「a Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of an A15 compound superconductive wire rod, in which Sn, Ga or the like can be removed by oxidation from a matrix, and a critical current density J_c can be elevated.例文帳に追加

マトリックスからＳｎ、Ｇａ等を酸化除去し、臨界電流密度Ｊ_cを高めることのできるＡ１５化合物超伝導線材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A novelist Ryotaro SHIBA described Itagaki with such expressions as "Itagaki was far from suitable as a civil officer, (...) no occupation but being a soldier fits him" in his novel "Tobu ga gotoku." 例文帳に追加

作家の司馬遼太郎は「翔ぶが如く」の中で「板垣に文官など務まるはずがなく(中略)軍人以外にどういう仕事も適していない」などと評している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In photographing at night, a non-lighted image Ga picked up with flashlight off and a lighted image Gb picked up with flashlight on, which have the same composition, are consecutively acquired by a digital camera.例文帳に追加

夜間撮影において、同一の構図でフラッシュを発光させない非発光画像Ｇａと、フラッシュを発光させる発光画像Ｇｂとをデジタルカメラで連続して取得する。 - 特許庁

The manufacturing method has a step of receiving the molten glass gob GA into the recessed surface 11 so that the upper end part 114 of the second surface 112 is positioned below the widest part S where the width in the horizontal direction in the molten glass gob GA is widest.例文帳に追加

本発明の製造方法は、溶融ガラス塊ＧＡのうち水平方向に関する幅が最も大きい最広部Ｓの下方に、第２面１１２の上端部１１４が位置するように、溶融ガラス塊ＧＡを凹面１１に受ける工程を有する。 - 特許庁

The sputtering target includes: an alloy phase, which includes one or more of Ga, In, and Se, and Cu; and a pure Se phase.例文帳に追加

スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金相と、純Ｓｅ相とで構成されている。 - 特許庁

To provide a method of refining gallium for liquid phase epitaxial growth which can easily reduce the Al concentration in Ga used for epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長に使用したＧａ中のＡｌ濃度を容易に低減できる液相エピタキシャル成長用ガリウムの精製方法を提供する。 - 特許庁

Inside the solid-state imaging device, pixels are disposed in a honeycomb array, and one block is composed of four pixels provided with color filters R, B, Ga, Gb.例文帳に追加

固体撮像素子内において、各画素をハニカム配列で配置し、色フィルタＲ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｂが設けられた４画素で１ブロックを構成する。 - 特許庁

We can gather the images of 'kanzashi' of that time from the scene where Hikaru Genji attacked shiragiku (with a white chrysanthemum) on his court cap, which was described in 'Koyo no ga' (An Autumn Excursion) of the "The tale of Genji." 例文帳に追加

『源氏物語』「紅葉の賀」で光源氏が白菊を冠に飾った場面で、当時の「かんざし｣の様子が見ることが出来る。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

the Mifa shanshui is a style of Sansui-ga (Chinese-style landscape painting) with ink that Futsu BEI and his son Mi Youren, literati painters during Sung dynasty in China, are reported to have started 例文帳に追加

米法山水（べいほうさんすい）は、中国、宋代の文人画家、米芾・米友仁父子が始めたと伝えられる水墨山水画法。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a Cu-Ga alloy sputtering target which enables the formation of a Cu-Ga sputtering film having excellent uniformity in film component composition (film uniformity), enables the reduction of occurrence of arcing during sputtering, has high strength, and rarely undergoes cracking during sputtering.例文帳に追加

膜の成分組成の均一性（膜均一性）に優れたＣｕ−Ｇａスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The magnetic material has an X-ray diffraction peak corresponding to the crystal structure of ε-Fe_2O_3 and is composed of a crystal of ε-Ga_xFe_2-xO_3, formed by replacing a part of Ga^3+ ion site in the ε-Fe_2O_3 crystal with Ga^3+ ion, wherein 0<X<1.例文帳に追加

