「alignment-mark」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

A light shielding body 119 blocks illumination light made incident within a range of a numerical aperture of approximately less than 2λ/w of the objective 116, where λ is a wavelength of the illumination light and (w) is a line width of an alignment mark of the solar battery panel 102.例文帳に追加

遮光体１１９は、照明光の波長をλ、太陽電池パネル１０２のアライメントマークの線幅をｗとした場合、対物レンズ１１６の略２λ／ｗ未満の開口数の範囲内に入射する照明光を遮断する。 - 特許庁

An exposure system comprises: a detector for detecting an alignment mark provided in a movable member movable within a predetermined plane including a position to be irradiated with exposure light; and a first interferometer system for measuring the position information of the movable member.例文帳に追加

露光装置は、露光光が照射される位置を含む所定面内を移動可能な移動部材に設けられているアライメントマークを検出する検出装置と、移動部材の位置情報を計測する第１干渉計システムとを備えている。 - 特許庁

A dual stage lithographic apparatus is so provided with an alignment mark for specifying geometric shape of the lateral mirrors 66 and 68 used only by an exposure station, as to measure the geometric shape of the lateral mirrors 66 and 68 in the case where the substrate table WT is at a measurement station.例文帳に追加

基板テーブルＷＴが測定ステーションにある場合に、横ミラー６６、６８の幾何形状を測定するように露光ステーションでのみ使用される横ミラー６６、６８の幾何形状を規定するアライメントマークを備えたデュアルステージリソグラフィ装置。 - 特許庁

Thereby, when a surface of the SiC substrate 1 is flattened, a state where a recessed part 7 with a surface recessed is formed in a part where the second trench 4 was formed can be made, and the recessed part 7 can be used as an alignment mark.例文帳に追加

このため、ＳｉＣ基板１の表面を平坦化した際に、第２のトレンチ４が形成されていた部分に表面が凹まされた凹部７が形成されている状態にすることができ、この凹部７をアライメントマークとして利用することができる。 - 特許庁

At least the refractive index of a curable resin formed on a substrate side alignment mark region is differentiated from the refractive index of a conventional curable resin, and the difference from the refractive index of a mold material is widened.例文帳に追加

少なくとも、基板側アライメントマーク領域上に形成する硬化型樹脂の屈折率を、従来の硬化型樹脂の屈折率の値とは異なる大きさにして、モールド材料の有する屈折率との差を広げることにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

However, since both ends of the connecting terminals 5R-n at the panel side lie within the width of the connecting terminals 3R-n at the FPC side, even if the latter is set wider to part from the alignment mark.例文帳に追加

しかし、アライメントマークから離間するほど、ＦＰＣ側の接続端子の幅が広く設定されているので、接続端子対間のずれが大きくなっても、パネル側の接続端子５Ｒ−ｎの両端はＦＰＣ側の接続端子３Ｒ−ｎの幅内ある。 - 特許庁

Subsequently, a retardation film 10' and a punching machine 360 are aligned by using an alignment mark region 10B of the retardation film 10' and a marker sheet 440, and then, a retardation plate 10 is punched out from the retardation film 10' (FIG. 7, FIG. 8).例文帳に追加

その後、位相差フィルム１０’のアライメントマーク領域１０Ｂとマーカーシート４４０とを利用して位相差フィルム１０’と打ち抜き機３６０との位置合わせが行われたのち、位相差フィルム１０’から位相差板１０が打ち抜かれる（図７，図８）。 - 特許庁

In such a case, the mask films for the front surface and the rear surface respectively move a mask MS for the front surface and a mark MB for the rear surface having the shapes, which exist in the inner diameter of the reference hole and will not overlap each other, when alignment is completed.例文帳に追加

この場合、表面用および裏面用のマスクフィルムは、位置合わせが完了したとき、基準穴の内径の中に存在し、かつ、互いに重なることのない形状をもつ表面用マークＭＳおよび裏面用マークＭＢをそれぞれ有している。 - 特許庁

