「a Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The In-Ga-Zn based compound oxide sintered body contains a first phase formed of ZnGa_2O_4 crystal, and a second phase formed of an In_2O_3 crystal, and the total phase area ratio of the first and second phases to the entire phase in an optional section of the sintered body is ≥70% and ≤100%.例文帳に追加

本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａ_2Ｏ_4結晶で形成される第１相と、Ｉｎ_2Ｏ_3結晶で形成される第２相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相および第２相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。 - 特許庁

A vapor concentration correcting coefficient FGPG at fuel injection time TAU is calculated on the basis of changes in an air/fuel ratio if gas in the air chamber 46 is purged toward an intake passage 50 of an internal combustion engine, with keeping an engine speed NE and intake air amount Ga of the internal combustion engine 20 at a constant value.例文帳に追加

内燃機関２０の機関回転数ＮＥおよび吸入空気量Ｇａを共に一定値に維持した状態で、空気室４６内のガスを内燃機関の吸気通路５０に向けてパージした場合の空燃比の変化に基づいて、燃料噴射時間ＴＡＵにおけるベーパ濃度補正係数ＦＧＰＧを算出する。 - 特許庁

The nanowires are constituted so that Ga nanowires and ZnS nanowires are joined to each other by heating a mixture of ZnS powder, Ga_2O_3 powder and SiO powder in an inert gas flow in a temperature range of 1,400 to 1,500°C for 1 to 2 hours, wherein the obtained nanowires are coated with silica films of 4 to 8 nm thickness.例文帳に追加

ＺｎＳ粉末とＧａ_2 Ｏ_3 粉末とＳｉＯ粉末との混合物を不活性ガス気流中で、１４００〜１５００℃の温度範囲において、１〜２時間加熱することにより、ＧａナノワイヤーとＺｎＳナノワイヤーとが接合してなるナノワイヤーであって、ナノワイヤーが、厚さが４〜８ｎｍのシリカ膜で被覆されているナノワイヤーが得られる。 - 特許庁

The pneumatic tire is lined with an inner liner layer 8 for preventing air permeation and has main grooves 9 extending in a circumferential direction of the tire on the outer circumference of a tread 1, wherein the thickness Gt of inner liner layers 8t in regions corresponding to the main grooves 9 is greater than the thickness Ga of the inner liner layer 8 not in that regions.例文帳に追加

タイヤの内側に空気透過防止用のインナーライナー層８を内貼りし、トレッド１の外周にタイヤ周方向に延長する主溝９を配置した空気入りタイヤにおいて、主溝９に対応する領域のインナーライナー層８ｔの厚さＧｔを、この領域以外のインナーライナー層８の厚さＧａよりも大きくしたことを特徴とする。 - 特許庁

In an optimization system calculating the optimum solution suited to evaluation conditions for which a plurality of conditions are combined by using the genetic algorithm, a GA engine 1 outputting the candidates of the solution suited to individually set evaluation conditions as evolution individual groups PGn (n=1 to N) on the basis of the genetic algorithm is provided in a plurality of stages from a low order to a high order.例文帳に追加

複数の条件が組み合わさった評価条件に適合した最適解を遺伝的アルゴリズムを用いて算出する最適化システムにおいて、遺伝的アルゴリズムに基づいて、個別に設定された評価条件に適合した解の候補を進化個体群ＰＧn（n＝1〜N）として出力するＧＡエンジン１が、下位から上位に亘って複数段設けられている。 - 特許庁

The silver-palladium alloy for baking a dental ceramic material is produced by casting a dental prosthesis, and comprises, by weight, 20 to 30% Ag, 60 to 70% Pd, 6 to 8% In, 3 to 5% Ga and 0.1 to 6% Sn.例文帳に追加

本発明は、歯科補綴物を鋳造により作製する歯科用合金であって、Ａｇ：２０〜３０重量％，Ｐｄ：６０〜７０重量％，Ｉｎ：６〜８重量％，Ｇａ：３〜５重量％，Ｓｎ：０．１〜６重量％からなることを特長とする歯科陶材焼付用銀パラジウム合金である。 - 特許庁

