「a Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Accordingly, an In material gas contained in the material gas supplied from the material gas supply section 104 contacts, for example, the metal Ga heated at 50°C by passing through the gallium arranging section 105, and then, is supplied to the surface of a substrate W.例文帳に追加

従って、原料ガス供給部１０４より供給される原料ガスに含まれているＩｎ原料ガスは、ガリウム配置部１０５を通過することで、例えば５０℃に加熱された金属Ｇａに接触し、この後、基板Ｗの表面に供給されることになる。 - 特許庁

The holding surface 6 of the cutting blade 10 established in the base member 2 is prepared with an inclination angle θ1 in a direction which gradually separates from the first guide surface 3 toward the other side Gd from the one side Ga of the glass substrate G to the first guide surface 3.例文帳に追加

ベース部材２に設けた切断刃１０の保持面６は、第１の案内面３に対して、ガラス基板Ｇの一面Ｇａから他面Ｇｄに向かって、第１の案内面３から漸次離れる方向の傾斜角度θ１をもって設けられている。 - 特許庁

The copper alloy material has a composition comprising, by mass, 0.05 to 0.3 mass% Zr, and comprising one or more kinds selected from Mg, Ti, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Ag, In and Sn by 0.01 to 0.3 mass% in total, and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

銅合金材は、Ｚｒを０．０５〜０．３質量％含有し、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎの中から選択した１種以上を総量で０．０１〜０．３質量％含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

In a method of manufacturing the insulated gate transistor whose the active layer is comprised of the oxide containing at least one element of In, Ga and Zn, the desorption gas observed as the water molecule by the temperature rising desorption analysis is 1.4 molecules/nm^3 or less.例文帳に追加

活性層がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎの内、少なくとも1つを含む酸化物である絶縁ゲート型トランジスタの製造方法において、活性層の成膜後の、昇温脱離分析により水分子として観測される脱離ガスを１．４個／ｎｍ^３以下とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing a p-type semiconductor crystal by subjecting the semiconductor crystal to donor acceptor simultaneous doping, the semiconductor crystal (for example, ZnO) is supplied intermittently with donor impurities (for example, Ga), in the manufacturing process of the p-type semiconductor crystal.例文帳に追加

半導体結晶にドナー・アクセプタ同時ドーピングを行ってp型半導体結晶を製造する方法において、上記p型半導体結晶の製造過程において、上記半導体結晶（たとえば、ＺｎＯ）にドナー不純物（たとえば、Ｇａ）を断続的に供給する。 - 特許庁

In the central rubber part GA, tangent loss tanδA is made to 2.5 times of tangent loss tanδB of the outer rubber part GB and complex modulus of elasticity E^*A is made to 0.6 times of complex modulus of elasticity E^*B of the outer rubber part GB.例文帳に追加

中央ゴム部ＧＡは、その正接損失 tanδＡを、外側ゴム部ＧＢの正接損失 tanδＢの２．５倍以上とし、しかもその複素弾性率Ｅ^* Ａを、外側ゴム部ＧＢの複素弾性率Ｅ^* Ｂの０．６倍以下とした。 - 特許庁

The joining material is composed of an Al-based alloy layer containing metals of one or more out of Mg, Sn, Ge, Ga, Bi and In, and a Zn-based alloy layer provided on an outermost surface of the Al-based alloy layer.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｉｎのうちの１種以上の金属を含有するＡｌ系合金層と、前記Ａｌ系合金層の最表面に設けられたＺｎ系合金層とからなることを特徴とする接続材料。 - 特許庁

The ultraviolet excitation phosphor, the electron beam excitation phosphor and the collision excitation type phosphor are each characterized in that the matrix material obtained by adding gallium (Ga) as a constituent element to lanthanum trioxide (La_2O_3) includes at least bismuth (Bi) as an activator.例文帳に追加

構成元素として酸化ランタン（Ｌａ_２Ｏ_３）にガリウム（Ｇａ）を添加した母体材料に、付活剤として少なくともビスマス（Ｂｉ）を含有することを特徴とする紫外線励起、電子線励起及び衝突励起型蛍光体にある。 - 特許庁