Contact holes 4b and alignment mark grooves 4a, which are formed in an insulating film 2, are filled with conductive material layers having respective surface center recesses 6a for forming contacts C formed by filling the contact holes 4b with the conductive material layers 6 alignment marks A formed by embedding the grooves 4a with the conductive material layers 6.例文帳に追加

絶縁膜２に形成した接続孔４ｂ及びアライメントマーク用の溝４ａの内部に、表面中央部に窪み６ａを設けた状態で導電性材料層６を埋め込むことによって、接続孔４ｂ内に導電性材料層６を埋め込んでなるコンタクトＣと、溝４ａ内に導電性材料層６を埋め込んでなるアライメントマークＡとを形成する。 - 特許庁

The flexible wiring board 11 comprises multiple electrode terminals 3a arranged thereon, and alignment marks 15 composed of a frame- like mark body 15a wherein the multiple electrode terminals 3a are formed to be connected electrically with multiple electrode terminals Pa of an article P connected by a resin bonding material R, and the mark body 15a is provided with a passage 16 communicating the inside and the outside thereof.例文帳に追加

整列配置されている多数の電極端子３ａと、枠状のマーク本体１５ａを具備するアライメントマーク１５とを有し、多数の電極端子３ａが接続相手Ｐの多数の電極端子Ｐａに対して樹脂製接合材Ｒにより電気的に接続可能に形成されている可撓配線板１１において、マーク本体１５ａに、内外を連通する連通路１６を設ける。 - 特許庁

The display has electrode units 220 capable of being electrically connected to a plurality of pads of a connecting object respectively, wiring patterns 230 connected respectively to the electrode units 220, and an alignment mark 250 integrated with at least one of the wiring patterns 230.例文帳に追加

接続対象物の複数のパッドとそれぞれ電気的に接続可能な電極部２２０と、電極部２２０のそれぞれと接続された配線パターン２３０と、配線パターン２３０の少なくとも１つと一体化されたアライメントマーク２５０と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Considering the detected positional information on the alignment mark(s), the main controller 20 determines a target position of movement of the substrate at the time of exposing a plurality of specific zones except for the first one on the substrate by a process including statistical calculation.例文帳に追加

また、主制御装置２０は、検出されたアライメントマークの位置情報を考慮して、基板上の最初の区画領域を除く特定の複数の区画領域を露光する際の基板の移動目標位置を統計演算を含む処理により決定する。 - 特許庁

An exposure process for patterning for making the area of the SiO_2 film to be polished by CMP uniform and exposure for patterning for imparting step-difference to an alignment mark are covered by the same exposure, thereby reducing the number of times of exposure processing to two.例文帳に追加

あるいは、ＣＭＰで研磨するＳｉＯ_2膜の面積を揃えることを目的としたパターニングのための露光工程と、アライメントマークに段差を持たせることを目的としたパターニングのための露光を同一露光で賄うことで、露光工程の回数を２回に低減する。 - 特許庁

Then a work conveying mechanism 23 conveys the work W to an exposure stage WS and performs alignment so that positions of mark marks MAM and work marks WAM are aligned with each other, and while the exposure stage WS is moved, each exposure region on the work W is exposed in sequence.例文帳に追加

ついで、ワーク搬送機構２３が、ワークＷを露光ステージＷＳに搬送し、マスクマークＭＡＭとワークマークＷＡＭの位置が一致するように位置合わせを行ない、露光ステージＷＳを移動させながら、ワークＷ上の各露光領域を順次露光する。 - 特許庁

A hole 13 for burying the plug 16 and an alignment mark 14 for alining with the hole 13 are subjected to etching to form a plug 16 in an insulating film 12 laminated on a silicon substrate, so that the depth is equal to the thickness T12 of the insulating film 12.例文帳に追加

シリコン基板上に積層した絶縁膜１２にプラグ１６を形成するべく、プラグ１６を埋め込むためのホール１３およびこれと位置合わせするためのアライメントマーク１４を、その深さが絶縁膜１２の膜厚Ｔ１２と等しくなるようにエッチング形成する。 - 特許庁