ε−Ｆｅ_2Ｏ_3の結晶構造に対応するＸ線回折ピークを有し、ε−Ｆｅ_2Ｏ_3結晶のＧａ^3+イオンサイトの一部がＧａ^3+イオンで置換されたε−Ｇａ_xＦｅ_2-xＯ_3〔ただし０＜Ｘ＜１である〕の結晶からなる磁性材料である。 - 特許庁

In a step 108, it is determined whether a condition where time during which state of high intake air quantity under which intake air quantity Ga is high continues is X sec or longer and reduction quantity of intake air quantity is Y g or more is satisfied or not.例文帳に追加

ステップ１０８では、吸入空気量Gaが高い高吸入空気量の状態が継続した時間がＸ（ｓｅｃ）以上であり、かつ吸入空気量の減少量がＹ（ｇ）以上である、という条件をみたしているか否かが判別される。 - 特許庁

This manufacturing method is a method to make a single crystal having a garnet structure substantially comprising Ca, Nb, Ga, and O by Czochralski method, and the composition ratio of Ca, Nb, and Ga is Ca:Nb:Ga=37.7-39.1:20.2-21.6:40.7-42.1 in molar ratio.例文帳に追加

Ｃａ、Ｎｂ、Ｇａ及びＯから実質的に構成され且つガーネット構造を有する単結晶をチョコラルスキー法によって製造する方法であって、Ｃａ、Ｎｂ及びＧａの組成比がモル比で表してＣａ：Ｎｂ：Ｇａ＝３７．７〜３９．１：２０．２〜２１．６：４０．７〜４２．１となるように用いる。 - 特許庁

The nano structure has the pattern with a depth of ≥2 μm formed on the surface of the substrate including Si, Ga or In is included in the surface of the pattern, and the maximum value of the concentration of the Ga or In is positioned within 50 nm from the surface of the pattern in the depth direction of the substrate.例文帳に追加

Ｓｉを含む基板の表面に形成された、深さが２μｍ以上のパターンを有するナノ構造体であって、前記パターンの表面にＧａ又はＩｎを含み、該Ｇａ又はＩｎの濃度の最大値が前記基板の深さ方向に前記パターンの表面より５０ｎｍ以内に位置しているナノ構造体を構成する。 - 特許庁

To provide a crystal growth method of a group III-V compound semiconductor, in which crystallinity is high and light emitting efficiency is improved, containing at least gallium (Ga), indium (In), nitrogen (N), and arsenic (As).例文帳に追加

結晶性に優れ、発光効率が向上した、少なくともガリウム(Ｇａ)、インジウム(Ｉｎ)、窒素(Ｎ)、砒素(Ａｓ)を含むIII−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a biodegradable aliphatic polyester carbonate uses at least one metallic compound selected from Ga, Mn, Co, Mg, In, and Ti compounds as a catalyst in reacting the aliphatic polyester oligomer with the carbonate compound.例文帳に追加

脂肪族ポリエステルオリゴマーとカーボネート化合物を反応させる際、触媒としてＧａ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｍｇ，Ｉｎ，及びＴｉ化合物から選ばれる少なくとも１種の金属化合物を使用する。 - 特許庁

A potting resin 12 is filled in only the gap Ga1 between the core 2 and an outer periphery of the coil 4, and in only the gap Ga between the core 2 and the coil 4, and the bottom wall 5a.例文帳に追加

コア２とコイル４の外周との間の隙間Ｇａ１、並びに、コア２及びコイル４と底壁５ａとの間の隙間Ｇａのみにポッティング樹脂１２が充填される。 - 特許庁

In the state that the electro-optical panel 10 is fixed, the element array surface 122 of the electro-optical elements E in the substrate 12 opposes a bottom surface Ba of the groove Ga.例文帳に追加

