「a Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In the exhaust sensor provided in an exhaust pipe of an internal combustion engine, a heater control device of the exhaust sensor controlling a current-carrying condition of the heater permits current-carry of the heater under a condition where a state that intake air quantity GA of the internal combustion engine is criterion value GAst or more continues for a predetermined period of time.例文帳に追加

内燃機関の排気管に設けられた排気センサについて、そのヒータの通電状態を制御する排気センサのヒータ制御装置は、内燃機関の吸入空気量ＧＡが判定値ＧＡｓｔ以上である状態が所定期間継続したことを条件にヒータの通電を許可する。 - 特許庁

In a semiconductor device including an Al_xGa_yIn_1-x-yN layer and an (Al, Ga, In)N quantum dot located on the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer, the ratio of indium in the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer is not zero (1-x-y≠0).例文帳に追加

Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層と、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層の上に配置された（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ量子ドットと、を備えた半導体デバイスにおいて、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層におけるインジウム比率がゼロではない（１−ｘ−ｙ≠０）。 - 特許庁

A high quality wafer including Al_xGa_yIn_zN, wherein 0<y≤1 and x+y+z=1, with a root mean square surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 area on its Ga-side.例文帳に追加

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。 - 特許庁

A light-emitting layer 5 is formed of a nitride semiconductor, which includes at least one element among Al, Ga, and In, and which includes, as an additive element, at least one kind of element selected from among rare earth elements and transition metal elements.例文帳に追加

発光層５は、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一種を含み、希土類元素及び遷移金属元素から選ばれる少なくとも一種の元素を添加元素として含有した窒化物半導体から構成する。 - 特許庁

An Au film 2 is deposited on an MgO (100) substrate 1, and a Ga converging ion beam 50 nm in beam diameter is applied to the section, where a junction is desired to be formed, to form an irradiated region 3 on the surface of the substrate, and then the Au film 2 is removed.例文帳に追加

ＭgＯ(１００)基板１上にＡu薄膜２を蒸着し、接合を形成したい位置にビーム径５０nｍのＧa収束イオンビームを照射して基板表面に照射領域３を形成し、Ａu薄膜２を除去する。 - 特許庁

This semiconductor comprises (Al, Ga, In) N compound semiconductor layer grown on a substrate, and an electrode formed of at least one metal selected from a group comprising Pt, Pd and Au, or an alloy of them on the semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に成長された（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体層と、半導体層上にPt、Pd及びAuを含む群から選ばれた少なくとも一つの金属、あるいは、それらの合金で形成された電極とを含む。 - 特許庁

A source region improved in conductivity is formed by irradiating a semiconductor layer formed of amorphous oxide containing In, Ga and Zn with an ultraviolet ray, and auxiliary capacitance lines are formed between pixel electrodes and the source electrode through an insulating layer.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層に紫外線を照射することにより高導電率化されたソース領域を構成し、補助容量線を画素電極とソース領域との間にそれぞれ絶縁層を介して形成する。 - 特許庁

Famous ones are the Hollyhock of Aoi festival mentioned above, kokoroba (artificial flowers) of a plum blossom and Ground Pine worn on the headdress by Omi (officials serving for Shinto rites), Hollyhock and Moonflower (also Chinese bellflower) worn by sumo wrestlers at Sumai no sechie (the Imperial ceremony of Sumo wrestling), and scarlet maple and Chrysanthemum (utsuroi-giku (reverse chrysanthemum)) in "Momiji no Ga (The Autumn Excursion)" in the Tale of Genji, though this is a fiction. 例文帳に追加

有名なものには先に述べた葵祭の葵、小忌の人が冠に飾る心葉（梅）と日陰葛、相撲節会の力士が飾る葵とユウガオ（キキョウも用いる）、フィクションだが源氏物語「紅葉賀」の紅葉と菊（移菊）などがある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The metal oxide particulates are expressed by a compositional formula of ABO_2 (A denotes a metal element Pd, Pt, Cu or Ag; and B denotes a metal element Co, Fe, Ni, Cr, Rh, Al, Ga, Sc, In or Tl), and have a mean particle diameter of ≤100 nm.例文帳に追加