In a new patterning process which is different from the conventional technique of adopting a mark for matching formed in a single-patterning process, plural marks 20a-2, 20b-2 and 20c-1 matchingly formed in the mutually different patterning processes are adopted to alignment correction.例文帳に追加

新たなパターニング工程で、単一のパターニング工程で形成された整合用マークを採用する従来技術とは異なり、相互に異なるパターニング工程で形成された複数の整合用マーク２０ａ−２、２０ｂ−２および２０ｃ−１をアライメント修正に採用する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which when the same kind of a semiconductor material as that of a semiconductor layer is used as a substrate for growing the semiconductor layer making up a semiconductor element structure, allow a recognizable alignment mark to be formed at the time of a light exposure process following the growth of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体素子構造を構成する半導体層の成長用基板として、該半導体層と同種の半導体材料を用いる場合に、半導体層を成長した後の露光時に認識可能なアライメントマークを形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for accurately and simply manufacturing an optical semiconductor element having a p-type side electrode only on the flat surface of the upper part of a ridge on the overall surface, without using an accurate stepper or the like and without requiring a precise mark alignment.例文帳に追加

リッジ上部の平坦面のみに、かつ、その全面に渡ってｐ側電極を有する光半導体素子を精度の高いステッパ等を用いることなく、また、精密な目合せを要せずに、精度よく且つ簡単に形成する製造方法を提供する。 - 特許庁

To form an alignment mark for mask matching which is utilized when forming a MOSFET etc. in forming a trench at a first conductive semiconductor layer and epitaxially growing a second conductive semiconductor layer in it for forming a parallel pn junction structure.例文帳に追加

第１導電型半導体層にトレンチを形成し、その中に第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させて並列ｐｎ接合構造を形成する際に、ＭＯＳＦＥＴ等の形成時に利用されるマスク合わせ用のアライメントマークを形成すること。 - 特許庁

To form an alignment mark for mask registration which is utilized when forming a MOSFET etc. in forming a trench on a first conductivity type semiconductor layer and epitaxially growing a second conductivity type semiconductor layer in it to form a parallel pn junction structure.例文帳に追加

第１導電型半導体層にトレンチを形成し、その中に第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させて並列ｐｎ接合構造を形成する際に、ＭＯＳＦＥＴ等の形成時に利用されるマスク合わせ用のアライメントマークを形成すること。 - 特許庁

To form an alignment mark capable of improving superposition accuracy, and of reducing an exposure and superposition measurement processing time when a new pattern is formed by superposing a new pattern on a pattern formed by a double pattern to be exposed to light.例文帳に追加

ダブルパターンで形成されたパターンに新たなパターンを重ね合わせて露光して、新たなパターンを形成する際、重ね合わせ精度を向上させると共に、露光及び重ね合わせ計測処理時間を短縮することができるアライメントマークを形成できるようにする。 - 特許庁

To realize an aligner which carries out alignment with high accuracy, according to the deformation of a substrate by irradiating a predetermined position of the substrate surface with light, and simultaneously detecting both of the actual position of a positioning mark preliminarily formed to coincide with the irradiation position and the irradiation position.例文帳に追加

基板表面の所定位置に照射光を照射し、予め照射位置に一致するように設けた位置決めマークの実際の位置と照射位置とを同時に検出して、基板の変形に応じた精度の高いアライメントを行なう露光装置を実現する。 - 特許庁

The wiring board is equipped with interconnect lines provided inside an insulating film formed on a transparent board, connection pads which are connected to the interconnect lines and arranged on a plane in parallel with the board in the same layout with the connection pads of the semiconductor elements, and an alignment mark.例文帳に追加

配線基板は、透明基板上の絶縁膜内に設けられた配線と、配線に接続され、半導体素子の接続パッドと同じ配置で基板に平行な面に設けられた接続パッドと、接続パッド上に設けられたハンダバンプと、アライメントマークとを備える。 - 特許庁

