「V=-R」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

During authentication, like the registration process, similarity search of a feature y is carried out and the feature y is transformed by using transform parameter R[i*] corresponding to the nearest neighboring dummy feature D[i*] (transformed feature V).例文帳に追加

認証時は、登録時と同様に、特徴量ｙの類似検索を行い最近傍ダミー特徴量Ｄ[i^*]し、対応する変換パラメータＲ[i^*]を用いて特徴量ｙを変換する（変換特徴量Ｖ）。 - 特許庁

Outgoing parts 21L/R being a convex lens are formed at the both sides of the V shape groove 23, and an incoming part 22 opposing to the top part 23a is located close to the end surface of an inserted optical fiber 2.例文帳に追加

Ｖ字状溝２３の両側には、凸球面状のレンズである出射部２１Ｌ／Ｒが形成され、頂部２３ａに対向する入光部２２には、挿入された光ファイバ２の端面が近接している。 - 特許庁

The error signal generating circuit 40 removes a pseudo audio signal r(k-1) equivalent to a voice signal v(k) of a speaking person from the echo canceling signal p(k), thereby generating an error signal s(k-1).例文帳に追加

誤差信号生成回路４０は、通話者の音声信号ｖ（ｋ）に相当する擬似音声信号ｒ（ｋ−１）をエコー除去信号ｐ（ｋ）から除去することにより、誤差信号ｓ（ｋ−１）を生成する。 - 特許庁

Thus, even after the change of the target position signal r is absent, and the output signal x is made small, the equivalent signal v is feedforwarded, so that an imposition check time can be shortened.例文帳に追加

このような制御系によれば、目標位置信号ｒの変化がなくなり出力信号ｘが小さくなった後も、相当信号ｖがフィードフォワード されるので、インポジションチェック 時間を短縮することができる。 - 特許庁

About the general pixel, a row or a column related to ϕL or ϕV of the table R (u, v) is performed with a rotation shift, tables having a plurality of variations are derived in each the representative pixel, and the most approximate table is substituted.例文帳に追加

一般画素については、テーブルＲ（ｕ，ｖ）のφＬやφＶに関する行や列をローテーションシフトさせ、各代表画素ごとに複数のバリエーションをもったテーブルを派生させ、最も近似するテーブルを代用する。 - 特許庁

In the separation prism sheet 10 for polarized light, the surface of the liquid crystal layer 14 is preferably formed into a rugged from having peaks t and valleys v with the ridge lines r of the peaks t arranged almost parallel one another.例文帳に追加

好ましくは、液晶層１４の表面が、頂部ｔと谷部ｖとを有し、頂部ｔの稜線ｒが互いに略平行に配置された凹凸形状を有する偏光分離プリズムシート１０である。 - 特許庁

An image composition display means 70 reads image data stored in a hard disk HD on the vehicles in which the members were during trip periods and composes it to a vehicle symbol V indicating a present location in route data R.例文帳に追加

画像合成表示手段７０により、ハードディスクＨＤに記憶させた旅行期間中に乗車していた車両の画像データを読み出し、経路データＲにおける現在地を示す車両シンボルＶに対して合成する。 - 特許庁

The recovery voltage Vr in the aging processing process S3 is set between the maximum reverse voltage R in actually driving the organic EL element 7 and a breakdown voltage V of the organic EL element 7 depending on a capacitance component of the organic layers 5.例文帳に追加

エージング処理工程Ｓ３の修復電圧Ｖｒは、有機ＥＬ素子７の実駆動時の最大逆電圧Ｒと、有機層５の静電容量成分に依存する有機ＥＬ素子７の破壊電圧Ｖとの間に設定される。 - 特許庁

A signal processing circuit 14 converts an image signal generated in the image pickup device 10 into R, G, and B pixel signals, and a luminance and color difference conversion circuit 16 converts the pixel signals into a luminance signal (Y), a U signal and a V signal.例文帳に追加

撮像素子１０において発生した画像信号を、信号処理回路１４において、Ｒ、ＧおよびＢの画素信号に変換し、輝度色差変換回路１６において、輝度信号（Ｙ）、Ｕ信号およびＶ信号に変換する。 - 特許庁