組成式ＡＢＯ_２（Ａの金属元素Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ又はＡｇ、Ｂは金属元素Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ又はＴｌを示す。）で表される金属酸化物微粒子であって、平均粒径が１００ｎｍ以下である金属酸化物微粒子。 - 特許庁

An ignitability parameter IG indicating the ignitability of fuel in a combustion chamber is calculated according to a cylinder pressure PCYL, a cylinder gas temperature TCYL, an engine speed NE, a total fuel injection quantity QIT, a combustion chamber wall surface temperature TWALL, and an intake air flow rate GA.例文帳に追加

筒内圧ＰＣＹＬ、筒内ガス温度ＴＣＹＬ、エンジン回転数ＮＥ、総燃料噴射量ＱＩＴ、燃焼室壁面温度ＴＷＡＬＬ、及び吸入空気流量ＧＡに応じて、燃焼室内の燃料の着火性を示す着火性パラメータＩＧを算出する。 - 特許庁

One of a compound including indium, a compound including tin and a compound including tantalum is included in a compound oxide represented by LiNi_1-xM_xO_2 (M is a metallic element selected from Co, Mn, Fe, Cu, Zn, Mg, Ti, Al and Ga, and 0.2>x≥0).例文帳に追加

ＬｉＮｉ_1-xＭ_xＯ_2（但し、ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、ＡｌおよびＧａからなる群より選ばれた少なくとも１種以上の金属元素で、０．２＞ｘ≧０）で表される複合酸化物に、インジウムを含む化合物、スズを含む化合物およびタンタルを含む化合物のいずれかが含まれる。 - 特許庁

The method of manufacturing the continuous wave semiconductor laser diode of the N (Al, Ga, In) material system comprises a step of continuously growing a primary cladding region 4, a primary light guide region 5, an active region 6, a secondary light guide region 7 and a secondary cladding region 8.例文帳に追加

（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料系の連続波半導体レーザダイオードを製造する方法は、第１のクラッド領域（４）、第１の光ガイド領域（５）、活性領域（６）、第２の光ガイド領域（７）および第２のクラッド領域（８）を連続して成長させるステップを包含する。 - 特許庁

To provide a low-cost ferromagnetic shape-memory alloy which is excellent in magnetic properties and processibility and is suitable as a magnetic field-sensitive actuator or a sensor utilizing magnetism.例文帳に追加

Gaを20〜32原子％，Feを15〜45原子％含有し、かつCo，MnおよびAlの中から選ばれる１種または２種以上を含有し、残部がNiおよび不可避的不純物からなり、かつGa，Fe，Co，Mn，Al，Niが下記の(1)式で表わされる組成バランスを持つ組成と、ｂｃｃ基規則構造のオーステナイト相からなる単相組織またはｂｃｃ基規則構造のオーステナイト相とｆｃｃ構造の不規則相とからなる２相組織と、を有する強磁性形状記憶合金である。 - 特許庁

In the memorial record he created about and in memory of his mentor, Yuzo KAWASHIMA, entitled "Sayonara dake ga jinsei da: Eiga kantoku Kawashima Yuzo no shogai" (Life is only a chorus of goodbyes: the life of director Yuzo KAWASHIMA), he chronicled Kawashima's life using a documentary style; in it, he recounted how Kawashima kept working right on to the end, filming on location without breathing a single word to anyone that he was suffering from Lou Gehrig's disease. 例文帳に追加

彼の師匠川島雄三についての追悼録、『サヨナラだけが人生だ映画監督川島雄三の生涯』では、川島の生涯を実証的に取り上げ、川島が筋萎縮性側索硬化症に侵されながらそれを一切他言せず、最後まで映画製作の現場に立っていたことを取り上げた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A second air-fuel ratio value AFRex indicating the air-fuel ratio in the cylinder is calculated according to a detected oxygen concentration OXYC in exhaust gases (S11), and a first air-fuel ratio value AFRcal indicating the air-fuel ratio in the cylinder is calculated according to the detected intake air flow GA and fuel injection amount TOUT (S12).例文帳に追加

