3 and TiO3, powder of Ca oxide, such as CaO and CaO2, and powder of zinc oxide such as ZnO and subjecting these powders to ball mill kneading, drying, compacting and sintering.例文帳に追加

ＣｏＯ粉末と、ＳｉＯ_2，ＳｉＯ等のＳｉの酸化物粉末、ＴｉＯ_2，Ｔｉ_2Ｏ_3，ＴｉＯ_3等のＴｉの酸化物粉末、ＣａＯ，ＣａＯ_2 などのＣａの酸化物粉末，亜鉛の酸化物ＺｎＯ粉末のうち、少なくとも一つ以上を選び、ボールミル混練，乾燥，成形，焼結することにより製造される。 - 特許庁

To obtain a sputtering target comprising a composite of a chalcogenide and a silicate, which ensures suppression of generation of a nodule, high uniformity of film-deposition and high manufacturing efficiency and is useful for forming a protective film of a phase transition type optical disk; and to provide an optical recording medium with the protective film of the phase transition type optical disk formed by using the target.例文帳に追加

ノジュールの発生を抑制し、成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、相変化型光ディスク保護膜形成に有用であるカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体を得る。 - 特許庁

In this method for manufacturing the capacitor, the capacitor is manufactured by forming the internal electrodes on the organic high polymer substrate which is provided with external electrode by vapor deposition or sputtering so that the internal electrodes come into contact with the external electrodes, and the dielectric film is formed by evaporating and polymerizing at least one or more kinds of monomers.例文帳に追加

また、本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、外部電極付き有機高分子基板上に外部電極とコンタクトが取れるように内部電極を蒸着法、スパッタ法により形成し、誘電体膜を少なくとも一種類以上のモノマ−を蒸発させ、重合させることによりコンデンサ素を製造する。 - 特許庁

To improve plasma density and to increase a film forming speed by preventing the plasma radial direction diffusion generated in the space formed with facing electrodes having a cusp shape magnetic field arranged near the outer peripheral part of a discharge space in a sputter deposition apparatus to form a film on a substrate by a sputtering method.例文帳に追加

基板面上にスパッタリング法により成膜するスパッタデポジション装置において、放電空間の外周部近傍に設けたカスプ状磁場によって、対向した電極で形成される空間内に生成させるプラズマの径方向拡散を防止して、プラズマ密度の向上と成膜速度の向上を目的とする。 - 特許庁

The magnetic shield layers 60a, 60b can be formed efficiently, by sputtering method by the use of soft magnetic metal partially in common with a target element for forming each layer of the MRAM device 10.例文帳に追加

さらに、磁気シールド層６０ａ，６０ｂに軟磁性金属を用いることによりスパッタ法で形成可能になり、この軟磁性金属をＭＲＡＭ素子１０各層を形成するターゲットの元素と一部共通にすれば、磁気シールド層６０ａ，６０ｂをＭＲＡＭ素子１０各層と同一スパッタ装置で効率的に形成することが可能になる。 - 特許庁

To obtain a sputtering target composed of a composite of a chalcogenide and silicate advantageous for forming a protective film of phase change type optical disk with which production efficiency can be enhanced by suppressing the occurrence of nodules and enhancing the uniformity of deposition, and to provide an optical recording medium with the protective film of phase change type optical disk formed thereon by the target.例文帳に追加

ノジュールの発生を抑制し、成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、相変化型光ディスク保護膜形成に有用であるカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体を得る。 - 特許庁

To provide an improved process for the production of sputtering targets comprising sub-stoichiometric TiO_2 which does not involve the hot-pressing and sintering route and which can be used to produce such targets which have a high enough electrical conductivity to be used as large size targets with complex shapes at high power levels.例文帳に追加

ホットプレスと焼結操作が不用で、そして高電力レベルでも複雑な形状を有する大型のターゲットとして使用可能となるように高い導電性を有するターゲットの製造に適用可能な、半化学量論的ＴｉＯ_２からなるスパッタリングターゲットの改良された製造方法を提供する。 - 特許庁

