| 意味 | 例文 |
alignment-markの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1590件
In the aligner which detects a mask alignment mark and a workpiece alignment mark through the through-hole formed in the workpiece stage, a translucent window member disposed in the through-hole of the workpiece stage is supported by an elastomer and the window member abuts against the workpiece elastically.例文帳に追加
ワークステージに形成した貫通孔を介してマスク・アライメントマークとワーク・アライメントマークを検出する露光装置において、ワークステージの貫通孔内に配置した光透過性窓部材を弾性体によって支持して、ワークに対して窓部材が弾性的に当接することを特徴とする。 - 特許庁
In unwanted panel parts 120, liquid crystal 108 is introduced between substrates 101, 102, the liquid crystal 108 overspreads the alignment mark 107 and, on a planar region where the alignment mark 107 is formed, the liquid crystal 108 is filled between the substrates 101, 102.例文帳に追加
不要パネル部120内において、液晶108が基板101,102の間に導入され、アライメントマーク107の上を液晶108が覆い、かつ、アライメントマーク107の形成されている平面領域において基板101と102との間が液晶108で満たされている。 - 特許庁
With this constitution, an element isolation region 9 formed by embedding the trench 5a with the insulating film 7, a 1st alignment mark 10 formed by embedding the trench 5b with the insulating film 7 and the 2nd alignment mark 11 consisting of the trench 5c are provided on the surface side of the substrate 1.例文帳に追加
これによって、基板1の表面側に、トレンチ5a内に埋め込み絶縁膜7を埋め込んでなる素子分離9と、トレンチ5bに埋め込み絶縁膜7を埋め込んでなる第1のアライメントマーク10と、トレンチ5cからなる第2のアライメントマーク11とを形成する。 - 特許庁
On a reference mark plate FM, four reference marks WM_1, WM_2, WM_3, WM_4 for measuring the base line of an alignment system ALG are disposed in such a layout that the mean position of these marks aligns with the position of a measuring pattern ST for detecting a reticle alignment mark RM.例文帳に追加
基準マーク板FMには、アライメント系ALGのベースライン計測用の4つの基準マークWM_1,WM_2,WM_3,WM_4の平均位置が、レチクルアライメントマークRMを検出する計測用パターンSTの位置と一致するような配置で形成されている。 - 特許庁
In the position measuring method of this invention, when wafer alignment is conducted for two search shots and eight EGA shots, the two search shots are made common with shot to EGA shot, and the same common mark of the alignment mark is used in the search measurement and the EGA measurement.例文帳に追加
本発明の位置計測方法では、2箇所のサーチショットと8箇所のEGAショットを対象としてウエハアライメントを行う際に、2箇所のサーチショットはEGAショットとの共用ショットとし、アライメントマークもサーチ計測とEGA計測とで同一の共用マークを用いる。 - 特許庁
A liquid crystal panel module 11 is provided with a control section 7 for lighting the alignment mark for position detection at luminance that is difficult to be recognized visually and an image processing section 6 for detecting, on the basis of an image in which a display panel with the alignment mark lit is photographed, the position of the display panel.例文帳に追加
液晶パネルモジュール11に位置検出のためのアライメントマークを目視困難な輝度で点灯させる制御部7と、アライメントマークを点灯した表示用パネルを撮像した画像に基づいて、その表示用パネルの位置を検出する画像処理部6とを備える。 - 特許庁
Even if the film thickness of the first interlayer film 4 fluctuates, a signal wave form 7 of reflecting light of the alignment mark 3 can always be made almost constant, without affecting the variation of the film thickness of the first interlayer film 4, because the first interlayer film 4 does not exist on the upper part of the alignment mark 3.例文帳に追加
第1層間膜4の膜厚がばらついたときでも、アライメントマーク3の上部には第1層間膜4がないために、アライメントマーク3の反射光の信号波形7は、第1層間膜4の膜厚ばらつきの影響を受けずに、常にほぼ一定にすることができる。 - 特許庁
In a pattern drawing device, an alignment mark on a substrate is captured at a low resolution for acquiring a target image, thus acquiring a plurality of target profiles, namely, the distribution of pixel values on a plurality of straight lines crossing a plurality of positions of each edge in the alignment mark in the target image.例文帳に追加
パターン描画装置では、基板上のアライメントマークが低解像度にて撮像されて対象画像が取得され、対象画像中のアライメントマークの各エッジの複数の位置を横断する複数の直線上の画素値の分布である複数の対象プロファイルが取得される。 - 特許庁
A mounting structure is equipped with: the element board (10) having a plurality of first terminals (102) arrayed along the first direction and an element board side alignment mark (300); and the flexible circuit board (200) having a plurality of second terminals (202) and a flexible circuit-board side alignment mark (400).例文帳に追加
