「cell array」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor memory device is provided with a memory array including a plurality of memory cells having any of phase change elements, metal oxide resistance elements, and solid electrolytic elements, and a reference cell, and a reading circuit for reading data of a cell selected from the plurality of memory cells.例文帳に追加

半導体記憶装置は、相変化素子、金属酸化物抵抗素子、及び、固体電解質素子のいずれかを有する複数のメモリセル及び参照セルを含むメモリアレイと、複数のメモリセルのうちから選択された選択セルのデータを読み出す読み出し回路とを具備する。 - 特許庁

This nonvolatile memory device includes a memory cell array equipped with a plurality of memory cells for storing program data respectively, a data scanning unit for detecting program data having a first value, and a programming unit for programming a memory cell corresponding to a result detected by the data scanning unit.例文帳に追加

ここに開示された不揮発性メモリ装置は、各々がプログラムデータを貯蔵する複数個のメモリセルを具備したメモリセルアレイ、第１値を有するプログラムデータを検出するデータスキャニング部、および前記データスキャニング部によって検出された結果に対応するメモリセルをプログラムするプログラム部を含む。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device 10 includes a constant current circuit 500 to which write or erase is performed by a current which is subjected to constant current control in writing or erasure in electric processing to the memory cell Mmn in a memory cell array section 100.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置１０は、メモリセルアレイ部１００におけるメモリセルＭｍｎに対しての電気的処理による書き込みあるいは消去において、定電流制御された電流によって書き込みあるいは消去が行われる定電流回路５００を備える。 - 特許庁

The memory cell array is provided with a core selecting means selecting the arbitrary number of cores to perform write-in/erasion of data, thereby the data are written in the selected memory cell in a core selected based on a write-in command, and data erasion of a selected block in a selected core is performed based on an erasion command.例文帳に追加

データ書き込み／消去を行うために任意個数のコアを選択するコア選択手段を備え、書込みコマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたメモリセルにデータ書き込みを行い、消去コマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたブロックのデータ消去を行う。 - 特許庁

Also, when the liquid crystal cell 20 is arranged in such a way that the surface of the counter substrate 22 is in contact with the placing part 32, the edge of the array substrate 21 is positioned to be more inside than that of the counter substrate 22.例文帳に追加

また、対向基板２２の表面が載置部３２に接するように液晶セル２０を配置する場合には、対向基板２２の端辺よりもアレイ基板２１の端辺が内側にくるようにする。 - 特許庁

To reduce an area occupied by a control block or the like to be repeatedly used by efficiently disposing the structure of a cell array and a core-related circuit of a nonvolatile ferroelectric memory.例文帳に追加

不揮発性強誘電体メモリのセルアレイ及びコア関連回路の構造を効率的に配置し、反復的に用いられるコントロールブロック等により占められる面積を縮小させることにある。 - 特許庁

In this way, a layer of wires 22, connecting two wires 22a and 22b via a wiring 22c drawn aslant with an angle of 30°, is formed between the memory cell array 11 and the row decoder circuit 13.例文帳に追加

こうして、メモリセルアレイ１１とロウデコーダ回路部１３との間に、３０度斜め引き出し配線２２ｃによって配線２２ａ，２２ｂの相互間を接続してなる配線層２２を引き回す構成となっている。 - 特許庁

In a high-speed-synchronization semiconductor memory device, a data input buffer 33 is synchronized with the rise edge of a first clock CLK1, it buffers data which is input through a first port DQ, and it transmits the data to a memory cell array 31.例文帳に追加

高速同期の半導体メモリ装置では、デ−タ入力バッファ33が、第１クロックの立上りエッジに同期して、第１ポ−トDQを通じて入力されるデ−タをバッファリングし、メモリセルアレイ31へ伝達する。 - 特許庁

To perform communication with a rate corresponding to varied receiving quality in each slot caused by the presence or absence of the occurrence of adjacent cell interference, in a variable-rate communication system in which a beam is switched in time division by an array antenna.例文帳に追加

アレイアンテナにより時分割にビームを切り替える可変レートの通信システムにおいて、隣接セルの干渉発生有無によるスロット毎の受信品質変動に対応するレートで通信する。 - 特許庁

To provide a solving method for reducing conductor paths by improving array density without reducing the dimension of a cell, and sharing a common path by two pairs of cells.例文帳に追加

セルの寸法を縮小することなくアレイ密度を向上させること、及び２つのセルの対で共通の経路を共有することにより、導体経路を削減するための解決手法を提供する。 - 特許庁

A memory cell array 17a includes memory cells (first memory cells) MC, which store data, and retreat memory cells (second memory cells) RMC for data at the time of refreshing, the retreat memory cells being for temporally storing data at the time refreshing.例文帳に追加

