「a Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

In a period during which a half-clutch detection signal transmitted from a half-clutch detection section 300 is applied, an integration section 402 interrupts integration of an air flow output GA, and a timer section 404 interrupts time measurement.例文帳に追加

半クラッチ検出部３００からの半クラッチ検出信号が与えられる期間において、積算部４０２はエアフロ出力ＧＡの積算を中断し、タイマ部４０４は時間計測を中断する。 - 特許庁

After a channel protective layer is formed over an oxide semiconductor film containing In, Ga and Zn, a film having n-type conductivity and a conductive film are formed, and a resist mask is formed over the conductive film.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜上にチャネル保護層を形成した後、ｎ型の導電型を有する膜と、導電膜を成膜し、導電膜上にレジストマスクを形成する。 - 特許庁

The adsorbent is a metal hydroxide/zeolite composite comprising a metal hydroxide (A) containing at least one metal selected from Cu, Au, Mg, Ca, Zn, Sr, Cd, Ba, Al, Ti, Ga, In, Tl, Pb, V, Bi, Cr, Mn, Fe, Co and Ni and a zeolite (B).例文帳に追加

Ｃｕ，Ａｕ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃｄ，Ｂａ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｖ，Ｂｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中の少なくとも１種の金属含有の金属水酸化物（Ａ）とゼオライト（Ｂ）を含有することを特徴とする金属水酸化物／ゼオライト複合体。 - 特許庁

The element further comprises a nitride semiconductor layer group constituted of, for example, a conductive layer 3 or the like containing at least one selected from the group consisting of Al, Ga and In on the layer 2 in addition to performing function as an element.例文帳に追加

そして、下地層２上に、素子としての機能を果たし、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一つを含む、例えば導電層３などから構成される窒化物半導体層群を形成する。 - 特許庁

The A/D conversion is performed after subtracting correction signals (GD, GA) set so that the output signal of the imaging device (3) is settled in the dynamic range of an A/D converter (5) from an imaging signal (IN).例文帳に追加

撮像素子（３）の出力信号がＡ／Ｄ変換器（５）のダイナミックレンジ内に収まるように設定した補正信号（ＧＤ、ＧＡ）を撮像信号（ＩＮ）から差し引いてからＡ／Ｄ変換する。 - 特許庁

However, after the release of Shinobu ORIKUCHI's thesis, "Haha ga kuni he/ Tokoyo he" (published in 1920), it does not a mere world of the dead, but a Utopia which is considered to exist over the sea or in the sea when you mentioned especially 'Tokoyo.' 例文帳に追加

しかし、折口信夫の論文『妣が国へ・常世へ』（1920年に発表）以降、特に「常世」と言った場合、単なる死者の国ではなく、海の彼方・または海中にあるとされる理想郷である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In a first step, a vapor deposition method with a polycrystalline sintered body having an IGZO-based composition as a target is used to form, on a substrate 12, a thin film 10A comprising an amorphous oxide semiconductor containing at least one element in a group comprising In, Ga, and Zn.例文帳に追加

第１工程として、基板１２上に、ＩＧＺＯ系の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとした気相成膜法を用いて、ＩｎとＧａとＺｎからなる群のうち少なくとも１つの元素を含有する非晶質酸化物半導体からなる薄膜１０Ａを成膜する。 - 特許庁

In a mercury-free ceramic metal halide lamp (1), any one of halides of Zn, Al, Ga, In, and Sn is encapsulated, and a temperature difference between an upper part and a lower part of the light-emitting tube surface is restricted to 200°C or lower by disposing a center of electrodes in a lower side of a center of a light-emitting part.例文帳に追加

無水銀セラミックメタルハライドランプ（１）には、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎのいずれかのハロゲン化物が封入され、電極間中心を発光部中心よりも下側に配置することにより、発光管表面温度の上部温度と下部温度の差を２００℃以下に抑制する。 - 特許庁

In the process shown in (i), the three-dimensional microfabrication structure is fabricated on which a dent is formed by performing etching and by detaching Ga preferably from the exposed portion of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