The relative position error between the alignment mark on the mask and the device region is measured by off-line measurement and the result of measurement is set in an exposure device as a correction value when exposed, and thus a picturing error on the mask is corrected and an overlapping error in the device region is reduced.例文帳に追加

マスク上のアライメントマークとデバイス領域の相対的な位置誤差をオフラインで測定し，露光時には前記測定結果を補正値として露光装置に設定することにより、マスクの描画誤差を補正して、デバイス領域での重ねあわせの誤差を低減する。 - 特許庁

Each gate (gate mark 421) may be formed in a region between a straight line connecting the center in a circumferential direction of each alignment pawl 415 to a central axis J1, and the first openings 4141 and second openings 4142 in a counter clockwise direction of the straight line.例文帳に追加

各ゲート（ゲート痕４２１）は、各調芯爪４１５の周方向の中心と中心軸J１を結ぶ直線、および、直線から反時計回り方向における第１開口部４１４１および第２開口部４１４２との間の領域に形成されていればよい。 - 特許庁

A cross-shaped alignment mark 14 is formed on a face of a metallic covered film 12 on both sides of the film carrier tape 10 to increase a width of the metallic covered film 12, reduce warping of the film carrier tape 10, and stabilize the direction of reflected light of light of the illuminating device.例文帳に追加

十字型アライメントマーク１４を、フィルムキャリアテープ１０の両側の金属被膜１２の面に形成することで、金属被膜１２の幅を大きくしフィルムキャリアテープ１０の反りを減少させ、照明装置の光の反射光の方向を安定させる。 - 特許庁

In an exposure step 30, the surface of the glass substrate is exposed by a small mask continuous exposure system while adjusting positions of exposure heads 33, 34 by reading the alignment mark through the back face side of the glass substrate while carrying the glass substrate coated with the resist.例文帳に追加

露光工程３０はレジストを塗布されたガラス基板を搬送しつつガラス基板の裏面側からアライメントマークを読み取ることにより、露光ヘッド３３、３４の位置を調整しながらガラス基板の表面を小型マスク連続露光方式により露光する。 - 特許庁

After polishing the p-type semiconductor layer 14 with the insulation film 13 as a polishing stopper, a part of the insulation film 13 is removed to be the mask, a second alignment mark 3 is formed, and the p-type semiconductor layer 14 is etched back by the degree of the part of the thickness of the insulation film 13.例文帳に追加

絶縁膜１３を研磨ストッパとしてｐ型半導体層１４を研磨した後、絶縁膜１３の一部を除去してマスクとし、第２のアライメントマーク３を形成するとともに、絶縁膜１３の厚さ分程度、ｐ型半導体層１４をエッチバックする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the color filter, an R pixel pattern 3, a G pixel pattern 4 and a B pixel pattern 5 are formed on the substrate 2 and the substrate side alignment mark 6 is simultaneously formed on the substrate 2 together with any of the pixel patterns 3, 4 and 5.例文帳に追加

本発明によるカラーフィルターの製造方法において、基板２上にＲ画素パターン３と、Ｇ画素パターン４と、Ｂ画素パターン５とが形成され、同時にこれら画素パターン３、４、５のいずれかとともに基板２上に基板側アライメントマーク６が形成される。 - 特許庁

When the negative pattern is superposed on a plurality of shot positions on the wafer and exposure is carried out, mark positions at a plurality of specific shot positions among the plurality of shot positions are measured, and correction amounts are computed based on the statistical treatment of the measured values to carry out the alignment between the negative pattern and the wafer.例文帳に追加

原板パターンをウエハ上の複数ショット位置に重ね合わせ露光する際、複数のショット位置のうち複数の特定ショット位置におけるマーク位置を計測し、計測値の統計処理から補正量を計算し原板とウエハの位置合わせを行う。 - 特許庁

The alignment mark is formed on a surface, the peripheral part has a singular point, the wafer W applied with photoresist is mounted on a rotary stage 6, and the edge position of the wafer W and the singular point, e.g. a notch or the like, is detected by a singular point and edge position detection means 4.例文帳に追加

