「deposition condition」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The information recording medium can be manufactured by forming the plastic substrate having ≤0.8 mm thickness, subjecting the plastic substrate to required film- deposition and leaving the plastic substrate after completion of the film-deposition under the condition of ≥50°C and ≤120°C to perform heat aging treatment.例文帳に追加

係る情報記録媒体は、厚さが０．８ｍｍ以下のプラスチック基板を成形し、次いで当該プラスチック基板に所要の成膜を施し、しかる後に当該成膜完了後のプラスチック基板を５０℃以上１２０℃以下の環境下に放置して加熱エージング処理を行うという方法で製造できる。 - 特許庁

In the alignment layer forming device for forming the alignment layer by obliquely depositing a prescribed material on a substrate 10A under a vacuum condition using the deposition source 302 made of the prescribed material, the deposition source 302 is made of the material composed of cyclophenes.例文帳に追加

所定材料からなる蒸着源３０２を用いて、真空環境にて基板１０Ａ上に上記所定材料を斜方蒸着することによって配向膜を形成する配向膜形成装置であって、上記蒸着源３０２が、シクロフェン類からなる材料からなる。 - 特許庁

A scanning type laser radar in a group of deposition condition detection sensors 22, being provided at a crane body section 21, is used to scan the entire refuse surface in the refuse pit 10, thus measuring the three- dimensional shape of the refuse surface and calculating the deposition of refuse.例文帳に追加

クレーン本体部２１に設けられたごみ堆積状況検出センサ群２２のスキャニング式レーザレーダを用いてごみピット１０内のごみ表面全体を走査することにより、ごみ表面の三次元形状を計測し、ごみの堆積を算出する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus provided with anti-deposition plates for particularly preventing deposition of an insulator or the like to the wall surface of a vacuum vessel for ensuring formation of the film of a desired composition without inclusion of a foreign matter, and maintaining productivity by preventing change in the condition of plasma by aging.例文帳に追加

スパッタリング装置に係り、特にその真空容器の壁面に絶縁物などが付着することを防ぐ防着板を具備したスパッタリング装置に関するものであり、異物が混入しない所望の組成の成膜ができるスパッタリング装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

This method for vacuum deposition, when forming the film containing the fluorescent substance by vacuum deposition, comprises making the fluorescent substance contained in the film to emit light, measuring the emitted intensity, and thereby grasping the film forming condition, or further controlling the film formation.例文帳に追加

真空蒸着によって蛍光体を含有する膜を成膜するに際し、成膜した膜に含有される蛍光体を発光させ、発光強度を測定することにより、成膜状態を知見し、あるいはさらに成膜を制御することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

In the first condition, a deposition gas including silicon or germanium is diluted with hydrogen of the flow rate set to 50 times or more and 1000 times or less with respect to the flow rate of the deposition gas, and the pressure in a process chamber is set to more than 1333 Pa and less than or equal to 13332 Pa.例文帳に追加

第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａより大きく１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 - 特許庁

In a target and a backing plate charged in each film deposition chamber of the sputtering apparatus having a plurality of film deposition chambers, the contours of the targets in a placed condition are common to each other, and the joining position with the backing plate is arbitrarily changed according to the thickness of the target.例文帳に追加

複数の成膜室を備えたスパッタリング装置の各成膜室に装填するターゲット及びバッキングプレートにおいて、ターゲットを載置した状態での外形をすべて共通として、ターゲットの厚みに応じてバッキングプレートとの接合位置を任意に変える - 特許庁

In the alignment layer forming device for forming the alignment layer by obliquely depositing a prescribed material on the substrate 10A under a vacuum condition using the deposition source 302 made of the prescribed material, the deposition source 302 is made of an organic and inorganic hybrid material.例文帳に追加

所定材料からなる蒸着源３０２を用いて、真空環境にて基板１０Ａ上に上記所定材料を斜方蒸着することによって配向膜を形成する配向膜形成装置であって、上記蒸着源３０２が、有機無機ハイブリット材料からなる。 - 特許庁