検出される排気中の酸素濃度ＯＸＹＣに応じて気筒内空燃比を示す第２空燃比値ＡＦＲｅｘが算出され（Ｓ１１）、検出される吸入空気流量ＧＡ及び燃料噴射量ＴＯＵＴに応じて、気筒内空燃比を示す第１空燃比値ＡＦＲｃａｌが算出される（Ｓ１２）。 - 特許庁

An inner chamber 11 of the nozzle part 10 is communicated with middle portions of the flow passages 20, 22 via communication passages 32, 34, and a shield gas GA in the inner chamber 11 is sucked into the flow passages 20, 22 by the generated negative pressure.例文帳に追加

ノズル部１０の内室１１と流路２０，２２の中途とは連通路３２，３４を介して連通しているので、発生した負圧により、内室１１のシールドガスＧＡは流路２０，２２に吸引されることとなる。 - 特許庁

A regional information generation part 214 generates pieces of regional information 213a and 213b indicating the regions of the tomograms Ga and Gb in the eyeground images 212a and 212b respectively.例文帳に追加

位置情報生成部２１４は、眼底画像２１２ａにおける断層画像Ｇａの位置を示す位置情報２１３ａと、眼底画像２１２ｂにおける断層画像Ｇｂの位置を示す位置情報２１３ｂとを生成する。 - 特許庁

The shikishi were originally at Nanshu-ji Temple in Izumi Province, but Sanekatsu obtained 12 of them from Mitsuhiro KARASUMARU via Sogan KOGETSU and made them into a book, adding kinji senmen-ga (gold-background picture) that depicted the meanings of the poems to each piece. 例文帳に追加

色紙はもと和泉国南宗寺に存したが、将監がその内の12枚を江月宗玩を介して烏丸光広から入手し、1枚ごとにその歌意を描いた金地扇面画を添えて帖に仕立てた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The well layer 106 is mixed with an appropriate quantity of crystallized In as a group III element whose covalent bond radius is larger than Ga, so that the crystallinity of the semiconductor laser device 100 becomes superior, and an oscillation threshold current is reduced, resulting in improving light emission efficiency.例文帳に追加

この井戸層１０６には、Ｇａよりも共有結合半径が大きなＩＩＩ族元素であるＩｎが適量混晶化されているので、結晶性に優れたものになって、発振閾値電流が低減し、発光効率が向上する。 - 特許庁

The Ag alloy for dental casting has a composition comprising, by mass, 10 to 30% In, 0.1 to 5% Zn, 0.1 to 5% Ga, 0.1 to 5% Pd, and Ru and/or Ir by 0.01 to 0.5% in total, and the balance Ag with inevitable impurities.例文帳に追加

質量％で、Ｉｎ：１０〜３０％、Ｚｎ：０．１〜５％、Ｇａ：０．１〜５％、Ｐｄ：０．１〜５％、Ｒｕおよび／またはＩｒ：合計で０．０１〜０．５％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる歯科鋳造用Ａｇ合金である。 - 特許庁

In a flame sensor that uses a photodetector constituted of an Al-Ga-N based semiconductor material and detects light emitted by a flame, a film for preventing the reflection of light in an ultraviolet-ray region is provided at a side where the light enters in a photodetector PS, and the photodetector PS with the reflection prevention film is provided in a sealing member C for airtightly sealing against the outside.例文帳に追加

火炎から発する光をＡｌ−Ｇａ−Ｎ系の半導体材料で構成される受光素子を用いて検出するように構成された火炎センサにおいて、受光素子ＰＳにおける入光側に、紫外線領域の光の反射を防止する反射防止膜が備えられ、その反射防止膜を備えた受光素子ＰＳが、外部に対して気密状に封止する封止部材Ｃ内に設けられている。 - 特許庁

When PM accumulation quantity PMsm in the exhaust emission control mechanism is a threshold A or less (S120:YES), a differential pressure reference value Dp and a value of (differential pressure ΔP(pressure difference between an exhaust gas upstream side and an exhaust gas downstream side of the exhaust emission control mechanism)/suction air quantity Ga) are compared (S130).例文帳に追加

排気浄化機構におけるＰＭ堆積量ＰＭｓｍが閾値Ａ以下であるときには（Ｓ１２０：ＹＥＳ）、「圧力差ΔＰ（排気浄化機構の排気上流側と排気下流側との圧力差）／吸入空気量Ｇａ」の値と差圧基準値Ｄｐとを比較する（Ｓ１３０）。 - 特許庁