実装構造体は、第1方向に沿って配列された複数の第1端子(102)及び素子基板側アライメントマーク(300)を有する素子基板(10)と、複数の第2端子(202)及び可撓性基板側アライメントマーク(400)を有する可撓性基板(200)とを備える。 - 特許庁
Based on the displacement quantity of both patterns to be obtained by measuring an alignment mark for a light shielding pattern and an alignment mark for the phase shift pattern, displacement quantity of pieces of design data of both patterns is compensated and pattern defect inspection of a pattern to be inspected is performed on the basis of a reference pattern obtained by compensation of the displacement quantity.例文帳に追加
遮光パターン用のアライメントマークと位相シフトパターン用のアライメントマークを計測して得られる両パターンの位置ずれ量に基づき、両パターンの設計データの位置ずれ量を補正し、それにより得られた参照パターンを基準として披検査パターンのパターン欠陥検査を行う。 - 特許庁
An axial alignment is acquired by computation from an axial alignment actually measured value at the time of establishment or overhaul and a level bench mark deformation amount shown by a difference between an actually measured value of a level bench mark height at the time of establishment or overhaul and that during operation, thereby to monitor it, in order to provide against accidents, etc.例文帳に追加
新設時またはオーバホール時の軸アライメント実測値と、新設時またはオーバホール時のレベルベンチマーク高さの実測値と運転中のそれとの差で示されるレベルベンチマーク変位量とから演算により求め、その監視ができるようにして事故等に備える。 - 特許庁
The method of manufacturing the flat panel display includes a process to form a photosensitive film bx on a substrate 21, a process to form an alignment mark 51 by exposing the photosensitive film bx using an exposure mask 41, and a process to make positioning of the exposure mask by recognizing the alignment mark 51 before development of the photosensitive film.例文帳に追加
基板21上に感光性膜bxを形成する工程と、露光マスク41を用いて感光性膜bxを露光してアライメントマーク51を形成する工程と、感光性膜を現像する前の状態でアライメントマーク51を認識して、位置合わせを行う工程とを有する。 - 特許庁
Then, the image evaluation apparatus determines whether parameters corresponding to the obtained input conditions and output conditions are stored (S14), and if the corresponding parameters are stored, corrects contrast in the vicinity of the alignment mark by using the parameters concerned (S15), and attempts to detect the alignment mark (S16).例文帳に追加
そして画像評価装置は、取得した入力条件や出力条件に対応するパラメータが記憶されているかを判断し(S14)、対応するパラメータが記憶されていれば、当該パラメータを用いてアライメントマーク近傍のコントラストを補正し(S15)、アライメントマークの検出を試みる(S16)。 - 特許庁
When an XY rectangular coordinate system is defined on the surface of an object, the alignment mark formed on the object is observed by an observation device having an optical axis inclined from a normal on the front surface of the object in a Y-axis direction, and the image of the alignment mark is formed on an image receiving surface.例文帳に追加
対象物の表面にXY直交座標系を定義した時、対象物に形成されたアライメントマークを、対象物の表面の法線方向からY軸方向に傾いた光軸を有する観測装置で観測し、アライメントマークの像を受像面上に形成する。 - 特許庁
When forming a via hole in the insulating layer or the like in the succeeding process, a corresponding alignment mark among the plurality of alignment marks is detected by the light made to pass through the openings by using the light irradiation member, and positioning is performed with the detected mark as a position reference.例文帳に追加
以降の工程において絶縁層にビアホールの形成等を行う際に、上記の光照射用部材を用いて上記の開口部を通過させた光により、上記の複数のアライメントマークのうち対応するアライメントマークを検出し、検出したマークを位置基準として位置合わせを行う。 - 特許庁
Furthermore, the solder paste 41 printed on the surfaces of the pads 11 and 12 and the alignment mark 13 is made to reflow, a solder bump 18 is formed on the surface of the FC pad 11, a solder layer 19 is formed on the surface of the BGA pad 12, and a second solder layer 20 is formed on the surface of the alignment mark 13.例文帳に追加
更にこの後、パッド11,12及びアライメントマーク13表面に印刷されたハンダペースト41をリフローして、FCパッド11の表面にハンダバンプ18を形成し、BGAパッド12の表面にハンダ層19し、アライメントマーク13表面に第二ハンダ層20を形成する。 - 特許庁
The method includes a step of detecting a base line quantity which is the spacing between the treating optical system 4 and the alignment optical systems 12a to 12d by using the first reference mark and the second reference mark and a step of correcting the base line quantity detected in accordance with the relative position error of the first reference mark and the second reference mark.例文帳に追加
第1基準マークと第2基準マークとを用いて、処理光学系4とアライメント光学系12a〜12dとの間隔であるベースライン量を検出するステップと、第1基準マークと第2基準マークとの相対的な位置誤差に基づいて、検出したベースライン量を補正するステップとを含む。 - 特許庁