In areas (between O and P, between Q and R, between S and U, between V and W and between X and Y) where the moving speed of the carriage 21 changes, a current value to a scanner motor M1 is raised from (i) to I, and the torque of the scanner motor M1 is increased.例文帳に追加

キャリッジ２１の移動速度が変化している領域（ＯＰ間、ＱＲ間、ＳＵ間、ＶＷ間、ＸＹ間）では、スキャナモータＭ１への電流値をｉからＩに上昇させ、スキャナモータＭ１のトルクを増加する。 - 特許庁

Hereupon, R (diffuse regular reflection intensity) is the intensity of a diffuse regular reflection direction, and V is the total of diffuse reflection intensities measured at every degree from -θ to +θ° to the diffuse regular reflection direction when irradiating the optical sheet with a visible light beam.例文帳に追加

０．１９＜Ｒ／Ｖ＜０．７６（Ｉ）Ｒ（拡散正反射強度）；拡散正反射方向の強度Ｖ；光学シートに可視光線を照射した際の拡散正反射方向に対して−θ度〜＋θ度まで１度ごとに測定した拡散反射強度の総和 - 特許庁

In this case the coins 5 pass through coin sorting parts 14 to 17; in one of the coin sorting parts, the peripheral surface R of each coin 5 is supported by a V-shaped coin supporting face 13 to position the coin 5 in a stable state.例文帳に追加

このとき、硬貨５は、各硬貨選別部１４〜１７を通過することになるが、一の硬貨選別部において、硬貨５の周面ＲをＶ字状の硬貨支持面１３で支持させ、硬貨５を安定した状態で位置決めさせる。 - 特許庁

When the number of tags R to be read is larger than a setting value Rth (S5: Yes), an output voltage V of transmission radio waves is set to the minimum output voltage V1 (S6), and an identification information request signal is transmitted to a tag 20 (S8).例文帳に追加

読み取りたいタグ数Ｒが設定値Ｒｔｈよりも多い場合は（Ｓ５：Ｙｅｓ）、送信電波の出力電圧Ｖを最小出力電圧Ｖ１に設定し（Ｓ６）、識別情報要求信号をタグ２０へ送信する（Ｓ８）。 - 特許庁

The stem-guiding roller part 10 has stem-guiding rollers 11 and 11 conveying the root side of the onion N by synchronizing with the conveyance of the stem side by the conveyor V-belt 19 and for positioning the position R of the stem root of the onion N to a prescribed height.例文帳に追加

茎ガイドローラ部１０は、搬送Ｖベルト１９による茎側の搬送と同期して玉葱Ｎの実側を搬送して、玉葱Ｎの茎根元位置Ｒを所定高さに位置あわせする茎ガイドローラ１１、１１を備える。 - 特許庁

When the semiconductor device using a nitride-based group III-V compound semiconductor is manufactured, the nitride-based group III-V compound semiconductor layer 12, forming the device structure, is grown directly on the sapphire substrate 11 having a principal surface which is -0.5 to 0° off an R surface, in a C-axial direction without making a buffer layer grow.例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体素子を製造する場合に、Ｒ面からＣ軸方向に−０．５°以上０°以下オフした主面を有するサファイア基板１１上に、素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１２をバッファ層を成長させることなく直接成長させる。 - 特許庁

In the method for driving a liquid crystal retarder to electrically change the polarizing state of light by using the birefringence of a substance having optical anisotropy, linear control between the reciprocal of the voltage V applied on the liquid crystal retarder and the phase difference R of the liquid crystal retarder can be performed in the voltage region where the voltage V is higher than the threshold voltage Vth.例文帳に追加

光学異方性を持つ物質の複屈折を利用して光の偏光状態を電気的に変える液晶リターダーの駆動方法において、液晶リターダーへの印加電圧Ｖが閾値電圧Ｖ_thより大きい領域において、前記印加電圧Ｖの逆数と液晶リターダーの位相差Ｒとの線形制御を可能にする。 - 特許庁