The main of a composite oxide sintered compact for forming the transparent thin film is the crystal of a compound which contains an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn) and whose formula is denoted as In_2Ga_2ZnO_7.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び前記複合酸化物焼結体から作製されている透明薄膜形成用材料。 - 特許庁

In a reaction chamber 101, a cubic III nitride crystal composed of a group III metallic element (for example, gallium(Ga)) and nitride elements is grown from a material 102, containing an alkali metal and at least the group III metallic element and another material 103, containing at least nitrogen element.例文帳に追加

反応容器１０１内で、アルカリ金属および少なくともIII族金属元素(例えば、Ｇａ(ガリウム))を含む物質（１０２）と少なくとも窒素元素を含む物質（１０３）とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成される立方晶系のIII族窒化物を結晶成長させる。 - 特許庁

It is preferable that the negative electrode 4 has at least one kind of a first negative electrode active material selected from a group of In, Ga, and Sn, and at least one kind of a second negative electrode active material selected from a group of C, Si, Zn, and Al.例文帳に追加

また、負極４は、Ｉｎ、ＧａおよびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種からなる第１の負極活物質と、Ｃ、Ｓｉ、ＺｎおよびＡｌよりなる群から選択される少なくとも１種からなる第２の負極活物質とを有するのが好ましい。 - 特許庁

The garnet is a substitution garnet crystal with the general expression of A3B5O12, where A is a trivalent element such as Bi, Y, or La, B is a trivalent element such as Fe, Al, Ga, Sc, or In, or part of the constituent elements of which other than oxygen is substituted with one element or more with the equivalent valence.例文帳に追加

但し、Ａ_3 Ｂ_5 Ｏ_12におけるＡは、Ｂｉ，Ｙ，Ｌａ等の３価の価数である元素、Ｂは、Ｆｅ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｃ，Ｉｎ等の３価の価数の元素であり、又は酸素以外の構成元素の一部を等価的な価数を有する１以上の元素で置き換えた置換型ガーネット結晶物。 - 特許庁

The solar battery 10 consists of a transparent conductive substrate 1, a p-layer 2 made of Cu_2O and an amorphous In-Ga-Zn-O n-layer 3 formed on the substrate 1 by sputtering, and a metallic electrode 4 provided on the n-layer 3.例文帳に追加

太陽電池１０は、透明導電性基板１と、基板１上にスパッタリングによって形成された、Ｃｕ_２Ｏよりなるｐ層２及びアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏｎ層３と、このｎ層３上に設けられた金属電極４とからなる。 - 特許庁

The first electrode is a transparent thin film formed of an oxide containing at least one of In, Ga, and Zn, and the transparent thin film includes a low-resistance portion subjected to hydrogenation treatment or energy-irradiation treatment and a high-resistance portion.例文帳に追加

第１の電極は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを少なくとも１つ以上含む酸化物からなる透明薄膜であり、前記透明薄膜は水素添加処理又はエネルギー照射処理が施された低抵抗部と、高抵抗部とが形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Those are compared respectively with a target spring constant K_0 and a target attenuation coefficient C_0; and each deviation (&utri;K, &utri;C) are input in a controller 7d, assist gain Ga and damping gain Gd as control parameters are optimized and EPS is controlled by them.例文帳に追加

それらを目標ばね定数Ｋｏ及び目標減衰係数Ｃｏとそれぞれ比較し、各偏差（ΔＫ、ΔＣ）をコントローラ７ｄに入力し、制御パラメータとしてのアシストゲインＧａ及びダンピングゲインＧｄの最適化を行い、それによりＥＳＰを制御する。 - 特許庁

In the arrangement, an edge 6a of each top plate 6 projects from an inner surface of the raceway 3, and a gap Ga between the edge 6a and an outer periphery of a roller 7 is smaller than a gap Gb between the inner surface of the raceway 3 and the outer periphery of the roller 7.例文帳に追加