An active layer of a semiconductor laser element integrated with optical modulator uses an MQW layer containing a mixed crystal of our elements In, Ga, Al and As to increase the band offset ΔEc of the conductor over 75 meV and the band offset ΔEv of the valence band over 0 meV below 25 meV.例文帳に追加

光変調器集積半導体レーザ素子の活性層にＩｎ，Ｇａ，Ａｌ及びＡｓの４元混晶を含んだＭＱＷ層を用い、伝導帯のバンドオフセットΔＥｃを７５ｅｍＶよりも大きくし、かつ、価電子帯のバンドオフセットΔＥｖを０ｍｅＶより大きく２５ｍｅＶより小さくする。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon crystal is that after adding Ga and B into silicon molten liquid in a crucible by the Czochralski method, the silicon crystal is grown by making a seed crystal contact with the silicon molten liquid and pulling it up while revolving it.例文帳に追加

ならびに、シリコン結晶の製造方法において、チョクラルスキー法により、ＧａとＢをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記シリコン融液に種結晶を接触させ、これを回転しながら引き上げることによってシリコン単結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。 - 特許庁

Final power relay signals and the AC output signals of the fixing power relay 31 are compared in a correct/error detection circuit 44, the compared result is inputted to a GA 33 and the correct/error and matching/ non-matching of fixing power relay control signals (instructions) and the actual AC output signals are confirmed.例文帳に追加

最終的なパワーリレー信号と、定着パワーリレー３１のＡＣ出力信号を正誤検知回路４４で比較し、比較結果をＧＡ３３に入力させ、定着パワーリレー制御信号（命令）と実際のＡＣ出力信号との正誤及び一致、不一致を確認する。 - 特許庁

Kakusan (later called Tenshin) OKAKURA, who worked as a interpreter and assistant for Fenollosa, was much encouraged by this experience and established The Tokyo Art School (later Tokyo Art University) in 1889 which did not teach western painting but had only a Nihon-ga faculty with teachers including Gaho HASHIMOTO. 例文帳に追加

フェノロサの通訳を勤めており助手であった岡倉覚三（のちの天心）らはこれに大きく力づけられ、1889年に東京美術学校（後の東京藝術大学）を開くと、西洋画の教育を排し、絵画としては橋本雅邦らを教師として日本画科をのみ設けた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The device has a feature of having a Mg_zZn_1-zO (0≤z<1) film electrode doped with Ga or B in the device.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、ｎ型ＧａＮ系半導体層とｐ型ＧａＮ系半導体層とで挟まれたＧａＮ系半導体からなる発光層を含む半導体発光素子であって、Ｇａ又はＢがドープされたＭｇ_ｚＺｎ_１−ｚＯ（０≦ｚ＜１）電極膜を備える半導体発光素子である。 - 特許庁

The conductive film, the film having the n-type conductivity, and the oxide semiconductor film containing In, Ga and Zn are etched using the channel protective layer and gate insulating films as etching stoppers with the resist mask, so that source and drain electrode layers, a buffer layer, and a semiconductor layer are formed.例文帳に追加

このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 - 特許庁

In a p-type GaN semiconductor thin-film electrode for ohmic contact including a first electrode layer and a second electrode layer laminated in order on a p-type GaN semiconductor layer, the first electrode layer may include a Ni, Cu or Co-based alloy or solid solution which can form p-type thermoelectric oxide, or Ni oxide in which at least any one component selected from Al, Ga and In is doped.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ半導体層上に順次に積層された第１電極層および第２電極層を含むｐ型ＧａＮ半導体のオーム接触用薄膜電極の、前記第１電極層は、ｐ型熱電酸化物を形成できるＮｉ、ＣｕもしくはＣｏ系の合金または固溶体を含むか、またはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされたＮｉ酸化物を含みうる。 - 特許庁