In the MOVPE method there is obtained a growth speed of 10 μm/Hr or higher by lowering the group V/III ratio under a definite condition, and by applying this to the growth of an A surface nitride-based semiconductor layer on an R surface sapphire substrate, an application to a light emitting element and an electronic device using the A surface nitride-based semiconductor is executed.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でV／III比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをＲ面サファイア基板上のＡ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、Ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子デバイスへの応用を行う。 - 特許庁

In the case wherein shift is changed to a position R (YES in S102) during the travelling in a position D (YES in S100) and vehicle speed V is higher than V(1) (YES in S104), an ECU executes reverse inhibit control for setting an automatic transmission to a neutral condition (S108).例文帳に追加

ＥＣＵは、Ｄポジションでの走行中（Ｓ１００にてＹＥＳ）、Ｒポジションに切り換えられると（Ｓ１０２にてＹＥＳ）、車速ＶがＶ（１）よりも高い場合（Ｓ１０４にてＹＥＳ）、オートマチックトランスミッションをニュートラル状態とするリバースインヒビット制御を実行し（Ｓ１０８）、車速ＶがＶ（１）よりも低下すると（Ｓ１１０にてＹＥＳ）、リバースインヒビット制御を停止する（Ｓ１１２）。 - 特許庁

The estimation part 34 specifies a pixel column in the three-dimensional medical image V reflected on the projected pixels in the region R of interest, finds the position of the search point wherein a value of an integrated opacity integrated along the pixel column becomes larger than a predetermined threshold in the VR processing, and estimates the position as the three-dimensional position Q of the region R of interest.例文帳に追加

推定部３４では、関心領域Ｒ内の投影画素に反映された３次元医用画像Ｖ中の画素列を特定し、ＶＲ処理時にその画素列に沿って積算された積算不透明度の値が所定の閾値より大きくなった探索点の位置を求め、この位置を関心領域Ｒの３次元的位置Ｑと推定するようにした。 - 特許庁

A styrene derivative is reacted with carbon monoxide in the presence of a palladium compound catalyst and a catalyst comprising a heteropoly acid or an oxoacid containing an element of P or Si and an element selected from V, Mo and W, to obtain the 1(4H)-naphthalenone derivative represented by formula (2) (wherein, R^1 to R^5 indicate each hydrogen or a group containing a nonmetal element).例文帳に追加

パラジウム化合物触媒と、ヘテロポリ酸若しくはＰ又はＳｉの元素と、Ｖ、Ｍｏ及びＷから選択された元素とを含むオキソ酸からなる触媒の存在下、スチレン誘導体を一酸化炭素と反応させて、式（２）（Ｒ^１〜Ｒ^５は水素又は非金属原子含有基を示す）で表される１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体を得る。 - 特許庁

A growth speed of 10 μm/Hr or over is obtained by decreasing a V/III ratio under a prescribed condition by the MOVPE method, and this is applied to the growth of an a-plane nitride group semiconductor layer on an r-plane sapphire substrate so as to apply the growth method to a light emitting element and an electron transit element using the a-plane nitride group semiconductor.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でＶ／ＩＩＩ比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをr面サファイア基板上のａ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子走行素子への応用を行うこと。 - 特許庁

A coil conductor 41E constituting turns in the V-phase and W-phase coils 3V, 3W of the other two phase is arranged between a first coil conductor 41A and a second coil conductor 41B in the radial direction R of the U-phase coil 3U.例文帳に追加

Ｕ相のコイル３Ｕにおける第１コイル導体４１Ａと第２コイル導体４１Ｂとの径方向Ｒの間には、他の２相であるＶ相及びＷ相のコイル３Ｖ、３Ｗにおけるターンを構成するコイル導体４１Ｅが配置してある。 - 特許庁

The spectacle frame materials, such as Ti alloys not containing Ni, V and Al, for example, temples 4 R and 4 L containing 20 to 60wt% Ta and 0.01 to 10wt% Zr and consisting of the balance inevitable impurities and having superelasticity.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｖ、およびＡｌを含まないＴｉ合金、例えば、２０〜６０wt％のＴａと０．０１〜１０wt％のＺｒとを含み、残部がＴｉと不可避的不純物とからなり、且つ超弾性を有するテンプル４Ｒ，４Ｌなどの眼鏡フレーム材。 - 特許庁

