「active layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(146ページ目) - Weblio英語例文検索

In a polycrystalline silicon thin film transistor whose carrier transport mechanism at a grain boundary is dominant over transistor characteristics, the flow density of carriers that pass through the grain boundary in the active layer is calculated considering scattering effects of free carriers in the grain boundary, and on the basis of the result, a parameter which is dominant over device characteristics is determined.例文帳に追加

結晶粒界のキャリア輸送メカニズムがトランジスタ特性に対して特に支配的である多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、活性層中の結晶粒界を通過するキャリア流密度を、結晶粒界における自由キャリアの散乱効果を考慮して算出し、これを基にデバイス特性を支配するパラメータを決定する。 - 特許庁

The substrate 20 coated with the amorphous carbon film is produced by forming the amorphous carbon film 22 on the surface of the substrate 21 under a reduced pressure through a discharge plasma process, wherein an active layer 23 containing either or both of oxygen and nitrogen is formed in an interface between the substrate 21 and the amorphous carbon film 22.例文帳に追加

本発明にかかるアモルファスカーボン膜被覆基材２０は、基材２１の表面に減圧下で放電プラズマによりアモルファスカーボン膜２２を成膜してなるアモルファスカーボン膜被覆基材であって、前記基材２１とアモルファスカーボン膜２２との界面に、酸素、窒素のいずれか一方又は両方を有する活性処理層である活性処理層２３を含むものである。 - 特許庁

The cathode active material is comprised of nickel-based lithium transition metal composite oxide particles and particles including a layer containing LiAlO_2 provided on at least a part of the surface of the lithium transition metal composite oxide particles, and Al derived from LiAlO_2 is solid-solved at the place only near the surface of the lithium transition metal composite oxide particles.例文帳に追加

正極活物質は、ニッケル系のリチウム遷移金属複合酸化物粒子と、リチウム遷移金属複合酸化物粒子の表面の少なくとも一部に設けられたＬｉＡｌＯ_2を含む層とを有する粒子からなり、ＬｉＡｌＯ_2由来のＡｌがリチウム遷移金属複合酸化粒子の表面近傍にのみ固溶しているものである。 - 特許庁

To provide a silicon wafer and a production method thereof capable of effectively inhibiting diffusion of heavy metal from a back face of the silicon wafer to a device active region while keeping a good deflective strength by applying predetermined surface treatment during a subsequent process of a semiconductor device process for forming a device structure to provide a gettering sink layer.例文帳に追加

デバイス構造を形成した半導体デバイスプロセスの後工程において、所定の表面処理を施して、ゲッタリングシンク層を設けることにより、良好な抗折強度を維持しつつ、シリコンウェーハ裏面からデバイス活性領域への重金属の拡散を有効に抑制することができる、シリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

As the polymer of the collector and the binder in the electrode are both dissolved in a solvent, the electrode has the active material layer adhered on the surface of the collector.例文帳に追加

導電性高分子あるいは導電性フィラーを含む高分子材料等からなる集電体と、前記集電体上に形成されてなり、活物質とバインダを含む活物質層とを有し、集電体の高分子と電極中のバインダとが共に溶媒に溶解することにより、前記集電体表面に前記活物質層が接着されてなる、電極とする。 - 特許庁

To provide a stent for suppressing and preventing the inflammation of blood vessel walls and especially capable of suppressing the inflammation reaction with the degradation of a polylactic acid complex itself in vivo by anti-inflammation ligand effect by making the polylactic acid complex into which an anti-inflammation ligand is introduced a constituting element of a physiological active substance releasing layer.例文帳に追加

血管壁の炎症を抑制・防止するためのものであり、抗炎症リガンドを導入したポリ乳酸複合体を生理活性物質放出層の構成要素とすることにより、特にポリ乳酸複合体自体の生体内での分解に伴う炎症反応を抗炎症リガンド効果によって抑制することができるステントを提供する。 - 特許庁

The three-dimensional integrated circuit device 10 has a structure in which a plurality of single crystal or semi-single crystal thin-film semiconductor layers 13, 16 are formed on the glass substrate 11 via an interlayer insulating layer 14, and active elements Tr21, Tr22 are formed on one or more layers of the thin-film semiconductor layers 13, 16.例文帳に追加

