「a Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The BeMgZnSe clad layer is doped with Al, Ga, or In as an n-type dopant together with nitrogen as a p-type dopant, wherein the ratio of Al, Ga, or In to N is set at 0.01 to 0.8:1.例文帳に追加

ＢｅＭｇＺｎＳｅクラッド層に、ｐ型ドーパントである窒素とともに、ｎ型ドーパントのＡｌ、Ｇａ又はＩｎを０．０１〜０．８の割合で共ドープする。 - 特許庁

A selection section 74 selects the candidate point BC corresponding to n2 pieces of window sequences GA in which the number of search windows WA including peak PB in the plurality of window sequences GA are large.例文帳に追加

選択部７４は、複数の窓列ＧAのうちピークＰBを包含する検索窓ＷAの個数が多いｎ2個の窓列ＧAに対応した候補点ＢCを選択する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound semiconductor thin film where a uniformity in a Ga distribution in the direction of a film thickness is appropriate or the Ga distribution in the direction of the film thickness can be arbitrarily controlled in the compound semiconductor thin film that comprises a group IB element, a group IIIB element, and a group VIB element and contains In and Ga as the group IIIB element.例文帳に追加

ＩＢ族元素、ＩＩＩＢ族元素およびＶＩＢ族元素から成り、ＩＩＩＢ族元素としてＩｎとＧａを含む化合物半導体薄膜において、その膜厚方向のＧａ分布の均一性が良好であるか、または膜厚方向のＧａ分布を任意に制御することができる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The oxide sintered compact comprises an indium element (In), a gallium element (Ga), a zinc element (Zn) and a tin (Sn) element, and comprises a compound expressed by Ga_2In_6Sn_2O_16 or (Ga, In)_2O_3.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及び錫元素（Ｓｎ）を含み、Ｇａ_２Ｉｎ_６Ｓｎ_２Ｏ_１６又は（Ｇａ，Ｉｎ）_２Ｏ_３で表される化合物を含むこと特徴とする酸化物焼結体。 - 特許庁

In that sense, Nihon-ga is defined as those created after the Meiji period, which means that Taikan YOKOYAMA of Meiji was classified as a painter of Nihon-ga but the Edo period painter Eitoku KANO was not. 例文帳に追加

その意味では日本画は明治以降のものであり、明治の横山大観が日本画家であっても、江戸時代の狩野永徳は日本画家ではない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

After that, the precursor thin film is heat-treated in atmosphere containing Se to form a Cu(In, Ga)Se_2 thin film.例文帳に追加

その後、Ｓｅを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜を熱処理して、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_２薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for separately producing a hot-dip galvanized steel sheet (GI) and galvannealed steel sheet (GA) of high quality in the same bath without conditioning a hot-dipping bath, by using a Ni-pre-plating method.例文帳に追加

プレNi法により、溶融メッキ浴の浴調整なしに同一浴で、品質の良好な溶融亜鉛メッキ鋼板(GI)と合金化溶融亜鉛メッキ鋼板(GA)を造り分ける方法を提供する。 - 特許庁

The diffusion of Ga in the active layer 15 is suppressed in the ZnO substrate to obtain a steep interface between the ZnO substrate and active layer, thus enabling the system to get excellent crystal in the active layer composed of InGaN.例文帳に追加

ZnO基板中に活性層１５のGaが拡散するのが抑制され、ZnO基板と活性層の間の急峻な界面が得られ、InGaNからなる活性層の良好な結晶が得られる。 - 特許庁

To efficiently separate one or more of Ga, Ge and In from a material containing one or more of Ga, Ge and In as solid material by a simple process.例文帳に追加

Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を固形物として含有するものからＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を単純な工程で効率よく分離することを可能にする。 - 特許庁

The solder may further comprise at least one oxidation-inhibiting element selected from the group consisting of P, Ge, and Ga in a total amount of 0.001 to 0.5 mass%, and/or Ag in an amount of 0.005 to 2 mass% as a wettability improving element.例文帳に追加

はんだ合金は、さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で含有してもよい。 - 特許庁

A distance between an electrode 2 provided in electron devices 1 and an electrode 4 provided in a packaging board 3 is bonded by a conductor 5 in which there are dispersed metallic particles 7 responding to the alloy with Ga at 100°C or less in a metal 6 containing Ga.例文帳に追加

