「alignment process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a circular alignment method and a circular alignment device that can shorten a process time by employing a circular alignment process in which a method and a device for aligning coil segments in an annular shape are simplified.例文帳に追加

コイルセグメントを円環状に整列させる際の方法および装置の簡略化された円環整列工程により工程所要時間の短縮を図ることができる円環整列方法、および円環整列装置を提供すること - 特許庁

Since the recessed part 18 for an alignment mark is formed after a lamination process and a polishing process, enough position accuracy can be ensured.例文帳に追加

貼り合わせ工程および研磨工程の後にアライメントマーク用凹部１８が形成されるので、十分な位置精度が確保できる。 - 特許庁

To provide a technology for smoothly performing the alignment between a shot region and a die, and an etching process after imprint process as well.例文帳に追加

ショット領域と型との位置合わせとインプリント処理後のエッチング処理との双方を円滑に行う技術を提供する。 - 特許庁

To make alignment for accurate control of position of a substrate in a process chamber even if a plurality of process chambers are provided.例文帳に追加

複数の処理室を有する場合でも、処理室内での基板位置を正確に制御できるように位置合わせすること。 - 特許庁

To provide an alignment mark that is restrained in deterioration of positioning accuracy, even after passage of an epitaxial film deposition process and high-temperature annealing process.例文帳に追加

エピタキシャル成膜工程や高温アニール工程を経ても、位置合わせ精度の低下が抑制されるアライメントマークを提供する。 - 特許庁

Mask alignment of a diffusion layer pattern and a mask pattern to be processed in a post-process is carried out using the alignment mark M1a formed in this manner.例文帳に追加

こうして形成されたアライメントマークＭ１ａを用い、拡散層パターンと後工程において加工するマスクパターンとのマスク合わせを行う。 - 特許庁

The alignment mark is provided so that at least one portion of the alignment mark is positioned in the cut margin region of the piezoelectric wafer cut in the cutting process.例文帳に追加

切断工程で切断される圧電ウェハの切り代領域にアライメントマークの少なくとも一部が位置するようにアライメントマークを設ける。 - 特許庁

An alignment pattern and a TEG pattern, which are used in a photolithography process, are formed in the alignment pattern forming regions 23 of the scribing regions 10.例文帳に追加

スクライブ領域１０のアライメントパターン形成領域２３にはフォトリソグラフィ工程で使用されるアライメントパターンやＴＥＧパターンが形成される。 - 特許庁

Mask alignment between a diffusion layer pattern and a mask pattern to be processed in a post-process is carried out using the alignment mark M1a formed in this way.例文帳に追加

こうして形成されたアライメントマークＭ１ａを用い、拡散層パターンと後工程において加工するマスクパターンとのマスク合わせを行う。 - 特許庁

To provide an imprint method and the like capable of performing more preferable alignment control by devising control conditions on alignment in an imprint process.例文帳に追加

インプリントプロセスにおけるアライメントに関する制御条件を工夫し、より好適なアライメント制御が可能となるインプリント方法等を提供する。 - 特許庁

To reduce interruptions in an exposure process by successfully recognizing an image of an alignment mark with high probability.例文帳に追加

アライメントマークの画像認識を高い確率で成功させて、露光処理の中断を少なくする。 - 特許庁

Moreover, there is an advantage of making alignment treatment such as rubbing unnecessary in the manufacturing process.例文帳に追加

しかも、その製造工程において、ラビングなどの配向処理の必要がないというメリットがある。 - 特許庁

To provide a means for detecting alignment accuracy with high accuracy, in an ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程におけるアライメント精度を、高精度に検出する手段を提供すること。 - 特許庁

To form a polygon semiconductor ring laser wherein high alignment precision is held with a simple process.例文帳に追加

簡便なプロセスで高い位置合わせ精度を保持した、多角形半導体リングレーザを作製する。 - 特許庁

The new mark image is compared with a reference image, prespecified from alignment marks prior to the process.例文帳に追加

新しいマークイメージを工程前の整列マークから予め設定された基準イメージと比較する。 - 特許庁

The filling item acquisition means 16 is provided with a structure body member backward close location process 17 for locating members of a structure body backward closely in order from the member of the largest alignment and the alignment determination process 14 for acquiring alignment values of variable items.例文帳に追加

埋め込み用項目取得手段１６は、構造体のメンバをアライメントが大きいものから後詰めに配置する構造体メンバ後詰め処理１７と、変数項目のアライメント値を取得するアライメント判定処理１４とを備えている。 - 特許庁

A first alignment key is formed using a step difference during a process of forming a device isolation film, and a second alignment key is formed during a process of forming a recess gate and is used in a subsequent gate process.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、素子分離膜形成時に発生した段差を利用して第１の整列キーとして用い、リセスゲート形成工程時に第２の整列キーを形成して後続ゲート工程で用いる。 - 特許庁

When the tape is peeled, the organic coating film is peeled from the alignment layer and the foreign matter on the alignment layer is removed in the peeling process in a step S25.例文帳に追加