The quinacridone derivative compound bears in the molecule both a group represented by general formula (I) (wherein the phenyl group may bear a substituent group) and a group represented by general formula (V) (wherein n is a natural number; and R is an alkyl group).例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）で表わされる基 （ただし、フェニル基は置換基を有していても良い）および、下記一般式（Ｖ）で表わされる基 （ただし、ｎは自然数、Ｒはアルキル基）を分子内に共に有することを特徴とするキナクリドン誘導体化合物。 - 特許庁

In an elliptic curve group, verification that a value representative of a point R corresponds to the sum of two other points uG and vQ is obtained by deriving integers w and z of a reduced bit length so as to meet v=w/z.例文帳に追加

楕円曲線群においては、点Ｒを表現する値が、２つの別の点ｕＧとｖＱの合計に対応するかという検証は、縮小ビット長の整数ｗ、ｚを、ｖ＝ｗ／ｚとなるように導出することにより行われる。 - 特許庁

A cone-shaped vertical angle of the rotating tool is substantially determined as 70°32' and an angle between the direction of the V-shaped groove and the rotary shaft of the rotating tool is substantially determined as 54°44', so that a corner made by an intersection at a right angle is cut to R 0.3 or less.例文帳に追加

回転工具の円錐形頂角を実質的に７０°３２′としＶ溝方向と回転工具回転軸とのなす角を実質的に５４°４４′としたことにより、直角に交差して出来る角をＲ０.３以下に切削加工できる。 - 特許庁

In a group of elliptic curves, whether a value representing the point R corresponds to a total sum of two separate points uG and vQ or not is verified by developing integer numbers w, z representing reduced bit lengths so that the expression v=w/z is true.例文帳に追加

楕円曲線群においては、点Ｒを表現する値が、２つの別の点ｕＧとｖＱの合計に対応するかという検証は、縮小ビット長の整数ｗ、ｚを、ｖ＝ｗ／ｚとなるように導出することにより行われる。 - 特許庁

Also, the n-type III-V-based compound semiconductor crystal layer includes a region having composition inclination, and a region for r educing gallium composition ratio X toward an opposite direction from a hetero junction interface by GaXIn1-XP (0≤X≤1).例文帳に追加

また、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、Ｇａ_XＩｎ_1-XＰ（０≦Ｘ≦１）でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Ｘを減少させる領域を含む構造とする。 - 特許庁

In this case, R (diffuse regular reflection intensity) is the intensity of a diffuse regular reflection direction, and V is the total of diffuse reflection intensities measured at every degree from -θ to +θ° to the diffuse regular reflection direction when irradiating the optical sheet with a visible light beam.例文帳に追加

０．１９＜Ｒ／Ｖ （Ｉ）Ｒ（拡散正反射強度）；拡散正反射方向の強度Ｖ；光学シートに可視光線を照射した際の拡散正反射方向に対して−θ度〜＋θ度まで１度ごとに測定した拡散反射強度の総和 - 特許庁

In the “(v) Other” column, enter costs that are required for the development of R&D site or Regional Headquarters but which do not fall under numbers (i) to (iv) above (such as land acquisition costs; it does not include running costs such as labor costs). 例文帳に追加

「⑤その他」欄には、研究開発拠点又は統括拠点の整備に要する経費であって、上記①から④までに該当しない経費（土地購入費など）がある場合に、該当する経費を記載してください。（人件費などのランニングコストは含まない。） - 経済産業省

Also, control means 109A and 109B decide a case that a resistance value R found by the voltage V and the current I or the absolute value of the current I is greater than a reference resistance value R0 or the absolute value of a current value I0 or greater than the resistance value R or current value I found the last time, and issues a warning.例文帳に追加

また、制御手段１０９Ａ，１０９Ｂは、電圧Ｖ及び電流Ｉによって求められる抵抗値Ｒ若しくは電流Ｉの絶対値が、基準となる抵抗値Ｒ０若しくは電流値Ｉ０の絶対値以上である場合、若しくは、前回求められた抵抗値Ｒ若しくは電流値Ｉの絶対値以上である場合を判定し、警告を発する。 - 特許庁

