「a Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A three-dimensional image processing part reads out, from a character storing part, a plurality grouped objects Ga to Gc into which objects for displaying individual patterns are grouped, and arranges the grouped objects Ga to Gc in sequence outside a display area set in a world coordinate system or positions without projection on a projection plane TM.例文帳に追加

３次元画像処理部は、単一の図柄を表示するためのオブジェクトをグループ化した複数個のグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをキャラクタ記憶部から読み出し、それらグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをワールド座標系に設定された表示領域外すなわち投影平面ＴＭに投影されない位置に順次配置する。 - 特許庁

The Cu-Ga alloy powders are subjected to heat treatment in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 250-1,000°C, and the heat-treated Cu-Ga alloy powders are sintered by a hot-press method in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 250-1,000°C and a pressing pressure of 5-30 MPa.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度で熱処理し、熱処理したＣｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度と、５ＭＰａ〜３０ＭＰａのプレス圧力とでホットプレス法により焼結する。 - 特許庁

In the method for preparing the oxidation catalyst, the precursor of the Ce-Ga composite oxide containing a manganese nitrate or an iron nitrate, after being exposed to a solution in which alkaline metal ions are dissolved, is dried and baked to form the Ce-Ga composite oxide.例文帳に追加

酸化触媒の製造方法は、Ｍｎ硝酸塩又はＦｅ硝酸塩を含むＣｅ−Ｇａ複合酸化物の前駆体を、アルカリ金属イオンが溶解した溶液に曝し、次いで、乾燥及び焼成することにより、上記Ｃｅ−Ｇａ複合酸化物を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a GaN single crystal is synthesized by evaporating Ga from the low temperature zone T_1, then forming a GaN forming gas by reacting the evaporated Ga with a nitrogen component in the gas, and allowing the GaN forming gas to reach the seed crystal or the substrate 13 of the GaN single crystal in the high temperature zone T_2.例文帳に追加

低温領域Ｔ_1からＧａを蒸発させ、その蒸発させたＧａをガス中の窒素成分と反応させてＧａＮ形成ガスを形成し、ＧａＮ形成ガスを高温領域Ｔ_2の種結晶またはＧａＮ単結晶の基板１３に到達させてＧａＮ単結晶を合成する。 - 特許庁

To accurately expose a second pattern in alignment by compensating the error of a first exposure and the distortion of a printed board when the first exposure is a D/D system and a second exposure is a GA system.例文帳に追加

第１露光がＤ／Ｄ方式で、第２露光がＧＡ方式の場合に、第１露光の誤差とプリント基板の歪みを補償して第２パターンを精度良くアライメントにて露光させる。 - 特許庁

In this case, the concentration of Zn is lower than those of In and M (M is one or a plurality of elements selected from Fe, Ga, Ni, and Al).例文帳に追加

この場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素）よりも低くする。 - 特許庁

In "Ryoma ga iku" (Ryoma goes) by Ryotaro SHIBA, there is a description in which Ryoma SAKAMOTO's wife Oryo plays (Mostly because of this book, gekkin is well-known today). 例文帳に追加

司馬遼太郎の竜馬がゆくの中で、坂本竜馬の妻・お龍がつま弾く描写がある（現在の知名度の高さはそれによるところが大きい）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the case when it is judged to be in the accelerating state, correction of air flow meter output GA is actually prohibited by making a pulsation correction coefficient K [1.0].例文帳に追加

加速状態にあると判断された場合には、脈動補正係数Ｋを「１．０」とすることで実質的にはエアフロメータ出力ＧＡの補正を禁止する。 - 特許庁

To evade the occupancy of a selection pattern by a pattern composed of the same element and the occupancy of a pattern group and to prevent retrieval from being ended by a local solution in GA.例文帳に追加

