「a Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

On the other hand, when it is decided that the GA value is abnormal by the GA parity deciding part 2, the BAR address selector 4 sets a sub-address value preliminarily prepared in the sub-address setting circuit 3 as a BAR value.例文帳に追加

一方、ＧＡパリティ判定部２によりＧＡ値が異常であると判定された場合は、ＢＡＲアドレス選択器４においてサブアドレス設定回路３に予め用意されるサブアドレス値をＢＡＲ値として設定する。 - 特許庁

A part or the whole of the oxide layer contains any element of In, Ga, Zn, Sn, Sb, Ge or As.例文帳に追加

前記酸化物層の一部又は全部が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、又はＡｓのいずれかの元素を含有する。 - 特許庁

The punishment of the perpetrators was decided, with Naritsune being exiled to Bicchu Province, and then to a remote island called Kikai ga-shima Island in Satsuma Province. 例文帳に追加

関係者の処罰が決まり、成経は備中国次いで遠く薩摩国鬼界ヶ島へ流されることになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Based on this experience, he later wrote a novel "Minami no shima ni yuki ga furu", in which he depicted soldiers who recalled their homeland upon watching 'snowfall' on stage. 例文帳に追加

舞台に降る「雪」に故国を見た兵士たちの姿を描いた記録は、小説『南の島に雪が降る』に結実する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On the way to the capital, they had a fight against local samurai warriors at the Kiyomi ga Seki checking station in Suruga Province, and the younger brothers were killed one after another. 例文帳に追加

途中、駿河国清見関で在地の武士と諍いになり、弟たちは次々と討ち死にしてしまった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An acquisition means 11 successively acquires a plurality of original images Ga constituting the content by being arrayed in time series.例文帳に追加

取得手段１１は、時系列的に配列されてコンテンツを構成する複数の原画像Ｇａを順次に取得する。 - 特許庁

The method for growing a GaN crystal (5) comprises dissolving high pressure nitrogen-containing gas (4) in a Ga solvent (3) to grow the crystal in a region on the surface of a substrate (2) in contact with the Ga solvent, wherein the GaN crystal is grown in an environment where the pressure of the nitrogen-containing gas varies within a range from 0.1 to 20%.例文帳に追加

高圧の窒素含有ガス（４）をＧａ溶媒（３）に溶解させ、基板（２）表面上でＧａ溶媒が接する領域にＧａＮ結晶（５）を成長させる方法において、窒素含有ガスの圧力が０．１〜２０％の範囲内で変動する環境下でＧａＮ結晶を成長させることを特徴としている。 - 特許庁

To provide semiconductor material, a method, and a device and, more specifically, a nonpolar (Al, B, In, Ga) N quantum well, heterostructure material, and a device.例文帳に追加

半導体材料、方法、およびデバイス、より具体的には、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを提供すること。 - 特許庁

It is a very graceful dance in which two gakunin (players) dance with their sleeve waving, and is well known for appearing in the scene of Momiji no Ga (The Autumn Excursion) in "Genji Monogatari" (The Tale of Genji). 例文帳に追加

二人の楽人がゆったりと袖を振りながら舞う非常に優美な舞で、源氏物語紅葉賀の場面に取り上げられたことで有名。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the oxide phosphor which has Ce as a light-emitting element, comprises Gd, Al, Ga, and O, and is composed of a host crystal mainly having a garnet structure, the Fe content is set at 35 wt. ppm or less, preferably 30 wt. ppm or less on the basis of the weight of the phosphor.例文帳に追加

Ceを発光元素とし、Gd、Al、Ga、Oを含み、主にガーネット構造の母体結晶からなる酸化物蛍光体において、Feの含有量を、蛍光体重量に対して35重量ppm以下、好ましくは30重量ppm以下とする。 - 特許庁

A lift moving means 41 and a reversal moving means 51 are provided to the part opposed to a visual inspection part B in a feed route 1 of a plate member Ga by a feed device 10.例文帳に追加

搬送装置10による板状体Ｇａの搬送経路１中で、目視検査部Ｂに対向する部分に、昇降動手段41と反転動手段51を設けた。 - 特許庁

Asaji-ga-Yado' (A squalid house covered with cogon), a story in "Ugetsu monogatari" (Tale of Rainy Moon, tales of ghosts) written by Akinari UEDA, is set in Mama and based on the legend of Tekona. 例文帳に追加

