「alignment-mark」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

In one alignment mark 200, line segments 201A and 201B in a parallel direction with a reference direction and line segments 202A and 202B which intersect the reference direction at right angles intersect one another approximately in a cross shape as a whole.例文帳に追加

一方のアライメントマーク２００は、予め設定された基準方向に対して平行方向の線分２０１Ａ、２０１Ｂと直交方向の線分２０２Ａ、２０２Ｂとが、全体として略＋字状に交差している。 - 特許庁

A substrate to be colored and a plotting head are highly accurately aligned with each other in each of the horizontal direction and the vertical direction by discharging ink to a dummy substrate to be colored and detecting the landing position and the alignment mark.例文帳に追加

ダミーの被着色基板にインクを吐出し、その着弾位置とアライメントマークを検出して被着色基板と描画ヘッドとの水平方向及び垂直方向の各方向において高精度に位置合わせする。 - 特許庁

In a process of forming a photosensitive resin pattern on a substrate, a portion except for a pattern forming portion is first exposed and developed to obtain an alignment mark, and then the pattern portion is exposed and developed.例文帳に追加

基板上に感光性樹脂のパターンを形成する工程において、パターン形成部以外の部分を露光し、現像したアライメントマークが存在た後で、パターン部に対し露光、現像を行なうことにより解決した。 - 特許庁

After the exposure of a first zone on the substrate W is started until the exposure of a final zone is started, a main controller 20 detects the positional information on at least one alignment mark formed on the substrate based on the detection results of a mark detection system ALG and a position detection system 74.例文帳に追加

基板Ｗ上の最初の区画領域の露光を開始した後、最後の区画領域の露光開始までの間に、主制御装置２０は、その基板上に形成されている少なくとも１つのアライメントマークの位置情報を、マーク検出系ＡＬＧと位置検出系７４との検出結果に基づいて検出する。 - 特許庁

In this method, a reference line mark 31 almost in parallel to a ground surface 4 is indicated on a tile mounting wall 3 on which the tile mounting panels 1, etc. are to be installed almost up to 100 to 150 cm above the ground surface 4; and then the tile mounting panels 1 are installed in alignment with a reference line 11 of the tile mounting panel located on the reference line mark 31.例文帳に追加

この方法では、地盤面４より１００〜１５０ｃｍ上方のタイル取付用パネル１，・・・を設置する側の下地壁３の面に、地盤面４に対して略平行する基準目線３１を設け、その基準目線３１にタイル取付用パネル１の基準線部１１を合わせて設置する。 - 特許庁

The member to be recognized for alignment provided on an object to be aligned and having a mark 26 for image recognition is provided with a member body 25 with a mirror finished top surface 29a formed in a column shape, and a recessed mark 26 formed nearly at a center of the top surface 29a of the member body 25.例文帳に追加

位置決め対象物に設けられ、画像認識用のマーク２６を形成したアライメント用の被認識部材１２であって、柱状に形成され先端面２９ａを鏡面加工した部材本体２５と、部材本体２５の先端面２９ａの略中央部に形成した凹状のマーク２６とを備えたものである。 - 特許庁

A laminated exposure can be executed without using a mask by overlaying each layer by introducing a concept of a virtual mask which performs the same role as a mask used for an existing mask exposure as well as a concept of a virtual target mark which performs the same role as an alignment mark used for an existing mask exposure.例文帳に追加

マスクレス露光で既存のマスク露光のマスクと同一の役割をする仮想のマスクという概念を導入し、既存のマスク露光の整列マークと同一の役割をする仮想のターゲットマークという概念を導入してレイヤ別にオーバーレイを行うことによって、マスクレス露光でも積層露光を行うことができる。 - 特許庁

By calculating a "shot arrangement component of a mark feature quantity" by statistically calculating the mark feature quantities of respective shots, and using "conversion coefficients of the respective shot arrangement components" updated by the result of the superposition inspection, a "WIS predictive quantity of the shot arrangement correction value" is calculated, and a shot arrangement correction value in alignment is corrected.例文帳に追加

また、各ショットのマーク特徴量を統計計算して「マーク特徴量のショット配列成分」を算出し、重ね合わせ検査の結果より更新した「各ショット配列成分の変換係数」を用いて、「ショット配列補正値のＷＩＳ予測量」を算出し、アライメント時のショット配列補正値を補正する。 - 特許庁