This device is composed of a cathode chamber 100 to be deposited with a cathode rotary body 24 provided with a cathode 25 on each of the plural side faces, a substrate chamber 200 to be deposited with a substrate rotary body 28 holding a substrate 29 on each of the plural side faces and one sputtering chamber provided on the space between the cathode chamber and a substrate carrying chamber.例文帳に追加

複数の側面の各々にカソード２５を備えたカソード回転体２４が配置されるカソードチャンバ１００と、複数の側面の各々に基板２９を保持した基板回転体２８が配置される基板チャンバ２００と、カソードチャンバと基板搬送チャンバの間に設けられた１つのスパッタチャンバから構成される。 - 特許庁

To provide a surface modified transparent conductive film and its surface treatment increasing the work function of transparent conductive film without causing an increase in the surface resistance by modifying physical and electrical properties in the surface area of a transparent conductive film (particularly an ITO film) provided by a sputtering method or the like.例文帳に追加

スパッタリング法などにより得られた透明導電性膜（特にＩＴＯ膜）の表面領域における物理的及び電気的性質を改質し、面抵抗の増加を引き起こすことなく透明導電性膜の仕事関数を増加せしめた表面改質透明導電性膜、さらにこの表面処理方法を提供する。 - 特許庁

In a sputtering device having a susceptor 14 holding a substrate 9 set in the horizontal direction to the surface, integrately rotated with it and arranged in the film forming position in the vertical direction confronted with a target, the susceptor 14 is provided with plural substrate supporting pins 26 abutted on the side face not to be film-formed in the substrate 9 and supporting the substrate 9.例文帳に追加

水平方向にセットされる基板９を表面に保持して一体に回転し、ターゲットに対向する垂直方向の成膜位置に配置するサセプタ１４を有したスパッタリング装置において、前記サセプタ１４に、基板９の非成膜側面に当接して基板９を支持する複数の基板支持ピン２６を設ける。 - 特許庁

To provide a Cu alloy sputtering target for obtaining a base film or the like excellent in close contact with a glass substrate and an Si film, having a high diffusion barrier property in Si and Cu, hardly generating blistering of a film and film separation even when exposed to a hydrogen plasma atmosphere, and to provide a method of manufacturing a Cu wiring film of a semiconductor device.例文帳に追加

ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The light-shielding film to form a black matrix and the sputtering target to form the light-shielding film have the composition containing 5 to 50% of Nb and 1 to 6% of Mo, and if necessary, one or two kinds of Cu and V by 1 to 10 % in total, and the balance Ni and inevitable impurities.例文帳に追加

Ｎｂ：５〜５０％、Ｍｏ：１〜６％を含有し、さらに必要に応じてＣｕおよびＶの内の１種または２種を合計で１〜１０％含有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリックスを形成するための遮光膜およびその遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To efficiently produce a sintered compact target of high density which has reduced occurrence of nodules in a sputtering process where a transparent electrode film is formed while maintaining the high transparency of visible light and high electrical conductivity, and to obtain a target which can suppress the reduction of productivity and the reduction of quality caused by the occurrence of nodules.例文帳に追加

良好な可視光の透過率と高導電性を維持しながら、透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、高密度でノジュール発生が少ない焼結体ターゲットを効率的に製造し、ノジュールの発生に伴う生産性の低下や品質の低下を抑制できるターゲットを得る。 - 特許庁

To provide an alternating current power-supply unit suitable for inhibiting arc from forming in a process of particularly sputtering or the like, which is used in a manufacturing apparatus field for manufacturing a semiconductor, a liquid crystal substrate or the like, and minimizing generated arc energy, and to provide a process for inhibiting the arc in the unit.例文帳に追加

