「a Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, the amount of intake air is set to an amount of air GaA by correcting an amount of intake air Ga by a reduction (ΔGa).例文帳に追加

さらに、吸入空気量Ｇａを減量（ΔＧａ）して空気量ＧａＡに設定する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion material consists of a composite oxide comprising Zn, Ga and In.例文帳に追加

Ｚｎ、ＧａおよびＩｎを含有する複合酸化物からなることを特徴とする熱電変換材料。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element in which Sb, Ga, or Bi is doped, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

Ｓｂ、ＧａまたはＢｉがドーピングされた半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

First, one end part (right-side end part Ga) of the substrate G is irradiated with ultraviolet rays in a standstill state.例文帳に追加

最初に基板Ｇの一端部（右側端部Ｇa）に対する静止状態で紫外線照射を行う。 - 特許庁

The crucible 10 is arranged in the reactor 20 and holds a mixed melt 220 including Bi and Ga.例文帳に追加

坩堝１０は、反応容器２０内に配置され、ＢｉとＧａとを含む混合融液２２０を保持する。 - 特許庁

A gate electrode GA of a MOSQA for a peripheral circuit is configured with the same gate electrode structure as that of a nonvolatile memory cell having a two-layer gate electrode structure, and a contact hole SC for connecting conductive films 4 and 6 constituting the gate electrode GA is arranged at a position at which it overlaps in the plane with an active region LA in a plane of the gate electrode GA.例文帳に追加

２層ゲート電極構造の不揮発性メモリセルと同じゲート電極構造によって周辺回路用のＭＯＳＱＡのゲート電極ＧＡを構成し、そのゲート電極ＧＡを構成する導体膜４，６間を接続するコンタクトホールＳＣを、そのゲート電極ＧＡの平面内において活性領域ＬＡと平面的に重なる位置に配置した。 - 特許庁

The intake air amount Ga is also reflected in increase correction of a fuel injection amount based on the engine load factor klsm. Thereby, an increase correction amount of a fuel injection amount corrected based on the engine load factor klsm is adjusted to a proper value in a way that the more the intake air amount Ga is increased, the more the increase correction amount is decreased.例文帳に追加

そのため、上記エンジン負荷率ｋｌｓｍに基づき補正される燃料噴射量の増量補正量を、吸入空気量Ｇａが多くなるほど少なくして適切な値とすることができるようになる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ga compound-doped polycrystalline silicon, in which the accuracy of the measurement and the workability of Ga doping are improved and to provide the Ga compound-doped polycrystalline silicon hardly causing photo-degradation and having high conversion efficiency stably.例文帳に追加

Ｇａドープの計測の正確性および作業性を向上させたＧａ化合物ドープ多結晶シリコンの製造方法と、光劣化が生じにくく、高い変換効率が安定的に得られるＧａ化合物ドープ多結晶シリコンとを提供するものである。 - 特許庁

A solid Ga source 8 is provided in the low temperature zone T_1, and a seed crystal of GaN or a substrate 13 of a GaN single crystal is provided in the high temperature zone T_2.例文帳に追加

低温領域Ｔ_1に固体のＧａ源８、高温領域Ｔ_2にＧａＮの種結晶またはＧａＮ単結晶の基板１３をそれぞれ設置する。 - 特許庁

While he was called Narabi-ga-oka daijin (minister) because he lived in a mountain villa at Narabi-ga-oka, Ukyo Heian-kyo (the western part of the ancient capital in current Kyoto), he was also called variously Hi daijin, Kitaoka daijin and Noji daijin. 例文帳に追加

平安京右京の双岡（ならびがおか、双ヶ丘）に山荘を営んだことから双岡大臣と称されたほか、比大臣、北岡大臣、野路大臣などと、幾通りもの呼び名をもって知られた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A gallate composite oxide of perofskite structure ABO_3-δ, including Ga in a B site is used as a solid electrolyte.例文帳に追加

固体電解質として、ペロブスカイト型構造ＡＢＯ３−δを示し、ＢサイトにＧａを含むガレート複合酸化物を用いる。 - 特許庁

A first magnetic sensor 14a arranged in a narrow gap Ga and a second magnetic sensor 14b arranged in a wide gap Gb are different in the magnetic flux density and sensitivity.例文帳に追加

狭ギャップＧａに配置される第１磁気センサ１４ａと、広ギャップＧｂに配置される第２磁気センサ１４ｂとでは、磁束密度が異なり感度が違っている。 - 特許庁

The story borrowed motifs from a tradition of ONO no Komachi and an asaji ga yado (a squalid house covered with cogon) in "Ugetsu Monogatari (Tales of Moonlight and Rain)," written by Akinari UEDA. 例文帳に追加