（ｉ）に示す工程では、エッチング処理を行って、ＧａＡｓ基板１の露出部分からＧａを優先的に剥離させることで窪み等が形成された三次元微細構造を作製する。 - 特許庁

Intake air quantity Ga is adjusted by adjusting a throttle valve opening in an approximation range value in which fuel injection time approximates target value TAU1 next.例文帳に追加

次に、燃料噴射時間ＴＡＵがその目標値ＴＡＵ１に近似する近似領域値となるようにスロットル開度を調整することで吸入空気量Ｇａを調整する。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of forming a film sufficiently containing Se by sputtering as a laminated film for forming a Cu-In-Ga-Se quaternary alloy film, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金膜を形成するための積層膜として、スパッタ法により十分にＳｅを含有した膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for producing the sputtering target includes a step of pressure-sintering a mixed powder of an alloy powder which includes one or more of Ga, In, and Se, and Cu, and a pure Se powder, in a vacuum or an inert gas atmosphere.例文帳に追加

このスパッタリングターゲットの製造方法は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金粉と、純Ｓｅ粉との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中で加圧焼結する工程を有している。 - 特許庁

The method for manufacturing a fluorescent material for use in a scintillator which uses Ce as a light-emitting element and has a garnet structure containing Gd, Ga, Al and O, is characterized by using as an Al raw material an alumina powder which is heat-treated in vacuum.例文帳に追加

Ｃｅを発光元素とし、Ｇｄ、Ｇａ、Ａｌ、Ｏを含有するガーネット構造のシンチレータ用の蛍光材料の製造方法であって、Ａｌ素原料に真空中で熱処理したアルミナ粉末を用いることを特徴とする。 - 特許庁

In this display device, a switching part driving circuit 5 which drives a data line selecting TFT (thin film transistor) by outputting a data line selection signal to gate lines Ga, Gb is mounted in a gate line driving circuit 2 which drives gate lines GL1 to GLM being scanning lines.例文帳に追加

データ線選択信号をゲート線Ｇａ・Ｇｂに出力してデータ線選択ＴＦＴを駆動するスイッチ部駆動回路５は、走査線であるゲート線ＧＬ１〜ＧＬＭを駆動するゲート線駆動回路２に搭載されている。 - 特許庁

Further, the method for producing the sputtering target includes: a step of hot-pressing a powder mixture of Na_2S powder and Cu-Ga alloy powder or a powder mixture of Na_2S powder, Cu-Ga alloy powder and pure Cu powder in vacuum or an inert gas atmosphere; or a step of sintering the powder mixture according to a hot isostatic pressing method.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、Ｎａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末との混合粉末、又はＮａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末と純Ｃｕ粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程、または、熱間静水圧法で焼結する工程を有している。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor giving no damage to a semiconductor layer in a process for making conductivity of the semiconductor layer comprising an amorphous oxide including In, Ga, and Zn high, and in an etching process of a source electrode and a drain electrode, and to provide a liquid crystal display using the same.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層の高導電率化工程やソース電極及びドレイン電極のエッチング工程において、半導体層にダメージを与えないような薄膜トランジスタ及びこれを用いた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a staggered (a top gate structure) thin-film transistor in which an oxide semiconductor film containing In, Ga, and Zn is used as a semiconductor layer and a buffer layer is provided between the semiconductor layer and a source and drain electrode layers.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 is grown on the surface of a GaAs substrate 1 by bringing a Ga molten liquid in which Si is doped as an impurity into contact with the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の表面に、不純物としてＳｉが添加されたＧａ融液を接触させることにより、ＧａＡｓ基板１の表面上にエピタキシャル層２を成長させる。 - 特許庁

In an image extraction part 21, each time input for each line is present for the divided images A and B, image parts Ga and Gb of the overlap area of the divided images A and B are extracted.例文帳に追加