ガラス基板１１上に、単結晶もしくは準単結晶の薄膜半導体層１３，１６が、層間絶縁層１４を介して複数層積層形成され、複数層の薄膜半導体層１３，１６のうち１層以上に能動素子Ｔｒ２１，Ｔｒ２２が形成されている３次元集積回路装置１０を構成する。 - 特許庁

A resin material 2 is arranged on a current collector 1, a part of the resin material 2 is cured to form resin 9 into which cured states are dotted with islands, and an active material layer 14 storing or releasing lithium ions in a state that the resin 9 into which the cured states are dotted with islands is mixed with the resin material 2 is formed by a vacuum process.例文帳に追加

集電体１上に樹脂材料２を配置し、しかるのちに前記樹脂材料２の一部を硬化状態とすることにより、点在する硬化状態の樹脂９を形成し、さらに点在する硬化状態の樹脂９と樹脂材料２が混在する状態でリチウムイオンを吸蔵または放出する活物質層１４を真空プロセスで付与する。 - 特許庁

In this nonaqueous electrolyte secondary battery provided with a positive electrode having a transition metal oxide as the positive electrode active material, a negative electrode and a nonaqueous electrolyte, a three-layer structure sheet comprising metal M/aluminum/metal M is used in a current collector of the positive electrode, where the metal M contains at least one kind selected from a group comprising nickel, titanium and stainless steel.例文帳に追加

正極活物質として遷移金属酸化物を有する正極と、負極と、非水電解質とを備えた非水電解質二次電池において、正極の集電体に金属Ｍ／アルミニウム／金属Ｍからなる三層構造シートを用い、金属Ｍはニッケル、チタン、ステンレス鋼からなる群から選ばれる少なくとも１種からなることを特徴とする。 - 特許庁

In the electrooptical apparatus of an active matrix type, an element insulating layer 71 of the nonlinear element 5 has a part 711 covering a side surface of a lower electrode 61 for the element and constituted of a tantalum oxide film 7a and a part 712 covering an upper surface of the lower electrode 61 for the element and constituted of an oxidized film of a tantalum-niobium alloy.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の電気光学装置１において、非線形素子５の素子用絶縁層７１は、素子用下電極６１の側面を覆う部分７１１がタンタル酸化膜７ａによって構成され、素子用下電極６１の上面を覆う部分７１２がタンタル−ニオブ合金の酸化膜７ｂによって構成されている。 - 特許庁

The thin film device includes: the substrate; an electric field shielding plate formed above the substrate, the electric filed shielding plate having conductivity; and an active layer having a thin film element formed on the electric field shielding plate, the electric field shielding plate being connected to a potential of any electrode of the thin film element or a ground potential.例文帳に追加

本発明の薄膜装置は、基板と、前記基板の上に形成された、導電性を有する電界遮蔽板と、前記電界遮蔽板の上に形成された、薄膜素子を含む能動層と、を備え、前記電界遮蔽板は、前記薄膜素子のいずれか電極の電位又は接地電位に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the display device P, a second glass plate 6, which is oppositely arranged to a first glass plate 4 and an opaque or colored resin film 5 adhered to a portion of one side of the first glass plate 4 by a pressure sensitive adhesive layer 10 or the like so as to place the resin film 5 therebetween, is adhered by an active energy line curable resin 12 or the like.例文帳に追加

第１ガラス板４と、この第１ガラス板４の片面の一部に感圧接着層１０などによって接着された不透明または有色の樹脂フィルム５とに対して、同樹脂フィルム５を間に挟むように対向配置された第２ガラス板６が活性エネルギー線硬化性樹脂１２などによって接着されているディスプレイ装置Ｐとした。 - 特許庁

The electrolytic electrode material made of an alloy, which is composed of platinum and silver in which the concentration of silver is in the range of 1 wt.% to 50 wt.%, is used as a surface layer formed on the surface of a base, thereby efficiently producing active oxygen species such as ozone and OH radical at a low current density in the electrodialysis using the electrolytic electrode.例文帳に追加