To provide a means for efficiently implementing the maintenance method of a vacuum film deposition apparatus, in particular, the method of a system vent when executing maintenance of an in-line type sputtering apparatus under a necessary and sufficient condition, and to provide an optimal vacuum film deposition apparatus.例文帳に追加

真空成膜装置のメンテナンス方法、とりわけ、インライン式スパッタ装置をメンテナンスする場合のシステムベントの方法を必要かつ充分な条件で効率的に行うための手段を提供し、最適な真空成膜装置を提供すること。 - 特許庁

In the first condition, a deposition gas including silicon or germanium is diluted with the flow rate of hydrogen set to 50 times or more and 1000 times or less relative to the flow rate of the deposition gas, and the pressure in a process chamber is set to 67 Pa or more and 1333 Pa or less.例文帳に追加

第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件である。 - 特許庁

The step of depositing the aluminum-containing layer (36) is performed in the same deposition apparatus (preferably a vacuum deposition apparatus such as an EB-PVD apparatus) as that used in the step of depositing the carbon-containing layer (32) so as not to expose the nickel-based superalloy substrate (34) to an ambient atmospheric condition.例文帳に追加

アルミニウム含有層（３６）を蒸着する段階は、ニッケル基超合金基体（３４）を周囲大気条件に暴露することなく、炭素含有層（３２）を蒸着する段階と同じ蒸着装置（好ましくはＥＢ−ＰＶＤ装置のような真空蒸着装置）内で実施される。 - 特許庁

The film formation method by vacuum deposition uses, as a concurrently evaporating substance, an inactive molecule which has vapor pressure of 1 Pa or less at room temperature but shows higher vapor pressure than that of an organic semiconductor molecule, evaporates or sublimes under the vacuum deposition condition, and exhibits volatility on a heated substrate, when vacuum-depositing the organic semiconductor molecule constituting the vapor deposition film of the organic semiconductor on the substrate.例文帳に追加

有機半導体の蒸着膜を構成すべき有機半導体分子を基板に真空蒸着させるに当たり、室温における蒸気圧が１Pa以下であるが有機半導体分子よりも高い蒸気圧を示し、真空蒸着条件下において蒸発又は昇華すると共に加熱された基板上において揮発性を示す不活性分子を共蒸発物として用いる真空蒸着成膜方法。 - 特許庁

The thin film deposition apparatus 10 has a plurality of sputtering sources having targets comprising at least either selected from two or more same materials and two or more different materials and disposed inside a chamber 12, and is provided with a film deposition condition set part capable of setting different film deposition conditions to the respective sputtering sources.例文帳に追加

薄膜形成装置１０が、チャンバ１２内に配設された２つ以上の同一材料と２つ以上の異なる材料とのうち少なくとも一方を含むターゲットを有する複数のスパッタリング源を有し、それぞれのスパッタリング源に異なる成膜条件を設定可能な成膜条件設定部を備える構成とした。 - 特許庁

When a connection hole 20 corresponding to a part of the wiring layer 14 is formed in the interlayer insulating film by dry etching using a resist layer as a mask, etching is applied up to the insulating film 16b wherein sand etching tends to progress under a condition with high deposition containing no N_2, and the insulating film 16a is etched thereafter under a condition with low deposition containing N_2.例文帳に追加

レジスト層１８をマスクとするドライエッチング処理により配線層１４の一部に対応する接続孔２０を層間絶縁膜に形成する際に、サイドエッチが進行しやすい絶縁膜１６ｂまではＮ_２を含まないデポジション性の強い条件でエッチングを行い、その後はＮ_２を含むデポジション性の弱いい条件で絶縁膜１６ａのエッチングを行なう。 - 特許庁

The method for manufacturing an electronic device according to another aspect includes determining a deposition condition for the thin film by using the above method for simulating the shape of the formed film, and then depositing the thin film according to the determined condition.例文帳に追加