An organic resin coated steel comprises a chemical conversion layer and an organic resin layer successively laminated on a steel, wherein the chemical conversion layer contains one or more compositions selected from a group consisting of hydroxides or oxyhydroxide of Al, Ga, In and Tl, and the deposition of the metal elements is 0.01-10 g/m^2 in total.例文帳に追加

鋼材に、化成処理層、有機樹脂層を順次積層して成る有機樹脂被覆鋼材において、化成処理層が、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌの水酸化物あるいはオキシ水酸化物から成る群から１つ以上選ばれた組成物を含み、その金属元素の付着量が合計で０．０１〜１０ｇ／ｍ^2であることを特徴とする被覆鋼材である。 - 特許庁

In the glove box 300, a reaction vessel 10A installed in an external reaction vessel 20 is replaced with a new reaction vessel 10B, and metal Na and metal Ga are put into the new reaction vessel 10B at a prescribed molar ratio, and metal Na is put between the new reaction vessel 10B and the external reaction vessel 20.例文帳に追加

そして、グローブボックス３００中で外部反応容器２０の内部に設置された反応容器１０Ａを新しい反応用器１０Ｂに交換し、新しい反応容器１０Ｂに金属Ｎａと金属Ｇａとを所定のモル比率で入れるとともに、新しい反応容器１０Ｂと外部反応容器２０との間に金属Ｎａを入れる。 - 特許庁

p-GaN11 is grown in condition that the surface potential (relative to the electron) at a growth surface 13 drops and the energy band is bent largely, so as to make p-GaN11 which has ionized Ga voids 14 in the vicinity of the growth surface 13, and a metal is accumulated on the growth face 13 to constitute a low-resistance ohmic electrode.例文帳に追加

成長表面１３における（電子に対する）表面電位が下がり、エネルギーバンドが大きく曲がっている状態でｐ-ＧａＮ１１を成長させ、成長表面１３の近傍にイオン化したＧａ空孔１４を有するｐ-ＧａＮ１１とし、成長表面１３に金属を堆積して低抵抗なオーミック電極を構成する。 - 特許庁

In a process of feeding V material gas containing a nitrogen element and group III material gas formed of a compound containing Ga and halogen to the surface of a substrate, a group V/III ratio specified by the ratio of the feed flow rate of the group III material gas to that of the group V material gas is set at 0.1 to below 10.例文帳に追加

窒素元素を含むＶ族原料ガスと、Ｇａおよびハロゲンを含む化合物からなるＩＩＩ族原料ガスとを基板表面に供給する工程において、ＩＩＩ族原料ガスの供給流量に対するＶ族原料ガスの供給流量の比により規定されるＶ／ＩＩＩ比を、０．１以上１０未満とする。 - 特許庁

A heterojunction bipolar transistor comprises: a first collector layer 102 formed above a substrate 101 composed of InP; a second collector layer 103 formed on the first collector layer 102; a base layer 104 formed on the second collector layer 103 and composed of a compound semiconductor containing Ga, As, and Sb; and an emitter layer 105 formed on the base layer 104 and composed of a compound semiconductor containing In and P.例文帳に追加

ＩｎＰからなる基板１０１の上に形成された第１コレクタ層１０２と、この上に形成された第２コレクタ層１０３と、この上に形成されてＧａ，Ａｓ，およびＳｂから構成された化合物半導体からなるベース層１０４と、この上に形成されてＩｎおよびＰから構成された化合物半導体からなるエミッタ層１０５とを少なくとも備える。 - 特許庁

The method of growing Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) crystal includes: preparing a foundation substrate 10; and bringing a solution 7 prepared by dissolving 5 nitrogen in a Ga-molten liquid 3 containing Al into contact with the foundation substrate 10 to grow at least one layer of Al_xGa_1-xN crystal 20 on the foundation substrate 10.例文帳に追加