ＧＡにおいて、同じ要素からなるパターンによる選択パターンの占有と、パターン集団の占有を回避し、検索が局所解で終了しないようにする。 - 特許庁

In a tread rubber G comprising a cap rubber layer G1 and a base rubber layer G2, the base rubber layer G2 is three-divided to a central rubber part GA and outer rubber parts GB.例文帳に追加

キャップゴム層Ｇ１とベースゴム層Ｇ２とからなるトレッドゴムＧにおいて、前記ベースゴム層Ｇ２を中央ゴム部ＧＡと外側ゴム部ＧＢとに３区分している。 - 特許庁

To provide an oxide for a sputtering target comprising an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn), comprising a new oxide crystal phase, and having satisfactory appearance.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、新規酸化物結晶相を含む、外観が良好なスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。 - 特許庁

He also showed talent as a playwright of Kyogen, composing 'Oni ga Yado' (literally, 'Inn of an Ogre') and attempting a re-composition of 'Tanuki no Haratsuzumi' (a story of a raccoon dog and a huntsman, commonly known as "Hikone Danuki," or "A Raccoon Dog in Hikone), which had been a haikyoku (a Noh song no longer performed). 例文帳に追加

また、新作狂言「鬼ヶ宿」の制作や、廃曲となっていた「狸の腹鼓」の復曲（いわゆる「彦根狸」）を試みるなど、狂言作者としての才能も持っていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Ca to Cc are driving circuits which drive each light emitting element, Ca is wired to a light emitting element groups in Ga zone, Cb to those in Gb zone, and Cc to those in Gc zone.例文帳に追加

Ｃａ〜Ｃｃは各発光素子を駆動する駆動回路で、ＣａはＧａの区域、ＣｂはＧｂの区域、ＣｃはＧｃの区域の発光素子グループと結線される。 - 特許庁

A nitride semiconductor device is provided with a well layer consisting of a nitride semiconductor containing In and Ga, a barrier layer consisting of nitride semiconductor which sandwiches the well layer, and contains Al and Ga with larger band gap energy than the well layer; and a thin film layer formed between the well layer and the barrier layer.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、ＩｎとＧａを含む窒化物半導体からなる井戸層と、井戸層を挟み、井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＡｌとＧａを含む窒化物半導体からなる障壁層と、井戸層と障壁層との間に設けられた薄膜層とを備えている。 - 特許庁

The n-side clad layer 3 in the semiconductor laser 1 has a four element material of In, Ga, As and P lattice matched to InP and has a composition wavelength of 0.96-0.98 μm.例文帳に追加

この半導体レーザ１におけるｎ側クラッド層３は、ＩｎＰに格子整合したＩｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｐの４元材料を有し、その組成波長が０．９６〜０．９８μｍである。 - 特許庁

Hydrogen chloride is introduced into a Ga reservoir 8, in which gallium is arranged, and is jetted from a jetting port 10 arranged in the vicinity of the top part of the group V gas diffusing part 7.例文帳に追加

一方、塩化水素はガリウムを配置したＧａ溜め８に導かれ、Ｖ族ガス拡散部７の頂点部付近に配置された噴射口１０より噴射される。 - 特許庁

To cut even a Cu-Ga alloy ingot, which is manufactured by, for example, the dissolved casting and has relatively large composition ratio of Ga, into a desired shape without causing cracking, cracking or chipping, and to provide a sputtering target consisting of a Cu-Ga alloy and having an excellent surface smoothness Ra of ≤0.1 μm by the surface polishing in a relatively short period of time.例文帳に追加

例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の形状に切断し、Ｒａが０．１μｍ以下の優れた表面平滑性を有するＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットを比較的短時間の表面研磨により提供する。 - 特許庁

The process for producing the sputtering target comprises the steps of: forming a molded object comprising a mixed powder composed of an NaF powder and a Cu-Ga powder or a mixed powder composed of an NaF powder, a Cu-Ga powder and a Cu powder; and sintering the molded object in a vacuum atmosphere, an inert gas atmosphere or a reductive atmosphere.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、ＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末との混合粉末、又はＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末とＣｕ粉末との混合粉末からなる成形体を形成し、その後、真空、不活性ガスまたは還元雰囲気中で焼結する工程を有している。 - 特許庁

