「alignment process」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目)

本発明は、モールドの製造に複雑な工程を要することなく、モールド材と同じ材料からなるアライメントマークを直接光学的に識別することを可能とし、高いアライメント精度で位置合わせすることができるインプリント用モールド、アライメント方法、インプリント方法、およびインプリント装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a liquid crystal alignment agent which realizes uniform liquid crystal alignment with a pre-tilt angle via a single step of irradiation process by making a linearly polarized ultraviolet rays, of which the direction of the electric field vector is inclined, with respect to a substrate surface irradiate a liquid crystal alignment layer formed on the substrate surface.例文帳に追加

基板表面に形成した液晶配向膜に、その電場ベクトルの方向が基板面から傾いている、直線偏光された紫外線を照射することにより、１段階の照射プロセスでプレチルト角を有する均一な液晶配向を実現することのできる液晶配向剤を提供すること。 - 特許庁

A substrate 5 can efficiently be manufactured by separating the alignment and the actual processing when an alignment mark 6a fixed with respect to the substrate 5 is provided, and when position information on a position of a process area on the substrate 5 is retrieved with respect to the alignment mark 6a before the substrate 5 is processed.例文帳に追加

基板５は、基板５に対して固定されたアライメントマーク６ａが設けられ、基板５を加工する前に、基板５の加工領域の位置に関する位置情報がアライメントマーク６ａに関連させて取り出された場合に、アライメントと実際の加工とを切り離すことによって効率よく製造することができる。 - 特許庁

In this process, even when the intensity of UV rays irradiating the mixture differs by location to vary the polymerization speed of the polymerizable monomer, the liquid crystal molecules 320 and the polymerizable monomer under and close to wiring lines are less likely to move because of an influence of the alignment regulating force of the alignment layer 180 and of the alignment layer 250.例文帳に追加

この工程において、場所によって照射される紫外線強度が異なり、重合性モノマーの重合速度が異なっても、配向膜１８０及び配向膜２５０の配向規制力による拘束力の影響で、配線下及びその近傍の液晶分子３２０及び重合性モノマーは移動しにくい。 - 特許庁

The process of acquiring an image of an alignment mark M1 on the process substrate and computing the reference position of the process substrate is repeated until the reference position of the mask coincides with the reference position of the process substrate or reaches within a predetermined tolerance, on the basis of the above computed reference position of the mask.例文帳に追加

上記演算したマスク側の基準位置を基準として、マスク側の基準位置と処理基板側の基準位置とが一致若しくは予め設定した許容誤差内となるまで、上記処理基板側のアライメントマークＭ１の画像を取得して当該処理基板側の基準位置を演算する処理を繰り返す。 - 特許庁

Merely an oxide film 5 that is deposited, in advance, in a groove 4 for alignment is selectively thinned with photo resist as a mask, thus preventing the region of the groove 4 for alignment from being flattened even in a flattening machining after that, and hence achieving an effective function as the mark for positioning of a process following after an element insulation and isolation process.例文帳に追加

予め位置合わせ用溝４に堆積した酸化膜５のみをフォトレジストをマスクとして選択的に薄くすることにより、その後の平坦化加工においても、位置合わせ用溝４の領域が平坦になることはなく、素子絶縁分離工程に続く工程の目合わせ用マークとして有効に機能させることができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device using SiC for the substrate comprises: a process for forming an alignment mark 2 on a {0001} plane in the SiC substrate 1; and a process for forming a prescribed pattern on the SiC substrate 1 by aligning a transfer mask and the SiC substrate 1, based on the alignment mark 2.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣを基板に用いた半導体装置を製造する方法であって、ＳｉＣ基板１の｛０００１｝面に、アライメントマーク２を形成する工程と、アライメントマーク２に基づき、転写マスクとＳｉＣ基板１との位置合わせを行いＳｉＣ基板１上に所定のパターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁

The glass substrates SUB mounted on the heating stages HST and conveyed is heated, and a process P1 of irradiation with polarized light in a heated state and a process P2 of only heating are alternately performed to provide the alignment control function.例文帳に追加

加熱ステージＨＳＴに載せて搬送されるガラス基板ＳＵＢは加熱しつつ偏光を照射するプロセスＰ１と加熱のみを行なうプロセスＰ２を順次交互に施して配向制御能を付与する。 - 特許庁

The method of integrating the silicide metal of a CMOS allows incorporation of silicide contacts (S/D and gates) and metal silicide gates using a self-alignment process (salicide) and at least one lithography process.例文帳に追加

自己整合プロセス（サリサイド）と少なくとも１つのリソグラフィ工程を用いてシリサイド・コンタクト（Ｓ／Ｄおよびゲート）と金属シリサイド・ゲートを組み込むことを可能にする、ＣＭＯＳのシリサイド金属を集積化する方法を提供する。 - 特許庁

To form a mark structure capable of being utilized as an alignment mark in subsequent processes on a semiconductor film during the same exposure process in a process for obtaining a semiconductor of a large particle size crystal phase from a semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜から粒径の大きな結晶相の半導体を得る工程において、以降の工程で、アライメントマークとして利用可能なマーク構造を、同一の露光工程において半導体膜に形成する。 - 特許庁