The measurement data of an alignment mark formed on a member are detected (S201), and the positional relation of a visionary sensor is calibrated according to the measurement data.例文帳に追加
部材上に形成された位置合わせ用マークの測長データを検出し(S201)、その測長データに従い視覚センサの位置関係を校正する。 - 特許庁
From the image signal obtained, the interval where the signal form almost flat continues more than the area of the alignment mark AM1 is extracted.例文帳に追加
得られた画像信号から信号波形がほぼ平坦である部分がアライメントマークAM1の領域以上に連続する区間を抽出する。 - 特許庁
To improve the contrast of an alignment mark, in such a lithography patterning method as a double patterning method for improving the resolution of an optical lithography.例文帳に追加
光学リソグラフィの解像度を向上させるためのダブルパターニング法などのリソグラフィパターニング法において、アライメントマークのコントラストを改善すること。 - 特許庁
A protrusion 51 is provided on part of a longitudinal end surface of an insulation film constituting the stepped part 41 of the alignment mark on the part 41.例文帳に追加
アライメントマークの段差部41において、この段差部を構成する絶縁膜の縦端面の一部に突起状の突起部51を設けた。 - 特許庁
A plurality of alignment mark detectors attached to the frame is movable about the frame using each linear drive mechanism.例文帳に追加
このフレームに取り付けられた複数の位置合わせマーク検出器は、それぞれの直線駆動機構を使用してこのフレームに関して移動可能である。 - 特許庁
At that time, a detection section detects that a prototype image is within an area defined based on the alignment mark on the basis of an address of the prototype image on a memory.例文帳に追加
このとき、検知部が、視標像のメモリ上のアドレスに基づいて、指標像がアライメントマークに基づく領域内にあることを検知する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device for suppressing deterioration in a yield relating to formation of an alignment mark, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
アライメントマークの形成に関連する歩留まりの低下を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The second alignment mark WM1 is provided in the second window or in the substrate table at a position adjacent to the second window.例文帳に追加
第2のアライメントマークWM1が、前記第2の窓の中に、または前記第2の窓に隣接した位置にある前記基板テーブルの中に設けられる。 - 特許庁
The deviation (eccentricity) of the origin (O) of the first layer and the rotation center (O') of a turntable and a rotation angle (θO) are calculated (49) from the position of the alignment mark.例文帳に追加
アライメントマークの位置から第1の層の原点(O)とターンテーブルの回転中心(O')とのずれ(偏心)と、回転角(θ_0)を算出する(49)。 - 特許庁
While using the film left in the recessed part as an etching mask, the exposed surface of the semiconductor substrate is etched to form a step to be used as an alignment mark.例文帳に追加
凹部内に残る膜をエッチングマスクとして使用し、露出する半導体基板表面をエッチングし、アライメントマークとなる段差を形成する。 - 特許庁
To further miniaturize an SAW device, and to eliminate influence to electric characteristics in the SAW device by an alignment mark.例文帳に追加
SAW装置のより一層の小型化を可能とすると共に、アライメントマークがSAW装置の電気特性に及ぼす影響を排除する。 - 特許庁
To provide a marking apparatus which efficiently forms an alignment mark for accurately aligning layers in manufacturing a multi-layer circuit board.例文帳に追加
多層回路基板製造において、各層の位置合わせを精度良く行うためのアライメントマークを効率的に形成するマーキング装置を提供する。 - 特許庁
To execute the machining so that a plurality of machining lines do not overlap or cross each other without providing any alignment mark on a workpiece.例文帳に追加
ワーク上にアライメントマークを設けることなく複数の加工線同士が重なったり交差しないように加工を行なうことができるようにする。 - 特許庁
The techniques include: moving a process substrate with respect to a mask by using an alignment mark; aligning the mask to the process substrate; and exposing the substrate.例文帳に追加
アライメントマークを使用してマスクに対し処理基板を移動させて当該マスクと処理基板との位置合わせをして露光を行う技術である。 - 特許庁
Then, the trench 16 is closed by the single crystal semiconductor layer 21 so that a cavity 22 is formed in the trench 16 of the alignment mark region 15.例文帳に追加
この後、アライメントマーク領域15のトレンチ16内に空洞22が残るように当該トレンチ16を単結晶半導体層21で塞ぐ。 - 特許庁
A first alignment mark 1 is formed on an n-type semiconductor layer 12, and an insulation film 13 having a trench pattern is formed on the whole surface on it.例文帳に追加
n型半導体層12に第1のアライメントマーク1を形成し、その上全面にトレンチパターンを有する絶縁膜13を形成する。 - 特許庁
In the IC socket provided with pogo pins which are in contact with an inspection device, an alignment mark is added to a region of the IC socket in which the pogo pins do not exist.例文帳に追加