本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法は、下地基板１０を準備する工程と、Ａｌを含有したＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を下地基板１０に接触させて、下地基板１０上に少なくとも１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 - 特許庁

A semiconductor laser having the end face window structure is manufactured on a portion of the n-type GaN substrate 11 that is not covered with the insulating film mask 16 by growing a GaN based semiconductor layer 25 containing an active layer 19 comprising the nitride based III-V compound semiconductor containing In and Ga.例文帳に追加

この絶縁膜マスク１６で覆われていない部分のｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させることにより、端面窓構造を有する半導体レーザを製造する。 - 特許庁

In an advertisement effect check system, a register terminal 7 is connected to a host device 19 for managing the terminal 7 so as to communicate with each other and advertisement effect of an advertisement target commodity Ga selected from a plurality of commodities G is inspected by using commodity code information C for specifying the names and prices of the commodities G.例文帳に追加

広告効果検査システムは、レジ端末７とレジ端末７を管理するホスト装置１９とが相互に交信可能に接続され、商品Ｇの商品名及び価格を特定する商品コード情報Ｃを用いて、商品Ｇの中から選ばれた広告対象商品Ｇａの広告効果を検査する。 - 特許庁

In an interactive optimization part 310, a response degree computing part 342 inputting a control coefficient of the interactive optimization part 310 for outputting a response degree is used, and an optimal solution for the response degree computing part 342 is searched by GA while the response degree of the response degree computing part 342 is repeatedly evaluated by interactive evolution.例文帳に追加

対話型最適化部３１０については、対話型最適化部３１０の制御係数を入力としてレスポンス度を出力するレスポンス度算出部３４２を用いて、レスポンス度算出部３４２のレスポンス度を対話型評価により繰り返し評価しながら、レスポンス度算出部３４２の最適解をＧＡにより探索する。 - 特許庁

To provide an Sb based solder alloy essentially consisting of Sn and solving both the problem of defects caused by the yellowing and the reduction of metallic luster upon the formation of a solder ball or the formation of a solder bump and the problem in the reduction of solderability caused by the addition of Ga and P elements, and to provide a solder ball.例文帳に追加

本発明の目的は、Ｓｎを主体とし、はんだボール形成時やはんだバンプ形成時の黄化や金属光沢の低下に起因した不良の問題と、これらの元素の添加によるはんだ付け性低下の問題の双方を解決するＳｎ系はんだ合金ならびにはんだボールを提供することにある。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device includes at least a substrate, an active layer composed of a nitride semiconductor mainly containing In and Ga, a p-electrode, and an n-electrode, wherein at least one of the p-electrode and the n-electrode is electrically divided into two or more regions.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子は、少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有する窒化物半導体からなる活性層、ｐ電極およびｎ電極を含むものであって、ｐ電極およびｎ電極の少なくとも一方が電気的に２領域以上に分離されていることを特徴としている。 - 特許庁

As New Year's movies to be released on the New Year's Eve, the company distributed "Seishun no Hika"(Elegy of Adolescence) directed by Bansho KANAMORI to the Narukofuji-kan theater and also went as far as to distribute a double feature of "Gion Jowa Tsubomi no Mama"(Love story in Gion, a budding woman) also directed by Kanamori and "Otoko ga Tsuma wo Erabutoki" (When a man choose his wife) directed by Shusei GOTO to the 'Asakusa Opera-kan Theater' which had been built after reconstruction of Asakusa area. 例文帳に追加

年末12月31日公開の正月映画として、金森万象監督の『青春の悲歌』を「成子不二館」に、おなじく金森監督の『祇園情話蕾のまゝ』と後藤秋声監督の『男が妻を選ぶ時』の2本立て番組を復興後の浅草に建った「浅草オペラ館」にきっちり供給した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

According to this invention, since a reaction to change the hydroxyl group in the Ga oxide film 108 into water can be accelerated by heat treatment and thereby the hydroxyl group can be removed, the Schottky electrode 111 having almost ideal characteristics can be obtained.例文帳に追加