電気光学パネル１０が固定された状態において、基板１２における電気光学素子Ｅの素子配列面１２２は溝部Ｇaの底面Ｂaと対向する。 - 特許庁

To provide a semiconductor and an element having excellent characteristics in an amorphous oxide semiconductor in which the composition ratios of In, Ga and Zn are expressed by In_xGa_yZn_z, a semiconductor device and a thin-film transistor.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ，Ｚｎの組成比がＩｎ_ｘＧａ_ｙＺｎ_ｚで表されるアモルファス酸化物半導体、半導体デバイス及び薄膜トランジスタにおいて、良好な特性の半導体及び素子を提供することにある。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor high in mobility and easy to manufacture in which an In-Ga-Zn-O oxide semiconductor is used as an active layer, and a manufacturing method therefor, and a display including the transistor.例文帳に追加

活性層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を用い、移動度が高く、かつ、製造が容易な電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びにそれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

A switch element contact-connects the control terminal Ga to the second voltage line in a first contact state and contact-connects the signal node Na to the second voltage line in a second contact state.例文帳に追加

スイッチ部品は、第１接点状態において制御端子Ｇａを第２電圧ラインに接点接続し、第２接点状態において信号ノードＮａを第２電圧ラインに接点接続する。 - 特許庁

The element further comprises a nitride semiconductor layer group constituted of, for example, a conductive layer 3 or the like containing at least one selected from among a group, consisting of Al, Ga and In on the layer 2 in addition to performing function as an element.例文帳に追加

そして、下地層２上に、素子としての機能を果たし、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一つを含む、例えば導電層３などから構成される窒化物半導体層群を形成する。 - 特許庁

During the radiation of ultraviolet rays, a stage 76 is kept in a standstill state at the original position in a Y direction and ultraviolet rays are irradiated concentratedly or locally onto the surface of the right-side end part Ga of the substrate.例文帳に追加

この紫外線照射中は、ステージ７６がＹ方向原点位置で静止したままであり、紫外線は基板右側端部Ｇaの表面に集中的または局所的に入射する。 - 特許庁

A flow of fluid is formed in a grinding cavity formed between a working surface Wa and a worked surface Ga through pores of the grinding wheel while relatively sliding the grinding wheel G and the work W under a state of making the working surface Ga and the worked surface Wa of porous grinding wheel G contact with each other.例文帳に追加

多孔質の砥石Ｇの加工面Ｇａと被加工面Ｗａとを接触させた状態のもとで、砥石Ｇと被加工物Ｗとを相対的に摺動させながら、被加工面Ｗａと加工面Ｇとの間に形成される研磨空隙に、砥石Ｇの気孔を介して流体の流れを形成する。 - 特許庁

Cu-Ga alloy powders are directly formed by stirring Cu powders in a mixed gas atmosphere including hydrogen gas at a temperature of 150-300°C, mixing Ga at a ratio of 10-45 mass% with the stirred Cu powders, and stirring the mixed powders in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 30-300°C.例文帳に追加

Ｃｕ粉末を、水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で１５０℃〜３００℃の温度で撹拌し、撹拌したＣｕ粉末に、Ｇａを１０質量％〜４５質量％の割合で配合した混合粉末を、真空又は不活性雰囲気中で３０℃〜３００℃の温度で攪拌することにより、直接、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を形成する。 - 特許庁

An alloy layer 9 of Ga-Au alloy and In-Au alloy having high electric conductivity and high heat conductivity is formed by forming a Ga-In alloy layer 7 on one of conductors 1, 2, and an Au plating layer 8 on the other, and reacting them by pressure welding.例文帳に追加

導電体１、２の一方にＧａ−Ｉｎ合金層７を設けると共に、他方にＡｕメッキ８を設け、これらを圧接して反応させることで、高い電気伝導性と熱伝導性を有するＧａ−Ａｕ合金とＩｎ−Ａｕ合金の合金層９を形成する。 - 特許庁