メモリセルアレイ１７ａは、データを記憶しているメモリセル（第１メモリセル）ＭＣとリフレッシュ時に一旦データを保持するためのリフレッシュ時データ用退避メモリセル（第２メモリセル）ＲＭＣとが含まれる。 - 特許庁

In the memory system, the semiconductor memory has a field programmable part FP in which logic for converting into each other an external signal input/output for the memory system and an internal signal input/output for a memory cell array is programmed.例文帳に追加

半導体メモリは、メモリシステムに入出力される外部信号とメモリセルアレイに入出力される内部信号とを相互に変換するための論理がプログラムされるフィールドプログラマブル部を有する。 - 特許庁

A memory device comprises a memory cell array 1 in which the resistance change type memory cells M are arranged in a matrix, word lines W_1 to W_m, bit lines B_1 to B_n, plate electrode lines P_1 to P_n, and a transistor T.例文帳に追加

メモリ装置は、抵抗変化型のメモリセルＭがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイ１と、ワード線Ｗ_1〜Ｗ_mと、ビット線Ｂ_1〜Ｂ_nと、プレート電極線Ｐ_1〜Ｐ_nと、トランジスタＴとを有する。 - 特許庁

This test circuit detects a bit in which a shift is caused in a write-in property in a memory cell array 1 as a defective bit using a method by which one axis write-in current of a difficult axis direction is applied.例文帳に追加

このテスト回路は、メモリセルアレイ１中の書き込み特性にシフトがあるビットを、困難軸方向の一軸書き込み電流を印加する手法を用いて不良ビットとして検出する。 - 特許庁

Finally, a gap filling means 27 arrays successively the gap filling blocks at all positions where the gate array blocks, cell base blocks and gap filling blocks are not placed.例文帳に追加

ゲートアレイブロックは全幅の半分以上の隙間充填ブロックを介してセルベースブロックに隣接するので、障害が確実に防止されているマスタスライスが簡単な処理で自動的にデータ生成される。 - 特許庁

To maintain retaining and insulating capabilities of a unit cell and a lead plate in a battery pack composed of an array of plural square-shaped unit cells, while reducing the number of components and simplifying its manufacturing process.例文帳に追加

複数の角形素電池を配列してなるパック電池において、素電池及びリード板の保持機能や絶縁機能を保ちながら、部品点数を低減すると共に製造工程を簡単にする。 - 特許庁

This device is provided with an address baffer 1, a first pre- decoder 2, a register circuit 3, a fuse data storing section 4, a first multiplexer 5, a second pre-decoder 6, an inverter 7, a second multiplexer 8, and a memory cell array 9.例文帳に追加

アドレスバッファ１と、第１のプリデコーダ２と、レジスタ回路３と、ヒューズデータ記憶部４と、第１のマルチプレクサ５と、第２のプリデコーダ６と、インバータ７と、第２のマルチプレクサ８と、メモリセルアレイ９と、を備えている。 - 特許庁

A conversion circuit 4-1 converts data comprising k bits (a natural number of 3 or more; k<=n) stored in the memory cell array to data comprising h bits (a natural number of 2 or more; k<=h), based on a conversion rule.例文帳に追加

変換回路４−１は、メモリセルアレイに記憶するｋビット（ｋ＜＝ｎで、３以上の自然数）からなるデータを、変換則に基づき、ｈビット（ｋ＜＝ｈで、２以上の自然数）のデータに変換する。 - 特許庁

(n) bits parallel data is delivered and received between the data buffer and the normal data section of the cell array, and (m) bits parallel data (m<n) is delivered and received between the data buffer and an external input/output terminal.例文帳に追加

データバッファとセルアレイのノーマルデータ部との間はｎビット並列データの授受が行われ、データバッファと外部入出力端子の間はｍビット並列データ（但し、ｍ＜ｎ）の授受が行われる。 - 特許庁

When the switch element S1 is opened to start a sense amplifier 6, the data read from the memory cell M02 to be stored in the bit line BL102 of the bottom array block is output to the outside of a flash memory.例文帳に追加

スイッチ素子Ｓ１を開いてセンスアンプ６を起動すれば、メモリセルＭ０２から読み出されてボトムアレイブロックのビット線ＢＬ１０２に保持されているデータを、フラッシュメモリの外部に出力することができる。 - 特許庁

For example, when a power on reset circuit 32 detects supply of a power source, a sense amplifier circuit 21 automatically reads the primary set data from in a primary set data area 12 on a memory cell array 11.例文帳に追加

たとえば、パワーオンリセット回路３２が電源の投入を検知すると、センスアンプ回路２１がメモリセルアレイ１１上の初期設定データ領域１２内より初期設定データを自動的に読み出す。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and a relieving method of this device in which the yield can be improved by relieving a defective memory cell array in a package state and which is profitable in layout.例文帳に追加

