「a Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Combined addition of Ga+In or Sn+In is applied to a Pd-Ag-Au-Cu-based alloy to lower the melting point of the alloy and regulate a thermal expansion coefficient to <14.9×10^-6K^-1.例文帳に追加

Ｐｄ−Ａｇ−Ａｕ−Ｃｕ系合金にＧａ＋ＩｎもしくはＳｎ＋Ｉｎの複合添加を行うことにより合金の融点を下げ、かつ熱膨張係数が１４．９×１０^−６Ｋ^−１未満とする。 - 特許庁

A cylindrical toner recovery roll 23 is rotated in contiguity with and in opposition to a photosensitive drum 9 and a developing sleeve 21, and a DC voltage with the same polarity as the charge polarity of toner is applied to the toner recovery roll 23 to thereby electrostatically attach scattered reversely charged toner to the cylindrical surface thereof in a developing area GA.例文帳に追加

感光ドラム９及び現像スリーブ２１に近接対向させて、円筒状のトナー回収ロール２３を回転させ、トナーの帯電極性と同極性の直流電圧を印加して、現像領域ＧＡにおいて飛散した反転帯電トナーを円筒面に静電的に付着させる。 - 特許庁

The fastening hardware 25a is attached in such a position as to form a gap Ga between a side face of the substrate 11 and the fastening hardware 25a, in consideration of the thermal expansion of the substrate 11 because the fastening hardware 25a has been tightened with the bolt 26a when the substrate 11 has not yet been expanded by heat.例文帳に追加

固定金具２５ａ，…の取付け位置は、基板１１に熱膨張がない時にボルト２６ａ，…を締付けた時、基板１１側面と固定金具２５ａ，…間に熱張を考慮したギャップＧａが形成さる位置である。 - 特許庁

This light emitting diode is provided with a light emitting element in which nitride semiconductor having Ga is used at least as a light emitting layer, and a semiconductor protecting element which is connected in parallel with the light emitting element and used for electrically protecting the light emitting element.例文帳に追加

少なくとも発光層にＧａを有する窒化物半導体を用いた発光素子と、発光素子と並列接続され発光素子を電気的に保護するための半導体保護素子とを有する発光ダイオードである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic device, which can suppress thickness reduction of an oxide semiconductor film containing In, Ga, and Zn as a base film, and suppress deterioration in device characteristics due to the film thickness reduction when wet-etching a metal film.例文帳に追加

金属膜をウェットエッチングする際、下地膜である、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜の膜減りを抑制でき、該膜減りによる素子特性の劣化を抑制できる電子素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, in the electronic document production system, an anti-alias layer LA is generated which is a layer having a binarized image GA produced on the basis of the edge image, and being superimposed on the character image layer LC in a translucent state.例文帳に追加

また、電子文書生成システムは、当該エッジ画像に基づいて生成された二値化画像ＧＡを有するレイヤであって、文字画像レイヤＬＣに半透過状態で重畳されるレイヤであるアンチエイリアスレイヤＬＡを生成する。 - 特許庁

A semiconductor layer uses an oxide semiconductor film containing In, Ga, and Zn, and comprises an inverted stagger type (bottom gate structure) thin-film transistor, in which a buffer layer is formed among the semiconductor layer, a source electrode layer, and a drain electrode layer.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

A photosensitive organic system insulating film which serves as a second protection layer is formed on the Ga oxide film, the portion which matches a channel region in the photosensitive organic system insulating film is made to be a pattern, the portion other than that is made to be a non-pattern.例文帳に追加

Ｇａ酸化物膜上に第２の保護層となる感光性有機系絶縁膜を形成し、感光性有機系絶縁膜においてチャネル領域に整合する部分をパターン部とし、それ以外の部分を非パターン部とする。 - 特許庁

For instance, the uta-e depicting a torikabuto (a traditional hat worn when playing gagaku (ancient Japanese court dance and music)), a kaendaiko (a large drum decorated with flames), and Japanese maple leaves suggests the scene where the hero of "Genji Monogatari" performed an elegant dance "Seigaiha" (Blue Ocean Wave) donning a torikabuto under Japanese maple trees, which appears in the chapter of 'Koyo-no-ga' (An Autumn Excursion). 例文帳に追加