To provide a production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell in which formation of a discontinuous layer (insular In film) can be prevented when a pure In film is deposited by sputtering, and oxidation of Ga can preferably be minimized when a CIGS based light absorption layer, or the like, containing Ga is produced.例文帳に追加

スパッタリング法によって純Ｉｎ膜を成膜したときにおける不連続層生成（島状Ｉｎ膜の形成）を防止でき、好ましくはＧａを含むＣＩＧＳ系光吸収層などを製造する場合には、Ｇａの酸化を抑制することが可能な化合物薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法を提供する。 - 特許庁

The metal 21 is preferably a metal element of Ga, In, Zn, Cd, Sn, Pb or Bi or an alloy thereof.例文帳に追加

また、金属２１がＧａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉの金属元素、及びこれらの金属元素の合金であることが好ましい。 - 特許庁

Using the mask 20a, on the InP layer 24, a group III-V compound semiconductor layer 26a including Ga, In, and As is formed.例文帳に追加

マスク２０ａを用いて、ＩｎＰ層２４上にＧａ、Ｉｎ、及びＡｓを含むIII−Ｖ族化合物半導体層２６ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an oxide monocrystal cheap and good in quality by using metal Ga without breaking Pt crucible.例文帳に追加

金属Ｇａを用いて、白金るつぼを破損させることなく、安価で良好な酸化物単結晶の作製方法を提供する。 - 特許庁

The actual deviation Da between the actual gap Ga and reference gap GR in the entire coating application region is calculated by a controller 15 prior to starting the coating application.例文帳に追加

塗布開始前に、全塗布領域における実ギャップＧａと基準ギャップＧ_Rの実偏差Ｄａを制御装置１５で演算する。 - 特許庁

The zinc-oxide-based target includes zinc oxide as a main component, and both elements of titanium (Ti) and gallium (Ga), in which the titanium content is in a range of 1.1 at% or more and the gallium content is in a range of 4.5 at% or more.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とし、チタン（Ｔｉ）及びガリウム（Ｇａ）の両元素を含有し、両元素がチタン１．１ａｔ％以上又はガリウム４．５ａｔ％以上の範囲で含有されている。 - 特許庁

In the initial crack forming step, at a longitudinal end Ga of the glass film G, an initial crack group Cg is formed by assembling and arranging a plurality of initial cracks C in a width direction.例文帳に追加

初期クラック形成工程では、ガラスフィルムＧの長手方向端部Ｇａに、複数の初期クラックＣを幅方向に集合して配置させてなる初期クラック群Ｃｇを形成する。 - 特許庁

A display driving circuit 35 applies either on-voltage or off-voltage on the liquid crystal device 324 in each of a plurality of sub-fields SF in each field F, according to a grayscale data GA.例文帳に追加

表示駆動回路３５は、オン電圧およびオフ電圧の何れかを各フィールドＦ内の複数のサブフィールドＳFの各々にて階調データＧAに応じて液晶素子３２４に印加する。 - 特許庁

The manufacturing method of the compound semiconductor element includes a process sequence for applying heat treatment at a heat treatment temperature in the range of 350 to 430°C, after electrodes 17, 19 containing Pt (platinum) and Ti (titanium) are formed in a compound semiconductor wafer 1 that contains Ga (gallium) or In (indium) or a compound semiconductor layer 15 containing Ga or In.例文帳に追加

化合物半導体素子の製造方法において、Ｇａ（ガリウム）またはＩｎ（インジウム）を含む化合物半導体ウエハ１またはＧａまたはＩｎを含む化合物半導体層１５にＰｔ（白金）またはＴｉ（チタン）を含む電極１７，１９を形成した後、熱処理温度を３５０℃〜４３０℃の範囲内とする熱処理を施す工程を含む手順とする。 - 特許庁

