「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

A projecting part provided on a joined surface side of a positive electrode terminal 50 and a projecting part provided on a joined surface side of a negative electrode terminal 60 in each of the batteries 30 are joined with the wiring layer 26 by diffusion junction, respectively.例文帳に追加

各電池３０の正極端子５０の接合面側に設けられた凸部と配線層２６、および負極端子６０の接合面側に設けられた凸部と配線層２６とは拡散接合により接合されている。 - 特許庁

This sheet material can diffuse the sweat or the like absorbed by the surface side 7a of the base material 7 from the back side 9b of the hydrophilic layer 9 so as to be excellent in providing the diffusion accelerating effect irrelevant to the presence/absence of a seating person 3.例文帳に追加

基材７の表面側７ａで吸い取った汗等を親水層９の裏面側９ｂから発散させることができるので、着座者３の有無に関係なく、発散促進作用が良好に得られる点でも優れている。 - 特許庁

When the exhaust gas is a rich gas, a power supply voltage of a power supply circuit 230 smaller than a set voltage in time of the lean gas is set to the pump cell application voltage, and an oxygen discharge into the porous diffusion layer 101 by the pump cell 110 is suppressed.例文帳に追加

また、排ガスがリッチガスの時、リーンガス時の設定電圧よりも小さい電源回路２３０の電源電圧がポンプセル印加電圧となり、ポンプセル１１０による多孔質拡散層１０１内の酸素排出が抑制される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an optical member having a light diffusion layer that is formed from a coating liquid satisfying the binder resin solubility while controlling the sedimentation nature of fine particles at the time of coating and that is remarkably improved in light transmission.例文帳に追加

塗布時の微粒子沈降性を制御しつつ、バインダー樹脂溶解性を満足させた塗布液から形成され、光透過性が著しく向上した光拡散層を有した光学部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

A Ni component diffused from a fuel electrode on the opposite side of an LDC material to the LSGM material is captured by the scattered MgO grains to inhibit the diffusion in the electrolyte layer toward the air electrode side.例文帳に追加

ＬＤＣを挟んでＬＳＧＭと反対側に形成されている燃料極から拡散されるＮｉ成分は、この点在しているＭｇＯ粒子によって捕捉され、電解質層中を空気極側へ拡散することが抑制される。 - 特許庁

In the semiconductor device, an NMOS transistor Q11 formed in an NMOS transistor forming region A1 is constituted so that a source-drain region 15 is formed by passing through a buried oxide film 4 to a threshold voltage diffusion layer 18 of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ＮＭＯＳ形成領域Ａ１に形成されるＮＭＯＳトランジスタＱ１１において、ソース・ドレイン領域１５は埋め込み酸化膜４を貫通して半導体基板１の閾値電圧制御拡散層１８に達して形成される。 - 特許庁

Each of the capacitors at both ends of the active region 40 has an impurity diffusion layer in the inner wall of the isolation trench 2 (the side wall of the active region 40) as the storage electrode, and the N type conductive film 4n in the isolation trench 2 as the cell plate electrode.例文帳に追加

活性領域４０の両端のキャパシタは、分離トレンチ２の内壁（活性領域４０の側壁）の不純物拡散層をストレージ電極とし、分離トレンチ２内のＮ型導電性膜４ｎをセルプレート電極とする。 - 特許庁

A light- diffusing layer 6 disposed on the front face side of the image output plane is formed by disposing a plurality of square diffusion sheets 16a in such a manner that the four sides of each sheet are parallel to the pixel lines running in the oblique directions R1, R2.例文帳に追加

画像出力面の前面側に配置された光拡散層６は、４辺がそれぞれ斜め方向Ｒ１、Ｒ２に延びる画素列と平行になるような四角形状の拡散シート１６ａを複数枚配設して構成される。 - 特許庁

The laminated wire 19 is electrically connected to the impurity diffusion layer 3 through the pattern 7 for conduction, so electric charges can be prevented from being accumulated in the laminated wire 19, and the etching can be prevented from being deterred owing to the accumulation of the electric charges.例文帳に追加

積層配線１９は導通用パターン７を介して不純物拡散層３に電気的に接続されているので、積層配線１９への電荷の蓄積を防止でき、電荷の蓄積に起因するエッチングの抑制を防止できる。 - 特許庁

