「alignment-mark」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

Arsine and phosphine are supplied to a chamber in which a semiconductor substrate 10 is placed in growing the clad layer 17 before the clad layer 17 grows to substitute a part of P on a surface layer of inside of the alignment mark 15 with As and to reform the surface layer into a layer including InAsP.例文帳に追加

クラッド層１７を成長させる際、クラッド層１７を成長させる前に、半導体基板１０が収容されたチャンバ内にアルシン及びホスフィンを供給することにより、アライメントマーク１５の内面の表層部分のＰの一部をＡｓに置換して、該表層部分をＩｎＡｓＰを含む層に改質する。 - 特許庁

To solve the problem wherein a via land is prevented from being mistaken (mistake) for an alignment mark so as to eliminate a misalignment independently of a state of interconnect lines connected to the via land, when the installation position and direction of a wiring board are measured using the wiring board in processes of assembling and mounting the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の組み立てや実装工程において、アライメントマークを使って配線基板の設置状態の位置、方向を測定する際に、ビアランドに接続する配線の状態に係わらず、ビアランドをアライメントマークと誤って認識すること（誤認識）を防止し、位置あわせ不良を解消することを目的とする。 - 特許庁

This solid-state image sensor 1 has a rear surface irradiated type structure, and comprises the lenses 7 in the rear surface of a silicon layer 2 in which the light-receiving sensor section PD is formed, and an insulating layer 13, used as an alignment mark which, is embedded and formed in the silicon layer 2 in the periphery of an imaging region 20.例文帳に追加

裏面照射型構造を有し、受光センサ部ＰＤが形成されたシリコン層２の裏面側にレンズ７を有し、撮像領域２０の周辺においてシリコン層２に位置合わせマークとして用いられる絶縁層１３が埋め込まれて形成されている固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

This method comprises steps of: generating a detected signal of light by detecting the light from an alignment mark 30; judging whether the gradation resolution upon the detection satisfies a predetermined condition based on the generated detected signal; and changing the gradation resolution, based on the judgment result.例文帳に追加

アライメントマーク３０からの光を検出してその検出信号を生成するステップと、生成された検出信号に基づいて検出の際の階調分解能が所定条件を満足するか否かを判断するステップと、その判断結果に基づいて階調分解能を変更することを特徴とする。 - 特許庁

Even when there are a plurality (three, four or more pieces on a straight line) of the detection systems to pick up the image simultaneously; a detection object posture for placing the alignment mark to be observed in the respective detection systems near the focus position is calculated, and the difference of the focus positions of the respective detection systems is absorbed by tilting a stage for instance.例文帳に追加

本発明は同時に撮像する検出系が複数（直線上にある３個または４個以上）であっても、各検出系で観察するアライメントマークを合焦位置近傍に置くための検出物体姿勢を算出し、例えばステージをチルトする事で各検出系の合焦位置の差を吸収するものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing an alignment mark used for overlapping in a manufacturing process from being deformed asymmetrically in a heat-treatment process, such as activation annealing treatment and epitaxial growth in a manufacturing process in the semiconductor device using SiC for a substrate.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣを基板に用いた半導体装置において、製造工程の重ね合わせに用いるアライメントマークが、製造工程中の活性化アニール処理やエピタキシャル成長などの熱処理工程で非対称に変形することを防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern by which an alignment mark can be accurately detected to form a pattern even when high positional accuracy is required with a small-sized high performance device, in exposure techniques in a photolithography process of a semiconductor device and a printed wiring board or in a simple curing process of a photosensitive resin.例文帳に追加

本発明は、半導体素子やプリント配線板などにおけるフォトリソグラフィ工程或いは単に感光性樹脂を硬化させる工程における露光技術に関し、小型化、高性能化に伴ない高い位置精度が必要とされる場合でも、的確にアライメントマークの検出し、パターンを形成することができる、パターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a step of mounting the semiconductor element 2 on the substrate 3, when positioning the semiconductor element 2, an alignment mark 2 formed on the semiconductor element 2 and a lead 6 formed on the substrate 3 are recognized by a recognition camera 8 through the substrate 3 made of translucent material to position the semiconductor element 2 and the substrate 3 with accuracy.例文帳に追加

半導体素子２を基板３に実装する工程における半導体素子２の位置決め方法であって、透光性材料を用いた基板３を通して、半導体素子２上に形成されたアライメントマーク４と基板３上に形成されたリード６とを認識カメラ８により認識し、半導体素子２と基板３との高精度な位置決めを行う。 - 特許庁