The position of a gravity center Ga of the recording layer 3 in its thickness direction is located at a position of the interior of the recording layer 3 biased by 1/2 of the layer thickness toward the fixed layer 1.例文帳に追加

記録層３の膜厚方向における磁化の重心Ｇａの位置が記録層３の膜厚の１／２よりも固着層１側に位置している。 - 特許庁

To provide a method for stably forming a p-type In-Ga-Zn-O film.例文帳に追加

安定的にｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜することができるｐ型Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜の成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a frame period, the writing of picture data to the pixels is performed by successive selection of first scanning lines GA by a first scanning line driving part 3a.例文帳に追加

１フレーム期間において、画像データの書込みは、第１の走査線駆動部３ａによる第１の走査線ＧＡの順次選択によって行う。 - 特許庁

An AlYGa1-YAs (0≤Y≤1) layer, in which ethyl Ga is set to be a raw material, is arranged between the superstructure buffer layer and a GaInAs-channel layer.例文帳に追加

また、超格子構造緩衝層とＧａＩｎＡｓチャネル層との中間に、エチルＧａを原料としたＡｌ_YＧａ_1-YＡｓ（０≦Ｙ≦１）層を配置する。 - 特許庁

Through combination of these features, the inventive clip can be used in a fragile substrate (e.g. a Ga-As substrate) which is damaged by other clip.例文帳に追加

この特徴の組み合わせによって、他のクリップによって損傷されやすい脆い基板（たとえば、Ｇａ−Ａｓ）に本発明のクリップを使用することができる。 - 特許庁

A calculation means 12 calculates an image characteristic value Ng from pixel values of a plurality of pixels included in the original images Ga acquired by the acquisition means 11.例文帳に追加

算定手段１２は、取得手段１１が取得した原画像Ｇａに含まれる複数の画素の画素値から画像特性値Ｎgを算定する。 - 特許庁

The oxide sputtering target is a sintered compound target used when forming a film by sputtering the amorphous oxide film containing at least In, Zn, and Ga.例文帳に追加

酸化物スパッタリングターゲットは、少なくともＩｎ、Ｚｎ、Ｇａを含むアモルファス酸化物膜をスパッタリング成膜する際に用いられる焼結体ターゲットである。 - 特許庁

As In raw material, a trymethyl compound is used, as the Ga raw material and Al raw material, a tryethyl compound is used and as the As raw material, AsH_3 is used.例文帳に追加

Ｉｎ原料にはトリメチル化合物を用い、Ｇａ原料およびＡｌ原料にはトリエチル化合物を用い、Ａｓ原料にはＡｓＨ_3を用いる。 - 特許庁

The aluminum alloy for conduction has a composition comprising at least one kind of element selected from Ag, Mn, Sn, Zn, Cu, Ga, Ge, Li, Mg, Si, Th, Ti, V and Zr in the ratio of 0.3 to 10.0 wt.%, and the balance Al as the main component with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明に係る導電用アルミニウム合金は、 Ag,Mn,Sn,Zn,Cu,Ga,Ge,Li,Mg,Si,Th,Ti,V,Zrから選択される少なくとも１種の元素を0.3〜10.0重量％の割合で含有し、 残部が主成分であるAlと不可避不純物、で構成されるものである。 - 特許庁

This single crystal is substantially constituted of Ca, Nb, Ga and O, has a Garnet structure and the composition ratio of Ca, Nb and Ga, in molar ratio, is Ca:Nb:Ga=37.7-39.1:20.2-21.6:40.7-42.1.例文帳に追加

Ｃａ、Ｎｂ、Ｇａ及びＯから実質的に構成され且つガーネット構造を有する単結晶であって、Ｃａ、Ｎｂ及びＧａの組成比がモル比で表してＣａ：Ｎｂ：Ｇａ＝３７．７〜３９．１：２０．２〜２１．６：４０．７〜４２．１である単結晶。 - 特許庁