ストーリーは小野小町の伝承と、上田秋成の雨月物語の中の浅茅が宿をモチーフにしている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In addition, there is no direct relationship between Suiboku-ga and the dharma of the Zen sect, and it seems that Suiboku-ga was accepted as a new foreign culture as well as the Zen sect style architecture. 例文帳に追加

なお、水墨画と禅宗の教義とには直接の関係はなく、水墨画は禅宗様の建築様式などと同様、外来の新しい文化として受容されたものと思われる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The words in the first vocal section is a waka poem 'Shiho no yama sashide no iso ni sumu chidori, kimiga miyo oba yachiyo tozo naku' (しほの山さしでの磯にすむ千鳥 君が御代をば八千代とぞ鳴く) taken from Ga no bu (the Ga [celebration] section) of "Kokin Wakashu." 例文帳に追加

前唄は『古今和歌集』賀の部より採った和歌「しほの山さしでの磯にすむ千鳥君が御代をば八千代とぞ鳴く」が歌詞として節付けされている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The heat dissipating grease composition is provided, which contains a substrate comprising metal that includes gallium (Ga), indium (In) and/or tin (Sn) and has a melting point under normal pressure of 16°C or less, and a fine powdered filler comprising metal uniformly dispersed in the substrate, and which has consistency in the range of 200-400.例文帳に追加

ガリウム（Ga）、インジウム（In）及び／又はスズ（Sn）を含み、常圧下での融点が16℃以下である金属からなる基材と、それに均一に分散した金属からなる微粉末充填剤を含有し、ちょう度が200〜400の範囲内にある放熱グリース組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a CIGS thin film solar cell which can maximize an optical and/or electric conversion rate of a solar cell such that a CIGS thin film is manufactured through a process of printing an ink containing nanoparticles without requirement of vacuum processing or complex equipment and a Cu/(In+Ga) ratio and a Ga/(In+Ga) ratio of the CIGS thin film can be easily regulated.例文帳に追加

太陽電池における光・電変換率の最大化を実現するＣＩＧＳ薄膜太陽電池において、真空工程や複雑な装備の必要なしに、ナノ粒子インクの印刷工程だけでＣＩＧＳ薄膜を製造し、ＣＩＧＳ薄膜のＣｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比率及びＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比率を自在に調節できるようにする。 - 特許庁

Words such as "when you ask where Kanayago-kami was born, the god originally born in Abe-ga-mori in Katsuragi" still remain in a tatara song (which was sung when the bellows were used for metal forging) handed down in Nishi-Awakura-cho, Hideta-gun, Okayama Prefecture. 例文帳に追加

また、岡山県英田郡西粟倉町に伝わるタタラ唄に『金屋子神の生まれを問えば、元は葛城　安部が森』との言葉が残る。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the formula, A is selected from the group consisting of Si, Ge, Ti, Zr, Al, and Ga, and x denotes 1-6.例文帳に追加

式中のＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ及びＧａからなる群から選択され、ｘは１〜６である。 - 特許庁

He was good at Kacho-ga (painting of flowers and birds) as well as portraits such as those of hime (a princess) appears in the "Tale of Genji" and was also well known as the inventor of Yuzen. 例文帳に追加

花鳥画や源氏物語の姫などの人物画を得意とし、友禅の考案者として有名。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Its theme is a real incident of revenge that occurred at Gappo ga Tsuji Enma-do Temple (now in Tennoji Ward, Osaka City). 例文帳に追加

大阪天王寺の合邦辻閻魔堂（現大阪市天王寺区）で実際に起こった敵打ちをテーマにしている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The mixing step may be a step of dissolving the dopant elements in the liquid Ga.例文帳に追加

前記混合工程は、前記液状Ｇａ中に前記ドーパント元素を溶解させる工程とすることができる。 - 特許庁

In the latter part of the 15th centuries, Sesshu (1420 - 1502/1506), one of the famous painters, not only as a Suiboku-ga painter, appeared. 例文帳に追加

15世紀の後半には、水墨画家としてのみならず、著名な画家の一人である雪舟（1420-1502/1506）が登場する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Kurama Tengu refers to the great "tengu" (mountain spirit that has a long nose) which is believed to have lived in Sojo-ga-dani, situated deep on Mt. Kurama, and the tengu is also called "Kurama-yama Sojo-bo" (Priest Shobo on Mt. Kurama). 例文帳に追加