検査デバイスとコンタクトするポゴピンを備えたICソケットにおいて、ポゴピンが存在しないICソケットの領域にアライメントマークを付加する。 - 特許庁
To provide a wiring board which enable easy recognition of an alignment mark, and a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加
本発明の目的は、アライメントマークを容易に認識することができる配線基板及び半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁
A marking hole 20M for forming an alignment mark or the like is formed from a surface 23S of the interlayer insulation film 23 to the polysilicon layer 11.例文帳に追加
層間絶縁膜23の表面23Sからポリシリコン層11に至って、アライメントマーク等を成すマーク用孔20Mが形成されている。 - 特許庁
A body part 10 of an XYθ stage is driven, so that an alignment mark provided on a wafer is positioned in the observation view of an observation microscope.例文帳に追加
先ず、ウエハ上に設けられたアライメントマークが観察顕微鏡の観察視野に位置するように、XYθステージの本体部10を駆動する。 - 特許庁
The positioning of the mask 21 for black is performed by using the substrate side alignment mark 6 appearing on an outer side via the water repellent material layer 9.例文帳に追加
この撥水材料層9を介して外方へ現れる基板側アライメントマーク6を用いて、ブラック用マスク21の位置決めが行なわれる。 - 特許庁
The optical lens film 1 includes: a base body 7 having a main surface; a plurality of convex parts 2 as optical element structure; and an alignment mark part 8.例文帳に追加
光学レンズフィルム1は、主表面を有するベース体7と、複数の光学素子構造としての凸部2と、アライメントマーク部8とを備える。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a multilayer wiring board for forming a highly precise alignment mark while peeling at a lamination process is prevented.例文帳に追加
積層工程時の剥離を防止しつつ高精度なアライメントマークを形成することが可能な多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
Subsequently, a GaN-based epitaxial layer containing an active layer 105 is formed on the substrate 101 to fill the second alignment mark 120.例文帳に追加
続いて、基板101の上に、活性層105を含むGaN系エピタキシャル層を第2のアライメントマーク120を埋め込むように成長する。 - 特許庁
Further, the SOI element and the bulk element are formed using the photolithography technique while aligning the exposure mask with reference to the same first alignment mark.例文帳に追加
更に、SOI素子及びバルク素子を、同じ第1アライメントマークを基準に露光用マスクの位置を合わせ、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。 - 特許庁
The alignment mark is made of metal, and is used for, for example detecting the position of the conductor pattern, or forming the conductor pattern.例文帳に追加
アライメントマークは、例えば導体パターンの位置を検出するため、又は導体パターンを形成するために使用される金属製のマークである。 - 特許庁
A first alignment mark 1 is formed at an n-type semiconductor layer 12, and an insulation film 13 having a trench pattern is formed on the whole surface on it.例文帳に追加
n型半導体層12に第1のアライメントマーク1を形成し、その上全面にトレンチパターンを有する絶縁膜13を形成する。 - 特許庁
Also, an alignment mark 14 is formed on the surface of the outer periphery of the mother substrate 11 simultaneously with the reflection electrodes group 13 by using the same material.例文帳に追加
また、この反射電極群13と同時に、母基板11の外縁部の表面上にアライメントマーク14が同材質にて形成される。 - 特許庁
Further, the alignment mark 7 located at a center M of openings 5A, 6A of conductor films 5, 6 is provided to a dielectric board 4 of the resonator 3.例文帳に追加
また、共振器3の誘電体基板4には、導体膜5,6の開口部5A,6Aの中心Mに位置して位置合わせマーク7を設ける。 - 特許庁
By using the offset, coordinates of the alignment mark 29 on the wafer measured by the camera 8 are transformed into a coordinate system of the probe 1 with high accuracy.例文帳に追加
このオフセットを用いて、カメラ8で測定したウエーハ上のアライメントマーク29の座標を、プローブ1の座標系に高精度に変換する。 - 特許庁
Using a difference in level of the polysilicon film 9 and the silicon nitride film 10 as an alignment mark, a diffusion layer 11 is formed as a drain region.例文帳に追加
そして、ポリシリコン膜9及びシリコン窒化膜10の段差をアライメントマークとして利用し、ドレイン領域としての拡散層11を形成する。 - 特許庁
An alignment mark position 11 is assumed to deviate by Δx in an X direction and Δy in a Y direction when the center of the visual field is set as an origin.例文帳に追加
このアライメントマーク位置11が、視野の中心を原点とした場合、X方向にΔx,Y方向にΔyだけずれていたとする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a step that is required for a mask alignment is secured in one pattern process, and the step serves as an alignment mark even after the step is substituted to a high temperature diffusion process.例文帳に追加
1回のパターン工程で、マスクアライメントに必要な段差を確保し、該段差が高温の熱拡散工程を経た後にもアライメントマークとして機能する半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁
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