上田秋成による『雨月物語』の一編「浅茅が宿」は同じく下総葛飾の真間を舞台とし、手児奈の伝説をベースとしている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The light-receiving device includes an InP substrate, and a superlattice light-receiving layer formed by alternatively laminating a sink layer of a group third-fifth compound semiconductor containing In, Ga, As, and N and a raised layer of a group third-fifth compound semiconductor containing Ga, As, and Sb to form a type 2 junction.例文帳に追加

ＩｎＰを基板とし、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｎを含む３−５族化合物半導体の沈降層と、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｂを含む３−５族化合物半導体の隆起層とを交互に積層し、タイプ２の接合を形成した超格子を受光層とする。 - 特許庁

The target containing In, Zn, and Ga as its constituent has a relative density of 75% or higher and a resistivity ρ of 50 Ωcm or less.例文帳に追加

このターゲットは、その組成にＩｎ、Ｚｎ、Ｇａを含み、相対密度が７５％以上、且つ抵抗値ρが５０Ωｃｍ以下である。 - 特許庁

Jutaro widely appears in many fiction works including 'Ryoma ga yuku' (a novel) by Ryotaro SHIBA and 'Ryoma ni omakase !' (a TV drama) scripted by Koki MITANI. 例文帳に追加

創作作品では、司馬遼太郎作「竜馬がゆく」から三谷幸喜の「竜馬におまかせ!」まで幅広いところで出現している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A standard sample having a known In or Ga concentration distribution is prepared according to the irradiation angle and irradiation energy of the oxygen ion 3.例文帳に追加

酸素イオン３の照射角及び照射エネルギーにより、既知のＩｎ又はＧａ濃度分布を有する標準試料が作製される。 - 特許庁

An Sn-Ga alloy having a composition having the atomicity % of Sn of 15% or less is housed in a heated tank 4.例文帳に追加

加熱されたタンク４内には、Ｓｎの原子数％が１５％以下の組成を有するＳｎ−Ｇａ系合金が収納されている。 - 特許庁

A gallium metal-permeated gallium nitride molded article is characterized in that gallium nitride and gallium metal exist as different phases in the molded article, and the molar ratio of Ga/(Ga + N) in the whole molded article is 55-80%.例文帳に追加

窒化ガリウムと金属ガリウムが成形物中で別の相として存在しており、かつ前記成形物全体におけるＧａ／（Ｇａ＋Ｎ）のモル比が５５％以上８０％以下であることを特徴とする金属ガリウム浸透窒化ガリウム成形物。 - 特許庁

To provide a method for producing an In-Ga-Zn-based composite oxide sintered compact where the In-Ga-Zn-based composite oxide sintered compact composed mainly of the crystal of a compound denoted as In_2Ga_2ZnO_7 is obtained as an IGZO sintered compact.例文帳に追加

ＩＧＺＯ焼結体として、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である複合酸化物焼結体を得ることができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for producing III-N layer, wherein III denotes at least one element from group III of the periodic table selected from among Al, Ga and In, having suitable properties which is substantially free of impurities from uncontrolled incorporation, and to provide a free-standing III-N substrate.例文帳に追加

実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。 - 特許庁

The metal which becomes liquid at room temperature is preferably Ga or a Ga-In alloy, its content is 3-10 wt.%, and the metal which becomes liquid at room temperature is a solid solution in which particles of the metal which becomes liquid at room temperature are present between Sn particles.例文帳に追加

常温で液体になる金属はＧａ又はＧａ−Ｉｎ合金であることが好ましく、その含有量は３乃至１０重量％であり、更にＳｎ粒子の間に常温で液体になる金属粒子が存在する固溶体である。 - 特許庁

At least one of catalyst metal selected from Pt, Pd, Rh, Ir, Ag, and Cu is carried onto substituted zeolite, where at least a part of Al element is substituted with at least one of metal element selected from B, Ga, In, and Tl, by ion exchange.例文帳に追加

ゼオライト中のAl元素の少なくとも一部がＢ，Ga，In及びTlから選ばれる少なくとも一種の金属元素で置換された置換ゼオライトに、Pt，Pd，Rh，Ir，Ag及びCuから選ばれる少なくとも一種の触媒金属をイオン交換担持した。 - 特許庁