For example, this is obtained by copolymerizing a vinyl-polymerizable silicone of formula IV with an Si-bonded hydrogen containing vinyl-polymerizable siloxane of formula V and, optionally, other polymerizable vinyl monomers.例文帳に追加

一般式（Ａ）： -(COO)_a-A-SiR_m[(OSiR_2)_pOSiR_2X]_3-m 一般式（Ｂ）： -(COO)_a-A-SiR_2O-[ R_2SiO ]_n -SiR_2-A^ -(OOC)_a- ［式中、Aは二価炭化水素基またはアルキレンオキシアルキレン基であり、Rは脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基であり、ａは０または１であり、ｎは１０以上の整数であり、ｐは０〜３０の整数であり、ｍは０〜２の整数であり、Ｘは水素原子または式：-A-(SiR_2O)_a-SiR_m[(OSiR_2)_pOSiR_2H]_3-m（式中、A，R，ａ，ｐおよびｍは前記と同じである。）で示される一価有機基である。 - 特許庁

On each switching period, the rectifier stage 1 and the inverter stage 2 are controlled in a synchronized manner so that a variation of potential applied to an input phase R, S, T always corresponds to a variation of potential of the same sign applied to an output phase U, V, W.例文帳に追加

各切替え期間に、整流器段１およびインバータ段２は、入力相Ｒ、Ｓ、Ｔに印加された電位の変化が、出力相Ｕ、Ｖ、Ｗに印加された同符号の電位の変化に常に対応するように、同期された方法で制御される。 - 特許庁

A periphery monitoring sensor device 21 is provided with a radar device to detect a distance Lx from a front object having a collision possibility and relative speed Vab by using a traveling direction R and speed V of a vehicle form an electronic control unit 20 for a collision prediction.例文帳に追加

周辺監視センサ装置２１は、レーダ装置を備え、衝突予知用電子制御ユニット２０からの車両の進路方向Ｒおよび車速Ｖを用いて、衝突可能性のある前方物体との距離Ｌｘおよび相対速度Ｖａｂを検出する。 - 特許庁

The bidirectional photothyristor test device 21 serially connects a second connection terminal 27, a power source V, a first switch SW1, a resistor R, a second switch SW2 and a first connection terminal 26, and is constituted to interpose a capacitor C between the second connection terminal 27 and a node 25.例文帳に追加

双方向フォトサイリスタテスト装置２１を、第２接続端子２７，電源Ｖ，第１スイッチＳＷ１，抵抗Ｒ，第２スイッチＳＷ２，第１接続端子２６を直列に接続し、第２接続端子２７とノード２５との間にコンデンサＣを介設して構成する。 - 特許庁

A NIC 10 set as a master device includes a power source control part 16 calculating an ON ratio R being the ratio of a time to turn on a transmission MAC 13 at a current link speed V, based on the predetermined maximum speed Vmax and ON ratio Rmax.例文帳に追加

マスターに設定されたＮＩＣ１０において、予め設定された最大速度Ｖmax及びオン比率Ｒmaxに基づいて、電源制御部１６が、現在のリンク速度Ｖにおける、送信ＭＡＣ１３をオンにする時間の割合であるオン比率Ｒを算出する。 - 特許庁

The transportation devices used by the user during one's travels are distinguished by using a transportation device sorting means 71, and the image data indicating the transportation devices concerned is composited with respect to the present location cursor V, indicating the present location in a course data R by using an image composition display means 70.例文帳に追加

移動手段判別手段７１で旅行期間中にユーザーが使用した移動手段を判別し、画像合成表示手段７０で該移動手段を示す画像データを経路データＲにおける現在地を示す現在地カーソルＶに対して合成する。 - 特許庁

A transmitting station location vector (r) from a user's own vehicle location is calculated based on a transmitting station location PT and the user's own vehicle location Pn obtained from the navigation system and a user' own vehicle travel vector (v) is calculated based on the user' own vehicle locations Pn which are sequentially inputted.例文帳に追加

送信所位置Ｐ_Ｔとナビゲーションシステムから得られる自車位置Ｐ_ｎとに基づいて、自車位置からの送信所位置ベクトルｒを算出するとともに、順次入力される自車位置Ｐ_ｎに基づいて、自車走行ベクトルｖを算出する。 - 特許庁