画像抽出部２１では、分割画像Ａ，Ｂについて１ラインごとの入力がある度に、分割画像ＡとＢとの重複領域の画像部分Ｇａ，Ｇｂを抽出する。 - 特許庁

To provide an In-Ga-Zn based compound oxide sintered body with low specific resistance and capable of forming a thin film of high transmittance of the light, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In such a case, on respective pixel lines Sa to Si the images Ga and Gb caused by the fluctuation of the circumferential speed are canceled and consequently the image having nearly the same shape as a normal Gx is formed.例文帳に追加

この際に、各画素ラインＳａ〜Ｓｉには、周速変動で生じる画像ＧａとＧｂが相殺されて正規の画像Ｇｘとほぼ同じ形状の画像が形成される。 - 特許庁

The conductive paste for solar cell electrodes contains an organic binder, a solvent, conductive particles, glass frits, and a compound containing Al, Ga, In, or Tl.例文帳に追加

有機バインダと、溶剤と、導電性粒子と、ガラスフリットと、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ又はＴｌを含む化合物とを含有する、ことを特徴とする太陽電池電極用導電性ペーストである。 - 特許庁

A search means 13 searches the stereoscopic processing parameter of the specific original image Ga from the project file Fp on the basis of comparison results, after comparing the image characteristic value Ng calculated by the calculation means 12 about the specific original image Ga with each image characteristic value Nf stored in the storage device 21.例文帳に追加

検索手段１３は、算定手段１２が特定の原画像Ｇａについて算定した画像特性値Ｎgと記憶装置２１に記憶された各画像特性値Ｎfとを対比し、この対比の結果に基づいて特定の原画像Ｇａの立体化パラメータをプロジェクトファイルＦpから検索する。 - 特許庁

The Cu-Ga based alloy sputtering target material includes, in atom%, not less than 25% and less than 40% of Ga, the balance comprising Cu and unavoidable impurities, wherein the sputtering target material has an oxygen content of less than 250 ppm and a grain size of more than 10 μm and not more than 100 μm.例文帳に追加

また、原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２５０ｐｐｍ未満、かつ結晶粒径が１０μｍを超え、１００μｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金スパッタリングターゲット材。 - 特許庁

A local group LG composed of players belonging to the same team is generated in each parlor, and next, the local groups LG are combined by team to generate groups G (a group Ga of a team A and a group Gb of a team B) of the teams.例文帳に追加

また、店舗毎に、所属軍が同じプレーヤから構成されるローカルグループＬＧが生成され、次いで、軍毎にローカルグループＬＧを組み合わせて該軍のグループＧ（Ａ軍のグループＧａ及びＢ軍のグループＧｂ）が生成される。 - 特許庁

To provide a thin film transistor wherein a thin film comprising an oxide semiconductor containing at least one element in a group comprising In, Ga, and Zn can have a high TFT characteristic, and also to provide a method for manufacturing a polycrystalline oxide semiconductor thin film, and a method for manufacturing a thin film transistor.例文帳に追加

ＩｎとＧａとＺｎからなる群のうち少なくとも１つの元素を含有する酸化物半導体からなる薄膜が、高いＴＦＴ特性を有することが可能な薄膜トランジスタ、多結晶酸化物半導体薄膜の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A protein code area is discovered by using the facts that GA appears in the leading 2 bases of codon with the highest frequency (N1), that TG appears with the lowest frequency (N3), that TG appears in the tail 2 bases with the highest frequency (N4), and that the GA appears with the lowest frequency (N2).例文帳に追加

タンパク質コード領域を発見するため、コドンの先頭２塩基にはＧＡがもっとも高い頻度（Ｎ１）で出現し、ＴＧがもっとも低い頻度（Ｎ３）で出現し、後尾２塩基にはＴＧがもっとも高い頻度（Ｎ４）で出現し、ＧＡがもっとも低い頻度（Ｎ２）で出現することを利用する。 - 特許庁

In the case of ΔP/GA≥Dp (Yes in S128), a state of having deviation between the estimated deposit amount PMsm and the actual deposit amount is determined, and PMsm is increase-corrected with an increase correction amount PMadd (S132) obtained from an increase correction amount map MAPadd(ΔP/GA) (S134).例文帳に追加