A manufacturing method of an assembly of a fuel cell comprises the steps of preparing an assembly formed by joining a gas diffusion layer on an electrolyte through a catalyst (steps S1, S2), immersing the assembly in an immersing bath in which a solution containing a water-repellent fluorine polymer is stored (step S3), and then drying the assembly (step S4).例文帳に追加

電解質上に触媒を介してガス拡散層を接合した接合体を準備し（ステップＳ１，Ｓ２）、撥水性のフッ素系ポリマーを含む溶液が蓄えられた浸漬槽に浸漬し（ステップＳ３）、乾燥する（ステップＳ４）。 - 特許庁

A flow channel boundary part 52 is formed to the inside of a folded part of the oxidant gas flow channel 46 by notching a gas diffusion layer, and an insulating seal 54 for blocking leak of the reactive gas is formed to the flow channel boundary part 52.例文帳に追加

酸化剤ガス流路４６の折り返し部位内側には、流路境界部５２が、ガス拡散層を切り欠いて設けられるとともに、この流路境界部５２には、反応ガスの洩れを阻止するための絶縁性シール５４が配設される。 - 特許庁

As a gate region is formed of an N+ diffusion layer 11 located under a channel region 14, the surface of the channel region 14 is restrained from increasing in surface roughness by a flattening process, and a thin film transistor is restrained from deteriorating in driving capacity.例文帳に追加

ゲート領域が、チャネル領域４の下にあるｎ^+ 拡散層１１によって形成されているので、平坦化プロセスによってチャネル領域１４の表面粗さが大きくならず、薄膜トランジスタの駆動能力の低下を抑制する。 - 特許庁

First and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are worked as the field alleviating layer and the gate electrode 111 are formed so that a first insulating pattern 102 is used in a self-alignment process manner as a common mask.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３と、ゲート電極１１１とは、共に、第１の絶縁膜パターン１０２を共通のマスクとして自己整合的に形成される。 - 特許庁

The temperature monitoring wafer 10 is manufactured in which a high concentration n-type epitaxial growth layer 12 is formed on a p-type silicon substrate 11, and the coating by the coating film is conducted in order to prevent diffusion of the water as a whole to the external side of impurity.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１１上に高濃度のＮ型エピタキシャル成長層１２が形成されており、ウェーハ全体が不純物の外方への拡散を阻止するコーティング膜でコーティングされている温度モニタウェーハ１０を作成する。 - 特許庁

Then, a separator 6 is arranged on the side of one frame 4 and the gas diffusion layer 2, and by irradiating laser beam hv from the other frame 5 side and by melting the frame 4, the contact part of the frame 4 and the separator 6 is fusion joined.例文帳に追加

そして、一方のフレーム４及びガス拡散層２の面に、セパレータ６を配置し、他方のフレーム５側からレーザビームｈｖを照射し、該フレーム４を溶融させて当該フレーム４とセパレータ６との接触部を溶着接合する。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises the floating gate 5, a source diffusion layer 2 which is capacitive-coupled with the floating gate 5 and controls the potential of the floating gate 5, and the control gate 7 so disposed as to be opposite to the floating gate 5.例文帳に追加

この半導体メモリは、浮遊ゲート５と、浮遊ゲート５と容量結合され、浮遊ゲート５の電位を制御ゲートするためのソース拡散層２と、浮遊ゲート５と対向するように配置された制御ゲート７とを備えている。 - 特許庁

The method also comprises the step of extracting the grain boundary fault from a potential and carrier density obtained from the capacity-voltage measurement, and a current-voltage measurement by using a depletion layer approximation at the boundary, drift diffusion equation and thermo-ionic emission equation.例文帳に追加

容量-電圧測定から得られたポテンシャルとキャリア密度、および、電流-電圧測定から、粒界での空乏層近似とドリフト拡散方程式とサーモアイオニックエミッション方程式を用いて、粒界欠陥を抽出する。 - 特許庁

This procedure avoids increase in leakage current between the source and the drain caused by rediffusion in the n+ diffusion layer.例文帳に追加

さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチ溝を形成し前記トレンチ溝にゲート電極形成後にソースとなるN＋拡散層を形成しているため、N＋拡散層の再拡散によるソース及びドレイン間リーク電流が増大しない。 - 特許庁

Select gate lines exposed to open side walls at a bit line contact position and a source line contact position are covered with an insulating film for ion implantation, and a first conductive diffusion layer is formed for bit line contact and source line contact.例文帳に追加