例えば、雅楽に用いる鳥兜と火炎太鼓に紅葉を添えたものは、源氏物語「紅葉の賀」で主人公が紅葉の下で鳥兜をかぶる優美な舞青海波を舞った場面を表す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Further, annealing processing is carried out to form an interface bond state in which the Ga-N bond is dominant in a nitriding layer 5, thereby the interface level density can be made to be much lower.例文帳に追加

また、アニール処理することにより、窒化処理層５においてＧａ−Ｎ結合が支配的となった界面結合状態を形成し、界面準位密度を一段と低減させることができる。 - 特許庁

There is provided a thin film transistor including an oxide, as an active material layer, comprising elements In, Ga and Zn in the ranges of atomic ratios of the following regions 1, 2 or 3, and has an electron field-effect mobility of 25 cm^2/Vs or greater.例文帳に追加

元素Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを下記領域１、２又は３の原子比の範囲で含む酸化物を活性層とし、電界効果移動度が２５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。 - 特許庁

In the substrate (17), glass (1) where an Mo conductive film (2) is formed on the top is used, and an In layer (3) and a Cu-Ga layer (4) are alternately repeated on the glass (1) to form the precursor thin film (5).例文帳に追加

基板（１７）は表面にＭｏ導電膜（２）を形成したガラス（１）を用い、その上にＩｎ層（３）とＣｕ−Ｇａ層（４）とが交互に繰り返して前駆体薄膜（５）を形成している。 - 特許庁

To provide a copper gallium alloy suitable for a hardly cracked sputtering target material, by reducing a dispersion of a gallium concentration in an inside of an alloy ingot, even in the copper-gallium alloy ingot having a relatively high composition ratio of Ga manufactured, for example, by melting and casting.例文帳に追加

例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きい銅ガリウム合金塊であっても、合金塊内部でのＧａ濃度のばらつきを少なくして、ひび割れしにくいスパッタリングターゲット材に適した銅ガリウム合金を提供する。 - 特許庁

In the steering device, a damping control unit 130 sets a product of a reference damping torque Tb set by a reference damping control unit 131 and an adjustment gain Ga set by an adjustment gain setting unit 1341 according to a road width evaluation value, as a damping torque.例文帳に追加

ダンピング制御部１３０は、基本ダンピング制御部１３１によって設定した基本ダンピングトルクＴｂと、調整ゲイン設定部１３４１によって道幅判定値に応じて設定した調整ゲインＧａとの積をダンピングトルクとして設定する。 - 特許庁

The system comprises a mobile information terminal Ha with a browser function; a computer Ea with a server function; a storage means Eb for storing data on the management of the conveying in and out of materials and equipment and lifting; a computer Fa with a browser function; and a mobile information terminal Ga with a browser function.例文帳に追加

Ｈａは、プラウザ機能付の携帯型情報端末、Ｅａはサーバー機能を有するコンピュータ、Ｅｂは資機材の搬出入・揚重管理データを記憶する記憶手段、Ｆａはプラウザ機能付のコンピュータ、Ｇａはプラウザ機能付の携帯型情報端末である。 - 特許庁

This exhaust emission control device 1 has a plurality of purification catalysts 2, 3 arranged in an upstream and a downstream of an exhaust passage 100 of an internal combustion engine 100, cross section area of the purification catalyst 2 in the upstream side can be varied in relation to flow of exhaust gas GA.例文帳に追加

内燃機関１００の排気通路１０６に前後して複数の浄化触媒２，３を配置している排気浄化装置１であって、排気ガスＧＡの流れに対して、上流側の浄化触媒２の横断面積を可変とした。 - 特許庁

At the time of acquiring pay data, a terminal a-1 displays a download list page at a display part, and when any pay data desired by a user are present in the page, the terminal a-1 communication-connects to a terminal a-2 in the same group Ga holding the pay data, and receives the desired pay data, and updates a download information file.例文帳に追加

端末ａ−１は、有料データを取得する際に、ダウンロード一覧ページを表示部に表示し、このページ内にユーザが希望する有料データが有れば、この有料データを保有する同じグループＧａ内の端末ａ−２と通信接続し、希望する有料データを受信して、ダウンロード情報ファイルを更新する。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium contains magnetic crystal particles and a base material surrounding the magnetic crystal particles, and the base material contains an element selected from Zn, Cd, Al, Ga and In, and a component selected from P, As, Sb, S, Se, and Te.例文帳に追加