パッケージ状態でメモリセルアレイの不良を救済することによって収率を向上させることができ、しかもレイアウト面で有利となる半導体メモリ装置及びその装置の救済方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device is provided with a boosting circuit 1, a level detection circuit 2, an internal voltage generation circuit 3, an address buffer (ADB) 4, an address decoder (RDC) 5, and a memory cell array (MCA) 6.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、昇圧回路１と、レベル検知回路２と、内部電圧発生回路３と、アドレスバッファ（ＡＤＢ）４と、アドレスデコーダ（ＲＤＣ）５と、メモリセルアレイ（ＭＣＡ）６とを備える。 - 特許庁

A memory cell array (602) of the storage device (130) includes decrement prohibiting regions (R1, R2) for allowing a value larger than an already-stored value to be written and prohibiting writing of a value smaller than the already-stored value.例文帳に追加

記憶装置(130)のメモリーセルアレイ(602)は、既格納値よりも大きな値の書き込みを許容するとともに、既格納値よりも小さな値の書き込みを禁止するデクリメント禁止領域(R1,R2)を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a relief circuit capable of performing a high-speed operation and having high relief efficiency, when a shift saving system is applied to a memory cell array divided into a plurality of unit blocks.例文帳に追加

複数の単位ブロックに分割されたメモリセルアレイにシフト救済方式を適用する場合、高速動作が可能で救済効率が高い救済回路を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To achieve a structure in which array size is small and layout area does not increase so that leak current of non-selected memory cell can be substantially reduced in a nonvolatile memory device using a variable resistance element.例文帳に追加

抵抗変化型素子を用いた不揮発性記憶装置について、非選択メモリセルの漏れ電流を十分に低減できるよう、アレイサイズが小さく、かつ、レイアウト面積が増大しない構造を実現する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory cell array which is sectioned into a plurality of banks (A, B, C, D), and a plurality of cache memories holding data of word lines and prepared for the plurality of banks respectively.例文帳に追加

本発明の半導体メモリ装置は、複数のバンク（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）に区分されたメモリセルアレイと、複数のバンクにそれぞれ付随しワード線のデータを保持する複数のキャッシュメモリとを備える。 - 特許庁

To provide an organic photoelectric conversion element that exhibits high conversion efficiency, has high durability, copes with a coating process, and is formed on a plastic substrate, and also to provide a solar cell and an optical sensor array.例文帳に追加

高い変換効率を達成可能で、耐久性が高く、塗布プロセスに対応でき、プラスチック基板上に形成できる有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイを提供する。 - 特許庁

A memory cell array 1 has a hierarchical structure where bit lines BL are split from a main data line MDL and an inverting sense circuit 10 is inserted between the main data line MDL and the bit lines BL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、メインデータ線ＭＤＬからビット線ＢＬが分岐された階層構造となっており、メインデータ線ＭＤＬとビット線ＢＬとの間に、反転センス回路１０が挿入される。 - 特許庁

To provide an EEPROM adopting a reset system of a rewriting/ read-out circuit which can reduce effectively a leak current in a defective cell array without deteriorating high speed performance.例文帳に追加

高速性能を損なうことなく、不良セルアレイでのリーク電流をより効果的に低減することを可能とした書き換え／読み出し回路のリセット方式を採用したＥＥＰＲＯＭを提供する。 - 特許庁

At the time of a multi-bit test, An I/O combiner 50 degenerates data of a plurality of bits read out to pairs of data buses TDB0-TDB3 from a memory cell array MA in parallel and outputs them to a pair of data bus RTDB.例文帳に追加

マルチビットテスト時、Ｉ／Ｏコンバイナ５０は、メモリセルアレイＭＡから並列にデータバス対ＴＤＢ０〜ＴＤＢ３に読出された複数ビットのデータを縮退してデータバス対ＲＴＤＢへ出力する。 - 特許庁

To provide a method of designing a nonvolatile memory cell that is enhanced in data retention performance and improved in operation speed, and can be operated (programming/deletion/retrieval) a number of times and an array.例文帳に追加

向上されたデータ保持性能及び向上された動作速度をもって、多数回にわたり動作（プログラム／消去／読み出し）させることのできる不揮発性メモリセル設計及びアレイを提供する。 - 特許庁

When a program is executed in a nonvolatile data storage device, bipolar phenomenon between pass transistors connected to a memory block of a memory cell array is prevented, to improve reliability of data corresponding to the executed program.例文帳に追加

不揮発性データ貯蔵装置にプログラムが実行される場合、メモリセルアレイのメモリブロックに接続されるパストランジスタ間のバイポーラ現象を防止して、プログラムが実行されたデータの信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide an organic photoelectric conversion element, along with a solar cell and optical sensor array, that contains a fullerene derivative capable of providing high durability and has high open voltage and high efficiency of photoelectric conversion.例文帳に追加