ステップＳ25において、テープを剥離しようとすると、有機被膜が配向膜から剥離され、剥離の過程で配向膜上の異物が除去される。 - 特許庁

To provide highly accurate alignment mark for drawing which enables highly accurate alignment mark drawing without adversely affecting the side of a drawing device or an optimized resist process.例文帳に追加

描画装置側や最適化されたレジスト工程に影響を与えずに高精度なアライメント描画を可能にする高精度な描画用アライメントマーク。 - 特許庁

To reduce erosion and improve an overlay accuracy of an alignment mark in an alignment mark formation process of a semiconductor device using chemical machine polishing.例文帳に追加

化学的機械研磨を利用した半導体装置のアライメントマーク形成プロセスにおいて、エロージョンを低減し、アライメントマークの重ね合わせ精度を向上させる。 - 特許庁

To provide a formation method of a photomask for realizing a highly accurate alignment method in a manufacturing process of a semiconductor element, and an alignment method.例文帳に追加

半導体素子の製造工程において高精度のアライメント方法を実現するためのフォトマスクの作成方法及びアライメント方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method determining alignment in polymer liquid crystal by a simple one-stage process and controlling alignment in a nanometer scale.例文帳に追加

高分子液晶における配向を簡単な1段階プロセスによって定められるうえ、ナノメートルスケールにおける配向制御が可能となる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for setting an alignment range whereby the time required for setting the alignment range can be reduced and man-hours of a laser emission process can be decreased.例文帳に追加

アライメント範囲の設定に要する時間を削減して、レーザー照射工程の工数を削減し得るアライメント範囲設定方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved alignment system capable of detecting the marker which has received process fluctuation, by allowing use of smaller alignment marker or radiation of different wavelength.例文帳に追加

より小さいアライメントマーカや異なる波長の放射を使用できるようにし、プロセス変動を受けたマーカを検出できる改良アライメントシステムを提供する。 - 特許庁

To detect a position of an alignment mark on a mask and a position of an alignment mark in a base pattern of a substrate with high accuracy by acquiring sharp images of the alignment mark on the mask and of the alignment mark in the base pattern of the substrate and carrying out an image recognition process.例文帳に追加

マスクのアライメントマークの画像及び基板の下地パターンのアライメントマークの画像をそれぞれ鮮明に取得して画像認識を行い、マスクのアライメントマークの位置及び基板の下地パターンのアライメントマークの位置を精度良く検出する。 - 特許庁

To simplify a fabricating process by performing a patterning process without using a photolithography process, and to form a thin film pattern at a home position by improving the accuracy of alignment.例文帳に追加

ホト工程を使用しないでパターニング工程を遂行し製造工程を単純化すると共にアラインメントの正確性を向上させて薄膜パターンを定位置に形成させる。 - 特許庁

An alignment process includes a process of searching for a position where a photocurrent by a light receiving element is set at a peak in X-, Y-, Z-axis directions.例文帳に追加

調芯工程は、受光素子による受光電流がピークとなる位置をＸ、Ｙ、Ｚ軸方向でサーチする工程を含む。 - 特許庁

The liquid crystal alignment processing method includes: a process of forming a liquid crystal alignment film 7 on a prescribed substrate; and a process of preparing a rubbing roller 5 on which a rubbing cloth 3 is wound.例文帳に追加

本発明による液晶配向処理方法は、所定の下地上に液晶配向膜７を形成する工程と、ラビング布３が巻き付けられたラビングローラ５を準備する工程とを備えている。 - 特許庁

The coating width L1 of an alkali solution in the saponification process is specified to be larger than the coating width L2 of the alignment layer 14 so that the alignment layer 14 is applied within the part 12 subjected to the saponification process.例文帳に追加

鹸化処理におけるアルカリ溶液の塗布幅Ｌ１は、配向膜層１４の塗布幅Ｌ２よりも大きく設定され、鹸化処理が施された部分１２内に配向膜層１４が塗布される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a marker for an alignment does not become unclear even if it performs a flattening step by the above buff polishing before a mask alignment process on the way of a wafer process and an exact alignment accuracy is acquired, and which can be created as design.例文帳に追加

ウエハプロセスの途中のマスクアライメント工程の前に、前記バフ研磨による平坦化工程を行ってもアライメント用マーカーが不明瞭にならず、正確なアライメント精度の得られ、設計どおりに作成できる半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

The pattern forming method which has the process step of previously forming the alignment markers on a first thick film in a first thick film forming process step and references the alignment markers in the exposing process step of a second thickness film.例文帳に追加

第１厚膜形成工程において、あらかじめ第１厚膜上にアライメントマーカーを形成する工程を有し、第２厚膜の露光工程において、前記アライメントマーカーを参照することを特徴とするパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To form an LDD structure in self-alignment process and to prevent variations in the thickness of a gate insulating film.例文帳に追加

自己整合的にＬＤＤ構造を形成でき、しかも、ゲート絶縁膜の厚さばらつきを防止できる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING ALIGNMENT KEY IN FORMATION PROCESS OF WELL STRUCTURE, AND METHOD OF FORMING ELEMENT ISOLATION USING KEY例文帳に追加