A head substrate including a nozzle line formed of a plurality of nozzles formed at a predetermined pitch, a plurality of elements provided respectively in conformation to the nozzles to discharge liquid from the nozzles, a plurality of first terminals formed at the pitch to input control signals of the respective elements, and a first alignment mark is prepared.例文帳に追加

所定のピッチで形成された複数のノズルからなるノズル列と、それぞれの前記ノズルに対応して設けられ前記ノズルから液体を吐出させるための複数の素子と、それぞれの前記素子の制御信号を入力する端子であって前記ピッチで形成された複数の第１端子と、第１アライメントマークとを備えるヘッド基板を用意する。 - 特許庁

A thin-film inductor 1 is an individual piece obtained by dicing a plurality of unit structures formed on a wafer, performing polishing so that the reflection factor of an upper surface of a protrusion 11, formed in an in-place center portion, is different predominantly from a reflection factor of a groove 12, and forming a coil 22 around the protrusion 11 by using the protrusion as an alignment mark.例文帳に追加

薄膜インダクタ１は、ウェハ上に複数形成された単位構造がダイシングによって個片化されたものであり、面内中央部に形成した突起部１１の上面の反射率が溝部１２の反射率と優位に異なるように研磨したのち、その突起部１１をアライメントマークとして用い、その周囲にコイル２２を形成することによって得られる。 - 特許庁

By determining the number of shots for assigning sample shots from shots S1 to S32, an array of the sample shots, degree of regression analysis used for calculation of a displacement model about a substrate alignment mark PAM based on a temperature distribution on upper surface of a first holding section 26, and by executing EGA processing, the array of the shots S1 to S32 is estimated.例文帳に追加

ＥＧＡの処理条件として、ショットＳ１〜Ｓ３２からサンプルショットに指定するショットの数と、サンプルショットの配置と、基板アライメントマークＰＡＭの変位モデルの算出に用いる回帰分析の次数とを、第１保持部２６上面の温度分布に基づいて決定し、ＥＧＡ処理を実行してショットＳ１〜Ｓ３２の配列を推定する。 - 特許庁

The pattern face includes a first area having a device pattern and a second area having the alignment mark, and when the uncured resin and the mold are pressed to each other, the pattern face is configured so that a second time when a recess part of the second area is charged with the uncured resin is after a first time when a recess part of the first area is charged with the uncured resin.例文帳に追加

パターン面は、デバイスパターンを有する第１領域とアライメントマークを有する第２領域とを含み、未硬化樹脂と型とが互いに押し付けられた場合に、第１領域の凹部が未硬化樹脂で充填される第１時刻より、第２領域の凹部が未硬化樹脂で充填される第２時刻が後になるように構成される。 - 特許庁

Both of an exposure apparatus having a reflective refractive projection optical system and an exposure apparatus having a refractive projection optical system can aligne a reticle by using a part of reference marks M11 to M26 and alignment mark image S11a to S28a, so that the same reticle can be commonly used for both of the exposure apparatuses.例文帳に追加

反射屈折系の投影光学系を有する露光装置と屈折系の投影光学系を有する露光装置のいずれにおいても、基準マークＭ１１〜Ｍ２６及びアライメントマークの像Ｓ１１ａ〜Ｓ２８ａの一部を用いたレチクルの位置合わせを行うことができるので、両露光装置において同一のレチクルを共用することが可能となる。 - 特許庁

In arranging the optical elements on the support substrate, the holograms are previously formed on the lens elements and the support substrate, and the real image reconstructed by casting the reconstruction light at the time of packaging is made into an alignment mark, and thereby, the distances between the respective elements can be easily measured, and the arrangement accuracy of the lens elements can be easily improved.例文帳に追加

支持基板上に光学素子を配置する際に，レンズ素子および支持基板上にあらかじめホログラムを形成し，実装時に再生光を当てることで再生される実像をアライメントマークにすることにより，各素子間の距離の測定を容易に行うことができ，レンズ素子の配置精度を容易に向上させることが可能である。 - 特許庁

A plug electrode across from a substrate 1 to a top surface of a third interlayer insulating layer 9 is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13, which are connected to each other; and the first interlayer insulating film 3 is used as an etching stopper layer, and the alignment mark 15 is formed on the first interlayer insulating layer 3.例文帳に追加

基板１から第３層間絶縁層９の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とを繋ぐと共に、第１層間絶縁層３をエッチングストッパ層として使用し、第１層間絶縁層３上に合わせマーク１５を形成する。 - 特許庁