この発明によれば、Ｇａ酸化膜１０８内の水酸基が水に変化する反応を加熱処理によって促進させることができ、これにより水酸基を取り除くことができるので、理想的な特性に近いショットキー電極１１１を得ることができる。 - 特許庁

Thus, texture data quantity is compressed and registered and registration performance to a memory is improved in the case of registering texture data with the memory between the system 20 and the accelerator (GA) 40 provided with the memory internally storing texture data for graphic display acceleration.例文帳に追加

これにより、図形処理システム20と、描画の高速化用にテクスチャデータを内部に保持するメモリを備えるグラフィックスアクセラレータ(ＧＡ)40との間において、メモリへのテクスチャデータの登録の際に、テクスチャデータ量を圧縮して登録させ、メモリへの登録性能を向上させる。 - 特許庁

Even if the tip of this tooth 14 runs against near the point Ga on the tooth tip face 27 of another tooth 24 of the gear 21 when the rack is sliding, a locked condition will never be generated because the tooth tip faces do not bear each other, and meshing will accordingly be generated easily in the event of such collision.例文帳に追加

ラック１の摺動時にその歯１４の歯先が、歯車２１の歯２４の歯先面２７のうちの点Ｇａ近傍に衝突しても、互いの歯先面が担がないのでロック状態とならず、したがってこのような衝突時にはその分噛合いやすい。 - 特許庁

The light control device includes a thin film transistor; and a light control element including an electrode 104 electrically connected to the thin film transistor, in which a semiconductor region 102 of the thin film transistor and a pixel electrode 104 are composed of the same semiconductor layer, and the same semiconductor layer is an amorphous oxide layer including at least one of In, Ga, and Zn.例文帳に追加

薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続される電極１０４を有する光制御素子と、を備えた光制御装置であって、薄膜トランジスタの半導体領域１０２と画素電極１０４とが同一の半導体層からなり、同一の半導体層はＩｎ，Ｇａ，Ｚｎから選択される元素の少なくとも一つを含む酸化物からなる非晶質層である。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor laser which is formed from a compound semiconductor layer in which a ridge contains Ga, includes a process (step 12) wherein the semiconductor laser is energized with element current until the characteristics of the semiconductor laser is restored after it is degraded by energization of the element current.例文帳に追加

本発明は、リッジ部がＧａを含む化合物半導体層で形成された半導体レーザの製造方法において、半導体レーザの特性が素子電流の通電により劣化した後回復するまで、前記半導体レーザに前記素子電流を通電する工程（ステップ１２）を有することを特徴とする半導体レーザの製造方法である。 - 特許庁

GaInNAs comprising gallium(Ga), indium(In), nitrogen(N), and arsenic(As) with a thickness of 2 nanometers or less, while a composition of arsenic(As) or phosphorus(P) being 20% or less, or GaInNP where the arsenic is replaced with phosphorus(P), is a light-emitting layer, providing light-emission at a wavelength of 500-600 nanometer range.例文帳に追加

厚さが２ナノメートル以下で、砒素（Ａｓ）あるいは燐（Ｐ）の組成が２０％以下である、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、窒素（ N ）および砒素（Ａｓ）を構成元素とするＧａＩｎＮＡｓ、あるいはこの材料の砒素を燐（Ｐ）に置き換えたＧａＩｎＮＰ、を発光層とする半導体発光素子材料および構造により、波長５００〜６００ナノメートルにおける発光を得る。 - 特許庁

The In-Ga-Zn-O-based oxide semiconductor layer includes structure including a crystal grain expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m=1) in amorphous structure expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m>0).例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層は、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表される非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む構造を有する。 - 特許庁