白金及び銀から成る合金であり、銀の濃度が１ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下とする電解用電極材料を、基体の表面に形成された表面層として用いることにより、当該電解用電極による電気分解において、低電流密度にて効率的にオゾンやＯＨラジカル等の活性酸素種を生成する。 - 特許庁

For an electrode plate for a battery forming an electrode plate mixture layer 3 by applying electrode mixture paint structured of at least an anode active material 2, a binder 1 and a solvent on the surface of an anode collector 4, and drying and pressing it, the binder 1 with a particle size not crushed even by being pressed is utilized.例文帳に追加

負極集電体４の表面に少なくとも負極活物質２、結着剤１および溶媒によって構成された電極合剤塗料を塗布し、乾燥、加圧して電極板合剤層３を形成した電池用電極板において、前記結着剤１として加圧されても潰れない粒径のものを用いたことを特徴とする。 - 特許庁

There are provided the packaging bag for an oil-bearing liquid medicament accommodates the oil-bearing liquid medicament which contains water as a medium, and the polar oil solution and a non-ionic surface-active agent, and is formed with a laminate film having a sealant layer containing a resin which includes a cyclic polyolefin resin as a primary component, and a laminate packaging type product.例文帳に追加

媒体としての水と、極性油剤および非イオン性界面活性剤を含有する含油液状製剤を収納する包装袋であって、該包装袋は、環状ポリオレフィン系樹脂を主成分として含む樹脂をシーラント層とするラミネートフィルムで形成したことを特徴とする含油液状製剤用包装袋およびラミネート包装型製品。 - 特許庁

On a first active region 10a of a semiconductor substrate 10, a first transistor of a first conductivity type is formed which includes a first gate insulating layer 13a containing the high dielectric material and a first metal, a lower conductive film 15a, and a first gate electrode 30a which has a first conductive film 18a and a first silicon film 19a.例文帳に追加

半導体基板１０の第１の活性領域１０ａ上には、高誘電体材料と第１の金属とを含有する第１のゲート絶縁膜１３ａと、下層導電膜１５ａと第１の導電膜１８ａと第１のシリコン膜１９ａとを有する第１のゲート電極３０ａとを備えた第１導電型の第１のトランジスタが形成されている。 - 特許庁

This polarization-selectable semiconductor laser 22 is a phase- controlled DFB laser which has an active layer with the TE mode and the TM mode of approximately comparative gain and is composed of a DFB laser with a diffraction grating formed near the waveguide and a phase controller disposed in the resonator direction of the DFB laser for controlling the refractive index of the waveguide.例文帳に追加

偏光選択可能な半導体レーザ２２は、 ＴＥモードとＴＭモードの利得がほぼ拮抗する活性層を有し、導波路付近に回折格子が形成されているＤＦＢレーザ部と、ＤＦＢレーザ部の共振器方向に配置され、導波路の屈折率を制御できる位相制御部で構成される位相制御型ＤＦＢレーザである。 - 特許庁

On at least part of a rear face opposite from the active face of the electronic component, an adhesion layer made of the same material as that of at least one pair of wiring patterns which constitutes the electronic component-incorporated wiring board is formed to improve the adhesiveness between the electronic component and the insulation member existing between the pair of wiring patterns.例文帳に追加

電子部品のアクティブ面と相対向して位置する裏面の少なくとも一部に、電子部品内蔵配線板を構成する少なくとも一対の配線パターンを構成する材料と同じ材料からなる密着層を形成し、前記電子部品及び前記一対の配線パターン間に存在する絶縁部材間の密着性を向上させる。 - 特許庁

In the display device, the peripheral drive circuit and the active matrix circuit are formed on the first substrate, the spacer, for maintaining the interval between the first substrate and the second substrate and made of the resin material, is disposed at the upper part of the peripheral driving circuit and a resin layer is formed between the peripheral drive circuit and the spacer.例文帳に追加

また、周辺駆動回路及びアクティブマトリクス回路が第１の基板に形成され、前記第１の基板と第２の基板との基板の間隔を保持する、樹脂材料でなるスペーサーが前記周辺駆動回路の上方に配置され、樹脂層が前記周辺駆動回路と前記スペーサーとの間に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