各上板６のエッジ６ａは軸受溝３の内部表面から突出し、エッジ６ａとロール７外周との間の間隙Ｇａが、軸受溝３の内部表面とロール７外周との間の間隙Ｇｂよりも小さくなる配置となっている。 - 特許庁

This ultraviolet photodetector has an ultraviolet photoreceiving element provided with a photo-semiconductor layer containing at least one or more kind(s) of element(s) selected from the group of Al, Ga and In, and nitrogen, and an electrode, on a substrate, and an end face of the substrate is a photoreceiving face.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる１種以上の元素と、窒素とを含む光半導体層、並びに電極を設けてなる紫外線受光素子を有し、前記基板の端面が受光面である紫外線受光器である。 - 特許庁

The purification filter comprises a whisker formed on a raw material substrate made of an alloy or a ceramic containing Mn, Al, Cr, In, Ag, Ga, Sn, Cu, Sc, Ge, Ti, Si, and the like.例文帳に追加

原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターであって、 上記原料基体が、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＳｉなどを含む合金やセラミックスより成る原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターである。 - 特許庁

A compound semiconductor multilayer thin film is formed into a structure, wherein an InSb buffer layer 2 doped with one of Al, Be, Zn, Mg, O and Ga as impurities and an undoped, Te-doped or Se-doped InSb active layer 3 are deposited in order on a semiinsulative GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に、不純物としてＡｌ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、ＯまたはＧａの一つをドーピングしたＩｎＳｂバッファ層２と、アンドープまたはＴｅドープまたはＳｅドープのＩｎＳｂ活性層３とを順次堆積させた構造とする。 - 特許庁

The founder of the sect, Kukai (774-835) was born at Byobu-ga-ura Sanuki-no-kuni (讃岐国屏風浦) (current Zentsu-ji City, Kagawa Prefecture); and as a thinker, writer and talented calligrapher from among the Sanpitsu (the three great calligraphers of history), as well as a Buddhist, he had a strong influence on Japanese culture in later years. 例文帳に追加

宗祖・空海（774-835年）は、讃岐国屏風浦（現・香川県善通寺市）の出身で、仏教者であるとともに思想家、著述家、また「三筆」の1人に数えられる能書家として、後の日本文化に多大な影響を与えた人物である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Furthermore, the quantity of raw materials to be supplied per unit time is modulated, so that the quantity of Ga source (TMGa) to be supplied per unit time, illustrated in Fig.(A), synchronously changes with an inverse phase to the quantity of In source (TMIn) to be supplied per unit time, illustrated in Fig.(B).例文帳に追加

また、図２(Ａ)に示すＧａ源(ＴＭＧａ)の単位時間当たりの供給量は、図２(Ｂ)に示すIｎ源(ＴＭIｎ)の単位時間当たりの供給量に対して逆位相で同期して変化するように、原料の単位時間当たりの供給量の変調を行っている。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, the surfaces of source and drain electrode layers are subjected to sputtering treatment with plasma and an oxide semiconductor layer containing In, Ga, and Zn is formed successively over the source and drain electrode layers without exposure of the source and drain electrode layers 117a, 117b to air.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層の表面をプラズマでスパッタリング処理し、当該ソース電極層及びドレイン電極層を大気にさらすことなく、当該ソース電極層及びドレイン電極層上に連続してＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁

Further, by adding Ga, the effect of improving the elongation properties in the solder joint is imparted together and thus, the material is made usable for the power module or the like to be used for the on-vehicle device in which durability of the soldered part is thought as important from a use environment accompanied with a severe temperature change.例文帳に追加

また、更にＧａを加えることにより、はんだ接合部の伸び性向上効果を併せて有することで過酷な温度変化を伴う使用環境からはんだ付け部の耐久性が重視される車載用のパワーデバイスに用いられるパワーモジュール等に使用が可能となる。 - 特許庁

According to 'KANZE Kojiro Nobumitsu ga zo-san' (inscription to the portrait of Kojiro Nobumitsu KANZE) and "Yoza yakusha mokuroku" (Catalog of Actors of the Four Troupes) written by KEIJO Shurin (abbot of Nanzen-ji Temple in Kyoto), when the 15-year-old Nobumitsu took part in a Sarugaku performed before Emperor Gohanazono, the Emperor gave Nobumitsu a fan to honor his performance through Yoshimasa ASHIKAGA who watched Sarugaku with the Emperor. 例文帳に追加