Since the group III-V compound semiconductor layer 21 is formed of a material containing Al elements, Ga elements and In elements as group III elements and containing As elements as group V elements, band offsets in a conduction band of the embedded semiconductor layer 19, that of the second clad layer 23 and that of the group III-V compound layer 21 are small.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層２１は、III族元素としてＡｌ元素、Ｇａ元素及びＩｎ元素を含むと共にＶ族元素としてＡｓ元素を含む材料からなるので、埋込半導体層１９の伝導帯及び第２クラッド層２３の伝導帯とIII−Ｖ族化合物半導体層２１の伝導帯とにおけるバンドオフセットは小さい。 - 特許庁

When displaying a text in classical Chinese, in accordance with display setting data for setting "display" or "non-display" of the respective Chinese characters and their attached information, a regular text (classical Chinese) displaying screen Ga for displaying the Chinese characters and their attached information together, and an unmarked text displaying screen Gb for displaying only the Chinese characters and not their attached information, are switchably displayed.例文帳に追加

漢文テキストを表示する際には、各漢字およびその付属情報の表示／非表示を設定する表示設定データに従い、各漢字とその付属情報を併せて表示する本文（漢文）表示画面Ｇａまたは各漢字だけでその付属情報を表示しない白文表示画面Ｇｂを切り替え自在に表示させる。 - 特許庁

Each of first and second flow path plates Ga and Gb as arbitrary two sheets of flow path plates adjoining in a layering direction of a plate layered body S has an escape groove 18 capable of avoiding contact with protrusions 17, at regions opposed to the protrusions (burr and deformity) 17 protruded in the layering direction of the plate layered body S.例文帳に追加

プレート積層体Ｓの積層方向に隣接する任意の２枚の流路プレートである第１及び第２の流路プレートＧａ、Ｇｂのそれぞれが、プレート積層体Ｓの積層方向に突出した突状部（バリ、変形）１７に対向する領域に、突状部１７との当接を回避し得る逃げ溝１８を有するように構成する。 - 特許庁

The composite layer formed of the insulating layer and wiring layer includes the wiring (the wiring layer) formed by a printing method on curable insulating resin (the insulating layer) formed on the substrate by the printing method, wherein the wiring contains at least one or more elements out of Cu, Ag, Au, Al, Ni, Co, Pd, Sn, Pb, In, and Ga.例文帳に追加

基板上に印刷法により形成した硬化性絶縁樹脂（絶縁層）上に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｇａの内少なくともひとつ以上の元素を含む配線（配線層）を印刷法により形成した、絶縁層と配線層の複合層。 - 特許庁

The semiconductor layer 102 may be sufficed by being constituted of a compound semiconductor including at least one of In and Ga, and at least As and Sb such as Al_zIn_xGa_1-x-zAs_1-ySb_y (where 0≤x≤0.2, 0.3≤y≤1, 0≤z≤1, 0≤x+z≤1).例文帳に追加

なお、半導体層１０２は、ＩｎおよびＧａの少なくとも一方とＡｓ，Ｓｂとを少なくとも備える化合物半導体から構成されていればよく、Ａｌ_zＩｎ_xＧａ_1-x-zＡｓ_1-yＳｂ_y（０≦ｘ≦０．２，０．３≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，０≦ｘ＋ｚ≦１）から構成されていればよい。 - 特許庁

By adding Bi (bismuth), Ga (gallium) and In (indium) as low melting point metal elements to a Zn (zinc) alloy and Zn for die casting comprising Al (aluminum), Cu (copper), Mg (manganese) or the like, the hardness of the Zn alloy and Zn for die casting is increased, and the mechanical properties thereof are improved.例文帳に追加

Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｍｇ（マグネシウム）等を含有するダイカスト用Ｚｎ（亜鉛）合金およびＺｎ（亜鉛）に、低融点金属元素であるＢｉ（ビスマス）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）を添加することにより、ダイカスト用Ｚｎ合金およびＺｎの硬度を上昇させ、機械的性質を向上させる。 - 特許庁

When the arithmetic processing of neither the BBM nor GA is not ended in a valid period, the planning processing monitoring part 13 interrupts the two processing, and compares the values of the target functions just before the processing is interrupted, and outputs the lower value as the optimal planned value.例文帳に追加