The surface of the ingot obtd. by casting the Cu-Ga alloy in which the compsn. of Ga is controlled to 15 to 70% by a melting method is provided with an In part insularly formed by melting by 0.1 to 60 wt.% to the ingot.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇａ合金であってそのＧａの組成が１５重量％乃至７０重量％として溶解法により鋳造したインゴットの表面に、インゴットに対する組成が０．１重量％〜６０重量％で溶解により島状に形成されたＩｎ部分を設ける。 - 特許庁

Provided are a treatment method including the dosing of a therapeutically effective amount of glatiramer acetate (GA) in form of a submicron emulsion or a nano-emulsion together with a proteosome-based composition, and usage of the composition containing the glatiramer acetate.例文帳に追加

プロテオソームベースの組成物と共に治療有効量の（サブミクロンのエマルジョンまたはナノエマルジョンである）酢酸グラチラマー（ＧＡ）を投与する工程を含む、および該ＧＡ含有組成物の使用。 - 特許庁

The standard sample is produced by steps of: forming an ion implantation layer 2 by ion-implanting In or Ga to a silicon substrate 1; and forming a redistribution layer 4 by accumulating ion-implanted In or Ga in a neighborhood of the surface of the silicon substrate 1 by irradiating the silicon substrate 1 with an oxygen ion 3.例文帳に追加

本標準試料は、シリコン基板１にＩｎ又はＧａをイオン注入してイオン注入層２を形成する工程と、シリコン基板１に酸素イオン３を照射して、イオン注入された前記Ｉｎ又はＧａをシリコン基板１の表面近傍に集積させて再分布層４を形成する工程とを有することで製造される。 - 特許庁

In this constitution, the constraint tool 16 is provided with a guide part (outer peripheral guide Ga, rolling face guide Gb) for guiding at least part of the respective rolling elements 6.例文帳に追加

このような構成において、拘束具には、少なくとも各転動体の一部をガイドするガイド部(外周ガイドＧａ、転動面ガイドＧｂ)が設けられている。 - 特許庁

A molar amount of B is 0.0001 or more to 0.01 or less when total molar amount of Zn, Al, Ga and B is 1, in the thermoelectric transducing material.例文帳に追加

Ｚｎ、Ａｌ、ＧａおよびＢの総モル量を１としたときの、Ｂのモル量が０．０００１以上０．０１以下である前記熱電変換材料。 - 特許庁

The active layer is constituted by an amorphous oxide semiconductor containing In, Ga, and Zn, and has a Zn concentration higher than the Zn concentration of the etching stopper layer.例文帳に追加

活性層はＩｎ、ＧａおよびＺｎを含むアモルファス酸化物半導体で構成されており、Ｚｎ濃度がエッチングストッパ層のＺｎ濃度よりも高い。 - 特許庁

Preferably, the R2-based alloy may contain as a sub-element at least one of element selected from among Cu, Al, Ga, Ge, Sn, In, Si, P, and Co.例文帳に追加

上記Ｒ２系合金は、副元素として、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃｏから選択される少なくとも１種の元素を含んでいると良い - 特許庁

As the multi-exciton generator, a compound semiconductor containing at least one or more kinds of elements selected from Cu, In, Ga, Se, S, Te, Zn and Cd is used.例文帳に追加

多励起子発生剤は、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｓ、Ｔｅ、Ｚｎ、及びＣｄから選ばれる１種以上の元素を含む化合物半導体が用いられる。 - 特許庁

A growth temperature of the aluminum nitride crystal is set in the range of ≥1,000°C and ≤1,500°C, to thereby decompose GaN into metal Ga and nitrogen gas.例文帳に追加

窒化アルミニウム結晶の育成温度を１０００℃以上１５００℃以下の範囲とすることにより、ＧａＮを金属Ｇａと窒素ガスに分解させる。 - 特許庁

The light absorbing layer 16 of the chalcopyrite-type solar cell 10 is formed by having an alloy layer 26 formed by making a Cu-In-Ga alloy selenium.例文帳に追加

カルコパイライト型太陽電池１０の光吸収層１６は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金からなる合金層２６をセレン化することで形成される。 - 特許庁