電子デバイス部品１に設けた電極２と実装基板３に設けた電極４との間を、Ｇａを含む金属６中に１００℃以下でＧａと合金化反応する金属粒子７が分散した導体５で接合する。 - 特許庁

Nitrogen gas is introduced into a Ga-Al alloy melt 4, to thereby generate epitaxial growth of an aluminum nitride crystal on a seed crystal substrate 3 in the Ga-Al alloy melt 4.例文帳に追加

Ｇａ−Ａｌ合金融液４に窒素ガスを導入し、Ｇａ−Ａｌ合金融液４中の種結晶基板３上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A sputtering target is used for forming the n-layer of the solar cell, and contains In, Ga, Zn and O, where an atomic content of each of In, Ga, and Zn is 10 atom% or more, when a total number of In, Ga and Zn atoms in the n-layer is assumed as 100 atom%.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、太陽電池のｎ層を形成するために用いられ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含有し、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数を１００原子％とした場合、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの含有量がいずれも１０原子％以上である。 - 特許庁

He was also skilled at painting with India ink in a manner similar to bunjin-ga (a style of painting that originated in China, in which intellectuals such as writers and other non-professional would try their hand), and he liked painting subjects ranging from orchids to Shikunshi (four plants with high virtue, namely orchid, bamboo, ume plum tree and chrysanthemum). 例文帳に追加

また文人画風の墨画も得意とし蘭をはじめ四君子を好んで描いた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In a process where a leach liquor is added to the the material containing one or more of Ga, Ge and In, and one or more of Ga, Ge and In are leached and separated, a sulfurizing agent is added to the leach liquor, thus one or more of Ga, Ge and In are efficiently leached and separated from the material containing one or more of Ga, Ge and In.例文帳に追加

Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を含有するものに浸出液を加えてＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を浸出して分離する過程において、この浸出液に硫化剤を添加することによって、前記Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を含有するものからＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を効率よく浸出して分離する。 - 特許庁

To provide a practical and formable sputtering target of a Cu-Ga alloy or a Cu-Ga-In alloy for a thin film solar battery high in reliability and to provide a method for producing it.例文帳に追加

実用的で成形可能な信頼性の高い薄膜太陽電池用のＣｕ−Ｇａ合金或いはＣｕ−Ｇａ−Ｉｎ合金のスパッタリングターゲットを提供すること及びその製造方法を提供すること - 特許庁

A state funeral was organized for Imperial Prince Taruhito, and he was buried in Arisugawa no Miya cemetery with a Toshima ga oka Ceremony. 例文帳に追加

熾仁親王の葬儀は国葬となり、豊島岡墓地内の有栖川宮家墓所に埋葬された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

He has gained a national reputation as a popular person since Ryotaro SHIBA had made him the leading character in his novel "Ryoma ga Yuku." 例文帳に追加

司馬遼太郎の小説『竜馬がゆく』の主人公とされて以来、国民的人気を誇っている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer, a solar battery, a method for forming a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, and a method for forming a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer.例文帳に追加

Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ，Ｓｅ）_２ 薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層の形成方法及びＣｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）_２薄膜層の形成方法を提供 - 特許庁

The plurality of groups GA to GE are arranged in a staggered manner so that the cross- sections defined as the estimating objects in the plurality of groups GA to GE are positioned on the same plane (a plane including a F-F line).例文帳に追加

そして、上記複数のグループＧＡ〜ＧＥの評価対象となる断面が同一平面(Ｆ−Ｆ線を含む平面)上に存在するように、複数のグループＧＡ〜ＧＥの位置をずらして配置する。 - 特許庁

To provide a cutting method of Cu-Ga alloy, cutting (machining) even a Cu-Ga alloy lump, for example, comparatively large in a composition ratio of Ga manufactured by melting casting, in a desired shape without crazing, cracking and chipping it.例文帳に追加

例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく切断して所望の形状に切断（加工）することができるＣｕ−Ｇａ合金の切断方法を提供する。 - 特許庁

This spattering target for forming the transparent conductive film has an organization in which a Zn-Ga complex oxide surrounds a Zn-Ga alloy crystal particle having a composition which contains: 0.1 to 30% by mass of Ga; and the balance comprising Zn.例文帳に追加

本発明の透明導電膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｇａ：０．１〜３０質量％を含有し、残部がＺｎからなる組成を有するＺｎ−Ｇａ合金結晶粒をＺｎ−Ｇａ複合酸化物が包囲している組織を有する。 - 特許庁