In the objective exposure system in which a substrate 4, e.g. for producing a working reticle is exposed through a master reticle with a formed pattern, the substrate 4 is provided with three first supporting members 52 which support the substrate 4 in a nearly horizontal state in three places except the illumination areas (pattern area 25, alignment mark areas MA1 and information mark areas MA2) of the substrate 4.例文帳に追加

パターンが形成されたマスターレチクルを介して、例えばワーキングレチクル製造用の基板４を露光する露光装置において、基板４を該基板４の照明エリア（パターンエリア２５，アライメントマークエリアＭＡ１，情報マークエリアＭＡ２）以外の３箇所でほぼ水平に支持する３本の第１支持部材５２を備えて構成される。 - 特許庁

When forming these element separating part and oxidized part, a silicon-nitride film 22 that has been used as an oxidization blocking mask, is then used as an anti-etching mask in the mark forming area to perform etching upon the oxidized part 26b and a silicon-oxide film 14 to depth such that a first silicon layer 12 is exposed, thereby forming an alignment mark.例文帳に追加

その後、これら素子分離部及び酸化部の形成時に酸化阻止用マスクとして用いたシリコン窒化膜２２をマーク形成領域において耐エッチング用マスクとして用いて、第１のシリコン層１２が露出される深さまで酸化部２６ｂ及びシリコン酸化膜１４のエッチングを行って、位置合わせ用マークを形成する。 - 特許庁

To reduce the number of alignment mark processing step during the formation of an active layer of a silicon film in a crystalline state, which is necessary for various circuits, on an insulating substrate that constitutes a flat display device, and thereby to achieve a high throughput and a low cost.例文帳に追加

平面表示装置を構成する絶縁基板上に、各種の回路に必要な性能の結晶状態のシリコン膜を能動層形成時のアライメントマーク加工工程を削減して、高スループット、低コスト化を実現する。 - 特許庁

While recessed sections are left on the upper surface of the n-type epitaxial layer in an alignment mark forming region 3, the recessed sections formed on the upper surface of the n-type epitaxial layer in a photodiode forming region 2 are removed by reducing the thickness of the n-type epitaxial layer by polishing.例文帳に追加

次に、フォトダイオード形成領域２におけるｐ型シリコン基板５の上面内にｐ型埋め込み分離領域８ａ〜８ｃを形成した後、ｐ型シリコン基板５の上面上にｎ型エピタキシャル層６を形成する。 - 特許庁

To provide an aligner or the like wherein overlay precision can be improved by accurately calculating nonlinear shift of an alignment mark and an exposure shot which are caused by distortion in a substrate surface direction of chucking of a substrate like a wafer, and performing position correction.例文帳に追加

ウエハ等の基板のチャッキングの基板面方向ひずみによるアライメントマークや露光ショットの非線形シフトを正確に算出して位置補正を行ない、オーバーレイ精度の向上を図ることができる露光装置等を提供する。 - 特許庁

An image of a blind via hole (BVH) formed on a core substrate of a build-up wiring board 200 as an alignment mark is picked up by X-ray CCD cameras 164A, 164B using X rays radiated from X-ray light sources 165A, 165B.例文帳に追加

ビルドアップ配線板２００のコア基板に設けられたアライメントマークとしてのブラインド・ビア・ホール（ＢＶＨ）を、Ｘ線光源１６５Ａ、１６５Ｂから照射するＸ線でＸ線ＣＣＤカメラ１６４Ａ、１６４Ｂにより撮像する。 - 特許庁

The present invention relates to an alignment mark and a forming method thereof, wherein a plating electricity feeding film 13 is formed on a surface of a substrate 12, and a photoresist pattern is formed on the plating electricity feeding film 13 and then patterned by electric plating.例文帳に追加

基板１２の表面にメッキ給電用膜１３を形成し、次いで当該メッキ給電用膜１３にフォトレジストパターンを形成して、その後電気メッキによりパターン形成されるアライメントマーク及びその作成方法である。 - 特許庁

Then, an embedded diffused silicon epitaxial wafer 100 is produced, by using a main rear-surface side silicon monocrystalline oxide film 42, which is formed on the main rear-surface side of the silicon monocrystalline substrate 1, after the alignment mark 7 has been formed, as an oxide film for defocus prevention.例文帳に追加

そして、アライメントマーク７の形成終了時にシリコン単結晶基板１の主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜４２をデフォーカス防止用酸化膜として、埋込拡散シリコンエピタキシャルウェーハ１００を製造する。 - 特許庁