鞍馬山の奥の僧正が谷に住むといわれる大天狗、鞍馬山僧正坊。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the magnetic material, the coercive force lowers depending upon the content of Ga, and the value of saturation magnetization level has a maximum.例文帳に追加

この磁性材料はＧａの含有量に応じて保磁力が低下し、飽和磁化量は極大値を示す。 - 特許庁

She first appears in the chapter of 'Momiji no ga' (The Autumn Excursion) as Naishi no suke (assistant director of the Naishidokoro [a place where the sacred mirror is enshrined], equivalent to Jushiinoge [Junior Fourth Rank, Lower Grade]) in Emperor Kiritsubo's Imperial court. 例文帳に追加

桐壺帝の朝廷で典侍（内侍所の次官、従四位下相当）として「紅葉賀」に初登場する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This controller performs air-fuel ratio control (sub feedback control) aiming at a theoretical air-fuel ratio based on the output Voxs of the oxygen concentration sensor since the entry of air due to leakage in the oxygen concentration sensor on the downstream side of the catalyst cannot occur in a high load (Ga>A) (SUB=1).例文帳に追加

この装置は、高負荷時（Ga＞A）では、触媒下流の酸素濃度センサ内部での漏れによる空気進入が発生し得ないから同酸素濃度センサ出力Voxsに基づく理論空燃比を目標とする空燃比制御（サブフィードバック制御）を行う（SUB=1）。 - 特許庁

In a low load and low speed range where engine speed NE of the internal combustion engine is not greater than a given engine speed NE0 (Step 200) and an intake air quantity Ga is not greater than a given quantity Ga0 (Step 204), the solenoid-driven valve is driven in a braking drive mode (Step 206).例文帳に追加

内燃機関の回転数NEが所定回転数NE_０以下であり（ステップ２００）、かつ、吸入空気量Gaが所定量Ga_０以下である（ステップ２０４）低負荷低回転領域では、制動駆動モードで電磁駆動弁を駆動する（ステップ２０６）。 - 特許庁

Each of the electrodes 12 comprises a nickel alloy, containing at least one kind of element selected from among a first group comprising Ca, Sc, Ga, Ge, Ag, Rh and Ta in total, with a content of 0.001 mass% and higher and 3.0 mass% and lower.例文帳に追加

電極12は、Ca,Sc,Ga,Ge,Ag,Rh,及びTaからなる第1のグループから選ばれた少なくとも1種の元素を合計で0.001質量％以上3.0質量％以下含有し、残部がNi及び不純物からNi合金で構成する。 - 特許庁

Wire electrical discharge machining is carried out on the Cu-Ga alloy lump along its overall length by relatively moving the Cu-Ga alloy lump which is a machining object 15 and a wire 12 in a direction where they cross with each other.例文帳に追加

加工対象物１５であるＣｕ−Ｇａ合金塊とワイヤー１２とを互いに交わる方向に相対移動させ、Ｃｕ−Ｇａ合金塊に対してその全長にわたってワイヤー放電加工を行う。 - 特許庁

A Cu-Ga alloy lump as an object 13 to be machined and a blade 11 are relatively moved in a direction intersecting with each other, and the Cu-Ga alloy lump is subjected to blade-saw machining over its entire length.例文帳に追加

加工対象物１３であるＣｕ−Ｇａ合金塊とブレード１１とを互いに交わる方向に相対移動させ、Ｃｕ−Ｇａ合金塊に対してその全長にわたってブレードソー加工を行う。 - 特許庁

A precursor thin film 20 in which a first layer 21 containing In, a second layer 22 containing Cu and Ga and a third layer 23 containing Cu are laminated successively is formed on a substrate 10 by using a sputtering method, and a Cu (In, Ga) Se2 thin film is formed by thermally treating the precursor thin film 20 in an atmosphere comprising Se.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて、Ｉｎを含む第１層２１と、ＣｕおよびＧａを含む第２層２２と、Ｃｕを含む第３層２３とが順次積層してなる前駆体薄膜２０を基板１０上に形成した後、Ｓｅを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜２０を熱処理して、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_2薄膜を形成する。 - 特許庁

A boat for growth wherein a prescribed number of semiconductor wafers are arranged statically so as to face upward is dipped in Ga melt in a quartz cassette 5 whose temperature is increased up to almost 1000°C.例文帳に追加