また、本発明の他の一態様によれば、上記の成膜形状シミュレーション方法により薄膜の堆積条件を求め、前記求められた条件により薄膜を堆積することを特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。 - 特許庁

As a result, there can be realized a semiconductor device manufacturing method and apparatus in which the amount of deposition on a film in the processing chamber and the condition thereof can be measured from outside of the chamber while not hindering the vacuum condition of the chamber.例文帳に追加

これにより、処理室内における堆積膜の付着量や状態を処理室の真空状態を阻害することなく処理室の外から測定することが可能な、半導体デバイスの製造方法及び製造装置を実現することができる。 - 特許庁

After forming a thin film on a region of the substrate 2 corresponding to the notch under a predetermined deposition condition, the substrate 2 is rotated to shift the region corresponding to the notch, and another thin film is formed on the new area corresponding to the notch under a different condition.例文帳に追加

この切り欠き部に対応する基材２の領域に所定の成膜条件で薄膜を形成した後、基材２を回転させて切り欠き部に対応する領域をずらすとともに、前記成膜条件とは異なる条件で、この切り欠き部に対応する領域に新たに薄膜を形成する。 - 特許庁

Since the fine particulate (or superfine particulate) powder generated by this invention has high generation speed, small powder grain size, excellent crystal lattice coordination and further is generated in a high temperature condition (high temperature powder), physical vapor deposition in natural condition (nonvacuum state) can be executed.例文帳に追加

本発明により生成した微粒子（或いは超微粒子）粉体は生成速度が速く、粉体粒径が小さく、結晶格子配位が良好で且つ高温条件中で生成される（高温粉体）ため、自然長態（非真空状態）で物理蒸着可能である。 - 特許庁

To grow a carbon nanotube under a controlled clean condition of the deposition state of particles and the surface state of a substrate to facilitate the growth control of the carbon nanotube and the electric applications thereof.例文帳に追加

清浄で、パーティクルの堆積状態及び基板の表面状態が制御された状況下においてカーボンナノチューブの成長を実行し、カーボンナノチューブの成長制御やその電気的応用を容易にする。 - 特許庁

Further, rare gas plasma treatment such as argon or hydrogen plasma treatment is performed before formation of the film under the first deposition condition for removing adsorbed water on a substrate.例文帳に追加

また、第１の成膜条件の前に、基板上の吸着水を除去するため、アルゴンプラズマ処理などの希ガスプラズマ処理及び水素プラズマ処理を行う。 - 特許庁

The vapor deposition polymerization reaction is preferably carried out by previously dehydrating the diamine compound containing sulfonic acid group at 70-300°C under vacuum condition.例文帳に追加

この際、蒸着重合反応前に、前記スルホン酸基含有ジアミン化合物に対して、真空中７０〜３００℃の温度範囲にて脱水処理を行うことが望ましい。 - 特許庁

Since the value of the resistance between the electrodes 12 varies if metal sludge exists, consequently, the existence or absen of the metal sludge and the condition of its deposition can be grasped exactly by detecting the value of the resistance.例文帳に追加

これによって、金属スラッジが存在するとその電極12,12 間の抵抗値が変わるため、その抵抗値を検出することによって金属スラッジの有無及び堆積状況を正確に把握できる。 - 特許庁

To provide a method for efficiently refining and recovering chlorosilanes from chlorosilane liquids containing aluminum chloride under a safe operation condition by reducing the incidence of deposition/plugging troubles in a reboiler in a distillation column.例文帳に追加

塩化アルミニウムを含有するクロロシラン液類から、蒸留塔のリボイラーでの析出・閉塞トラブルを低減し、安全な操作条件下で効率よくクロロシラン類を精製回収する方法に関する。 - 特許庁

In the dispersion step 120, by dispersing the crushed carbon powder and fluororesin powder alternately on the electrode substrate with a spreader using an air spray method, a laminated material deposition layer is formed (condition C).例文帳に追加

散布工程１２０において、粉砕したカーボン粉末とフッ素樹脂粉末を、散布機により、エアスプレー方式で電極基材上に交互に散布することにより、積層状の材料堆積層を形成する（状態Ｃ）。 - 特許庁