そしてΔＰ／ＧＡ≧Ｄｐである場合には（Ｓ１２８でＹＥＳ）、推定堆積量ＰＭｓｍと実堆積量とに乖離を生じた状態であるとして、増加補正量マップＭＡＰａｄｄ（ΔＰ／ＧＡ）から求めた増加補正量ＰＭａｄｄ（Ｓ１３２）にてＰＭｓｍを増加補正している（Ｓ１３４）。 - 特許庁

Hydrogen chloride is introduced into a reaction vessel 106 in which the compound semiconductor monocrystal substrate 4 and Ga are arranged, the moisture concentration in hydrogen chloride introduced into the reaction vessel 106 is regulated to be ≤10 ppm at all times and the Ga- containing compound semiconductor layer is grown by hydride vapor phase growth is grown.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板４とＧａとを配置した反応容器１０６内に塩化水素を導入するとともに、該反応容器１０６内に導入される塩化水素中の水分濃度を常時１０ｐｐｍ以下に規制しつつ、Ｇａ含有化合物半導体層をハイドライド気相成長法により成長させる。 - 特許庁

This raw material 1 is used for production of GaAs crystal by utilizing coagulation of a melt and houses As 12 in the interior of Ga 10 and 11.例文帳に追加

融液の凝固を利用してＧａＡｓ結晶を製造するために用いられる製造用原料１であって，Ｇａ１０，１１の内部にＡｓ１２を収納した。 - 特許庁

The angle Ga of inclination of the side walls in the position of the half-value width of a recessed part G of the reflection layer 3 corresponding to the groove Tg of the substrate 1 is regulated to 15 to 80°.例文帳に追加

基板１のグルーブＴｇに対応する反射層３の窪み部Ｇの半値幅の位置における側壁の傾斜角Ｇａを１５°〜８０°に調整する。 - 特許庁

Thereby, air flow output GA in the period during which the half-clutch detection signal is applied is excluded from a target for calculating the amount of air integrated GASUM.例文帳に追加

これによって、半クラッチ検出信号が与えられる期間のエアフロ出力ＧＡは、積算空気量ＧＡＳＵＭを算出するための対象から除外される。 - 特許庁

According to Heike-kindachi Soshi (a book on Taira clan nobles), his name was shown among participants with his 4 elder brothers at the 50th birthday celebration of the Cloistered Emperor Goshirakawa, 'Angen no ga (Celebration of Angen Year)' in March (lunar calendar) 1176. 例文帳に追加

平家公達草紙によると、安元2年（1176年）3月の後白河法皇50歳の祝賀の催し「安元の賀」に兄達四人と共に彼の名前が見られる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a method for reducing processing damage in slicing semiconductor crystals such as hard-brittle Ga-containing nitride crystal.例文帳に追加

半導体結晶等、特に硬脆性のＧａ含有窒化物結晶などの半導体結晶等をスライスする際の加工ダメージを低減させる手法を提供すること。 - 特許庁

To provide a scheduling device which makes an optimum solution search using GA effectively function under certain specific conditions wherein respective operations are in the same rank.例文帳に追加

各々の作業の並びが同じである特定の条件下でＧＡを用いた最適解探索が有効に機能するスケジューリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In detailed words, the layer is irradiated with laser light once and, when an interface to a sapphire substrate of the GaN layer becomes gallium (Ga), it is irradiated with laser light again through the sapphire substrate.例文帳に追加

詳しくは、レーザ光を１回照射してＧａＮ層のサファイア基板との界面がガリウム（Ｇａ）となったところに、再度サファイア基板越しにレーザ光を照射する。 - 特許庁

A sputtering target contains oxides of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a compound expressed as ZnGa_2O_4 and a compound expressed as InGaZnO_4.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＺｎＧａ_２Ｏ_４で表される化合物及びＩｎＧａＺｎＯ_４で表される化合物含むスパッタリングターゲット。 - 特許庁