In coupling this with other optical parts, before a precise aligning operation between the optical fibers of the optical fiber array as one group and the optical waveguide or the optical fibers provided in the optical parts as the other group, alignment is first performed between the end face position of the markers of the optical fiber array and the mark put on the optical parts.例文帳に追加

これを使って他の光学部品と結合させるに当たっては、前記光ファイバアレイの光ファイバと前記光学部品中に備えられた光導波路または光ファイバとの間の精密な調心作業を行うに先立ち、まず前記光ファイバアレイの前記マーカの端面位置と前記光学部品に設けた目印との位置合わせを行う。 - 特許庁

To provide a reflective mask, capable of obtaining a reflection signal having sufficient contrast even for a reflective mask for EUV exposure, when detecting an alignment mark using a laser drawing device, thus forming a resist pattern for forming a light-shielding region with good position accuracy, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

本発明は、ＥＵＶ露光用の反射型マスクにおいても、レーザ描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、十分なコントラストを有する反射信号を得ることができ、それゆえ、位置精度良く、遮光領域形成用レジストパターンを形成することができる反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The optical performance of a single focal spectacle lens 22 before framing work is measured to detect an optical center OC, and the optical center OC is arranged off a geometrical center GC of the single focal spectacle lens 22 toward the nose side, and a quality warranty mark 30 is given to the single focal spectacle lens 22 after alignment on the basis of the optical center OC.例文帳に追加

枠入れ加工前の単焦点眼鏡レンズ２２の光学性能を測定して光学中心ＯＣを検出し、単焦点眼鏡レンズ２２の幾何中心ＧＣに対して光学中心ＯＣを鼻側に偏倚させて配置し、位置合わせ後の単焦点眼鏡レンズ２２に光学中心ＯＣを基準にして品質保証マーク３０を付する。 - 特許庁

In the semiconductor device manufacturing method capable of utilizing the ruggedness of a surface as an alignment mark in a semiconductor device manufacturing process, a film allowed to be selectively etched is formed on the whole surface of a semiconductor substrate on which ruggedness appears, and the film is etched back so that the film is left only in the recessed part formed on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体デバイスの製造過程で、表面の凹凸をアライメントマークとして利用する半導体デバイスの製造方法であって、凹凸が現れた半導体基板表面に、半導体基板と選択的エッチングが可能な膜を全面に形成し、この膜をエッチバックし、半導体基板表面の凹部内のみに前記膜を残す。 - 特許庁

For the purpose of performing alignment based on the signal data from the position detection system, the image of a head-up display is provided along the optical axis of the instrument in order to supply an indication mark for moving the machinery to the operator and the operator sees both of the direct macro-image of the eye of the patient and the displayed image according to the provided image.例文帳に追加

位置検出システムからの信号情報に基づく位置合わせを行うために、ヘッドアップディスプレイの画像が、機器を移動させるための指示用の印を手術者に供給するために、機器の光軸に沿って提供され、それによって、手術者は、患者の眼の直接マクロ画像および表示画像の両方を見る。 - 特許庁

Subsequently, a liquid chamber machining region 5 is set through the transparent or translucent substrate member 1 and the diaphragm 2 using the piezoelectric element 3 as an alignment mark, a liquid chamber 6 and a common liquid chamber are formed in the substrate member 1 by laser ablation, and an orifice plate 7 is bonded to the substrate member 1, thus manufacturing a liquid ejection head.例文帳に追加

その後に、透明もしくは半透明な基板部材１と振動膜２を通して圧電素子３をアライメントマークとして液室加工領域５を設定して、レーザアブレーション処理により基板部材１に液室６および共通液室を形成し、そして、基板部材１にオリフィスプレート７を接合して、液体噴射ヘッドを作製する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display which can be constituted by simple positioning without the inconvenience that a color liquid crystal display employing a multi-domain type VAN mode requires high-precision positioning using an alignment mark, etc., for an array substrate having pixel electrodes and a counter substrate having a common electrode.例文帳に追加

マルチドメイン型ＶＡＮモードを採用したカラー液晶表示装置においては、画素電極を有するアレイ基板と共通電極とを有する対向基板とを、アライメントマーク等を用いて高精度な位置合せを必要としていたが、これらの不都合を解消して簡単な位置合せのみで構成することが可能な液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes a process of arranging the resist film forming the alignment superposition measurement mark 11 nearly 200 μm or above, apart from the end 2A of an element forming region 2 formed adjacent to a scribe region 18, in an X direction in which the scribe region 18 formed on a semiconductor board 1 as a base is measured.例文帳に追加