According to the structure, the interdiffusion of Ga and As in the p-type GaAs layer 1 and Au in the metallic layer 5 is prevented while the fluctuation of the resistivity of the ohmic electrode 6 can be suppressed at a small value under the high-temperature and high-humid environment.例文帳に追加

上記構造とすることにより、ｐ型GaAs層１のGa、Asと、金属層５のAuの相互拡散を防止するとともに、高温・高湿環境下において、オーミック電極６の抵抗率の変動を小さく抑えることができる。 - 特許庁

This is the metal halide lamp in which in a light-emitting tube provided with a pair of electrodes, at least halides of Na (sodium), Sc (scandium), and Ga (gallium) as the main light-emitting material are sealed together with a rare gas, and which substantially contains no mercury.例文帳に追加

一対の電極を具えた発光管の内部に、希ガスと共に主たる発光物質として少なくとも、Na（ナトリウム）のハロゲン化物と、Sc（スカンジウム）のハロゲン化物と、Ga（ガリウム）のハロゲン化物を封入し、実質的に水銀を含まない構成のメタルハライドランプとする。 - 特許庁

In the case of one gage method, a constant current is sent in a route: an amplifier AMP2→a switch element Sa for selective scanning→a connection terminal Ta→a strain gage Ga→a connection terminal Tc→a switch element Sc'→a switch element SW2→a resistance Rb.例文帳に追加

１ゲージ法の場合、増幅器ＡＭＰ２→選択走査用のスイッチ素子Ｓａ→接続端子Ｔａ→ひずみゲージＧａ→接続端子Ｔｃ→スイッチ素子Ｓｃ′→スイッチ素子ＳＷ２→抵抗Ｒｂの経路で定電流を流す。 - 特許庁

To provide a gallium oxide powder excellent in dispersibility as a gallium oxide powder from which a sputtering target like an In-Ga-Zn composite oxide can be manufactured suitably.例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ複合酸化物などのようなスパッタリングターゲットを好適に製造できる酸化ガリウム粉末として、分散性に優れた酸化ガリウム粉末を提案する。 - 特許庁

In the phase change optical recording medium, a phase change recording material constituting a recording layer is formed from a phase change alloy containing at least Ga or In and Sb, Zr, and Mg.例文帳に追加

（１）記録層を構成する相変化記録材料が、少なくともＧａ又はＩｎと、Ｓｂ、Ｚｒ、Ｍｇを含む相変化合金である相変化型光記録媒体。 - 特許庁

The ferrite magnetic material comprises, as a main phase, a hexagonal W-type ferrite and a Ga-constituent in an amount of 15 wt.% or less (not including zero) expressed in terms of Ga_2O_3.例文帳に追加

六方晶Ｗ型フェライトが主相をなし、Ｇａ成分をＧａ_２Ｏ_３換算で１５ｗｔ％以下（ただし０を含まず）含有するようにした。 - 特許庁

According to the legend in Niibo-mura, Sado ga-shima Island, Niigata Prefecture (Present Sado City), a dragon lantern (mysterious fire which is said to be lit by a dragon) came flying almost every night at a plum tree in the Konpon-ji Temple. 例文帳に追加

新潟県佐渡島新穂村（現・佐渡市）の伝説では、根本寺の梅の木に毎晩のように龍燈（竜が灯すといわれる怪火）が飛来していた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The grouped objects Ga to Gc are moved in a grouped object unit so as to pass in the display area, according to movement information.例文帳に追加

そして、移動用情報に基づいて表示領域内を通過するように、グループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをグループ化オブジェクト単位で移動させる。 - 特許庁

Disclosed is the manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light emitting element wherein a Ga target 47a containing a Ga element and a dopant target 47b consisting of a dopant element are used to form at least a portion of a semiconductor layer by exciting the Ga target 47a by sputtering and exciting the dopant target 47b with charged particles in a beam shape.例文帳に追加

Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。 - 特許庁

A transmission line 2' as a phase circuit is formed at a predetermined position of a grounded electrode-forming section GA in a packaging substrate 6, and a chip antenna 1' is mounted on a grounded electrode non-forming section NGA.例文帳に追加

実装基板６の接地電極形成部ＧＡの所定箇所に位相回路としての伝送線路２′を形成し、接地電極非形成部ＮＧＡにチップアンテナ１′を実装する。 - 特許庁

The etching stopper layer is constituted by an amorphous oxide containing In, Ga, and An with a Zn concentration lower than 20%.例文帳に追加