景徐周鱗の書いた「観世小次郎信光画像讃」や『四座役者目録』などよると、15歳の時後花園天皇の御前での猿楽に参加し,天皇の扇を同席した足利義政の手添えで授けられるという栄誉を受けたという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In this ultraviolet sensor, a plurality of ultraviolet detecting elements having at least an ultraviolet ray transmitting electrode transmitting ultraviolet ray, an optical semiconductor layer containing at least one element selected from the group consisting of Al, Ga and In, and a counter electrode, are arrayed.例文帳に追加

少なくとも、紫外線を透過する紫外線透過電極と、Ａｌ、Ｇａ、及び、Ｉｎからなる群より選ばれる１以上の元素及び窒素を含有する光半導体層と、対向電極と、を有する紫外線検出素子が複数個配列されてなることを特徴とする紫外線センサーである。 - 特許庁

The charging member includes a surface layer, and at least the most outer surface portion of the surface layer contains oxygen and at least one metallic element selected out of a group composed of Ga and In and the oxygen content contained in at least the most outer surface portion of the surface layer is ≥15 atom%.例文帳に追加

表面層を有し、該表面層の少なくとも最表面部に、酸素と、金属元素としてＧａ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも１つを含み、前記表面層の少なくとも最表面部に含まれる前記酸素の含有量が１５原子％以上である。 - 特許庁

Consequently, the position of a held substrate G in the direction (Y direction) orthogonal to the advancing/retracting direction of the pincette is calculated from the timing for receiving reflected light when the sensor 9 moved through one side Ga and the number of rotational pulses of a motor.例文帳に追加

これにより、保持された基板Ｇの、ピンセットの進退方向と直交する方向（Ｙ方向）に関する位置は、センサ９が一辺Ｇａを通過移動したときの反射光を受光するタイミングと、モータの回転パルス数とにより算出さる。 - 特許庁

At the transporting step, a transporting speed of the receiving mold 20 is changed in the vicinity of a molding side part 34 of the molding mold 30, and the molten glass gob GA on the receiving surface 211 is slided to the molding surface 311 by an inertial force generated thereby.例文帳に追加

移送工程では、受け型２０の移動速度を成形型３０の成形側部３４近傍において変化させ、これにより生じる慣性力で受け面２１１上の溶融ガラス塊ＧＡを成形面３１１へとスライドさせる。 - 特許庁

The conductive material has transparency to visible light, is represented by chemical formula Ga_2-xM_xO_3(ZnO)_m (wherein m is a natural number; and M is an element capable of being substituted for Ga), and has a crystal structure shown in Fig.1.例文帳に追加

発明１は、可視光の透過性を有する導電性材料であって、化学式Ｇａ_２−ｘＭ_ｘＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは自然数。Ｍ：Ｇａに代替可能な元素）であらわされ、図１に示す結晶構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

To process and flatten the substrate surface of a Ga (gallium)-element containing compound semiconductor with high surface accuracy in a practical processing time, the compound semiconductor containing, e.g., GaN, GaAs, and GaP which have been increasingly demanded as materials of light emitting devices and electronic devices.例文帳に追加

発光デバイスや電子デバイスの材料として重要性が高まっているＧａＮ，ＧａＡｓ，ＧａＰ等のＧａ（ガリウム）元素を含有する化合物半導体の基板表面を、実用的な加工時間で、かつ表面精度高く平坦に加工できるようにする。 - 特許庁

When a state of causing deviation between the estimated deposit amount PMsm and actual deposit amount of PM is PMsm≤BUpm (Yes in S122), the value of exhaust pressure difference ΔP/GA is compared with a correction execution reference value Dp for determination (S126).例文帳に追加

ＰＭの推定堆積量ＰＭｓｍと実堆積量とに乖離を生じた状態を、ＰＭｓｍ≦ＢＵｐｍである時（Ｓ１２２でＹＥＳ）に、排気圧力差ΔＰ／ＧＡの値を補正実行基準値Ｄｐと比較して判定している（Ｓ１２６）。 - 特許庁