特にスパッタなどのプロセスを用いて半導体や液晶基板などを製造する製造装置分野において、プロセスの過程で発生するアークを抑制し、発生したアークエネルギを最小限に抑えるのに適した交流型の電源装置およびその装置におけるアーク抑制方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a shape memory alloy microactuator capable of being attached to a finer and more delicate thin line or capillary to constitute a lighter, finer, and more delicate active thin line or active capillary, and a sputtering system to be used in processes of laminating thin films onto the thin line.例文帳に追加

より微細で繊細な細線や細管に装着でき、より軽量で微細で繊細な能動細線、能動細管を構成させることができる形状記憶合金製マイクロアクチュエータの製造方法及び細線への薄膜の積層工程において用いるスパッタリング装置の提供を課題とする。 - 特許庁

In this method, the setting parameter for changing the beam diameter of ion beam of the rare gas at the time of colliding with each electrode face of the lead out electrode system 3 is adjusted, and by converging the ion beam of the rare gas within an effective setting range of beam diameter that has a high strength of sputtering the insulating film, the insulating film is uniformly removed.例文帳に追加

本発明の方法では、引出電極系３の各電極面に衝突する際の希ガスのイオンビームにおけるビーム径を変化させる設定パラメータを調整し、絶縁膜をスパッタする強度が高いビーム径の有効設定範囲に希ガスのイオンビームを集束させて、絶縁膜を均一に除去する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can increase leakage flux density, can make an anisotropy in the sputtered surface larger than that considered from magnetic permeability, therefore, can greatly improve a uniformity for a function of a thin film within the surface, and hence can form the thin film of high quality, and to provide an arranging method therefor.例文帳に追加

漏れ磁束密度を大きくすることができ、スパッタ面内の異方性も透磁率で見られる以上に大きくすることができ、したがって、薄膜の有する機能の面内不均一性を大幅に改善することができ、その結果、高品質の薄膜を形成することが可能なスパッタリングターゲット及びその配置方法を提供する。 - 特許庁

The protective film for a thin film device formed on an upper part of a substrate comprises at least a first layer as a hydrogen diffusion protecting layer formed on the side of the thin film device, and a second layer formed by a CVD method or sputtering to which hydrogen is introduced in depositing the film.例文帳に追加

基板上部に形成される薄膜素子のための保護膜であって、薄膜素子側に位置する水素拡散防止層としての第一層と、前記第一層の上部にＣＶＤ法または成膜時に水素を導入したスパッタ法により形成された第二層とを少なくとも有することを特徴とする保護膜。 - 特許庁

The sputtering target is obtained by molding and sintering a conductive inorganic oxide powder having an average primary particle diameter of 3-40 nm, which is provided with conductivity by being doped with one or more components selected from aluminum, gallium and indium in an amount of 0.1-20.0 wt.% in terms of oxides.例文帳に追加

この目的を達成するため、アルミニウム、ガリウム及びインジウムから選択される１種又は２種以上の成分を酸化物換算で０．１ｗｔ％〜２０．０ｗｔ％ドーピングして導電性を付与した、平均１次粒子径が３ｎｍ〜４０ｎｍの導電性無機酸化物粉を成形して焼結したスパッタリングターゲットとする。 - 特許庁

In the method of depositing a low tribomicroplasma generation film, sputtering is performed in a gaseous argon atmosphere comprising ≤30 vol.% nitrogen, so that the low tribomicroplasma generation film consisting of diamond like carbon comprising ≤30 at%, particularly, 20 to 26 at% nitrogen is deposited on sliding parts.例文帳に追加

３０ｖｏｌ％以下の窒素を含有するアルゴンガス雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする摺動部品に３０ａｔ％以下の窒素、特に２０〜２６ａｔ％の窒素を含有するダイヤモンド状カーボンからなる低トライボマイクロプラズマ発生膜を形成することを特徴とする低トライボマイクロプラズマ発生膜の形成方法。 - 特許庁