ウェル構造の形成工程での整列キーの形成方法、及びそれを利用した素子分離形成方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flush memory element by utilizing a self-alignment non-exposure pattern formation process.例文帳に追加

自己整列無露光パターン形成プロセスを利用してフラッシュメモリ素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

ALIGNMENT METHOD AND OVERLAY MEASURING METHOD IN LITHOGRAPHY PROCESS, ALIGNER, AND OVERLAY MEASURING INSTRUMENT例文帳に追加

リソグラフィ工程におけるアライメント方法およびオーバレイ測定方法、露光装置およびオーバレイ測定装置 - 特許庁

PATTERN EVALUATION METHOD, ALIGNMENT METHOD, INSPECTION METHOD OF INSPECTION APPARATUS, AND CONTROL METHOD OF SEMICONDUCTOR-MANUFACTURING PROCESS例文帳に追加

パターン評価方法，位置合わせ方法、検査装置の検査方法，半導体製造工程の管理方法 - 特許庁

Further, a polysilicon film 8 is formed in self-alignment process on the silicon oxide 7 between separation oxide films 6.例文帳に追加

そして、分離酸化膜６間のシリコン酸化膜７上にポリシリコン膜８を自己整合的に形成する。 - 特許庁

This reference alignment method includes: a fitting process of fitting the reference alignment instrument to the predetermined part of the base part; a spot light radiating process of radiating spot light from the light source part; and an alignment process of aligning the end effector part so that the spot light is aligned with a target point.例文帳に追加

本発明の基準位置合わせ方法は、ベース部の所定部に基準位置合わせ具を取り付ける取り付け工程と、光源部からスポット光を照射するスポット光照射工程と、スポット光が目標点と一致するようにエンドエフェクタ部の位置合わせを行う位置合わせ工程と、を備えた構成を有する。 - 特許庁

The techniques include: moving a process substrate with respect to a mask by using an alignment mark; aligning the mask to the process substrate; and exposing the substrate.例文帳に追加

アライメントマークを使用してマスクに対し処理基板を移動させて当該マスクと処理基板との位置合わせをして露光を行う技術である。 - 特許庁

To provide a self-alignment roller bearing dispersing non-slip lines of spherical rollers and simplifying a manufacturing process and an assembly process.例文帳に追加

球面ころのノンスリップラインを分散させると共に、製造工程および組立工程を簡素化した自動調心ころ軸受を提供する。 - 特許庁

Therefore, the alignment marker 5 and the pattern 3 can be simultaneously manufactured in the same manufacturing process, a risk of poor alignment between both can be reduced, and lighting of the alignment marker 5 can be executed independently of lighting of the pattern 3 with an inexpensive light source 7, thereby achieving alignment in situ by providing the alignment sensor 1 in a lithographic apparatus.例文帳に追加

それで整列マーカ５とパターン３を同じ製造プロセスで同時に製造することができ、両者間の整列不良のリスクが少なく、整列マーカ５の照明を安い光源７でパターン３の照明と独立に行えるので、この整列センサ１をリソグラフィ装置内に設け、その場での整列ができる。 - 特許庁

The rubbing process is performed so that the rubbing direction of the alignment film 12 by the rubbing cloth 14 is opposite to the moving direction of the alignment film 12, then is performed so that the rubbing direction of the alignment film 12 by the rubbing cloth 14 is the same as the moving direction of the alignment film 12.例文帳に追加

このラビング工程は、ラビング布１４が配向膜１２を擦る方向が配向膜１２の移動方向とは反対になるように行った後に、ラビング布１４が配向膜１２を擦る方向が配向膜１２の移動方向と同じになるように行う。 - 特許庁

The equipment is for determining the alignment condition can work during the alignment process and determines the alignment condition of the wafer W from an image generated by the optical system, when the optical system sees at least a part of a mark.例文帳に追加

整合状態を決定する装置は、整合工程中に作動可能であり、光学系が標識の少なくとも一部を見るときに該光学系により発生された像からウェーハＷの整合状態を決定する。 - 特許庁

In this case, an alignment mark M is formed on the Si substrate 1 when the support hole is formed, and the alignment mark M is used for photolithographic alignment in the process for forming the SiGe removal hole.例文帳に追加

本発明では、支持体穴を形成する際にＳｉ基板１上にアライメントマークＭを形成しておき、ＳｉＧｅ除去穴を形成する工程では、このアライメントマークＭを用いてフォトリソグラフィーの位置合わせを行う。 - 特許庁

In this case, the horizontal alignment layers 42 are formed by performing a rubbing process on an alignment layer 42a on a substrate 10A and by modifying a surface thereof using a resist pattern R as a mask, a material of the vertical alignment layers 41 is formed.例文帳に追加

このとき、基板１０Ａ上の配向膜４２ａにラビング処理し、レジストパターンＲをマスクにして表面改質して、水平配向膜４２を形成し、垂直配向膜４１の材料を形成する。 - 特許庁