In the Genroku era, Yuzensai, who was then a painter of brilliant and colorful Kacho-ga and portraits, hit on while studying dyestuff the idea of hand-written dyeing that employs the technique of painting and completed the original model of Yuzen-zome (one of the dyeing process). 例文帳に追加

元禄時代、華やかで色鮮やかな花鳥画や人物画を描く扇絵師であった友禅斎は、染料の研究中絵を書く要領で手書き染色をする事を考案し、友禅染の原型を完成させた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Further the method of manufacturing silicon crystal is that after adding Ga and B into silicon molten liquid in the crucible by Bridgeman method, a silicon multicrystal rod is grown by pulling down the crucible out of heating region.例文帳に追加

および、シリコン結晶の製造方法において、ブリッジマン法により、ＧａとＢをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記ルツボを加熱領域から引き下げることによってシリコン多結晶棒を育成するシリコン結晶の製造方法。 - 特許庁

Then, the supply of the material source of O is stopped, and the material source of the n-type dopant Ga is supplied additionally, thus doping the p- and n-type dopant in the semiconductor layer as a p-type ZnO layer 2a (b).例文帳に追加

そして、Ｏの材料源の供給を止め、ｎ形ドーパントであるＧａの材料源をさらに供給することによりｐ形ドーパントおよびｎ形ドーパントを前記半導体層にドーピングし、ｐ形ＺｎＯ層２ａとする（ｂ）。 - 特許庁

A potential of the connection terminal Ta to which one end of the strain gage Ga is connected is extracted by an amplifier AMP4, and an error voltage portion in the ON-state resistance of the switch element Sc' and the switch element SW2 is extracted by an amplifier AMP5.例文帳に追加

ひずみゲージＧａの一端が接続される接続端子Ｔａの電位を増幅器ＡＭＰ４で抽出し、スイッチ素子Ｓｃ′とスイッチ素子ＳＷ２のオン抵抗における誤差電圧分を増幅器ＡＭＰ５で抽出する。 - 特許庁

A planning processing monitoring part 13 always monitors the arithmetic processing of the BBM and GA in the optimal water operation planning part 12, and outputs the arithmetic result of the method whose arithmetic operation is ended first as an optimal planned value.例文帳に追加

計画処理監視部１３は、最適水運用計画部１２内でのＢＢＭ及びＧＡの演算処理を常時監視し、先に演算を終了した方の手法の演算結果を最適計画値として出力させる。 - 特許庁

Regarding the kanji character for "Ryo," the old-style character is also commonly used for Ryoma partly because Ryotaro SHIBA used the old style in his novel "Ryoma ga Yuku" and the old-style character was selected as a "Kanji Designated for Everyday Use" although Ryoma himself never used the old-style character. 例文帳に追加

なお、「竜」は「龍」の異体字（「竜」は「龍」の古体字）で、龍馬自身は「竜」の字体を使ったことがないが、司馬遼太郎の「竜馬がゆく」で使われたことや、「竜」が常用漢字に採用されたこともあり、慣用化されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On the n-type GaN substrate 11 in which the groove 16 is formed, a GaN-based semiconductor layer 25 which includes an active layer 19 formed of a nitride-based III-V group compound semiconductor including In and Ga is grown to manufacturer a GaN-based semiconductor laser having the end surface window structure.例文帳に追加

この溝１６が形成されたｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させることにより、端面窓構造を有するＧａＮ系半導体レーザを製造する。 - 特許庁

A low-resistance n-type AlN crystal is obtained by substituting a part of Al atoms in an AlN crystal with group IIIa elements (such as Sc, Y and La) or/and group IIIb elements (such as B, Ga and In), and substituting one adjoining nitrogen (N) atom with an oxygen (O) atom to form a shallow impurity level.例文帳に追加