表面にアライメントマークが形成され、外周部に特異点を有し、フォトレジストが塗布されたウエハＷを回転ステージ６に載置し、特異点及びエッジ位置検知手段４によりウエハＷのエッジ位置およびノッチ等の特異点を検出する。 - 特許庁

Accordingly, an alignment mark formed at the end of the macromolecular optical waveguide film 10 is prevented from shifting and position relation between cores 14 at the end is prevented from changing, so a core 14 never deforms to cause an axis shift, thereby reducing connection loss.例文帳に追加

したがって、高分子光導波路フィルム１０の端部に形成されたアライメントマークがずれたり、端部のコア１４間の位置関係がずれたりするのを防止でき、コア１４が変形して軸ずれを起こす恐れがないことから、接続損失の低減に繋がる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for precisely carrying out formation by recognizing an alignment mark for aligning a pattern to be formed in the upper layer even if a CMP(chemical mechanical polishing) method is used for forming buried wiring.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学機械的研磨）法を用いて埋め込み配線を形成する場合であっても、その上層に形成するパターンを位置合わせするためのアライメントマークを認識できるかたちで的確に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, substrate forming areas 113, 123 which are the practical use areas serving to a liquid crystal device 100, and mark forming areas 112, 123 of the respective alignment marks 112a, 122a can be set in the overlapping positions in plane view in the respective mother substrates 110 and 120.例文帳に追加

これにより、各マザー基板１１０，１２０において、液晶装置１００に供する実用領域である基板形成領域１１３，１２３と、各アライメントマーク１１２ａ，１２２ａのマーク形成領域１１２，１２３とを平面視で重畳する位置に設定できる。 - 特許庁

This positional information measuring instrument measures the positional information on alignment marks AM formed on a wafer W by electrically processing detecting signals obtained by irradiating the marks AM with light and, for the alignment mark for which the positional information is first measured, measures the positional information by making AGC effective and stores the amplification factor and offset value obtained at the time of measuring the information.例文帳に追加

本発明の位置情報計測装置は、ウェハＷ上に形成されたアライメントマークに照明光を照射して得られる検出信号に対して電気的処理を施してアライメントマークＡＭの位置情報を計測するものであって、ウェハ上の最初に位置情報を行うアライメントマークに対してはＡＧＣを有効にして計測を行って、計測時の増幅率及びオフセットの値を記憶する。 - 特許庁

Therefore, it is possible to improve throughput by the parallel processing at both stages; and if replacement of wafers is performed on a stage at a predetermined position within a stage movement range during alignment after replacing positions, it is also possible that, while a wafer retained by the other stage is exposed, the mark detection operation by the alignment system at one stage is performed in parallel by replacing both stage operations.例文帳に追加

このため、両ステージの並行処理により、スループットの向上が可能であるとともに、位置の入れ替え後に、アライメント時のステージ移動範囲内の所定の位置にあるステージ上でウエハの交換を行なうようにすれば、両ステージの動作を入れ替えて、他方のステージに保持されたウエハが露光される間に、一方のステージ上でアライメント系によるマーク検出動作を並行して行なうことが可能になる。 - 特許庁

This is a glass substrate for the flat panel display, and a photosensitive film bx is formed on the glass substrate 21 and an alignment mark 51 for positioning an exposure mask is formed by providing at least either of a recess or a convex part on the surface of the photosensitive film bx.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイ用ガラス基板であって、ガラス基板２１上に感光性膜ｂｘを形成し、感光性膜ｂｘの表面に少なくとも凹部および凸部のいずれかを設けることにより露光マスクを位置合わせするためのアライメントマーク５１を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

When the resonator 3 is mounted, using each camera 8A or the like of an image recognition unit 8 aligns the alignment mark 7 on the backside of the resonator to a reference position P set to the front side 1A of the circuit board 1 by using the transmission line 2 for a reference.例文帳に追加