Thus, the clathrate compound in which Ga is exchanged for Al represents better number values as to a Seebeck coefficient, a specific resistance and a performance index (ZT) than the Ba_8Ga_16Sn_30 thermoelectric conversion material.例文帳に追加

このように、ＧａをＡｌで置換したクラスレート化合物は、ゼーベック係数、比抵抗、および性能指数（ＺＴ）についてＢａ_８Ｇａ_１６Ｓｎ_３０熱電変換材料よりも良い数値を示す。 - 特許庁

The oxide phosphor is an oxide phosphor containing Ce as a luminescent element and comprising a matrix crystal mainly consisting of a garnet structure and containing at least Gd, Al, Ca, and O and containing Na in an amount of 500 wt. ppm based on the weight of the oxide phosphor.例文帳に追加

Ceを発光元素とし、少なくともGd、Al、Ga、Oを含んだ、主にガーネット構造の母体結晶からなる酸化物蛍光体であり、Naを酸化物蛍光体重量に対して500wtppm以下含有する。 - 特許庁

Ga holes are generated by using the SiO2 film in a crystal under the film, and diffused into a quantum well active layer to make it disordered, by the process a window-structure region 112 is formed.例文帳に追加

このＳｉＯ_2膜により直下の結晶にＧａ空孔を生じさせ、これを量子井戸活性層１０３に拡散させて無秩序化させることにより窓構造領域１１２を形成する。 - 特許庁

A correlation calculation section 42 calculates a correlation value CB between each reference line GB of the reference matrix MB arranged in a time point and each similarity line GA of the similarity degree matrix MA, for each time point of the time axis T.例文帳に追加

相関算定部４２は、時間軸Ｔの各時点について、当該時点に配置した基準マトリクスＭBの各基準線ＧBと類似度マトリクスＭAの各類似線分ＧAとの相関値ＣBを算定する。 - 特許庁

In the conductive zinc oxide film including at least one element selected from a group consisting of B, Al, Ga and In as a dopant, hydrogen is contained in the film and the content of the hydrogen is ≤3×10^21 atoms/cm^3.例文帳に追加

Ｂ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる１つ以上の元素をドーパントとして含む導電性酸化亜鉛膜において、膜中に水素を含むものとし、その水素の含有量を３×１０^21 atoms/cm^3以下とする。 - 特許庁

In the insulated gate transistor, desorption gas observed as a water molecule by a temperature rising desorption analysis (TDS measurement)is less than 1.4 molecules/nm^3 if an oxide containing at least one element of In, Ga, and Zn is used in an active layer 5.例文帳に追加

活性層にＩｎ、Ｇａ、Ｚｎの内、少なくとも1つを含む酸化物を用いる場合において、昇温脱離分析（ＴＤＳ測定）により水分子として観測される脱離ガスを１．４個／ｎｍ^３未満とする。 - 特許庁

An electronic control device 61 defines a relation between suction air quantity GA to an engine 11 and temperature (catalyst temperature) of a exhaust system component (exhaust emission control catalyst 27) beforehand, calculates a value following catalyst temperature defined by suction air quantity GA after change and the relation mentioned above with response delay by gradual change process and calculates estimated catalyst temperature based on the value during transient period in which suction air quantity GA changes.例文帳に追加

電子制御装置６１は、エンジン１１への吸入空気量ＧＡと排気系部品（排気浄化触媒２７）の温度（触媒温度）との関係を予め定めておき、吸入空気量ＧＡが変化する過渡時には、その変化後の吸入空気量ＧＡと上記関係とから求まる触媒温度に応答遅れを有して追従する値を徐変処理により算出し、この値に基づき推定触媒温度を算出する。 - 特許庁

As its one mode, when the output of the oxygen sensor inverts (timing t3) in a situation that the intake air amount GA is smaller than a determination value β, a target air-fuel ratio (a rich air-fuel ratio) immediately before the inversion is maintained.例文帳に追加

その一態様として、吸入空気量ＧＡが判定値βよりも少ない状況下で酸素センサの出力が反転する（タイミングｔ３）と、その反転直前の目標空燃比（リッチ空燃比）を維持する。 - 特許庁