Subsequently, a capacitor insulating film is formed on the whole surface of the substrate 201, a second conducting film 206 is formed on the capacitor insulating film, the layer 206 is made to remain on the alignment mark formation region and a plate electrode 206 is formed on the memory cell region.例文帳に追加

続いて、全面に容量絶縁膜を形成し、その上に第２の導電層２０６を形成し、位置合わせマーク形成領域に第２の導電層２０６を残存させ、メモリセル領域にプレート電極２０６を形成する。 - 特許庁

When a metal film is utilized as an alignment mark in the middle of a manufacturing process, the width of the metal film is widened twice the amount of side etching, so that the metal film an be removed by the side etching contained in the process to be performed later such as photolithography, etc.例文帳に追加

製造工程の途中で、金属膜をアライメントマークとして利用する際には、ホトリソグラフ等の後工程に含まれるエッチング処理で、サイドエッチで除去可能なように、幅をサイドエッチ量の２倍未満にしておく。 - 特許庁

A center positioning wafer with an alignment mark drawn thereon is prepared, the center positioning wafer is placed on a wafer mount base in an exposure optical system by using an aligner to align the center position between the center positioning wafer and a glass mask.例文帳に追加

アライメントマークを入れたセンター位置決定用ウエハを用意し、アライナーを用いて、露光用光学系におけるウエハ載置台にセンター位置決定用ウエハを載置するとともに、センター位置決定用ウエハとガラスマスクのセンター位置を合わせる。 - 特許庁

The wiring board 1 includes a light transmissive substrate 10, an alignment mark 14 and a first wiring pattern 21 which are formed on a first surface 11 of the substrate 10, and a second wiring pattern 22 formed on a second surface 12 of the substrate 10.例文帳に追加

配線基板１は、光透過性の基板１０と、基板１０の第１の面１１に形成されたアライメントマーク１４及び第１の配線パターン２１と、基板１０の第２の面１２に形成された第２の配線パターン２２と、を含む。 - 特許庁

Illumination light is applied to the objective lens 19 to observe an image forming spot, and the position of the image forming spot and the mark 17a for alignment of the diffraction optical element 17 are made to coincide with each other while observing them by an optical microscope, etc.例文帳に追加

対物レンズ１９に対して照明光を当ててその結像スポットを観察し、結像スポットの位置と回折光学素子１７の芯合わせ用マーク１７ａとを光学顕微鏡などで観察しつつ一致させる。 - 特許庁

A reference position of the mask is computed by adjusting the focus of an imaging device 16 in such a manner that the number of pixels of an alignment mark M2 on the mask observed in the image is equal to a preset reference threshold or larger than the threshold.例文帳に追加

画像でのマスク側のアライメントマークＭ２の画素数が、予め設定した基準閾値と一致若しくは当該基準閾値以上となるように撮像装置１６の焦点を調整してマスク側の基準位置を演算する。 - 特許庁

The wiring board 1 includes a substrate 10 with light transparency; an alignment mark 14 and a first wiring pattern 21 formed on a first face 11 of the substrate 10, and a second wiring pattern 22 formed on a second face 12 of the substrate 10.例文帳に追加

配線基板１は、光透過性の基板１０と、基板１０の第１の面１１に形成されたアライメントマーク１４及び第１の配線パターン２１と、基板１０の第２の面１２に形成された第２の配線パターン２２と、を含む。 - 特許庁

A thickness of the first index matching layer 70 in an area corresponding to the first alignment mark 81 provided in the inactive area Aa2 is different from a thickness of the first index matching layer 70 in the active area Aa1.例文帳に追加

ここで、非アクティブエリアＡａ２内に設けられた第１アライメントマーク８１に対応する領域における第１インデックスマッチング層７０の厚みは、アクティブエリアＡａ１における第１インデックスマッチング層７０の厚みと異なっている。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate (1), a p-type impurities diffusion layer (2) formed on the semiconductor substrate, and Ni silicide (3) formed on the diffusion layer, wherein it has an alignment mark (6) for lithography on its Ni silicide.例文帳に追加

半導体基板（１）と、前記半導体基板に形成されたｐ型不純物拡散層（２）と、前記拡散層上に形成されたＮｉシリサイド（３）と、を備え、前記Ｎｉシリサイド上にリソグラフィー用の合わせマーク（６）を有する。 - 特許庁