開示される半導体装置の製造方法は、合わせ側の重ね合わせ計測マーク１１を構成するレジスト膜を、下地である半導体基板１に形成したスクライブ領域１８の計測方向であるＸ方向に沿って、スクライブ領域１８に隣接して形成した素子形成領域２の端部２Ａから略２００μｍ以上離して配置する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises the steps of forming an electronic circuit on the surface of a semiconductor substrate, forming an electrode pad rearranged by distributing an electrode terminal of the electronic circuit on the semiconductor substrate through wiring, and forming an alignment mark for a reference of a cutting position when cutting off the semiconductor substrate in the vicinity of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面に電子回路を形成し、この電子回路の電極端子を半導体基板上で配線を介して分散することによる再配置させた電極パッドを形成すると共に、半導体基板の外周部近傍に、半導体基板を切断分離する際、切断位置の基準となる位置合わせマークを形成する。 - 特許庁

The probe of the invention comprises: a base having an attachment end, and distally extended from the attachment end; an arm section laterally extended from the base at an interval in the direction of the base, extending from the attachment end; a needlepoint section for protruding from the arm for keep the needlepoint located at a protruding end; and the alignment mark for positioning the needlepoint.例文帳に追加

本発明に係るプローブは、取付け端を有し該取付け端から遠ざかる方向へ伸びる基部と、前記取付け端から前記基部の伸長方向へ間隔をおいて、前記基部からその横方向へ伸長するアーム部と、該アーム部から突出し、その突出端に針先が形成された針先部と、前記針先の位置決めのためのアライメントマークとを備える。 - 特許庁

The mounting method and the mounting apparatus are so set as to recognize the alignment recognition mark attached to a first object to be bonded by a recognition means, through the intermediary of infrared rays penetrating through the first object to be bonded, the adhesive layer, and the second object to be bonded, since the adhesive layer is interposed between the objects to be bonded.例文帳に追加

被接合物同士を接合するに際し、被接合物間に接着材層を介在させた状態にて、第１の被接合物に付された位置合わせ用の認識マークを、該第１の被接合物、前記接着材層および第２の被接合物を透過する赤外線を介して認識手段により認識することを特徴とする実装方法、および実装装置。 - 特許庁

The method for manufacturing the electroopticall device including the molding stage for an electronic component mounted on a display panel is characterized in that a masking member, preferably, a silicone rubber sheet made of silicone resin having surface viscosity is used to protect an alignment mark to be used for positioning of the display panel and other constituent members when molding resin is applied in the molding stage.例文帳に追加

表示パネルに実装された電子部品に対するモールド工程を含む電気光学装置の製造方法であって、モールド工程において、モールド樹脂を塗布する際に、当該表示パネルと、他の構成部材との位置合わせに使用するアラインメントマークを保護するように、マスキング部材を用い、好ましくは、表面粘着性を有するシリコーン樹脂から構成されているシリコーンゴムシートを用いる。 - 特許庁

To provide a phase shifter for crystallization equipment, crystallization equipment and a crystallization method having the high efficiency of alignment work for positioning the phase shifter in a 2-shot method, capable of improving the throughput of treatment, and in the treatment using the phase shifters having different materials and thicknesses, the size and shape of a positioning mark used in the later treatment are not changed.例文帳に追加

２ショット法においても位相シフタの位置合せのためのアライメント作業効率が高く、処理のスループットを向上させることができ、また、材質や厚みの異なる位相シフタを使用する処理においても後工程に使用する位置合せマークの寸法と形状の変化のない結晶化装置用位相シフタ、結晶化装置及び結晶化方法を提供する。 - 特許庁

The electrooptical device 30 has a translucent substrate 110 which has the substrate-side terminal 150 connected to an electrooptical element and a substrate-side alignment mark 170 having a translucent part 174 formed adjacently to the terminal 150, and a wiring board 60 having a wiring-side terminal 66 connected to the translucent substrate 110 across the anisotropic conductive layer 50.例文帳に追加

電気光学装置３０は、電気光学要素に接続された基板側端子１５０と端子１５０に隣接して形成された透光性部分１７４を有する基板側アライメントマーク１７０を備えた透光性基板１１０と、異方性導電層５０を間に挟んで透光性基板１１０と接続される配線側端子６６を備えた配線基板６０とを有する。 - 特許庁