First, in each grace note candidate Na, a note interval (non-generating sound time) ga is searched on the front and rear of the note satisfying a prescribed note proximate condition (proximate note).例文帳に追加

まず、各装飾音候補Ｎａについて、音符間隔（無発音時間）ｇａが所定の音符隣接条件を満足する音符（隣接音符）を前方及び後方に探査する。 - 特許庁

A second generation unit 64 generates a processing coefficient sequence GB in which the distribution of coefficient values g[k] is leveled as compared with the processing coefficient sequence GA when no localization component exists.例文帳に追加

第２生成部６４は、定位成分が存在しない場合の処理係数列ＧAと比較して各係数値ｇ[k]の分布が平準な処理係数列ＧBを生成する。 - 特許庁

The non-polar (1120)a-plane GaN layer includes a template for producing the non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well, the heterostructure material, and the device.例文帳に追加

これらの非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層は、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを製造するためのテンプレートを備える。 - 特許庁

To make high-quality correction of a defect possible even in a fine region where an etching gas or a source gas of a light-shielding film can not be efficiently supplied, without causing decrease in transmittance due to a Ga stain or changes in physical properties due to changes in the element content of the light-shielding film.例文帳に追加

エッチングガスや遮光膜原料ガスを効率的に供給できない微細領域でもＧａステインによる透過率の低下や遮光膜の元素含有量の変化による物性の変化が起こらない高品位な欠陥修正を可能にする。 - 特許庁

A matrix generation section 26 generates a similarity degree matrix MA in which a similar line GA corresponding to a region where a similarity degree SM of a feature amount F between a sound signal V and a time difference attached sound signal V is high, is arranged in a plane including a time axis T and a time difference axis D.例文帳に追加

マトリクス生成部２６は、音響信号Ｖと時間差を付与した音響信号Ｖとで特徴量Ｆの類似度ＳMが高い領域に対応した類似線分ＧAを、時間軸Ｔと時間差軸Ｄとを含む平面に配置した類似度マトリクスＭAを生成する。 - 特許庁

Mixed powder including Cu powder and Ga mixed at a mass ratio of 85:15 to 55:45, and having an oxygen content of ≤0.2 wt.% is alloyed in an atmosphere of an oxygen partial pressure of ≤20 Pa, and the resulting Cu-Ga alloy powder is sintered by a hot pressing method.例文帳に追加

Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合され、酸素含有量が０．２ｗｔ％以下である混合粉末を酸素分圧が２０Ｐａ以下の雰囲気中で合金化し、得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末をホットプレス法により焼結する。 - 特許庁

The nitride semiconductor device comprises: well layers composed of a nitride semiconductor containing In and Ga: barrier layers composed of the nitride semiconductor including Al and Ga with a higher band-gap energy than that of the well layers, which sandwiches the well layer: and thin film layers each provided between the well layer and the barrier layer.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、ＩｎとＧａを含む窒化物半導体からなる井戸層と、井戸層を挟み、井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＡｌとＧａを含む窒化物半導体からなる障壁層と、井戸層と障壁層との間に設けられた薄膜層とを備えている。 - 特許庁

Here, the alloy layer 26 is formed so that film formation is performed on a first electrode layer 14 by spattering using only a Cu-In-Ga target (a CIG target) 24.例文帳に追加

ここで、該合金層２６は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲット（ＣＩＧターゲット）２４のみを用いるスパッタリングによって第１電極層１４上に成膜が行われることで設けられる。 - 特許庁

This digital system is manufactured in which, for example, a programmable delay circuit can be inserted into the clock input part of a flip flop, and the delay time of the delay circuit can be retrieved by a genetic algorithm (GA).例文帳に追加

例えば、フリップフロップのクロック入力部にプログラマブル遅延回路が挿入され、この遅延回路の遅延時間が遺伝的アルゴリズム（ＧＡ）によって探索されるディジタルシステムを製造する。 - 特許庁