It also includes a plurality of element formation areas 22, first insulation walls 32 surrounding the respective element formation areas 22, conductive walls 34 surrounding the first insulation walls 32, and second insulation walls 36 surrounding the conductive walls 34 when viewing the cross section parallel to the surface of the active layer 20.例文帳に追加

活性層２０を表面に平行する断面で観察すると、複数の素子形成領域２２と、各々の素子形成領域２２を囲繞している第１絶縁側壁３２と、各々の第１絶縁側壁３２を囲繞している導電側壁３４と、各々の導電側壁３４を囲繞している第２絶縁側壁３６が観測される。 - 特許庁

The semiconductor laser element manufacturing method has a first step in which a striped ridge structure 8, 9 is formed to the upper part of a laminated structure, including an active layer 5 formed on a substrate 1, and a second step for forming a Schottky barrier SB on the upper face of the laminated structure, other than the ridge structure 8, 9 by utilizing ion bombardment.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板１上に形成された活性層５を含む積層構造の上部に、ストライプ状のリッジ構造８、９を形成する第１工程と、イオン衝撃を利用してリッジ構造８、９以外の積層構造の上面にショットキーバリアＳＢを形成する第２工程とを有する。 - 特許庁

On the first active region 10a of a semiconductor substrate 10, a first transistor of the first conductive type is formed including: a first gate insulation film 13a containing a high-dielectric material and a first metal; and a first gate electrode 30a having a lower layer conductive film 15a, a first conductive film 18a and a first silicone film 19a.例文帳に追加

半導体基板１０の第１の活性領域１０ａ上には、高誘電体材料と第１の金属とを含有する第１のゲート絶縁膜１３ａと、下層導電膜１５ａと第１の導電膜１８ａと第１のシリコン膜１９ａとを有する第１のゲート電極３０ａとを備えた第１導電型の第１のトランジスタが形成されている。 - 特許庁

A III-nitride semiconductor light emitting device includes: a plurality of III-nitride semiconductor layers including an active layer 40 for generating light by recombination of electrons and holes; and a substrate 10 used to grow the plurality of III-nitride semiconductor layers and including a protrusion 90 with two opposite sides 91 rounded.例文帳に追加

電子と正孔の再結合により光を生成する活性層４０を備える複数個のIII族窒化物半導体層と、複数個のIII族窒化物半導体層の成長に利用される基板１０として、対向する２つの辺９１が丸められている突起９０を有する基板１０とを備えるIII族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A gate electrode GA of a MOSQA for a peripheral circuit is configured with the same gate electrode structure as that of a nonvolatile memory cell having a two-layer gate electrode structure, and a contact hole SC for connecting conductive films 4 and 6 constituting the gate electrode GA is arranged at a position at which it overlaps in the plane with an active region LA in a plane of the gate electrode GA.例文帳に追加

２層ゲート電極構造の不揮発性メモリセルと同じゲート電極構造によって周辺回路用のＭＯＳＱＡのゲート電極ＧＡを構成し、そのゲート電極ＧＡを構成する導体膜４，６間を接続するコンタクトホールＳＣを、そのゲート電極ＧＡの平面内において活性領域ＬＡと平面的に重なる位置に配置した。 - 特許庁

The active layer 14 has: a gain area 31; an end face window region 33 formed in a region containing an end face of the resonator, which has larger bandgap energy compared with that of the gain area 31; and a transition region 32 formed between the between gain area 31 and the end face window region 33, the bandgap energy of which changes continuously.例文帳に追加

活性層１４は、利得領域３１と、共振器の端面を含む領域に形成され且つ利得領域３１と比べてバンドギャップエネルギーが大きい端面窓領域３３と、利得領域３１と端面窓領域３３との間に形成され且つバンドギャップエネルギーが連続的に変化する遷移領域３２とを有している。 - 特許庁

The active matrix apparatus is composed of a plurality of pixel sections arranged in matrix, and at least one pixel section comprises: a first circuit section having a defective part; a second circuit section laminated on the first circuit section and replaced with at least the defective part in the first circuit section; and an adhesive layer 126 provided between the first circuit section and the second circuit section.例文帳に追加