磁性結晶粒子と、この磁性結晶粒子を取り囲む母材とを有し、母材は、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎから選択される元素と、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅから選択される成分を含有する。 - 特許庁

A reducing agent is added from a reducing agent supply nozzle 25 in response to an adding quantity and an adding interval set based on the increased actual exhaust gas flow rate Ga and the NOx reducing catalyst bed temperature.例文帳に追加

また、増大された実排気ガス流量ＧａとＮＯｘ還元触媒床温に基づいて設定される添加量、添加間隔にしたがって還元剤供給ノズル２５から還元剤が添加される。 - 特許庁

To adjust specific resistance of a sputtering target comprising In, Ga and Zn to 2.0×10^-2 Ωcm or less so as to enable formation of a Zn_xGa_yIn_zO_(x+3y/2+3z/2) thin film by DC sputtering.例文帳に追加

Ｚｎ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＯ_（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）薄膜をＤＣスパッタリングで作製可能なようにＩｎとＧａとＺｎと酸素とからなるスパッタリングターゲットの比抵抗を２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下にすること。 - 特許庁

The substrate for forming the film is constituted of a solid solution single crystal in which at least one kind selected from Ga, Ti and Nb is added to a (Cr_xAl_1-x)_2O_3 (wherein, 0≤x≤1) single crystal.例文帳に追加

本発明の膜形成用基板は、（Ｃｒ_xＡｌ_1-x）_2Ｏ_3（０≦ｘ≦１）単結晶にＧａ、ＴｉおよびＮｂから選ばれる少なくとも１種が添加された固溶体単結晶から構成されている。 - 特許庁

To achieve a III-V nitride semiconductor thin film of good quality in which the surface of an Si substrate does not deteriorate and the throughput does not lower even if Ga or N radicals are generated from matters adhering to the inside of a furnace.例文帳に追加

炉内付着物からＧａやＮラジカルの発生が起こってもＳｉ基板表面を劣化させず、さらにはスループットを落すことなく良質なIII−Ｖ族窒化物半導体薄膜を実現すること。 - 特許庁

This phosphor material is obtained by using a material obtained by doping ZnS with at least one ion among Y, La, Sc, Al, Ga and In ions, as a preform and activating the preform with Ce ion which is an activating agent.例文帳に追加

Ｙ，Ｌａ、Ｓｃ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎイオンのうち少なくとも１つのイオンををＺｎＳにドープしたものを母材として用い、この母材に付活剤であるＣｅイオンを付活させた蛍光体。 - 特許庁

Shui shu (abridged form of Shui wakashu) in general has a plain and graceful style, and includes many poems for formal occasions such as ga no uta (poems for congratulations), byobu uta (poems matching with a painting on the byobu, folding screen), and poems for uta awase (poetry competition), and especially includes excellent ones of love, eight of which were selected for Ogura Hyakunin Isshu (the Ogura One Hundred Poets, One Poem Each). 例文帳に追加

『拾遺集』は総じて平明優美な歌風で、賀歌・屏風歌・歌合など晴れの歌が多いが、殊に恋歌はすぐれ、小倉百人一首に8首も採られている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The first and second heat-resistance reinforcing layers are each formed of a layer using selenium as a main body and containing 10-40 wt.% in total of one or more constituents out of As, Ge and Ga.例文帳に追加

第１、第２の耐熱強化層は、セレンを主体とし、Ａｓ、Ｇｅ、Ｇａのうち少なくとも一以上の成分を総量で１０重量パーセント以上４０重量パーセント以下含有する層とする。 - 特許庁

A free magnetic layer 16 is a laminate of Co_2MnZ alloy layer 16a (Z is one kind or more of elements including Al, Sn, In, Sb, Ga, Si, Ge, Pb, Zn) and Co_aFe_100-a alloy layer 16b.例文帳に追加

フリー磁性層１６はＣｏ_２ＭｎＺ合金層１６ａ（ＺはＡｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上の元素）とＣｏ_ａＦｅ_１００−ａ合金層１６ｂの積層体である。 - 特許庁

A map MAPc is created by using a catalyst bed temperature, which influences on activity of catalytic reaction, and an intake air volume GA as parameters, and the map MAPc is used for calculating a PM oxidative rate Vc (in S104).例文帳に追加

