「a Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A high quality wafer includes Al_xGa_yIn_zN (in the formula, 0<y≤1 and x+y+z=1) characterized by the root square average surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 on the Ga side of the wafer.例文帳に追加

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^2面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。 - 特許庁

Two or more profile lines differed in length are set in a prediction subject area GA where the ground is predicted to be unstable, electrodes 1 are set on both sides thereof, and the ground potential difference is measured between the electrodes 1 and 1, respectively.例文帳に追加

地盤が不安定になると予想される予測対象領域Ｇ_Ａに、互いに長さの異なる複数の測線を設定してその両端に電極１を設置し、各電極１，１間で地電位差を測定する。 - 特許庁

Since the final alloy layer 9 of the Ga-Au alloy and the In-Au alloy is solid at room temperature, a liquid part is not present in the joining structure, making handling easy.例文帳に追加

また、最終的に構成されるＧａ−Ａｕ合金とＩｎ−Ａｕ合金の合金層９が常温個体のものであるため、接合構造中に液状の部分が残らず、取り扱い易いものとすることが可能である。 - 特許庁

The tillage controller controls the driving of a lift control hydraulic cylinder to change a control gain Ga in response to control information corresponding to the target tillage depth RD0, calculate the tillage depth RD of the rotary tiller from the control gain Ga and the detection value θof the rear cover sensor, and then match the tillage depth RD with the target tillage depth RD0.例文帳に追加

耕耘制御コントローラは、目標耕耘深さＲＤ０に対応する制御情報に応じて制御ゲインＧａを変更し、該制御ゲインＧａとリヤカバーセンサの検出値θとからロータリ耕耘機の耕耘深さＲＤを算出し、この耕耘深さＲＤが目標耕耘深さＲＤ０となるように昇降制御油圧シリンダの駆動を制御する。 - 特許庁

An IGZO layer is formed on a substrate by vapor-depositing ions including In, Ga, and Zn from a first target, and the compositional ratio of In of the IGZO layer is turned to be 45 to 80 atomic% by vapor-depositing the ions including In from a second target.例文帳に追加

第１ターゲットからＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むイオンが蒸着されて基板上にＩＧＺＯ層が形成されるようにして、第２ターゲットからＩｎを含むイオンが蒸着されて前記ＩＧＺＯ層のＩｎの組成比が４５ないし８０ａｔ％になるようにする。 - 特許庁

This exhaust emission purifying catalyst is constituted by supporting a noble metal (at least one of Pt, Pd, Rh, Ir or the like) on a metal composite oxide carrier containing at least one of Al, Ga, In and Sn, W and Zr and characterized in that the non-monocline/monocline ratio in a ZrO2 crystal system is 1 or more.例文帳に追加

Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｎのうちの少なくとも１種とＷおよびＺｒを含みかつＺｒＯ_2の結晶系における単斜晶以外／単斜晶の比が１以上である金属複合酸化物担体に、貴金属（Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ等のうちの少なくとも１種）が担持されてなる排ガス浄化用触媒。 - 特許庁

To provide a semiconductor oxide of thin-film transistor that is excellent in switching characteristic and stress resistance of a thin-film transistor of In-Zn-O excluding Ga and particularly that has a small threshold voltage variation before and after positive bias stress application and is excellent in stability.例文帳に追加

Ｇａを含まないＩｎ−Ｚｎ−Ｏの酸化物半導体を備えた薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特に正バイアスストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。 - 特許庁

Air and fuel of quantities corresponding to an operating condition are injected and supplied into the cylinder via a two fluid injector 3 in a compression stroke, and combustible gas mixture layer Ga of theoretical air fuel ratio is formed in burned gas Gb in the cylinder and is ignited and burns.例文帳に追加

圧縮行程中に２流体噴射弁３を介して運転状態に応じた量の空気と燃料とを筒内に噴射供給し、筒内既燃ガスＧｂ中に理論空燃比の可燃混合気層Ｇａを形成し、これを着火燃焼させる。 - 特許庁

By using amorphous In-Ga-Zn-O as the n-layer 3; occurrence of discontinuation, a void or the like can be prevented on a joint interface between the n-layer 3 and the p-layer 2, thereby forming a good joint interface.例文帳に追加

ｎ層３としてアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを用いることから、ｎ層３とｐ層２との接合界面に不連続性やボイド等が発生することが防止され、良好な接合界面が形成される。 - 特許庁