To provide a polycrystalline Ni-Mn-Ga series shape memory alloy in which brittleness can be improved without damaging the shape memorizing effect characteristic of an Ni-Mn Ga series alloy, to provide its production method.例文帳に追加

多結晶体であって、Ｎｉ−Ｍｎ−Ｇａ系合金の本来的な形状記憶効果を損なわずに脆さの改善を行うことができるＮｉ−Ｍｎ−Ｇａ系形状記憶合金とその製造方法とを提供すること。 - 特許庁

In the method of manufacturing the thin film transistor, a gate electrode, a gate insulating film, and an active layer are formed on a substrate, and a Ga oxide film serving as a first protection layer is formed on the active layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜および活性層し、活性層上に第１の保護層となるＧａ酸化物膜を形成する。 - 特許庁

A precursor thin film is formed by alternately repeating a process for supplying In to a substrate and a process for supplying Cu and Ga at least for two times by using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法を用いて、基板にＩｎを供給する工程とＣｕおよびＧａを供給する工程をそれぞれ少なくとも２回以上交互に繰り返して前駆体薄膜を形成する。 - 特許庁

A lifting body 36 is arranged via a lifting means 31 at a part facing visual observation inspection parts A and B, arranged on the side of a carrying passage in the carrying passage 1 of plate-like bodies Ga and Gb.例文帳に追加

板状体Ｇａ，Ｇｂの搬送経路１中で、搬送経路の側方に設けた目視検査部Ａ，Ｂに対向する部分に、昇降手段３１を介して昇降体３６を設けた。 - 特許庁

A three-dimensional picture processing part reads plural grouped objects Ga to Gc obtained by grouping objects for displaying a single pattern from a character storing part, and successively arranges the objects Ga to Gc outside of a displaying area set in a world coordinate system, that is a position which is not projected to a projecting plane TM.例文帳に追加

３次元画像処理部は、単一の図柄を表示するためのオブジェクトをグループ化した複数個のグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをキャラクタ記憶部から読み出し、それらグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをワールド座標系に設定された表示領域外すなわち投影平面ＴＭに投影されない位置に順次配置する。 - 特許庁

A three-dimensional image processing part reads the plural pieces of grouped objects Ga-Gc for which objects for displaying a single pattern are grouped from a character storage part and successively arranges the grouped objects Ga-Gc on the outside of a display area set in a world coordinate system, that is a position not projected on a projection plane TM.例文帳に追加

３次元画像処理部は、単一の図柄を表示するためのオブジェクトをグループ化した複数個のグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをキャラクタ記憶部から読み出し、それらグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをワールド座標系に設定された表示領域外すなわち投影平面ＴＭに投影されない位置に順次配置する。 - 特許庁

In preparing a catalyst comprising a combination represented by general formula Cu/Zn/M (wherein, M is at least one kind of a metal selected from the group consisting of Al, Cr, Ga, Fe, Mn, Ce, Pd and Au), the spherical fine particle catalyst precursor is prepared using a precipitative sedimentation method.例文帳に追加

一般式：Cu/Zn/M(但し、M は任意成分であり、Al, Cr, Ga, Fe, Mn, Ce, Pd及びAuからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属）からなる組み合わせの触媒を調製するに当たり、尿素を用いた析出沈殿法による球状微粒子触媒前駆体を調製する。 - 特許庁

A group III nitride ground layer 2 and a group III nitride layer 3 containing at least Ga are sequentially laminated on a prescribed base material 1, and a group III nitride intermediate layer formed at 600-950°C and containing Ga is included in the group III nitride layer 3 to produce an epitaxial substrate 10.例文帳に追加

所定の基材１上において、III族窒化物下地層２と、少なくともＧａを含むIII族窒化物層３とを順次に積層し、III族窒化物層３中に６００℃〜９５０℃で形成されるとともにＧａを含むIII族窒化物中間層を介在させてエピタキシャル基板１０を作製する。 - 特許庁