エッチングストッパ層はＺｎ濃度が２０％未満のＩｎ、ＧａおよびＺｎを含むアモルファス酸化物で構成されている。 - 特許庁

In the device 1, a gap Ga is formed between the screw 5 and the nut 35 at the edge part 13 of the screw 5.例文帳に追加

フォーカス調整装置１は、リードスクリュー５の先端部１３にリードスクリュー５とナット３５と間に空隙Ｇａを形成する。 - 特許庁

The light emitting element is constituted by laminating nitride semiconductors containing at least Ga upon a substrate in p- and n-type.例文帳に追加

少なくともＧａを含む窒化物半導体が基板上にｐ型及びｎ型に積層された有する発光素子である。 - 特許庁

To provide a sputtering target composed of a In-Ga-Zn-based oxide sintered compact with which a uniform thin-film transistor panel with large area can be manufactured.例文帳に追加

大面積で均一な薄膜トランジスタパネルの製造が可能なＩｎ−Ｇｎ−Ｚｎ系酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The oxidation catalyst contains a Ce-Ga composite oxide which has cerium and gallium and is made of a solid solution in which gallium is replaced with at least a part of cerium.例文帳に追加

酸化触媒は、セリウムとガリウムとを有し、ガリウムがセリウムの少なくとも一部と置換した固溶体からなるＣｅ−Ｇａ複合酸化物を含有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target, which consists of a Cu-Ga alloy and is suppressive in occurrence of cracking, cracking or chipping, with excellent productivity.例文帳に追加

生産性よく、ヒビが入ったり、割れたり、欠けたりすることの抑制されたＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

A mixed melt 103 comprising Ga as a group III metal and Na as an alkali metal is received in a mixed melt holding container 102.例文帳に追加

混合融液保持容器１０２には、III族金属としてのＧａとアルカリ金属としてのＮａとから構成される混合融液１０３が収容されている。 - 特許庁

To improve the distribution of resistivity in the direction of the pulling axis of a Ga-doped silicon single crystal and to produce a silicon single crystal having a uniform resistivity.例文帳に追加

Ｇａがドープされたシリコン単結晶の引き上げ軸方向の抵抗率分布を改善し、均一な抵抗率を有するシリコン単結晶を製造する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor which is free of damage to a semiconductor layer made of amorphous oxide containing In, Ga and Zn, and has a small off current.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層にダメージを与えず、また、オフ電流の小さい薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

When the estimated deposit amount of PM is PMsm≤BUpm (Yes in S122), a correction execution reference value Dp is obtained from a correction execution reference value map MAPdp(GA) (S126) to determine the value of exhaust pressure difference ΔP/GA (S128).例文帳に追加

ＰＭの推定堆積量ＰＭｓｍ≦ＢＵｐｍである時（Ｓ１２２でＹＥＳ）に、補正実行基準値Ｄｐを補正実行基準値マップＭＡＰｄｐ（ＧＡ）から求め（Ｓ１２６）、排気圧力差ΔＰ／ＧＡの値を判定している（Ｓ１２８）。 - 特許庁

In the nitrogen-doped MgZnO layer next to the undoped MgZnO layer, the density of diffused Ga abruptly decreases toward a surface side and the Ga is not diffused to the upper layer of the nitrogen-doped MgZnO layer.例文帳に追加

アンドープＭｇＺｎＯ層の次の窒素ドープＭｇＺｎＯ層で、拡散してきたＧａの濃度が表面側になるにつれて、急激に減少しており、この窒素ドープＭｇＺｎＯ層の上層にＧａは拡散していない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GI superior in the adhesiveness and uniformity of a plated film, and further a GA which does not cause alloying ununiformity and is superior in powdering resistance.例文帳に追加

本発明は、メッキ皮膜の密着性および均一性に優れたＧＩ、およびさらに合金化ムラが生じず耐パウダリング性に優れたＧＡの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a sintered compact which is usable for a sputtering target having a unitary crystal structure as a principal component in the region where the content of Ga is lower compared with the content of In.例文帳に追加

Ｇａの含有量がＩｎの含有量に比べ低い領域において、単一の結晶構造を主成分として有するスパッタリングターゲットに使用できる焼結体を提供する。 - 特許庁