ＰＭ酸化速度Ｖｃを算出するために、触媒反応の活性に影響する触媒床温と共に吸入空気量ＧＡをパラメータとして作成したマップＭＡＰｃを用いている（Ｓ１０４）。 - 特許庁

A first generation unit 62 generates a processing coefficient sequence GA in which a coefficient value g[k] for each frequency is set so as to emphasize the localization component through subtraction processing including subtraction between the sum component M and the difference component S.例文帳に追加

第１生成部６２は、定位成分が強調されるように周波数毎の係数値ｇ[k]が設定された処理係数列ＧAを、和成分Ｍと差成分Ｓとの間の減算を含む減算処理で生成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the nitride semiconductor element comprises the step of forming a semiconductor layer containing at least one or more of elements selected from the group consisting of Al, Ga and In on the surface of a substrate by using a mask.例文帳に追加

基板表面に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの内の１以上の元素及び窒素を含む半導体層を、マスクを用いて形成することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

In one embodiment, sodium tetraborate is reduced to sodium and boron by at least one among a hydrocarbon, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a metal hydride, Al, Ga, Si or P.例文帳に追加

本発明の一態様においては、四ホウ酸ナトリウムは、炭化水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、金属水素化物、Ａｌ、Ｇａ、ＳｉまたはＰの少なくとも一つによりナトリウムとホウ素に還元される。 - 特許庁

Of all the books he wrote, the most famous is "Sayonara dake ga jinsei da: Eiga kantoku Kawashima Yuzo no shogai" ("Life is only a chorus of goodbyes: the life of director Yuzo KAWASHIMA," published by Nobel Shobo in 1968). 例文帳に追加

『サヨナラだけが人生だ　映画監督川島雄三の生涯』（ノーベル書房：昭和43年）この川島雄三の追悼録が、今村の著作の中でもっとも有名なものとされる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

About 600 mirrors from the end of the Heian through until the Edo period were excavated from a pond commonly known as 'Kagami-ga-ike Pond' in the Mt. Haguro, one of Dewa sanzan (three mountains of Dewa) (Yamagata Prefecture) (Tsuruoka City, Yamagata Prefecture). 例文帳に追加

出羽三山のひとつ羽黒山(山形県)（山形県鶴岡市）の通称「鏡ヶ池」からは、平安時代末期から江戸時代のものまで600面におよぶ鏡が出土している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Video signals outputted from the four pixels provided with the color filters R, B, Ga, Gb are sent in parallel to A/D conversion units 4a-4d and outputted as digital signals.例文帳に追加

そして、色フィルタＲ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｂが設けられた４画素から出力される映像信号を並列的にＡ／Ｄ変換部４ａ〜４ｄに送出し、デジタル信号として出力する。 - 特許庁

Since a fixed negative charge layer in high density by the ionized Ga voids 14 exists, the curvature of energy band becomes large, the Schottky barrier becomes thin, and the ohmic property is materialized.例文帳に追加

イオン化したＧａ空孔１４による高密度の固定負電荷層が存在するため、エネルギーバンドの曲率が大きくなり、ショットキー障壁が薄くなって、オーミック特性が実現する。 - 特許庁

Hama no masago to goemon ga, uta ni nokoseshi nusutto no, tane wa tsukinee shichirigahama, sono shiranami no yobataraki, izen o iyaa enoshimade, nenkizutome no chigogafuchi (As Goemon ISHIKAWA's death poem says, there are innumerable thieves in this world like sand of Shichirigahama beach, and I am one of the thefts who once was a page boy working as apprentice at Enoshima Island.) 例文帳に追加

浜の真砂と石川五右衛門が、歌に残せし盗人の、種は尽きねえ七里ヶ浜、その白浪の夜働き、以前を言やあ江ノ島で、年季勤めの稚児ヶ淵、 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the process for growing a nitride thin film on a substrate, a Ga face 2 growing on +c face and an N face 3 growing on -c face are formed on a c face sapphire (Al_2O_3) substrate 1.例文帳に追加

基板上への窒化物薄膜の成長方法において、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板１上に＋ｃ面で成長するＧａ面２と、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板上に−ｃ面で成長するＮ面３とを形成する。 - 特許庁