本発明によれば、ＡｌＮ結晶のＡｌ原子の一部を、IIIａ族元素（Ｓｃ,Ｙ,Ｌａ等）又は／及びIIIｂ族元素（Ｂ,Ｇａ,Ｉｎ等）で置換し、隣接する窒素（Ｎ）１原子を酸素（Ｏ）原子で置換することにより、浅い不純物準位が形成され、低抵抗ｎ型ＡｌＮ結晶を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor, wherein an In-Ga-Zn-O group homologous oxide semiconductor is used as an active layer, damage in the active layer is suppressed without forming an etching stopper layer, and resistance of source-drain electrodes can be reduced; and to provide a method for manufacturing an electro-optical device.例文帳に追加

活性層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ホモロガス酸化物半導体を用い、エッチングストッパー層を形成することなく活性層のダメージを抑制するとともに、ソース・ドレイン電極の低抵抗化を図ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device comprises at least a substrate, an active layer composed of a nitride semiconductor mainly containing In and Ga, a p electrode, and an n electrode, and is characterized in that at least one of the p electrode and the n electrode is electrically divided into two or more regions.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子は、少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有する窒化物半導体からなる活性層、ｐ電極およびｎ電極を含むものであって、ｐ電極およびｎ電極の少なくとも一方が電気的に２領域以上に分離されていることを特徴としている。 - 特許庁

Alternatively, a metal foil to form the negative electrode current collector 21 is prepared separately from the first laminate, and a second laminate 2 is fabricated by forming an adhesive layer 40 composed of an element selected from Si, Al, Ga, Ge, In, Sn, Tl, and Pb on one face side of that metal foil by a vapor-phase method.例文帳に追加

一方、第一積層体１とは別個に、負極集電体２１となる金属箔を用意し、その金属箔の一面側に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＴｌおよびＰｂから選択される元素からなる接着層４０を気相法により形成して第二積層体２を作製する。 - 特許庁

The filling auxiliary member 14 is a protruded member for pushing the rubbery elastic material Ga in a region where the filling with a material is insufficient at the time of molding of the annular member Wa and attached so as to inclined toward the lower sides of the molding plate 11 and the annular reference member Q.例文帳に追加

充填補助部材１４は、環状部材Ｗａの成形時に材料の充填に不十分な部位に、前記ゴム状弾性材料Ｇａを押し込む突起状の部材であり、成形プレート１１と円環状基準部材Ｑの下部側に向かって傾斜させて取付けてある。 - 特許庁

This alkaline battery comprises crosslinked polymer A, whose main constituent monomer unit is (meth)acrylic acid (salt), of which the gelling agent has a gel (GA) viscosity ratio (N1/N60) of 0.7 to 1.3 and the content of components soluble in a 37 wt.% aqueous solution of potassium hydroxide is not more than 30 wt.%.例文帳に追加

（メタ）アクリル酸（塩）を主構成単量体単位とする架橋重合体（Ａ）からなり、ゲル（ＧＡ）の粘度比（Ｎ１／Ｎ６０）が０．７〜１．３、及び３７重量％水酸化カリウム水溶液への可溶性成分量が３０重量％以下であるアルカリ電池用ゲル化剤及びアルカリ電池。 - 特許庁

The La.Sr.Ga.Mg.Ox-based sintered body contains at least one selected from Ga and In, a transition metal element of Group I of Periodic Table, a divalent metal element, or trivalent metal element at the amount of 1 to 6 parts by weight relative to 100 parts by weight of a La.Sr.Ga.Mg.Ox- based oxide.例文帳に追加

ランタンガレート系酸化物１００重量部に対して、ＧａとＩｎのうち少なくとも１種、第一系列主要遷移金属元素、二価金属元素、または三価金属元素を、酸化物換算で１重量部以上６重量部以下含有することを特徴とするランタンガレート系焼結体。 - 特許庁

The semiconductor device includes an inverted staggered (bottom gate structure) thin-film transistor, where an oxide semiconductor film including In, Ga, and Zn is used as a semiconductor layer, and a buffer layer formed using a metal oxide layer is provided between the semiconductor layer and source and drain electrode layers.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