A high quality wafer comprises Al_xGa_yIn_zN (wherein 0<y≤1 and x+y+z=1) and is characterized by a root mean square surface roughness of less than 1 nm in a 10×10 μm^2 area at its Ga-side.例文帳に追加

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。 - 特許庁

A semiconductor thin film crystal is grown on the semiconductor substrate 3 by laser abrading the ZnO sintered compact mixed with a donor impurity Ga in a form of Ga_2O_3, and non doped ZnO single crystal by excimer laser light 8.例文帳に追加

ドナー不純物であるＧａをＧａ_２Ｏ_３の形で添加したＺｎＯ焼結体と、ノンドープＺｎＯ単結晶とをエキシマレーザ光８でレーザアブレーションして、半導体基板３上に半導体薄膜結晶を成長させる。 - 特許庁

There is provided an alloy for a seed layer of a magnetic recording medium as a perpendicular magnetic recording medium which is an Ni-based alloy and contains one kind or two or more kinds among Sn, In, Ga, Ge, and Si by 0.5-20 at.% or more and Ni for the rest.例文帳に追加

Ｎｉ系合金であって、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｉの１種又は２種以上をａｔ．％で０．５〜２０％含有し、残部がＮｉからなる垂直磁気記録媒体におけることを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。 - 特許庁

To provide a method for forming a free-standing (Al, Ga, In)N article which is of superior morphological character, and suitable for use as a substrate, e.g. for fabrication of microelectronic and/or optoelectronic devices and device precursor structures.例文帳に追加

非常に優れた形態的特徴を有し、例えばマイクロエレクトロニクスおよび／またはオプトエレクトロニクスデバイスおよびデバイス前駆体構造体を製作するための基板として使用される（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device contains group III oxide having a composition expressed by formula: A_2O_3, wherein A includes a mixed crystal semiconductor thin film made by solving at least two elements selected from In, Ga, Al, and B with thin-film technique.例文帳に追加

Ａ_２Ｏ_３なる構成を有するIII族酸化物を含む半導体素子において、薄膜技術を用いてＡの元素がＩｎ、Ｇａ、アルミニウムＡｌ、ボロンＢの少なくとも二つを固溶させた混晶半導体薄膜を有するようにした。 - 特許庁

His famous haiku include 'Furu ike ya/kawazu tobikomu/mizu no oto' (Ah! The ancient pond, as a frog takes the plunge, sound of the water) (An autograph tanzaku (long, narrow card on which Japanese poems are written vertically) exists in Kakimori Bunko (a museum - library for the Kakimori Collection)), 'Ara umi ya/Sado ni yokotau/ama no gawa' (Turbulent sea, above Sado, stretches the Milky Way), 'Natsu-kusa ya/tsuwamono-domo ga/yume no ato' (Mounds of summer grass - the place where noble soldiers one time dreamed a dream). 例文帳に追加

「古池や蛙飛込む水の音」（柿衞文庫に直筆の短冊が現存する）、「荒海や佐渡に横たふ天の河」、「夏草や兵（つはもの）どもが夢のあと」などが有名である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

When a carbon fiber containing graphite is immersed in a high-temperature liquid Ga, the graphitization reaction of graphite crystals divided on the surface of the graphite fiber takes place to realize the joining of graphenes.例文帳に追加

高温の液体Ｇａ中にグラファイトを含有する炭素繊維を浸漬すると、炭素繊維の表面で分断していたグラファイト結晶に対するグラファイト化反応が進行し、グラフェン同士の接合が実現する。 - 特許庁

To attain excellent electrodeposition coating property by increasing the precision of current value and voltage value between a material to be coated and an electrode and predicting the electrodeposition coating property (the generation of pin holes, throwing power and film thickness in a galvannealed(GA) steel sheet).例文帳に追加

電着塗装において、被塗物の一部と電極との間の電流値、電圧値の精度を上げ、電着塗装性（ＧＡ鋼板のピンホール発生、つきまわり性、膜厚）を予測し、良好な電着塗装性を得る。 - 特許庁

The method for growing the n-type silicon single crystal of P-dope by CZ method is characterized by using a raw material melt having at least one of Ga, In or Al initially added as the secondary dopant to P as a main dopant.例文帳に追加

ＣＺ法によりＰドープのｎ型シリコン単結晶を育成する際に、主ドーパントであるＰに対する副ドーパントとしてＧａ、Ｉｎ又はＡｌの少なくとも１種を初期添加した原料融液を使用する。 - 特許庁