At the same time, from the age of 13, he learned Kacho-ga (painting of flowers and birds) from Kaizan KUROYAMA, a Nanga painter (an original style of painting in the Edo period which had a great deal of influence from the Chinese Nanga style) in the Sakura Domain. 例文帳に追加

そのかたわら、13歳の頃から佐倉藩の南画家・黒沼槐山に花鳥画を学んだ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An n-type ZnO layer 2 doped with Ga, a ZnO light emitting layer 3 which is doped with Ga and 10 μm in thickness, and a p-type ZnO layer 4 doped with N, are formed on a ZnO substrate 1.例文帳に追加

ＺｎＯ基板１上に、Ｇａをドープしたｎ型ＺｎＯ層２と、Ｇａをドープして厚さが１０μｍのＺｎＯ発光層３と、Ｎをドープしたｐ型ＺｎＯ層４を備える。 - 特許庁

A time-pitch analyzing section 81 chronologically continuously analyzes sound data which chronologically continue in each of predetermined-frequency bands, based on algorithm constructed by a GP or a GA.例文帳に追加

GPまたはGAにより構築されたアルゴリズムに基づいて、時間−音程解析部８１は、時間的に連続する音声データを、所定の周波数帯域毎に時間的に連続して解析する。 - 特許庁

When the treated gas G2 is quenched, water vapor in the gas G2 is condensed to water and a large quantity of acidic gases GA is brought into contact / reaction with water to produce acid A.例文帳に追加

そして、この処理済ガスG2を急冷すると、当該ガスG2中の水蒸気が凝結して水となり、この水に多量の酸性ガスGAが接触・反応して酸Aが生成される。 - 特許庁

Udatsu-ga-agaranai refers to a condition where no good result are being obtained, in work for example, with no future prospects. 例文帳に追加

うだつがあがらないとは、仕事などで成果が出ず、先の見込みがない状態を言う。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a manufacturing method for a compound-semiconductor thin-film containing a group IB element, In and Ga as group IIIB elements and a group VIB element and having the excellent uniformity of Ga distribution in the film-thickness direction.例文帳に追加

ＩＢ族元素と、IIIＢ族元素としてＩｎおよびＧａと、VIＢ族元素とを含み、その膜厚方向におけるＧａ分布の均一性が良好な化合物半導体薄膜を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

The Cu-Ga alloy powder is obtained by stirring and alloying a mixed powder, in which a Cu powder and Ga are blended at a mass ratio from 85:15 to 55:45, in an inert atmosphere at a temperature of 30-700°C.例文帳に追加

Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で３０〜７００℃の温度で攪拌して合金化することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を得る。 - 特許庁

In the general Formula (1) which is CsX:A, X represents Br or I and A represents Eu, In, Ga or Ce.例文帳に追加

一般式（１） ＣｓＸ：Ａ 式中、ＸはＢｒ又はＩを表し、ＡはＥｕ，Ｉｎ，Ｇａ又はＣｅを表す。 - 特許庁

He demonstrated a unique flamboyant quality in his bijin-ga (pictures of beautiful women) by adding decorative elements found in hagoita battledores on top of the detailed portrayal of facial expressions. 例文帳に追加

顔貌描写に羽子板絵式の装飾味を持たせ、美人画にも独特のはれやかさを示した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The story is set in Kikai ga-shima Island, which is made more realistic by using a lot of Satsuma dialect in the dialogue of Chidori. 例文帳に追加

千鳥の台詞に薩摩弁を多用することで、鬼界ヶ島が舞台であることに現実味を持たせている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a solvent extraction method of Ga and In capable of efficiently extracting Ga and In while suppressing transfer of impurities such as iron, zinc and aluminum to an organic phase.例文帳に追加

鉄、亜鉛およびアルミニウム等の不純物の有機相への移行を押さえながら、Ｇａ，Ｉｎを効率よく抽出することができるＧａ，Ｉｎの溶媒抽出方法を提供する。 - 特許庁

Fuel injection quantity is controlled to make air fuel ratio in the upstream of the catalyst richer than the actual stoichiometric air fuel ratio of the catalyst (straight line 2) in a zone where intake air quantity Ga exceeds 15 g/sec.例文帳に追加

吸入空気量Gaが１５(g/sec)を超える領域で、触媒の上流における空燃比が、触媒の実理論空燃比（直線(2)）よりリッチ化するように燃料噴射量を制御する。 - 特許庁