The method of manufacturing silicon crystal is that after adding Ga and phosphorus into silicon molten liquid in a crucible by Czochralski method, a silicon single crystal is grown by making a seed crystal contact with silicon molten liquid and pulling it up while revolving it.例文帳に追加

シリコン結晶の製造方法において、チョクラルスキー法により、Ｇａとリンをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記シリコン融液に種結晶を接触させ、これを回転しながら引き上げることによってシリコン単結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。 - 特許庁

In a so-called flux method where GaN crystals are grown by supplying nitrogen (N) from the vapor phase to a molten liquid of gallium (Ga) alloyed with another metal, the GaN crystal with a low impurity concentration is stably produced by using gold (Au) as the flux.例文帳に追加

ガリウム（Ｇａ）と他の金属を合金化した融液に、気相から窒素（Ｎ）を供給することによってＧａＮ結晶を成長させる、所謂フラックス法において、フラックスとして金（Ａｕ）を用いることにより、不純物濃度が低いＧａＮ結晶を安定して作製する。 - 特許庁

In the formulae, the element A is one or more elements selected from among alkali metals and alkaline earth metals; the element M is B, Na, Mg, Al, K, Ca, Sc, Ti, V, Zn, Ga, Sr, Y, Zr, Nb, Ba, La, Hf or Ta other than the element A; and the element B is a tri- or tetravalent element.例文帳に追加

なお、元素Ａはアルカリ金属およびアルカリ土類金属の１種以上の元素で、元素Ｍは元素Ａ以外のＢ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａで、Ｂ元素は３価又は４価の元素である。 - 特許庁

The sputtering target contains an oxide of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a homologous structured compound expressed as InGaO_3 (ZnO)_m (where m represents an integer of 1-20), and a spinel structured compound expressed as ZnGa_2O_4.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表されるホモロガス構造化合物及びＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。 - 特許庁

Based on the amount (passage air intake amount GA) of air passing through the upstream side of a connection portion of the fresh air guide passage in the air intake passage, a throttle opening TA, and an air intake pressure PM, an estimated PCV flow rate MP is calculated (S102 and S103).例文帳に追加

吸気通路における新気導入通路の接続部分より上流側部分を通過する空気の量（通路吸気量ＧＡ）とスロットル開度ＴＡと吸気圧力ＰＭとに基づいて推定ＰＣＶ流量ＭＰを算出する（Ｓ１０２，Ｓ１０３）。 - 特許庁

An optical semiconductor device includes: a Ge layer 2; a first GaAs layer 3 which is formed on the Ge layer 2 and in which an As site of GaAs is partially substituted with Ga; and an active layer 4, containing GaAs, formed above the first GaAs layer 3.例文帳に追加

光半導体素子を、Ｇｅ層２と、Ｇｅ層２上に形成され、ＧａＡｓのＡｓサイトの一部がＧａで置換されている第１ＧａＡｓ層３と、第１ＧａＡｓ層３の上方に形成されたＧａＡｓを含む活性層４とを備えるものとする。 - 特許庁

In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体を成長する方法では、第１の原料ガス（Ｎソース）、第２の原料ガス（Ａｓソース）および第３の原料ガス（Ｇａソース、Ｉｎソース）を用いて、ヒ素およびリン（Ｖ族構成元素）を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素（Ｖ族構成元素）を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体を成長する。 - 特許庁

To provide an inexpensive bulk type manganese silicide single crystal or polycrystal doped with Ga or Sn that is effectively used as a thermoelectric conversion material, an optical sensor, an optical element, etc., expected to have a high performance index at an intermediate temperature of approximately 300 to 600°C, and to provide a method of manufacturing the same in which the manufacture is easily and safely achieved in a short time.例文帳に追加

約３００〜６００℃の中温で高い性能指数が期待できる熱電変換材料や光センサ、光学素子などとして有効利用できる安価なＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体の提供および短時間でしかも安全に容易に製造できる製造方法の提供。 - 特許庁