Besides, there is also a question why 'shikago' (four villages) was written as 'shikankau,' but about this question, Takashi KAMEI of Hitotsubashi University has expressed the view that 'n' was a light nasal sound which preceded 'ga' sound in those days. 例文帳に追加

また、「四箇郷」をなぜ「シカンカウ」と表記したのかという疑問も存在するが、この点に関しては一橋大学の亀井孝が、「ン」は当時の発音における「ガ音」に先行する軽鼻音であるとの見解を示している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

After the nitriding process ends, the temperature is lowered to 900°C and a GaN buffer layer is grown for about 5 minutes in supplying a carrier gas substantially consisting only of H2, a GaCl gas which is a reaction product of Ga and HCl and an NH3 gas.例文帳に追加

窒化工程終了後に９００℃まで降温して、実質的にＨ2のみからなるキャリアガスと、ＧａとＨＣｌの反応生成物であるＧａＣｌガスと、ＮＨ3ガスとを供給しながら、ＧａＮバッファー層を約５分間成長させた。 - 特許庁

An address marker AD for allocating order numbers and a 1st spot marker SP1 are arranged in the front of an intersection part K along guide lines GA, GB,... for guiding a traveling route and a 2nd spot marker SP2 is arranged on a position passing the intersection part K.例文帳に追加

走行経路を案内するガイドラインＧＡ、ＧＢ、・・にそって交差部Ｋの手前に順位番号を与えるアドレスマーカＡＤと第１のスポットマーカＳＰ１が配置され、交差部を通過した位置には第２のスポットマーカＳＰ２が配置される。 - 特許庁

A white-color LED 1 each is apportioned to a plurality of groups against chromaticity coordinates of emission light, for instance, a total of five groups Ga, Gb, Gc, Gd, Ge whose chromaticity coordinates exist in areas near five chromaticity coordinates a to e.例文帳に追加

使用する白色ＬＥＤ１について放射光の色度座標を調べて複数のグループ、例えば、５つの色度座標ａ〜ｅにそれぞれ近い領域に色度座標が存在する合計５つのグループＧａ，Ｇｂ，Ｇｃ，Ｇｄ，Ｇｅに各白色ＬＥＤ１を振り分けておく。 - 特許庁

The top gate type thin-film transistor includes the semiconductor layer comprising the amorphous oxide including In, Ga, and Zn, and includes the source electrode or the drain electrode at a side opposite to a source region or a drain region viewed from a gate electrode.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の向こう側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるトップゲート型薄膜トランジスタを構成する。 - 特許庁

The manufacturing method includes an embedding step to form a buried layer 14 by achieving the growth of semiconductor crystal containing In or Ga as a group III element while supplying oxygen in a step region M1 present on the (100) surface of group III-V compound semiconductor crystal.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の（１００）面上に存在する段差領域Ｍ１を、酸素を供給しながらＩＩＩ族元素としてＩｎ又はＧａを含む半導体結晶を成長させて埋込層１４を形成する埋込工程を含む。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that uses an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode layer or drain electrode layer is reduced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

In this semiconductor element, a compound semiconductor layer containing nitride based compound semiconductor composed of at least one element selected out of at least Al, Ga and In, and nitrogen element is formed as a window layer on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、少なくともＡｌ，Ｇａ及びＩｎから選択される１以上の元素と窒素元素とからなる窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層を窓層として形成したことを特徴とする半導体素子である。 - 特許庁

The production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell containing Cu, at least one kind of element selected from a group of In, Ga, and Al, and Se includes a step for depositing an In-Cu alloy film by sputtering.例文帳に追加

Ｃｕと；Ｉｎ、Ｇａ、およびＡｌよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ｓｅを含む化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法であって、スパッタリングによってＩｎ−Ｃｕ合金膜を成膜する工程を含むところに特徴がある。 - 特許庁

To provide an inexpensive method for producing an indium target, which makes less indium oxide enter into an inner layer of a hot metal, and is suitable particularly for use in forming an indium film which is a light absorption layer formed of a stacked Cu-Ga/In precursor for a thin-film solar cell.例文帳に追加

溶湯内層への酸化インジウムの取り込みが少なく、取り分け薄膜太陽電池薄膜太陽電池のＣｕ−Ｇａ／Ｉｎの積層プリカーサー光吸収層であるインジウム膜成膜用として適したインジウムターゲットの安価な製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a method of forming a III-V compound semiconductor layer capable of reducing a hydrogen concentration in a III-V compound semiconductor crystal containing Ga (group III) and arsenic and nitrogen (group V) and reducing pile-up on a regrowth interface as well.例文帳に追加