高い耐久性を提供しうるフラーレン誘導体を含有し、高い開放電圧を有し、光電変換効率が高い有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイを提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array 1 including memory cells MC of which the set state and reset state are transferrable and memory cells MC which are fixed to the permanent state; and a control circuit.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、セット状態及びリセット状態の遷移が可能なメモリセルＭＣと、パーマネント状態に固定されたメモリセルＭＣとを含むメモリセルアレイ１と、制御回路とを備える。 - 特許庁

To reduce erroneous writing in a nonselected memory cell in a semiconductor device provided with a nonvolatile memory unit including a memory array in which numerous rewritable nonvolatile memory cells are arrayed.例文帳に追加

書き換え可能な不揮発性メモリセルが多数配列されたメモリアレイを含む不揮発性記憶部を備えた半導体装置において、非選択メモリセルに生じる誤書き込みを低減することができる。 - 特許庁

In this circuit, when a switch 1c and a resistance element 1d are disposed and a memory cell array and control circuit are in a standby state, the internal voltage VccD is measured and can be output from an output terminal.例文帳に追加

この回路において、スイッチ１ｃ、抵抗素子１ｄを設け、メモリセルアレイおよびコントロール回路がスタンバイ状態である際に、内部電圧VccDを測定し、出力端子から出力できるようにした。 - 特許庁

The regular cell array 200 has large blocks 212 of M pieces divided in the column direction A, each of the large blocks 212 of M pieces has small blocks 215 of (m) pieces sub-divided in the column direction A.例文帳に追加

レギュラーセルアレイ２００は、列方向Ａで分割されたＭ個のラージブロック２１２を有し、Ｍ個のラージブロック２１２の各々は、列方向Ａで細分割されたｍ個のスモールブロック２１５を有する。 - 特許庁

The reference light is cast to the desired hologram cell 17 by putting one of a plurality of micromirrors 31 constituting servo mirror arrays 30 in a linear array form in the Y-axis direction into an ON state.例文帳に追加

参照光は、Ｙ軸方向直線アレイ状のサーボミラーアレイ３０を構成する複数のマイクロミラー３１の１つをＯＮ状態とすることによって、参照光を目的のホログラムセル１７に照射する。 - 特許庁

A power IGBT comprises: a semiconductor substrate having an emitter region 11 of a first conductivity type and a drift region 12 of a second conductivity type adjacent to the emitter region 11; and a cell array having a plurality of transistor cells.例文帳に追加

第１の伝導型のエミッタ区域１１およびエミッタ区域１１に隣接する第２の伝導型のドリフト区域１２を有する半導体基板と、多数のトランジスタセルを有するセルアレイとを備える。 - 特許庁

Element isolation layers 210 are formed on a semiconductor substrate 100 having a cell array part and a periphreral circuit part, and an interlayer insulating layer covering a floating gate pattern via tunnel oxide layers 150 is formed.例文帳に追加

セルアレー部及び周辺回路部を有する半導体基板１００上に素子分離層２１０を形成し、トンネル酸化層１５０を介する浮遊ゲートパターンを覆う層間絶縁層を形成する。 - 特許庁

When a storage element of the memory cell array 7 is deteriorated and a threshold value of gate voltage is reduced, data cannot be read out correctly by the determine- verify voltage, the comparison result in the decision circuit 6 is noncoincidence.例文帳に追加

メモリセルアレイ７の記憶素子が劣化し、ゲート電圧の閾値が低下している場合にはディターミンベリファイ電圧では正しくデータを読み出すことができず、判定回路６における比較結果は不一致となる。 - 特許庁

A column selection circuit is arranged in each of the memory cell array blocks, row addresses are finally decoded resting on the predecode signals, and a sense amplifier (not shown) is connected to an I/O wire.例文帳に追加

各メモリセルアレイブロックにはカラム選択回路が配置されており、出力されたプリデコード信号に基づいて列アドレスの最終的なデコードを行い、図示しないセンスアンプとＩ／Ｏ線を接続する。 - 特許庁

A first contact plug (C101) is formed such that at least a part of an end face of the first contact plug is arranged inside a circumference of a memory cell array (MARY) when viewed from above the semiconductor substrate (100).例文帳に追加

第１のコンタクトプラグ(C101)は、半導体基板(100)の平面視において第１のコンタクトプラグの端面の少なくとも一部がメモリセルアレイ(MARY)の周縁よりも内側に配置されるように形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor memory device and method, a flash memory cell array fabricated in a well is included together with memory cells in the same column connected to each other in series and connected to respective bit lines.例文帳に追加

半導体メモリデバイス及び方法は、お互いに連続して接続され、それぞれのビット線に接続された同一の列におけるメモリセルとともに、ウェル内に形成されたフラッシュメモリセルアレイを含む。 - 特許庁