To provide a polyacetal resin composition excellent in suppression of a formaldehyde generation amount after sliding, in suppression of crack under aging, and in mold deposition resistance in a low die filling rate condition.例文帳に追加

摺動後のホルムアルデヒド発生量の抑制、エージング下でのクラックの抑制、金型への充填率が低い条件下での耐モールドデポジット性に優れたポリアセタール樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a method of forming a high dielectric film in which a hydrogen-containing component hardly remains in the film even in a low-temperature film deposition condition using an organic metal material.例文帳に追加

有機金属材料を用いた低温成膜条件下であっても、膜中に水素含有成分が残留し難い高誘電体膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemical vapor deposition equipment which can realize optimized gas composition and growth condition for obtaining good crystals in epitaxial growth of a GaN system semiconductor.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体のエピタキシャル成長において、良質の結晶を得るための最適化されたガス組成や成長条件を実現することができる化学気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a steam reforming catalyst capable of accelerating a steam reforming reaction under a lower-temperature condition than that of a conventional method while reducing the possibility of carbon deposition onto a catalyst surface in the time of reforming.例文帳に追加

改質時の触媒表面への炭素析出の虞を低減しつつ、従来よりも低い温度条件下にて水蒸気改質反応を促進しうる水蒸気改質触媒を提供する。 - 特許庁

The functional film is manufactured by executing the heating processing and the plasma processing as the degassing processing before the film deposition, and controlling the processing condition in the heating processing according to the amount of gaseous hydrogen detected by a plasma processing chamber.例文帳に追加

成膜前の脱ガス処理として、加熱処理とプラズマ処理とを行い、プラズマ処理室で検出された水素ガス量に応じて、加熱処理における処理条件を制御することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

About surface condition of the piston ring 10, shot blast is performed to the sliding surface 11 to form a film with a physical vapor deposition method, and the surface of the piston ring 10 is desirably ground for formation.例文帳に追加

上記したピストンリング１０の表面性状は、摺動面１１にショットブラストがなされ、物理蒸着法により皮膜が形成され、研磨されることにより形成されることが好ましい。 - 特許庁

When the conductive film is dry-etched, an etching condition is selected so that a deposition film is formed in the vicinity of an opening in the recess in the middle of the dry etching.例文帳に追加

導電膜のドライエッチングに際して、その最中に前記凹部内の開口部近傍にデポジション膜が形成されるようにエッチング条件を選択して行う。 - 特許庁

To provide a method for film deposition of a tin-plated film capable of depositing the tin-plated film having a desired thickness under the processing condition suitable of a printed circuit board by using a reduction type electroless tin-plating bath.例文帳に追加

還元型の無電解錫めっき浴を用いて、プリント配線基板に適した処理条件で、所望とする膜厚を有する錫めっき皮膜を形成させるための錫めっき皮膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

The film deposition condition is set so that the film density measured by the XRR method is in a range between 75.0 and <98.0% of the theoretical density (TD).例文帳に追加

その際、ＸＲＲ法によって測定した膜密度が理論密度（ＴＤ）の７５．０〜９８．０％未満の範囲となるように成膜条件を設定する。 - 特許庁

Moreover, under this condition, the flexible substrate 1 and the coverlay film 2 are thermally deposited at the multiple areas and are then adhered temporarily with a thermal deposition means 10.例文帳に追加

そして、この状態で、フレキシブル基板１とカバーレイフィルム２とが熱圧着手段１０により複数箇所で熱圧着されて仮貼付けされる。 - 特許庁

In the method for producing the vapor deposition material, a sintering condition in a step for sintering the molded body is an air atmosphere and a sintering temperature is 200 to 700°C.例文帳に追加

また、蒸着材料の製造方法において、成型体を焼成する工程での焼成条件が大気雰囲気であり、かつ焼成温度が２００℃以上７００℃以下とする。 - 特許庁

To provide a light diffusion plate capable of preventing the deposition of dust or the like with excellent anti-static property and preventing discoloration such as yellowing even in use under a high temperature condition.例文帳に追加