ビット線コンタクト位置及びソース線コンタクト位置の開口側壁に露出した選択ゲート線を絶縁膜で覆った状態でイオン注入を行って、ビット線コンタクト及びソース線コンタクト用の第１導電型拡散層を形成する。 - 特許庁

This Ni plated steel sheet can be produced by forming the Fe-Ni diffusion layer which has numerous concaves of crack state on the surface by performing a heat treatment after plating Ni of 1 to 9 g/m2 on a surface of one side of the steel sheet.例文帳に追加

このＮｉメッキ鋼板は、鋼板の一方の面に１〜９ｇ／ｍ^2 のＮｉメッキを施した後、熱処理を行うことで表面に亀裂上の凹みを多数有するＦｅ−Ｎｉ拡散層を形成することにより製造できる。 - 特許庁

In the conductive polymer layer 52, conductive particles 511, 512 having different particle diameter are mixed, and the mixing quantity of conductive particles 511 having a smaller diameter is made gradually smaller from one end toward the other end of the gas diffusion electrode 54.例文帳に追加

導電性高分子層５２は粒径の異なる導電性粒子５１１、５１２が混合されており、粒径の小さい導電性粒子５１１の混合量をガス拡散電極５４の一端から他端に向かって少なくする。 - 特許庁

To provide a low resistance wiring layer structure that is not only high in adhesion with respect to a base substrate of a semiconductor substrate or a glass substrate, but is also superior in diffusion barrier characteristics to the base substrate, as well as, in resistance to hydrogen plasma, and to provide a process for manufacture thereof.例文帳に追加

半導体基板又はガラス基板の下地基板に対する密着性が高く、下地基板への拡散バリア性に優れ、かつ水素プラズマ耐性に優れた低抵抗な配線層構造、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a projecting and recessing diffusion layer 3, intervals between vertexes of projecting parts are 6-20 μm, heights of the vertexes of the projecting parts are randomly arranged and the mean value of differences between the vertexes of the projecting parts and bottom of the recessing parts is specified to be about 0.5 μm.例文帳に追加

凹凸拡散層３は、凸部の頂点の間隔が６μｍから２０μｍで、凸部の頂点の高さがランダムに配置されており、凸部の頂点と凹部の底点との差の平均は約０．５μｍに規定されている。 - 特許庁

Each fluorescent lamp 4 consists of a tubular bulb 15 the inside of which is covered with a film of fluorescent material and white or gray strip of light diffusion layer 18 applied on the external surface of the bulb 15 extending in the direction of the axis of the tube.例文帳に追加

各ランプ４は、内面に蛍光体被膜が設けられた管状をなすバルブ１５と、このバルブの外面に管軸方向に延びて帯状に設けられた白色又は灰色の光拡散性の光拡散層１８とを具備する。 - 特許庁

First and second n-type semiconductor parts 203a and 203b are provided on the surface of the p-type semiconductor layer 202, while a p-type surface diffusion part 206 is provided between the first and second n-type semiconductors 203a and 203b.例文帳に追加

Ｐ型半導体層２０２の表面部分に、第１および第２Ｎ型半導体部２０３ａ，２０３ｂをすると共に、この第１および第２Ｎ型半導体部２０３ａ，２０３ｂの間に、Ｐ型表面拡散部２０６を備える。 - 特許庁

To provide a glass ceramic wiring board with built-in capacitor capable of suppressing the counter diffusion of a dielectric layer and a glass ceramic laminate, of preventing the lowering of the capacitance of a capacitor formed within the glass ceramic wiring board, and of restraining its dispersion.例文帳に追加

誘電体層とガラスセラミック積層体との相互拡散を抑制し、ガラスセラミック配線基板内に形成したコンデンサの容量の低下を防ぎ、またそのバラツキを抑制するコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板を提供すること。 - 特許庁

A translucent semi-reflective inorganic thin film layer having 3-50% transmittance and 50-97% reflectance is formed by a dry film forming method on a substrate comprising a plastic film to obtain the objective translucent semi-reflective diffusion film.例文帳に追加

プラスチックフイルムからなる基材の上に、乾式製膜法によって形成した透過率が３〜５０％で、反射率が５０〜９７％の範囲にある半透過性で半反射性の無機薄膜層を設けた半透過半反射拡散フイルム。 - 特許庁