複数の画素部がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス装置であって、少なくとも一つの画素部は、不良箇所を有する第１の回路部と、第１の回路部上に積層され、第１の回路部の少なくとも不良箇所を置き換える第２の回路部と、第１の回路部と第２の回路部との間に設けられた接着層１２６とを備える。 - 特許庁

The face emitting laser includes an active layer and a two-dimensional photonic crystal formed on its one side.例文帳に追加

活性層及びその一方の側に設けた２次元フォトニック結晶を有する面発光レーザにおいて、２次元フォトニック結晶の周囲の少なくとも一部に、２次元フォトニック結晶内に形成される内部共振光の基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置において反射率が極大値を持つ反射率分布を有する反射部４５又は４６を設ける。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable composition for an optical disc which cures with a small amount of irradiation energy, enables to manufacture an optical disc excellent in durability, free of change in appearance of a reflecting film forming an information recording layer even after exposed in a high temperature and high humidity environment for a long time, causing no increase of errors in reading signals.例文帳に追加

少ない照射エネルギー量で硬化し、且つ高温高湿環境下に長時間曝露された後であっても、情報記録層を形成する反射膜の外観変化が無く、信号の読み取りエラーの増加が起こらない耐久性に優れる光ディスクを製造することが可能な光ディスク用活性エネルギー線硬化型組成物を提供する。 - 特許庁

A stripe width which is at least in a ridge shape is provided directly below and in parallel with a stripe 201, at least in a ridge shape of the reverse side of a nitride semiconductor substrate 5 at the side opposite to a side with element structure, and a light absorbable film 202 for absorbing light with a laser oscillation wavelength which leaked out from a laser waveguide including an active layer is formed.例文帳に追加

素子構造を有する側とは反対の窒化物半導体基板５裏面の少なくともリッジ形状のストライプ２０１の真下であって且つ平行に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜２０２が形成されてなる。 - 特許庁

On a substrate whose normal direction of a principal surface is inclined by 15° toward a crystal orientation [111]A direction with respect to a crystal orientation [100] direction, a plurality of semiconductor layers including a resonator structural body including an active layer, and a lower semiconductor DBR and an upper semiconductor DBR sandwiching the resonator structural body are stacked.例文帳に追加

主面の法線方向が、結晶方位［１ ０ ０］方向に対して、結晶方位［１ １ １］Ａ方向に向かって１５度傾斜している基板上に、活性層を含む共振器構造体及び該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ及び上部半導体ＤＢＲを含む複数の半導体層が積層されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the generation of its leakage current can be prevented from a shared contact into a substrate, even though it has a wiring present on a separative insulating film, side walls formed on the side surfaces of the wiring, and the shared contact whereby the wiring and an impurity diffusion layer are connected on an active region.例文帳に追加

分離絶縁膜上の配線と、この配線の側面上に形成されたサイドウォールと、配線と活性領域上の不純物拡散とを接続するシェアードコンタクトを備えた半導体装置であっても、シェアードコンタクから半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This negative electrode active material is composed of a core made of a material including carbon, and surface treatment layer covering the surface of the core, made of a material including at least one compound of a coating element selected from among an oxyhydroxide of a coating element, oxycarbonate of the coating element and hydroxycarbonate of the coating element.例文帳に追加

炭素を含む材料から形成されるコアと、当該コアの表面に被覆され、コーティング元素のヒドロキシド、コーティング元素のオキシヒドロキシド、コーティング元素のオキシカーボネート及びコーティング元素のヒドロキシカーボネートからなる群より選択される少なくとも１つのコーティング元素の化合物を含む材料から形成される表面処理層と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

An active matrix substrate (substrate for display panel) 1 mounting the IC chip (for instance, gate driver IC4 or source driver IC5) forms first metal wiring layers 14a-14c connected electrically to the terminal of the IC chip on an optical transmissive base substrate (for instance, glass substrate 11) composing it and a second metal wiring layer 12.例文帳に追加