To provide a projection exposure apparatus that can form adjoining conductor patterns in an equidistant layout on a film even when an alignment mark formed on the film is displaced from an originally assumed position.例文帳に追加

フィルム上に形成されたアライメントマークが、本来想定している位置と異なる位置に変位しているような場合であっても、隣接する導体パターンを等間隔にフィルムに形成することができる投影露光装置を提供する。 - 特許庁

Meanwhile, when the parameters corresponding to the obtained input conditions and output conditions are not stored, or when the alignment mark cannot be detected even after correcting the contrast, processing for finding optimal parameters is performed (S19).例文帳に追加

一方、取得した入力条件や出力条件に対応するパラメータが記憶されていない場合や、コントラストを補正してもアライメントマークが検出できない場合には、最適なパラメータを探索する処理を行う（Ｓ１９）。 - 特許庁

To provide an electrooptic device which is aligned by enabling the position of an alignment mark to be easily specified and which therefore is efficient and high assembly accuracy, and also to provide electronic equipment which uses the electrooptic device, and a method for manufacturing the electrooptic device.例文帳に追加

容易にアライメントマークの位置を特定しアライメントでき、効率的で組み立て精度の高い電気光学装置、その電気光学装置を用いた電子機器及びその電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When an anterior section is to be observed, optical path branching members 3, 13 are inserted in an optical path, a light source is lighted, and an alignment mark A around the optical axis showing the pupil diameter required for photographing is electrically generated and displayed on a television monitor 23.例文帳に追加

前眼部観察時には光路分岐部材３、１３が光路に挿入され、光源２が点灯され、テレビモニタ２３には撮影に必要な瞳孔径を示す光軸中心のアライメントマークＡが電気的に発生表示される。 - 特許庁

When a foreign substance adjacent to the alignment mark 6 is erroneously recognized, the misidentification detecting pattern 7 is entered in a recognition image 9 to reduce a matching rate with a reference pattern 10 of a recognition apparatus, and as a result, the misidentification caused by the foreign substance can be prevented.例文帳に追加

アライメントマーク５近傍の異物を誤って認識した際に、認識画像９中に誤認識検出パターン７が入り認識装置の基準パターン１０とのマッチング率が低下し、異物による誤認識を回避できる。 - 特許庁

Further, in the alignment of the leading end of the carpet extended part 1A with the mark parts (i), (ii) on the deck board 2 side, the free end part 10 of the carpet extended part 1A and the free end part of the deck board 2 can be overlapped by a regulated amount by visual observation.例文帳に追加

さらに、カーペット延長部１Ａの先端とデッキボード２側のマーク部イ，ロとの位置合わせは、目視によって、カーペット延長部１Ａの遊端部分１０とデッキボード２の遊端部分とを規定量だけ重ね合わせることができる。 - 特許庁

Then, the position of a mark for alignment regarding at least two exposure regions being selected under the plurality of set arrangement conditions is used, thus calculating each exposure position regarding the plurality of exposure regions.例文帳に追加

そして、設定された複数の配置条件のそれぞれのもとで選択した少なくとも２つの露光領域に関する位置合わせ用マークの位置を使用して、前記複数の露光領域に関するそれぞれの露光位置を算出する。 - 特許庁

The image signal as the measuring signal is obtained by irradiating the area where the alignment mark AM1 of a wafer W is formed with the light flux of detection illumination light, the reflected light of which is focused on the imaging surface of the CCD camera 26.例文帳に追加

ウエハＷのアライメントマークＡＭ１が形成された領域に検出用照明光の光束を照射し、その反射光をＣＣＤカメラ２６の画像面に結像させて、計測信号としての画像信号を得る。 - 特許庁

To form support pillars on a support silicon substrate using one alignment mark and to enable the formation of patterns with good accuracy at the prescribed position in small regions constituted of the support pillars on the substrate.例文帳に追加

１つのアライメントマークを用いて支柱を形成し、支柱により形成される小領域内の所定の位置に精度良くパターンを形成することが可能な転写マスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive composition for a semiconductor, the composition showing excellent dispersibility of inorganic particles and enabling an alignment mark on a circuit board or a semiconductor chip coated with the composition to be recognizable.例文帳に追加