A single crystal n-type ITO transparent electrode film 11 contains Ga as well as In, has a mole ratio of Ga/(In+Ga) of 0.08-0.5, and a thickness of 1.1-55 nm.例文帳に追加

単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜１１はＩｎだけでなくＧａをも含有し、単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜（１１）は、０．０８以上０．５以下のＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）のモル比を有し、単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜１１は、１．１ｎｍ以上５５ｎｍ以下の厚みを有する。 - 特許庁

The thin magnetic substance is obtained by replacing 0.5-15% of Ga in the host phase of Ga_2O_3 by one kind or a plurality of kinds of V, Cr, Mn, Fe, Co and Ni.例文帳に追加

本発明の希薄磁性体は、Ga_2O_3を母相とし、該母相のGaのうちの0.5%〜15%がV, Cr, Mn, Fe, Co, Niのうちのいずれか１種又は複数種の原子に置換することにより得られる。 - 特許庁

For a growth technology, a plasma generated from N2 gas may be used as a nitrogen atom supplying means, and atom beams generated by highly heating the In metal or Ga metal atoms in a crucible may also be used as a means for supplying Ga and In.例文帳に追加

また、成長技術として窒素原子の供給手段としてＮ２ガスから発生するプラズマを用い、ＧａとＩｎの供給手段としてルツボ内でＩｎあるいはＧａ金属元素を高温加熱して生成される原子ビームを利用してもよい。 - 特許庁

To provide a novel In-Ga-Zn-based oxide useful as a semiconductor material etc., and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体材料等として有用な新規なＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a continuous wave semiconductor laser diode of an N (Al, Ga, In) material system.例文帳に追加

（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料系の連続波半導体レーザダイオードを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

Shigajiku' shows the state of 'unity of poetry, brushstroke, and painting' and refers to a vertically long Kakejiku hanging scroll on which Suiboku-ga is painted on the under side and a Chinese-style poem with related subject matter of Suiboku-ga is drawn in the head margin. 例文帳に追加

「詩画軸」とは、「詩・書・画一体」の境地を表わしたもので、縦に長い掛軸の画面の下部に水墨画を描き、上部の余白に、画題に関連した漢詩を書いたものである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the laminate formation process, the Ga layer 8c is formed by electrolytic deposition in an ionic liquid in which a gallium salt is dissolved.例文帳に追加

積層体形成工程では、Ｇａ層８ｃを、ガリウム塩を溶解したイオン液体中での電解析出により形成する。 - 特許庁

In the course of raising temperature, GaN 18 decomposes in the upper part of a crystal growth container 12 to produce a group III metal (Ga) and nitrogen.例文帳に追加

昇温中、結晶成長容器１２の上部ではＧａＮ１８が分解し、III族金属（Ｇａ）と窒素が生成される。 - 特許庁

The subjects of pictures done on Sugi-shoji in "Honen Shonin Eden" (biography of Honen) as Gachu-ga (a pictorial works that appear within a painting as part of the overall composition) are mainly geese in wild reeds, pine and plum trees. 例文帳に追加

『法然上人絵伝』の杉障子に画中画として描かれている絵は、芦雁や松、竹、梅等が主である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

From the Kamakura period to the Muromachi period, among the Zen monks at the gosan (Zen temples highly ranked by the government) literature prospered, and suiboku-ga (a drawing in India ink) and sansui-ga (a landscape painting in Eastern Asia) were introduced from the Southern Song Dynasty, and including court nobles, they made a waka poetry club. 例文帳に追加

鎌倉時代から室町時代にかけて五山を中心に禅僧たちの間に文学が隆盛し、また南宋から水墨画・山水画が伝来し、公家をも含めた詩会のためのサークルをつくっていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the growing process, Ga element is supplied from the GaN substrate 10 in a solution of Ga element and the flux, consequently lowering of the Ga concentration in the flux associated with the growth in the surface side can be suppressed, the ratio of Ga element in the flux can be made constant, and flux-constituting elements such as Na or Li can be prevented from being taken into the crystal.例文帳に追加

成長工程において、Ｇａ元素とフラックスとの溶液では、Ｇａ元素がＧａＮ基板１０から供給されるので、表面側成長に伴うフラックス中のＧａ濃度の低下を抑制でき、フラックス中のＧａ元素比を一定にすることができ、ＮａやＬｉなどのフラックス構成元素が結晶中に取り込まれるのを防止することができる。 - 特許庁