本発明によれば、Ｇａ（III族）とヒ素、窒素（Ｖ族）とを含むIII−Ｖ化合物半導体結晶中の水素濃度を低減可能であり、再成長界面におけるパイルアップも低減可能な、III−Ｖ化合物半導体層を形成する方法が提供される。 - 特許庁

Further, in the case of |GF-GR|<A, the rear wheel side presumption lateral acceleration GR is compared with the front/rear wheel average presumption lateral acceleration GA, and any larger value is set as presumption lateral acceleration Gy (S7).例文帳に追加

そして、｜ＧＦ−ＧＲ｜＜Ａの場合、後輪側推定横加速度ＧＲと前後輪平均推定横加速度ＧＡとを比較し、何れか大きい値を推定横加速度Ｇｙとして設定する（Ｓ７）。 - 特許庁

At least one group III element selected from Ga, Al and In, at least one of an alkali metal and an alkaline earth metal, and a melt containing nitrogen are first prepared.例文帳に追加

まず、Ｇａ、ＡｌおよびＩｎからなる群から選択される少なくとも一つのIII族元素と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方と、窒素とを含む融液を準備する。 - 特許庁

The first line was 'Toki wa Ima Ame ga Shita-shiru Satsuki kana' (It is May, a rainy season) composed by Mitsuhide AKECHI; the second 'Minakami masaru Niwa no Natsuyama' (river flow flashes in the garden on summer mountain) composed by Itokuin Gyoyu; and the third 'Hana otsuru Ike no nagare wo Sekitomete' (falling flowers keep back the flow of the pond) composed by Joha SATOMURA. 例文帳に追加

発句は光秀の「ときは今あめが下しる五月かな」、脇は威徳院行祐の「水上まさる庭の夏山」、第三は里村紹巴の「花落つる池の流をせきとめて」。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A conductive mayenite type compound wherein a part of a free oxygen ion of a mayenite type compound wherein a part of Al is substituted with M (M is Ga or In) is substituted with an electron, and having an electron density of ≥1×10^15 cm^-3, having a high oxidation resistance and chemically stable is provided.例文帳に追加

Ａｌの一部がＭ（ＭはＧａまたはＩｎ）で置換されたマイエナイト型化合物のフリー酸素イオンの一部が電子で置換されており、１×１０^１５ｃｍ^−３以上の電子密度を有する、耐酸化性が高く化学的に安定した導電性マイエナイト型化合物を提供する。 - 特許庁

In the method comprising a step wherein a semiconductor layer composed of a group III nitride compound semiconductor containing Ga as a group III element is formed on a substrate 11 by sputtering, when the semiconductor layer is formed, the sputtering is performed while supplying nitrogen and argon into a chamber which is used for the sputtering.例文帳に追加

基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 - 特許庁

The catalyst contains a Ce-Ga-Mn-Fe composite oxide comprising a solid solution keeping a fluorite type structure which contains cerium, gallium, manganese and iron, and in which at least a part of at least one selected from a group comprising the gallium, the manganese and the iron is replaced with a part of the cerium.例文帳に追加

触媒は、セリウムとガリウムとマンガンと鉄とを含有し、該ガリウム、該マンガン及び該鉄から成る群より選ばれた少なくとも１種の少なくとも一部が該セリウムの一部と置換し、蛍石型構造を保っている固溶体からなるＣｅ−Ｇａ−Ｍｎ−Ｆｅ複合酸化物を含有する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises an inverted staggered (bottom-gate structure) thin film transistor which includes an oxide semiconductor film including In, Ga, and Zn as a semiconductor layer, and a buffer layer including a metal oxide layer between the semiconductor layer, and a source electrode layer and a drain electrode layer.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

When the purity of Na is 99%; the purity of Ga is 99.9999%; the purity of nitrogen gas is 99.999%; and the material of the mixed melt holding container 102 is a BN as a sintered compact, a solid substance 110 has a shape with a hole 111 perforated in a part thereof.例文帳に追加

ここで、Ｎａの純度が９９％、Ｇａの純度が９９．９９９９％、窒素ガスの純度が９９．９９９％、混合融液保持容器１０２の材質が焼結体のＢＮの場合には、固体物１１０は一部に穴１１１が開いたような形状となる。 - 特許庁