A phosphor layer of this plasma display panel is formed by attaching at least one of metal oxide fine particles containing at least one of Al, Zn, In, Ga, Ge, and Bi and diamond fine particles as modifying material for improving luminance on a surface of a phosphor particle or by mixing with the phosphor particle in a matrix of the phosphor layer.例文帳に追加

Ａｌ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｇａ，ＧｅおよびＢｉの少なくとも一種を含む金属酸化物微粒子、およびダイヤモンド微粒子から選ばれる少なくとも一つを輝度改善修飾材料として蛍光体粒子の表面に付着させるか、もしくは蛍光体層のマトリックス中に蛍光体粒子と共に混在させて、プラズマディスプレイパネルの蛍光体層を構成する。 - 特許庁

To provide glass which has excellent water resistance, is less liable to crystalize even in sealing or subsequent heat treatment, achieves a low sealing temperature and a desired expansion coefficient, and is suitable for sealing or the like with a Tg of 450°C or lower, without containing oxides of Pb, Ge, Ga, etc., or a halogen component such as fluorine, or without containing oxides of Sn and Cu in large quantities.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の膨張係数を実現でき、Ｔｇが４５０℃以下の封着等に適したガラスを提供する。 - 特許庁

The first grid part GA having a gauge resistance Rga is arranged at a first predetermined distance DA in the longitudinal direction from one end LE of the gauge base 11 in longitudinal direction, and the second grid part GB having a gauge resistance Rgb is arranged at a second predetermined distance DB from the one end LE longer than the first predetermined distance DA.例文帳に追加

ゲージベース１１の長手方向の一端ＬＥから長手方向について第１の所定距離ＤＡに配置されるゲージ抵抗Ｒｇａの第１のグリッド部ＧＡ、並びに一端ＬＥから第１の所定距離ＤＡよりも長い第２の所定距離ＤＢに配置されるゲージ抵抗Ｒｇｂの第２のグリッド部ＧＢを有する。 - 特許庁

To provide a sealing glass which excels in water resistance, is hard to crystallize in sealing time or also in heat treatment after that, can realize a low sealing temperature and a desired thermal expansion coefficient, and has a high transmittance of visible light, even not including the oxides of Pb, Ge, Ga or the like, or halogen components such as fluorine, or even not including the oxides of Sn and Cu so much.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の熱膨張係数を実現でき、可視光の透過率が高い封止用ガラスを提供すること。 - 特許庁

As the application solution for oxide thin film formation, a solution is used which contains at least two or more kinds of β-diketone complex of single metal constituted of β-diketone complex of single metal of In, Ga, Al or Zn and having ≥10 carbon atoms in one ligand and represented by formula (I).例文帳に追加

式（Ｉ）に示すβ−ジケトン錯体であって配位子１つの炭素数が１０以上のＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｚｎの単一金属のβ−ジケトン錯体から構成される単一金属のβ−ジケトン錯体を、少なくとも２種以上を含む溶液を塗布溶液に用いる。 - 特許庁

In the transferring step, the molten glass lump GA on the reception surface 211 is transferred to the molding surface 311 while keeping a state being in contact with the molding surface 311 by rotating the reception mold 20 or the reception mold 20 and the molding mold 30 while the reception mold 20 and the molding mold 30 are approaching each other.例文帳に追加

移送工程では、受け型２０及び成形型３０を互いに近接しつつ、受け型２０、又は受け型２０及び成形型３０を回転することで、受け面２１１上の溶融ガラス塊ＧＡを、成形面３１１に接触する状態を維持しつつ成形面３１１へと移す。 - 特許庁

Typical examples of these include Tsutsuji-ga-saki Castle (Yamanashi Prefecture) of the Takeda clan in the Kai Province and Ichijodani Asakura Clan Ruins (Fukui Prefecture) in the Echizen Province; Ichijodani Castle had a residence and their castle town within the valley and defend themselves making the castle on the peak of the mountain as their base when enemies attacked them. 例文帳に追加