M is one or more of elements from the group consisting of Al and Si, T is one or more of elements from the group consisting of Co, Ni, Mn, Cr, Cu, Ti and V, and R is one or more of elements from the group consisting of Ce, Nd, Y and Pr.例文帳に追加

ＭはＡｌとＳｉからなる群からの一種又は二種以上の元素であり，ＴはＣｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｃｕ，ＴｉとＶからなる群からの一種又は二種以上の元素であり，そして，ＲはＣｅ，Ｎｄ，ＹとＰｒからなる群からの一種又は二種以上の元素である。 - 特許庁

Calculating a resistance value Rn of each heating body according to an equation 'Rn=(V-V1n)×R/V1n', a power control circuit 16 determines a proper impression voltage Vh to be impressed on this heater on the basis of an average resistance value Rave thereof and sets this impression voltage Vh on the power supply circuit 14.例文帳に追加

電源コントロール回路16が、各発熱体21の抵抗値R_nを式「R_n＝（Ｖ−V1_n ）×Ｒ／V1_n 」にしたがって算出して、その平均抵抗値R_aveから発熱体21に印加すべき適正な印加電圧Vhを求め、電源供給回路14にこの印加電圧Vhを設定する。 - 特許庁

A computing portion for a circumferential speed command 94 computes normalized circumferential speed command V_BAR* so as to make line speed V become 0 at a remaining diameter r0, according to a remaining diameter feeding diameter R obtained by adding the remaining diameter correction amount Δr to the remaining diameter r0 and the winding diameter identification value r2_HAT(n).例文帳に追加

周速指令演算部９４は、残径ｒ０に残径補正量Δｒを加えた残径送り出し径Ｒと巻径同定値ｒ２＿ＨＡＴ（ｎ）とに基づいて、残径ｒ０にてライン速度Ｖがゼロになるように正規化周速指令Ｖ＿ＢＡＲ＊を演算する。 - 特許庁

The control method and system are intended to reduce a common mode current in a power converter which comprises a rectifier stage 1 connected to a number of input phases R, S, T and an inverter stage 2 connected to a number of output phases U, V, W.例文帳に追加

複数の入力相Ｒ、Ｓ、Ｔに接続された整流器段１と、複数の出力相Ｕ、Ｖ、Ｗに接続されたインバータ段２と、を備える電力変換装置のコモンモード電流を低減するように意図された制御方法およびシステムに関する。 - 特許庁

Further, the digital signal processing circuit 17 generates an image signal indicating the R-component (B-component) by subtracting the image signal indicating the G-component from the image signal for two pixels, and generates color difference data U, V by using this signal and the signal indicating the G-component.例文帳に追加

また、デジタル信号処理回路１７は、２画素分に応じた画像信号からＧ成分を示す画像信号を減算してＲ成分（Ｂ成分）を示す画像信号を生成し、この信号とＧ成分を示す信号を用いてに色差データＵ、Ｖを生成する。 - 特許庁

Storage transistors Q are formed in a well region W and selective transistors P and reset transistors R are formed in an n-type well region V, and the storage transistors Q and ferromagnetic capacitors C constitute MFMIS-type transistors.例文帳に追加

蓄積トランジスタＱはｐ型のウエル領域Ｗに形成されていると共に、選択トランジスタＰ及びリセットトランジスタＲはｎ型のウエル領域Ｖに形成されており、蓄積トランジスタＱと強誘電体コンデンサＣとによってＭＦＭＩＳ型トランジスタが構成されている。 - 特許庁

The handsfree video door phone 1 comprises a door camera 100 for taking an image of a visitor V and outputting an image signal, and the home terminal 10 for displaying the image taken by the door camera and allowing the resident R inside the house to speak to the visitor without a handset or the like.例文帳に追加

ハンズフリー型ビデオドアホン１は、訪問者Ｖを撮影して撮像信号を出力する玄関カメラ１００と、玄関カメラが撮影した映像を表示すると共に、世帯内の居住者Ｒが受話器等を用いることなく訪問者と通話することができる世帯端末機１０と、を備える。 - 特許庁