所定数の半導体ウエハを上向きに静置した成長用ボ−トを、１０００℃程度に昇温した石英カセット内のＧａメルト中に浸漬する。 - 特許庁

The gate electrode GA of MOSQA for a peripheral circuit is constituted by the same gate electrode structure as a nonvolatile memory cell of a two-layer gate electrode structure, and a contact hole SC connecting between conductive films 4 and 6 which constitute the gate electrode GA is arranged in a position where it flatly overlaps an active area LA in the plane of the gate electrode GA.例文帳に追加

２層ゲート電極構造の不揮発性メモリセルと同じゲート電極構造によって周辺回路用のＭＯＳＱＡのゲート電極ＧＡを構成し、そのゲート電極ＧＡを構成する導体膜４，６間を接続するコンタクトホールＳＣを、そのゲート電極ＧＡの平面内において活性領域ＬＡと平面的に重なる位置に配置した。 - 特許庁

To simply and efficiently agitate a molten mix of Ga and Na in a production of a group III nitride semiconductor crystal by a Na flux method.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体結晶の製造において、ＧａとＮａの混合融液を簡易かつ効率的に攪拌すること。 - 特許庁

An antenna element 31 is disposed at a position away from a ground area GA as far as possible in a non-ground area UA by surface mount.例文帳に追加

アンテナ素子３１は、非グランド領域ＵＡ内でグランド領域ＧＡから極力離れた位置に表面実装により配設される。 - 特許庁

To provide a method for forming a non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well, heterostructure material, and a nitride semiconductor device.例文帳に追加

非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a Ga-containing nitride semiconductor with high productivity in which, by preventing the accompanying adhesion of a Ga-containing nitride to portions other than a substrate in a growth chamber of a vapor phase deposition apparatus, particularly the accompanying adhesion of the Ga-containing nitride when thick film formation is desired, various problems due to the adhesion is solved, without inhibiting the growth of the Ga-containing nitride semiconductor onto the substrate.例文帳に追加

気相成長装置の成長室内の基板以外の部分へのＧａ含有窒化物の随伴的な付着、特に厚膜形成を行いたい場合の当該Ｇａ含有窒化物の随伴的な付着を防止することにより当該付着による様々な問題を解消し、且つ基板上へのＧａ含有窒化物半導体の成長が阻害されることなく、生産性が高いＧａ含有窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target composed of Cu-In-Ga-Se four-element based alloy in which the composition segregation is considerably less, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

組成偏析の極めて少ないＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The metal material contains at least one selected from a group (A) of Ga, In, Pb, Bi, Cd, Mg, Zn, Ag, Au, each element in an amount of 0.01 to 1 mass%.例文帳に追加

（Ａ）Ｇａ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ａｇ，Ａｕの群から選ばれる少なくとも１種を、１種あたり０．０１質量％以上１質量％以下含有する。 - 特許庁

Nakademo Toji no Rashomon niwa, Ibaragidoji ga udekuri gongo tsukande omusharu, kano Raiko no hizamoto sarazu (among all, at Rajomon Gate of Toji Temple, Ibaraki Doji [a character in Demon Legend of Mt.Oe] is holding 902 ml of boiled chestnuts; never leaving Raiko's [a character in Demon Legend of Mt.Oe] side). 例文帳に追加

中でも東寺の羅城門には、茨木童子が腕栗五合掴んでおむしゃる、彼の源頼光の膝元去らず。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The oxide containing In, Ga, and Zn includes a repeated structure in which four layered structures are assumed to be one unit, the layered structures each consist of an oxide containing at least one of In, Ga, and Zn.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物であって、４つの層状構造を１ユニットとする繰り返し構造を含み、前記層状構造はそれぞれＩｎ、Ｇａ、Ｚｎのうち少なくとも１つを含む酸化物からなる酸化物。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high purity Ga-sputtering target in which impurities such as oxygen are removed.例文帳に追加

酸素等からなる不純物を除去した、純度の高いＧａスパッタターゲットの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A crucible 10 holding a mixed melt 290 of Na metal and Ga metal is disposed in an internal reaction vessel 20.例文帳に追加

金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２９０を保持する坩堝１０は、内部反応容器２０内に配置される。 - 特許庁

The clathrate compound has a composition having Ca substituted for some of atoms in a composition expression Ba_8(Ga, Sn)_46.例文帳に追加

本発明のクラスレート化合物は、組成式Ｂａ_8（Ｇａ、Ｓｎ）_46 において、一部の原子がＣａで置換されている組成を有する。 - 特許庁