A multilayer wiring board comprises a board layer having wiring patterns formed by a plurality of wirings in multiple layers, an auxiliary layer comprising an auxiliary pattern provided on the upper surface of the board layer and an electrical insulating material which covers the auxiliary pattern, an electrode pattern formed by a plurality of electrodes provided on the upper surface of the auxiliary layer, and an alignment mark provided on the upper surface of the auxiliary layer.例文帳に追加

多層配線基板は、複数の配線により形成された配線パターンを多層に有する基板層と、該基板層の上面に設けられた補助パターン及び該補助パターンを覆う電気絶縁材料を備える補助層と、該補助層の上面に設けられた複数の電極により形成された電極パターンと、補助層の上面に設けられた位置合わせ用マークとを含む。 - 特許庁

A position measuring apparatus has a coaxial type binocular two-magnification projection optical system 60 for focusing an alignment mark on a work W, first and second photographing units 71, 72 for converting a low one-magnification image and a high two-magnification image projected by the system 60 into image signals, and an image processor 80 for suitably signal processing the image signals output from the units 71, 72.例文帳に追加

位置計測装置は、ワークＷ上のアライメントマークを結像する同軸タイプの２眼２倍率の投影光学系６０と、投影光学系６０によって投影された低い第１倍率の像と高い第２倍率の像とをそれぞれ画像信号に変換する第１及び第２撮像装置７１、７２と、これらから出力された画像信号に適当な信号処理を施す画像処理装置８０とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which the voids in a second trench can be suppressed when an embedded film is formed in the second trench after an alignment mark is formed for positioning on a semiconductor substrate by using the second trench, in the case where a photolithographic step is performed after a first trench is formed in an element at the time of manufacturing a semiconductor device having a trench structure in the element.例文帳に追加

素子内にトレンチ構造を有する半導体装置の製造方法において、素子内に第１のトレンチを形成した後に、フォトリソグラフィ工程を有する場合、マスク合わせのため、半導体基板にアライメントマークを第２のトレンチにより形成し、この第２のトレンチ内に埋め込み膜を形成したとき、この第２のトレンチ内にボイドが発生するのを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The embossing apparatus forming an emboss pattern of the projecting parts along the transporting direction on the side end parts of the thermoplastic resin film belt-like on the film has a process of using the embossing apparatus provided with a cooling device for blowing air to control the bearing temperature of the roller with the projecting parts to ≤300°C and an automatic alignment bearing as an embossing mark uniformity adjusting mechanism.例文帳に追加

熱可塑性樹脂フィルムの側縁部に搬送方向に沿った突起部のエンボス模様をフィルムに帯状に形成するエンボス加工装置において、突起付きローラの軸受温度を３００℃以下とするために、エアーを吹き付ける冷却装置とエンボス痕均一調整機構として自動調芯軸受けであることを特徴とするエンボス加工装置を用いる工程を有することを特徴とする、熱可塑性樹脂フィルムの製造方法である。 - 特許庁

The respective alignment mark pairs M1 and M2 are respectively set with distances Ds1 to Ds4 indicating positioning error width permitted for ensuring superimpose width necessary for the electrode wiring terminal 15 and the output wiring terminal 17, and distances Dr1 to Dr4 indicating positioning error width permitted for ensuring necessary discrete width for preventing the short of the electrode wiring terminal 15 and the adjacent output wiring terminal 17.例文帳に追加

各アライメントマーク対Ｍ１ 、Ｍ２ には、電極配線端子１５と出力配線端子１７との必要とされる重畳幅を確保するために許容される位置合わせ誤差幅を示す距離Ｄｓ１ 〜Ｄｓ４ と、電極配線端子１５と隣り合う出力配線端子１７とのショートを防止するのに必要な離間幅を確保するために許容される位置合わせ誤差幅を示す距離Ｄｒ１ 〜Ｄｒ４ が設定されている。 - 特許庁

The transparent electrode and the opposing electrode, and a layer pinched in between are provided on the translucent base material by the plural number, and that an organic EL element with a second alignment mark on is transferred and laminated through the metal foil and the adhesive layer of the sealing component on the translucent base material.例文帳に追加

透明電極と対向電極及びその間に挟持された層が透光性基材上に複数個設けられ、かつ、透光性基材に第二のアライメントマークが設けられている有機ＥＬ発光素子を、前記封止部材の金属箔を接着層を介して転写・積層すると、薄い金属箔をしわ等にならずに封止に用いることが可能になり、かつ、一定張力をかけながら封止するために、同一基材上の個々の素子の封止端面が均一となり、従って各素子の耐湿性能の揃った有機ＥＬ素子を提供することができる。 - 特許庁