To provide a multifunction wafer aligner that can detect the presence or absence of damage in a wafer before an arbitrary semiconductor manufacture process is carried out to the wafer, and while a flat zone alignment process is being carried out in the wafer.例文帳に追加

ウェーハに任意の半導体製造工程が遂行される以前と、ウェーハのセンタリング、ならびにウェーハのフラットゾーンアライメント工程途中とにウェーハの損傷有無を検出できるマルチファンクションウェーハアライナを提供する。 - 特許庁

Symmetry of the alignment mark formed in the second resist layer is improved by suitably adjusting thicknesses, coating process parameters, and baking process parameters of the first and the second resist layers.例文帳に追加

第２のレジスト内に形成されるアライメントマークの対称性は、第１および第２のレジスト層のそれぞれの厚さ、被覆プロセスパラメータ、およびベーキングプロセスパラメータを適切に調整することによって向上させることができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the liquid crystal display panel, having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of substrates with alignment layers interposed; comprises a process of heating the surfaces of the substrates on the sides of the liquid crystal layer at 100 to 300 °C using a hot plate; and a process of successively forming the alignment layers on the substrate surfaces after the heating process.例文帳に追加

一対の基板間に配向膜を介し液晶層が保持された液晶表示パネルを製造する方法であって、上記製造方法は、ホットプレートを用いて基板の液晶層側の表面を１００〜３００℃に加熱する工程と、上記加熱工程に続けて基板表面上に配向膜を形成する工程とを有する液晶表示パネルの製造方法である。 - 特許庁

When the misalignment occurs, the process when the misalignment occurs is changed over by use of a mode variable S306 showing which program is executed, of a program S308 requiring the misalignment restoration process not considering alignment and a program S310 requiring the system restart considering the alignment, and the system restart S305 or the misalignment restoration process S203 is executed.例文帳に追加

ミスアライメントが発生した際に、アライメントを考慮していない、アライメント復帰処理が必要なプログラムＳ３０８と、アライメントを考慮した、システム再起動が必要なプログラムＳ３１０のどちらが実行されているかを示すモード変数Ｓ３０６を用いて、ミスアライメント発生時の処理を切り換えて、システム再起動Ｓ３０５またはミスアライメント復帰処理Ｓ２０３を実行する。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal display device comprises: a process of forming an electrode layer 120a for pixel electrode on a first substrate 100; a process of forming a prescribed alignment layer pattern 500 on the electrode layer 120a for pixel electrode; and a process of patterning the electrode layer 120a for pixel electrode by using the alignment layer pattern 500 as a mask and forming a pixel electrode pattern 120.例文帳に追加

第１基板１００上に画素電極用電極層１２０ａを形成する工程と、画素電極用電極層１２０ａ上に所定の配向膜パターン５００を形成する工程と、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する工程と、を含んで液晶表示素子の製造方法を構成する。 - 特許庁

To laminate a wafer electrode and a contact by facilitating alignment of the wafer electrode and a contact probe stably over a long term even in a production process employing a large number of inspection boards and a large number of alignment devices when inspection of wafers is conducted in a block.例文帳に追加

ウエハ一括での検査を行う場合に、多数の検査ボード、多数のアライメント装置を用いる生産工程であっても、長期的に安定してウエハ電極とコンタクトプローブの位置合わせを容易に行いコンタクトと貼り合わせることを目的とする。 - 特許庁

Since molecules are aligned in a relief pattern state in the pattern (polyimide film) obtained by this invention, a relief pattern most suitable for a liquid crystal alignment film or the like can be provided without rubbing process for alignment of liquid crystal.例文帳に追加

また、本発明で得られたパターン（ポリイミド膜）は、レリーフパターンとされた状態で分子配向しているので、液晶を配向させるためのラビング処理を施すことなく、液晶配向膜等として最適なレリーフパターンを提供することができる。 - 特許庁

thus, even if a position correcting electron beam is in irradiated to the alignment mark 82 to correct the position in the next electron beam lithographic process, the electrons e of the beam do not stay at the alignment mark 82, but will flow into the multi-layer film 42a.例文帳に追加

したがって、次工程の電子ビームリソグラフィにおける描画位置を補正するためにアライメントマーク８２に位置補正用電子ビームを照射しても、当該電子ビームの電荷ｅはアライメントマーク８２に滞留することなく多層膜４２ａに流れ込む。 - 特許庁

The patterning method includes a step of forming a pattern by using a plurality of patterning steps by use of a photolithographic process on the same substrate, and the method includes steps of preparing a substrate on which an alignment mark to be used for alignment is formed, drawing a first pattern by aligning using the above alignment mark, and drawing a second pattern by aligning using the above alignment mark.例文帳に追加

同一基板上にフォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成する工程を有するパターン形成方法において、位置合わせに用いるアライメントマークが形成された基板を準備する工程と、上記アライメントマークを用いて位置合わせを行い第１のパターンを描画する工程と、さらに上記アライメントマークを用いて位置合わせを行い第２のパターンを描画する工程とを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal display device has a process of forming transparent electrodes 7 for driving a liquid crystal on a counter substrate 11, a process of forming columnar spacers 10 on the transparent electrodes 7 and a process of forming an alignment layer 8 on the entire surface of the counter substrate 11.例文帳に追加