In fuel injection (second fuel injection F2) during a compression stroke, first spray Ga injected from a first injection hole 40a at an uppermost part is set to be oriented to a hollow cavity 34 at a piston top surface 30.例文帳に追加

圧縮行程での燃料噴射（二回目の燃料噴射Ｆ２）では、最上部の第一噴口４０ａから噴射された第一噴霧Ｇａがピストン冠面３０の凹状キャビティ３４を指向するように設定されている。 - 特許庁

To stably provide an epitaxial wafer outputting light highly uniformly, when used as a LED, and further hardly having an output difference among the same LED array and chips, when used as the LED array, by uniformly controlling the concentration of a carrier in a group III-V element compound semiconductor layer containing Ga and As a constituting elements.例文帳に追加

ＧａおよびＡｓを構成元素として含むIII-Ｖ族化合物半導体層中のキャリア濃度を均一にし、ＬＥＤとして用いた場合に光出力が非常に均一なエピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

This microcrystalline compound optical semiconductor includes a microcrystalline compound of 50% or more in its structure, which contains hydrogen, Ga, and a nitrogen element in a range from 0.5 atom% or more to 40 atom% or less, and the size of microcrystal is 0.1 μm or larger to 100 μm or smaller.例文帳に追加

０．５原子％以上４０原子％以下の水素とＧａとチッ素元素とを含有する微結晶化合物を構造内に５０％以上有し、微結晶の大きさが０．１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Or, as in an expression 'muri ga tatatte' (overwork torments a person), the word "tataru" is used to express the principle of indirect causality in which an indirect impact of a cause works adversely, rather than a direct damage done by the cause. 例文帳に追加

あるいは、「無理が祟って」などの表現にみられるように、原因が直接的に被害を与えるというよりも、どちらかというと間接的な影響が不幸な方向に働くといった、不完全な因果律を表現する場合に用いられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a thin-film transistor using an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode or drain electrode is reduced, and to provide a method of manufacturing the thin-film transistor.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

In this manufacturing method of the ferromagnetic particles, an M_2(CO)_8 (in this case, M is a magnetic metal or alloy) gas is introduced, and a Ga^+ ion beam is applied to the gas by scanning, thus manufacturing the particles made of M.例文帳に追加

チェンバー内にＭ_2（ＣＯ）_8（Ｍは磁性金属または合金）ガスを導入し、該ガスにＧａ^+イオンビームをスキャンしながら照射することによりＭからなるパーティクルを作製することを特徴とする強磁性パーティクルの作製方法。 - 特許庁

A light source 21 is arranged on the upstream side in the running direction of the web 13 while a CCD camera 22 is arranged on the downstream side in the running direction of the web 13 and image processing is performed to measure the gap Ga between the slot die 10 and the web 13 to positionally adjust the slot die 10.例文帳に追加

ウエブ１３の走行方向上流側に光源２１、下流側にＣＣＤカメラ２２を設置し、画像処理を実施してスロットダイ１０とウェブ１３との隙間Ｇａを計測し、スロットダイ１０の位置調整を行った。 - 特許庁

When a user uses the remote controller 300 and displays a screen for setting image quality on the television 100, the user operates the numeric key corresponding to each of three kana characters of "ga", "shi", and "tsu" each in Japanese, each once, only three times in total.例文帳に追加

ユーザがリモコン３００を使用して、テレビ１００に画質の設定を行う画面を表示する場合、ユーザは「が」、「し」、および「つ」の３つの仮名文字のそれぞれに対応する数字キーをそれぞれ１回、合計３回だけ操作する。 - 特許庁

The nitride crystal is produced by inserting an introducing pipe 6, to which gaseous nitrogen is fed, into Ga molten liquid 4, then cracking the gaseous nitrogen in the introducing pipe 6 by the cracking action caused by a high frequency oscillating solenoid coil 5 and sending the formed nitrogen radical into the Ga molten liquid 4.例文帳に追加

窒素ガスを送り込まれる導入管６をＧａ融液４の中に挿入し、高周波発振ソレノイドコイル５からのクラッキング作用によって導入管６内の窒素ガスをクラッキングし、これにより発生する窒素ラジカルをＧａ融液４の中に送り込むことによって窒化物結晶を製造する。 - 特許庁