典型例は、甲斐国武田氏の躑躅ヶ崎館（山梨県）や越前国朝倉氏の一乗谷朝倉氏遺跡（福井県）などがあり、一乗谷城は谷間に城下町と居館としての館を築き、有事に際しては山頂に築かれた城郭を拠点として防衛にあたった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The sintered oxide is obtained by mixing a zinc oxide, a tin oxide, and an oxide of at least one metal (metal M) selected from a group composed of Al, Hf, Ni, Si, Ga, In, and Ta and sintering the mixture, the sintered oxide having a Vickers hardness of 400 Hv or higher.例文帳に追加

本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、ビッカース硬度が４００Ｈｖ以上である。 - 特許庁

An electrode film of low resistor which is mainly composed of TISi_2 is formed by the occurrence of a TiSi_2 part 12 by the reaction with the Si and Ti, a TiN part 13 by the reaction with the Ti and the AlGaN, a nitrogen vacancy 14, and a metallic part of group III with Ga and Al having lost nitrogen in the ohmic contact forming region 11.例文帳に追加

コンタクト形成領域１１内で、ＳｉとＴｉとの反応によるＴｉＳｉ_２部分１２、ＴｉとＡｌＧａＮとの反応によるＴｉＮ部分１３、および窒素空孔１４、窒素を失ったＧａとＡｌのＩＩＩ 族金属部分が発生して、ＴｉＳｉ_２を主体とする低抵抗の電極膜が形成される。 - 特許庁

The measured ground potential difference data are recorded every fixed time by a data logger 2, and transmitted to a personal computer 7 set in an observation station or the like through a data transmitting means 3, where necessary processing such as noise removal or the like is performed to evaluate a collapse or breakage precursory phenomenon of the ground of the area GA.例文帳に追加

測定された地電位差データは、データロガー２によって一定時間毎に記録され、観測基地等に設置されたパーソナルコンピュータ７にデータ送信手段３を介して送信され、ここでノイズの除去等、必要な処理が行われ、予測対象領域Ｇ_Ａの地盤の崩壊又は破壊前兆現象を評価する。 - 特許庁

The phrase 'shiraha no ya ga tatsu' which means to be selected among people originates from the tale which has been transmitted in various parts of Japan, that is, 'an arrow is shot as a sign on the roof of the house of which daughter becomes a victim of god or a monster,' so that it does not have a good meaning originally and shows the spiritual aspect of Yumiya. 例文帳に追加

望まれて抜擢されるという意味の「白羽の矢が立つ」とは、元は「神や物の怪の生け贄となる娘の選択の明示として、その娘の家の屋根に矢が立つ（刺さる）」という、日本各地で伝承される話から来ており、本来は良い意味ではなく、心霊現象としての弓矢を現してる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In an ECU 30, a linear model 40 is constructed using an intake air amount Ga, an fuel injection amount Fi, and an ignition timing Sa as model input information and using an engine revolving speed Ne, an air-fuel ratio Af, and torque Tq as model output information.例文帳に追加

ＥＣＵ３０内に、吸入空気量Ｇａ、燃料噴射量Ｆｉ、および点火時期Ｓａをモデル入力情報とし、エンジン回転数Ｎｅ、空燃比Ａｆ、およびトルクＴｑをモデル出力情報とする線形モデル４０を構築する。 - 特許庁

The sputtering target has a composition that includes 20 to 40 at% Ga and 0.05 to 1 at% Na as metal components other than fluorine, with the remainder being Cu and unavoidable impurities, wherein Na is contained in the form of an NaF compound.例文帳に追加

スパッタリングターゲットのフッ素を除く金属成分としてＧａ：２０〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜１ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、ＮａはＮａＦ化合物の状態で含有されている。 - 特許庁

This sputtering target includes a composition that includes 1-40 atom% of Ga and 0.05-2 atom% of Na as metal components other than Se, with the rest being Cu and unavoidable impurities, wherein Na is contained in the form of sodium selenide.例文帳に追加

スパッタリングターゲットのＳｅを除く金属成分として、Ｇａ：１〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｎａがセレン化ナトリウムの状態で含有されている。 - 特許庁