無機粒子の分散性に優れた半導体用接着組成物であって、これが塗布された半導体チップ上あるいは回路基板上のアライメントマークを認識することができる半導体用接着組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a wiring board having an alignment mark capable of easy recognition, a method for manufacturing the board, and a semiconductor package wherein various electronic components such as a semiconductor chip and a chip capacitor are mounted on the wiring board.例文帳に追加

容易に認識することが可能な位置合わせマークを有する配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に半導体チップやチップキャパシタ等の各種電子部品を搭載した半導体パッケージを提供すること。 - 特許庁

Subsequently, a single crystal semiconductor layer 21 is completely buried in the trench 14 of the PN column region 13, while a part of the semiconductor layer 21 is formed so that a gap is formed in the trench 16 of the alignment mark region 15.例文帳に追加

続いて、ＰＮコラム領域１３のトレンチ１４に単結晶半導体層２１を完全に埋め込みつつアライメントマーク領域１５のトレンチ１６に隙間が残るように単結晶半導体層２１の一部を形成する。 - 特許庁

To prepare a second template from a first template by an imprinting method and to accurately form an alignment mark without degrading an error in relative positional accuracy between a main pattern and a peripheral pattern of the second template.例文帳に追加

第１のテンプレートからインプリント法により第２のテンプレートを作製することができ、且つ第２のテンプレートにおけるメインパターンと周辺パターンとの間の相対的な位置精度誤差を劣化させることなく、アライメントマークを精度良く形成する。 - 特許庁

To provide an interposer substrate reduced in deformation of the substrate for fixing a measuring terminal, allowing the measuring terminal to accurately measure electric characteristics of a part serving as a semiconductor chip, and facilitating recognition of an alignment mark.例文帳に追加

測定端子を固定するための基板の変形が少なく、測定端子が半導体チップとなる部分の電気特性を正確に測定することができ、かつアライメントマークを認識しやすくするためのインターポーザ基板を提供する。 - 特許庁

The second alignment stage 6 is equipped with a measuring device 67 to optically image a mark of the mounted reticle to measure the position of the reticle, and drives a stage 60 to correct the position of the reticle R based on the measurement result.例文帳に追加

第２アライメントステージ６は、載置されたレチクルのマークを光学的に撮像してレチクルの位置計測を行う計測装置６７を備えており、この計測結果に基づいてステージ６０を駆動してレチクルＲの位置補正を行う。 - 特許庁

To provide a photomask having an alignment mark for a photomask where a scanning track by an electron beam does not remain as a defect in a phase shift mask comprising a multilayer film which requires a plurality of times of exposure steps, and to provide a method for manufacturing the photomask.例文帳に追加

複数回の露光工程を必要とする多層膜からなる位相シフトマスクにおいて電子ビームのスキャン跡が欠陥として残らないフォトマスク用アライメントマークを有するフォトマスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus being position detecting channels by which an alignment mark can more easily and precisely recognized, and a manufacturing method for the semiconductor apparatus for overlaying patterns, using the position detecting channels.例文帳に追加

アライメントマークとしての認識をより容易かつ高精度ならしめる位置検出溝を備える半導体装置、およびその位置検出溝を利用してパターンの重ね合わせを行う半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A square surface exposing pattern 9 is formed on a dielectric separation wafer 100 and a cross-shaped mask-side alignment mark 14 is formed at a position corresponding to the pattern 9.例文帳に追加

誘電体分離ウェハ１００上に四角形状の表面露出パターン９を形成すると共に、この表面露出パターン９の位置に対応するマスク２００上の位置に十字形状のマスク側位置合わせマーク１４を形成する。 - 特許庁

The alignment mark 40 is opened on a inter-layer insulation film in a single etching process of opening the via hole for forming a metal contact for connecting lower layer wiring to upper layer wiring.例文帳に追加

本アライメントマーク４０は、下層配線に上層配線を接続するメタルコンタクトを形成するビアホールを層間絶縁膜に開口する際に、ビアホールを開口する同じエッチング工程で層間絶縁膜に開口するアライメントマークである。 - 特許庁

A mutual magnetic attracttion between a magnetic alignment mark 12 provided to each base material 10 for a multilayer board and a magnetic means 51 provided to a press plate 50 aligns the base material for the multilayer boards one another.例文帳に追加

多層基板用基材１０の各々に設けられている磁気的なアライメントマーク１２とプレス板５０に設けられている磁気手段５１との相互の磁気的吸引によって多層基板用基材相互の位置合わせを行う。 - 特許庁