帯電防止性能に優れていて埃等の付着を防止できると共に高温条件下での使用においても黄変等の変色を防止できる光拡散板を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which suppresses uneven deposition of an external additive even in such a condition that glossiness of an intermediate transfer body is high, and can uniformly form images.例文帳に追加

中間転写体の光沢が高い条件であっても、外添剤の付着ムラを抑制し、画像を均一に形成できる画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a dishwasher capable of restraining an inside of a washing vessel from getting to an insanitary condition, caused by coming-out of an odor of a garbage from the washer, or deposition of various germs onto tableware, even when standing while the garbage is left in a garbage filter.例文帳に追加

残菜フィルターに残菜が残ったまま放置されても、残菜の臭いが機外に出たり、食器に雑菌が付着したりして洗浄槽内が不衛生な状態になることを抑制することができる食器洗い機を提供する。 - 特許庁

For this molded body, on the base molded body using a polycarbonate resin having a glass transition temperature of 150°C or higher, the thin film is formed by the deposition under a condition wherein the base plate temperature is 130°C to Tg-10°C.例文帳に追加

ガラス転移温度が１５０℃以上であるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、基板温度が１３０℃〜Ｔｇ−１０℃となる条件で、蒸着により薄膜を形成した成形体。 - 特許庁

To enhance the productivity by improving the efficiency of using a target and prolonging the continuous operation time of an apparatus by providing a condition where nodules are hardly formed on the surface of the target, in a magnet swing type sputtering film deposition method.例文帳に追加

マグネット揺動型のスパッタリング成膜方法において、ターゲット表面にノジュールが形成されにくい条件を提案し、ターゲットの使用効率向上、装置の連続可能時間の向上により生産性を高める。 - 特許庁

By the vacuum deposition method, on the surface of an elastomer molded body there is formed a film of a fluororesin in a thickness of ≤10 μm under the condition that the substrate temperature is 150-320°C.例文帳に追加

真空蒸着法により、エラストマー成形体の表面に基材温度１５０℃〜３２０℃の条件下においてフッ素系樹脂の被膜を１０μｍ以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

To provide conductive paste usable for various applications including a conductive bump, electrode formation and the like because any non-deposition part of metal powder is not left and a hardened material excellent in conductivity can be provided even if any hardening condition is used.例文帳に追加

どのような硬化条件を用いても、金属粉の未融着部分が残らず、導電性に優れる硬化物が得られるので、導電性バンプ、電極形成等を含む種々の用途に用いることが可能な導電性ペーストを提供する。 - 特許庁

The metal complex is, for example, used as the precursor for adhering a metal or a metal-containing film onto a substrate by a condition of atomic layer sedimentation or chemical vapor deposition.例文帳に追加

一部の態様においては、ここに記載され金属錯体は、例えば原子層堆積又は化学蒸着条件により基材上に金属又は金属含有フィルムを被着させるための前駆物質として使用可能である。 - 特許庁

To provide a simply-built nozzle for removing a skull from a converter nose, a nozzle which can melt and remove the scull by changing the oxygen blowing-out direction according to the condition of deposition of the scull on the converter nose and concentratedly blowing oxygen to the scull.例文帳に追加

転炉炉口の地金の付着状況に応じて酸素吹き出し方向を変更して集中的に酸素を吹き付けて地金を溶融除去することができ、しかも構造が簡単な転炉炉口地金除去ノズルを提供する。 - 特許庁

After serially forming two or more thin films on the surface of the same substrate 2 under different conditions, the optimum deposition condition is determined by taking the substrate 2 out of the vacuum tank 1 and evaluating properties of each film.例文帳に追加

このようにして、同一の基材２の表面に連続して異なる成膜条件で複数の薄膜を形成した後、基材２を真空槽１の外部に取り出して各膜の特性の評価を行って最適な成膜条件を決める。 - 特許庁