また、計画処理監視手部１３は、ＢＢＭ及びＧＡの演算処理が予め定められた有効期間内に終了しない場合は、２つの処理を中断し、中断直前の目的関数の値を比較し、値の低い方を最適計画値として出力させる。 - 特許庁

The metal salt of an 8-quinolinol derivative is formed by coordination with a metal selected from the group consisting of Cu, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Yt, La, Pb, Sb, Bi, Cr, Mo, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Ce, and Pr.例文帳に追加

８−キノリノール誘導体の金属塩は、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｙｔ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｅ及びＰｒからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 - 特許庁

The addition of low-quantity Ga allows the liquidus temperatures of both Au and Sn to be fairly lowered for the purpose of lowering a melting point (lowering it by 10°C or more, by approximately 27°C under normal conditions, in comparison with Au-Sn eutectic solder) and reinforcing the temperature sensitivity of the creep resistance of the solder.例文帳に追加

少量のＧａを添加することで、ＡｕおよびＳｎ双方の液相線温度を相当に下げ、したがって融点を下げる（共晶Ａｕ—Ｓｎはんだよりも少なくとも１０℃、通常約２７℃下がる）とともに、はんだの耐クリープ性の温度敏感性も強化する。 - 特許庁

The mixture metal hydroxide contains nickel hydroxide as base material, and brucite structure of 12-30 atom % contains at least one of trivalent metals selected from the group consisting of Co, Fe, Al, Ga, In, Sc and Y relatively to a metal compound including nickel.例文帳に追加

主成分としての水酸化ニッケルと、ニッケルを含む金属成分の和に対して１２〜３０原子％の量のＣｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ及びＬａよりなる群から選ばれる少なくとも１種の三価金属を含有する水滑石構造を有する混合金属水酸化物。 - 特許庁

For example, the red phosphor of formula (1) is produced by mixing a sulfide of Ca and/or Sr, a fluoride of at least one kind of element selected from the group consisting of Al, Ga and In, sulfur and a europium fluoride and subjecting the mixture to classifying and then calcining in an inert gas atmosphere.例文帳に追加

（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ａ，Ｆ ……(１)、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ｒｂ，Ｆ ……(２)、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ａ，Ｒｂ，Ｆ ……(３)（ＡはＡｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される少なくとも１種で、０．０１〜５モル％、Ｒｂを０．０１〜２モル％含有する。）例えば、式(１)の赤色蛍光体は、Ｃａ及び／又はＳｒの硫化物、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される少なくとも１種のフッ化物、イオウとフッ化ユーロピウムを混合、分級し不活性ガス雰囲気下で焼成することにより製造される。 - 特許庁

During the work processing, in a condition that at least more than two work clamping devices continue to clamp the work, a processed work Ga is clamped by other clamping device at one end of the carriage base and carried out to a product transfer device 73 installed on the lower part of one end of the carriage base by being extended in the Y-axis direction without interrupting the work processing.例文帳に追加

このワーク加工中に、少なくとも２個以上のワーククランプ装置によるワーククランプを続行している状態でキャリッジベースの一端側の他のワーククランプ装置により加工済みワークＧａをクランプし、ワーク加工を中断することなく加工済みワークをキャリッジベースの一端側の下方にＹ軸方向に延伸して設けた製品搬送装置７３へ搬出する。 - 特許庁

The In-Ga-Zn based composite oxide sintered compact includes: a first phase formed by ZnGaO_2.5 crystals; a second phase formed by InGaO_3 crystals; and a third phase formed by In_2O_3 crystals, and the total phase area ratio of the first phase, the second phase and the third phase to all the phases in the optional cross section of the sintered compact is 70 to 100%.例文帳に追加

本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａＯ_2.5結晶で形成される第１相と、ＩｎＧａＯ_3結晶で形成される第２相と、Ｉｎ_2Ｏ_3結晶で形成される第３相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相、第２相および第３相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。 - 特許庁