ＩＣチップ（例えば、ゲートドライバＩＣ４又はソースドライバＩＣ５）が実装されるアクティブマトリクス基板（表示パネル用基板）１であって、それを構成する光透過性のベース基板（例えば、ガラス基板１１）上に、ＩＣチップの端子に電気的に接続される第１の金属配線層１４ａ〜１４ｃと、第２の金属配線層１２とを形成する。 - 特許庁

The resonator 106 is disposed above a capacitive air gap 116, and the resonator 106 is bonded, at terminal portions 118, 120, to single crystal silicon anchors 122, 124 formed within the active layer 114 of the base wafer 104 so as to be coupled, at both terminals, to the base plate 102, thereby obtaining a clamped-clamped resonator.例文帳に追加

容量性エアー・ギャップ１１６の上方に共振器１０６が配置され、共振器１０６は、端部１１８、１２０において、ベース・ウエハ１０４のアクティブ層１１４内に形成されている単結晶シリコン・アンカー１２２、１２４にボンディングされており、これによってベース・プレート１０２に両端において結合されて、クランプ−クランプ型の共振器が得られる。 - 特許庁

The method for forming a multi-layer coating film wherein the primer, intermediate, and top coating films are successively applied to a material having a rough surface texture or a material having a partially worsened surface texture caused by a molding process or the like, employes an active energy beam curable paint as a primer paint.例文帳に追加

表面形状の粗い素材、または成形加工等により部分的に表面形状が悪化した素材に対し、プライマー塗膜、中塗り塗膜及び上塗り塗膜を順次形成する複層塗膜形成方法において、プライマー塗料として活性エネルギー線硬化型塗料を用いることを特徴とする複層塗膜形成方法。 - 特許庁

The active matrix board is provided with an electrode wiring which is constituted by arranging a gate electrode 2 and a source electrode 6 in a grid shape, an insulation protective film which is formed at least on the electrode wiring and which has an opening part 11a in the prescribed area of the source electrode 6 and a metallic layer laminated on the source electrode 6 at the opening part 11a.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板は、ゲート電極２とソース電極６とが格子状に配列されてなる電極配線と、少なくとも該電極配線上に形成され、ソース電極６上の所定の領域に開口部１１ａを有する絶縁保護膜と、上記開口部１１ａにおけるソース電極６上に積層された金属層とを備えている。 - 特許庁

In an active matrix substrate 201, a plurality of pairs of TFTs 104 and pixel electrodes 9 are arranged like an array, where each TFT 104 includes a gate electrode 2 and a gate insulating film 3 which are formed on a substrate 1, a channel layer comprising a crystalline semiconductor film 41 and/or an amorphous semiconductor film 42, a source electrode 5s, and a drain electrode 5d.例文帳に追加

アクティブマトリックス基板２０１は、基板１上に形成されたゲート電極２及びゲート絶縁膜３と、結晶性半導体膜４１及び／又は非晶質半導体膜４２からなるチャネル層と、ソース電極５ｓ及びドレイン電極５ｄとを備えたＴＦＴ１０４と、画素電極９とが複数対アレイ状に配置されたものである。 - 特許庁

This air battery has an air electrode as the positive electrode, a cation exchange membrane as electrolyte, and a hydrogen storage alloy as an active material of a negative electrode, and a coating layer, comprising a mixture of an anion exchanger and an electron conductor or a material, having an anion exchange function and electron conductivity formed on the surface of the particles of the hydrogen storage alloy of the negative electrode.例文帳に追加

空気極を正極とし、カチオン交換膜を電解質とし、水素吸蔵合金を負極の作用物質とする空気電池において、負極の水素吸蔵合金として粒子表面にアニオン交換体と電子伝導体との混合物またはアニオン交換機能と電子伝導性とを併有する材料からなる被覆層を有するものを用いる。 - 特許庁

A semiconductor laser device is provided with an optical fiber 20 for guiding laser beams where an optical fiber grating 30 is formed; and a pump laser module 10 constituted of a semiconductor laser element 11 with an SQW active layer 41 for emitting the laser beam, and a coupling optical system 15 for coupling the laser beam emitted from the semiconductor laser element 11 to the optical fiber 20.例文帳に追加