そして、共振器３の搭載時には、画像認識装置８の各カメラ８Ａ等を用いることにより、伝送線路２を基準として回路基板１の表面１Ａ側に設定された基準位置Ｐと、共振器３の裏面側の位置合わせマーク７とを位置合わせする。 - 特許庁

In the method for manufacturing a color filter comprising color layers of three or more colors, an alignment mark formed by depositing color layers of at least two colors having high transmittance is used to form the pattern of a color layer having low transmittance.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、３色以上の着色層からなるカラーフィルタの製造方法において、透過率の高い少なくとも２色の着色層を積層したアライメントマークを用いて、透過率の低い着色層のパターンを形成するカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A template includes a pattern portion 12 that is provided on a substrate 10 and corresponds to a pattern transcribed to the wafer; and an alignment mark portion 11 that is provided on the substrate 10, is used to align with the wafer, and has a higher refractive index than that of the substrate 10.例文帳に追加

本実施形態のテンプレートは、基板１０上に設けられ、ウェハに転写されるパターンに対応するパターン部１１と、基板１０上に設けられ、ウェハとの位置合わせに用いられ、基板１０の屈折率より高い屈折率を有するアライメントマーク部１１と、を含む。 - 特許庁

A manufacturing method of the SAW device comprises a pattern formation process for forming a conductor pattern including an interdigital electrode on a piezoelectric wafer in which the SAW device should be formed, and providing the alignment mark on the piezoelectric wafer; and a cutting process for cutting the piezoelectric wafer to divide the piezoelectric wafer.例文帳に追加

ＳＡＷ装置を形成すべき圧電ウェハ上に櫛形電極を含む導体パターンを形成すると共に、圧電ウェハ上にアライメントマークを設けるパターン形成工程と、圧電ウェハを切断して圧電ウェハを分割する切断工程とを含むＳＡＷ装置の製造方法である。 - 特許庁

When the length in the first direction x is X in at least one processed region of the principal surface, at least one alignment mark MK is formed for the first layer 3 within a range of ±X/4 from the center each of the at least one processed region in the first direction x.例文帳に追加

主面の少なくとも１つの被加工領域における第１方向ｘの長さをＸとしたとき、少なくとも１つの被加工領域の各々の第１方向ｘにおける中心から±Ｘ／４の範囲内で、第１層３に対して少なくとも１つのアライメントマークＭＫが形成される。 - 特許庁

A first mesa part 2a and a second mesa part 2b are formed on a GaAs substrate 1, a resist pattern 15 comprising opening parts 13 and 14 is formed, a semiconductor layer 2 is etched to a specified depth with the resist pattern 15 as a mask, and a recess 16 and a recessed part 17 for alignment mark are formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の上に第１メサ部２ａおよび第２メサ部２ｂを形成し、開口部１３，１４を有するレジストパターン１５を形成し、レジストパターン１５をマスクとして半導体層２を所定の深さまでエッチングし、リセス１６とアライメントマーク用凹部１７を形成する。 - 特許庁

To transfer a fine transferring pattern to an accurate position of an article to be molded even though the mold is constituted of a material not transmitting light and an alignment mark is not arranged in the article to be molded, in a transfer device transferring a fine transferring pattern formed in a mold to an article to be molded.例文帳に追加

型に形成されている微細な転写パターンを、被成型品に転写する転写装置において、型が光を透過しない材質で構成されており、また、被成型品にアライメントマークが設けられていなくても、前記被成型品の正確な位置に前記微細な転写パターンを転写する。 - 特許庁

A plurality of target profiles are fitted to the reference profile, thus obtaining a plurality of positions corresponding to the threshold on a plurality of target profiles at each edge of the alignment mark in the target image, and rapidly and precisely acquiring a border line along the positions.例文帳に追加

複数の対象プロファイルは参照プロファイルとフィッティングされることにより、対象画像中のアライメントマークの各エッジにおいて、複数の対象プロファイル上における閾値に対応する複数の位置が求められ、これらの位置に沿う輪郭線が迅速かつ高精度に取得される。 - 特許庁