To provide a transistor using an oxide layer containing Zn, while not containing rare metals, such as In and Ga, and to stabilize electrical properties by reducing an off-state current in the transistor that uses the oxide layer containing the Zn.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａなどのレアメタルを含まず、Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタを提供し、Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタにおいて、オフ電流を低減し、電気特性を安定させることを課題の一とする。 - 特許庁

Thus, when the molten glass lump GA is arranged on the receiving surface 31 and molded by pressing with the receiving surface 31 and the molding surface 33, a gas in places surrounded by the receiving surface 31 and the molding surface 33 is escaped in the fine pores.例文帳に追加

これにより、溶融ガラス塊ＧＡを受け面３１に配置し、受け面３１及び成形面３３で押圧して成形するときに、受け面３１及び成形面３３で囲まれる箇所の気体が細孔へと逃避する。 - 特許庁

A Ga impurity level in the doped region of the light emitting layer 3 is excited by exciton emission that is preferentially generated in the non-doped region to induce emission of light through an impurity level for carrying out multiple emission of light.例文帳に追加

このノンドープ領域に優先的に生成される励起子発光によって、発光層３のドープ領域のＧａ不純物準位を励起し、不純物準位を介した発光を誘導して、多段階発光を行なう。 - 特許庁

In the method for producing the metal oxide particulates, a metal complex solution containing an A element complex containing the metal element A (A denotes a metal element Pd, Pt, Cu or Ag) and a B element complex containing the metal element B (B denotes a metal element Co, Fe, Ni, Cr, Rh, Al, Ga, Sc, In or Tl) is irradiated with a laser.例文帳に追加

金属元素Ａ（Ａは金属元素Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ又はＡｇを示す。）を含むＡ元素錯体と金属元素Ｂ（Ｂは金属元素Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ又はＴｌを示す。）を含むＢ元素錯体とを含む金属錯体溶液に、レーザー照射する金属酸化物微粒子の製造方法。 - 特許庁

In joining the element substrate 10 and sealing member 20 in the outer circumference side seal region 10c with a first sealing material 91 containing the gap material 95 in the organic EL device 100, a gap Ga between the element substrate 10 and the sealing member 20 in a region planarly overlapping with the pixel region 10a is larger than a particle diameter of the gap material 95.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１００において、外周側シール領域１０ｃで素子基板１０と封止部材２０とを、ギャップ材９５を含有する第１シール材９１によって接合するにあたって、画素領域１０ａと平面的に重なる領域における素子基板１０と封止部材２０との間隔Ｇａを、ギャップ材９５の粒径より大にしてある。 - 特許庁

The hot water reservoir facility in the rock for reserving hot water in a tunnel-formed reservoir 1 provided in the rock G and discharging the hot water from the reservoir 1 to use for generation of electrical energy is formed with slits 2 of a predetermined depth for releasing the thermal stress at predetermined intervals in an axial direction of the reservoir 1 on a rock Ga on a surface of the reservoir 1.例文帳に追加

岩盤Ｇ内に設けたトンネル状の貯槽１に熱水を貯蔵し、その貯槽１から熱水を払い出して発電等に利用する岩盤内熱水貯蔵施設であって、貯槽１の表層部の岩盤Ｇａに熱応力を解放するための所定深さのスリット２を貯槽１の軸方向に所定間隔おきに形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device composed of a nitride semiconductor including at least one of Al, Ga, and In capable of reducing the dislocation density in an epitaxial-grown semiconductor layer and of being used as a practical device such as FET or HEMT.例文帳に追加

Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの少なくとも一つを含む窒化物半導体からなる、エピタキシャル成長させた半導体層中の転位密度を低減し、ＦＥＴやＨＥＭＴなどの実用デバイスとして使用することのできる、前記窒化物半導体からなる半導体素子を提供する。 - 特許庁

The substrate 6 is heated up to a temperature equal to or higher than the boiling temperature of chloride of a group III element (Ga) contained in the substrate 6, and at the same time, the radical generated in plasma of a plasma generator (electrode section 81) is brought into contact with the surface of the substrate 6, thereby processing its surface.例文帳に追加

上記基板６を、その基板６に含まれるIII族元素(Ｇa)の塩化物の沸点以上の温度に加熱し、同時に、プラズマ生成部(電極部８１)のプラズマ中で生成されたラジカルを基板６の表面に接触させることにより、基板６の表面を加工する。 - 特許庁