光ファイバグレーティング３０が形成されるとともに、レーザ光を導波する光ファイバ２０と、ＳＱＷ活性層４１を有してレーザ光を出射する半導体レーザ素子１１と、半導体レーザ素子１１から出射したレーザ光を光ファイバ２０へ結合する結合光学系１５とから構成されるポンプレーザモジュール１０とを備えるようにする。 - 特許庁

A trapping level is introduced by density of 5×10^12/cm^2 or more into a source region 8 and a drain region 9 on the surface on the light shielding film 3 side of the active layer 7 by passing electric current and applying electric stress in an insulation film 4 between the light shielding film 3 and a source electrode 15 or a drain electrode 16.例文帳に追加

活性層７の遮光膜３側の表面部分のうち、ソース領域８及びドレイン領域９には、ソース電極１５及びドレイン電極１６と遮光膜３との間の絶縁膜４中に電流を流して電気的ストレスを印加することで、５×１０^12／ｃｍ^2以上の密度で捕獲準位が導入される。 - 特許庁

A negative electrode sheet 13 constituted by forming a negative electrode active material layer 18 on the surface of a negative electrode collector foil 17 has an area corresponding to the folded area of the positive electrode sheet, is pinched between the folded positive electrode sheets via polymer electrolyte layers 12, and a negative electrode terminal 19 is connected to one side edge 13a.例文帳に追加

負極集電体箔１７の表面に負極活物質層１８を形成して構成された負極シート１３が正極シートの折畳み面積に相応した面積を有し、上記折畳まれる正極シートの間にポリマー電解質層１２を介して挟持され、かつ一方の側縁１３ａに負極端子１９が接続される。 - 特許庁

To reduce the lowering of a battery capacity and internal short- circuiting due to breaking of pole plates and peeling and falling of an active material layer in a square battery disposed with a belt shaped or hooped positive plate and a belt-shaped negative plate via a separator, and having an electrode group formed by bending and winding using a core part as a center.例文帳に追加

帯状またはフープ状の正極板及び帯状負極板がセパレータを介して配置され、捲芯部を中心に折り畳まれ、巻回してなる電極群を備えた角形電池において、極板の折損や活物質層の剥離・脱落による電池容量の低下および内部短絡の不良を低減することを目的とする。 - 特許庁

With the nonaqueous electrolyte battery provided with a negative electrode with has a negative active material layer of 1.65 g/ml or more in filling density formed on the surface of a negative electrode core body mad of copper foil, a positive electrode, and a nonaqueous electrolyte, an elongation percentage of the negative electrode core body made of copper foil is 5.0% or more.例文帳に追加

銅箔から成る負極芯体の表面に、充填密度が１．６５ｇ／ｍｌ以上の負極活物質を含む負極活物質層が形成された負極と、正極と、非水電解質とを有する非水電解質電池であって、上記銅箔から成る負極芯体の伸び率が５．０％以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The hardcoat layer 13 is obtained by applying a curable composition which includes an active-energy ray curable resin, a photopolymerization initiator, cesium-containing tungsten oxide fine particles as a near IR absorber and a compound having an absorption in a Rayleigh scattering wavelength region on the transparent base material film 11.例文帳に追加

ハードコート層１３は、活性エネルギー線硬化型樹脂、光重合開始剤、近赤外線吸収剤としてのセシウム含有酸化タングステン微粒子及びレイリー散乱波長領域に吸収を持つ化合物を含有する硬化性組成物が透明基材フィルム１１上に塗布され、活性エネルギー線照射により硬化されて得られる。 - 特許庁

The method for producing a darkened acrylic viscoelastic layer comprises polymerizing an acrylic monomer composition containing a coloring material or a partially polymerized composition thereof by use of both a photopolymerization reaction using a photopolymerization initiator which is cleaved by active energy beam and a redox polymerization reaction by the effect of oxidizing agent and reducing agent.例文帳に追加

本発明のアクリル系粘弾性体層の製造方法は、活性エネルギー線によって開裂する光重合開始剤を用いる光重合反応と、酸化剤及び還元剤の作用によるレドックス重合反応とを併用して、着色物質を含有させたアクリル系モノマー組成物又はその部分重合組成物を重合に付すことを特徴とする。 - 特許庁