The light that has been diffused at the light diffusion part 7 and returned toward the inside of the light-emitting device 1, among the light emitted from the LED31, is reflected on the high reflection layer 22 and then directed toward the outside of the light-emitting device 1 again.例文帳に追加

ＬＥＤ３１から出射された光のうち、光拡散部７において拡散されて発光装置１の内部方向へ戻ってきた光は、高反射層２２により反射され、再び発光装置１の外部方向へ向かう。 - 特許庁

To provide an electrode in which sufficiently good ohmic contact state can be sustained for the bonding face to the compositional body of a thermocouple even if a material susceptible to formation of an oxide film is employed in a diffusion preventive layer.例文帳に追加

拡散防止層の材料に酸化膜が形成されやすい材料が用いられていても、熱電対の構成体との接合面に対して十分に良好なオーミック接触状態を維持できる電極構造を提供する。 - 特許庁

To provide a vertical type insulated gate field effect transistor reduced in the number of manufacturing process compared with that of a conventional field effect transistor, without increasing the rate of an area occupied by the chip of a bidirectional Zener diode formed in the same chip by the shape of a diffusion layer as the protective diode of a power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの保護用ダイオードとして同一チップに拡散層で形成される双方向ツェナーダイオードのチップに占める面積割合を増加させずに従来より製造工程数を低減させる。 - 特許庁

To prevent variation in a gate electrode that becomes a mask of slanting ion implantation when forming a pocket for a semiconductor device having a pocket region formed at the end of an impurity diffusion layer that becomes a source and a drain.例文帳に追加

ソース／ドレインとなる不純物拡散層の端部に形成されるポケット領域を有する半導体装置に関し、ポケット形成の際に斜めイオン注入のマスクとなるゲート電極のバラツキを防止することを目的とする。 - 特許庁

The magnetic powder is obtained by coating the surface of a transition metal oxide particle containing rare-earth elements with an alkali earth metal hydroxide layer, heating it, performing vapor phase reduction and slow oxidization, and further executing a reduction diffusion method.例文帳に追加

この磁性粉末は、希土類元素含有遷移金属酸化物粒子の表面を、アルカリ土類金属水酸化物層で被覆し、これを加熱し、気相還元および徐酸化した後、さらに還元拡散法を施すことにより得られる。 - 特許庁

An electromagnetic absorbing material includes a conductive carbon material containing layer, and a plurality of independent pattern which is desirably formed by a diffusion transferring process, formed by a metal.例文帳に追加

導電性炭素材料含有層と金属で形成された複数の独立したパターンを含むことを特徴とする電磁波吸収材料であって、好ましくは、当該パターンが、拡散転写法によって形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

A gas sensor element 1 has: an oxygen ion conductive solid electrolyte 11; a measured gas side electrode and a reference gas side electrode provided to the solid electrolyte 11; and a porous diffusion resistance layer 17 which transmits measured gas.例文帳に追加

ガスセンサ素子１は、酸素イオン伝導性の固体電解質体１１と固体電解質体１１に設けられた被測定ガス側電極及び基準ガス側電極と被測定ガスを透過させる多孔質の拡散抵抗層１７とを有する。 - 特許庁

A charge accumulation film and a gate electrode 105 are formed on a semiconductor layer, and two first conductivity diffusion regions A and B are formed in semiconductor layers on both sides of a channel region formed below the gate electrode 105.例文帳に追加

半導体層上に電荷蓄積膜とゲート電極１０５を形成し、ゲート電極１０５の下部に形成されたチャネル領域の両側の半導体層に２つの第１導電型の拡散領域Ａ及びＢを形成する。 - 特許庁

To provide a fuel battery capable of increasing an amount of water supplied to an anode (a fuel electrode) and suppressing the deterioration of the diffusion of an oxidizing gas on a cathode catalyst layer and obtaining a high output.例文帳に追加

アノード（燃料極）に供給する水量を増加させることができるとともに、カソード触媒層における酸化性ガスの拡散の低下を抑制し、高出力が得られる燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

Likewise, the cathode side electrode 44 of the third electrode film/electrode structural body 34 and the anode side electrode 42 of the other fourth electrolyte film/electrode structural body 36 are electrically connected with each other through a metal diffusion layer 58.例文帳に追加

同様に、第３電解質膜・電極構造体３４のカソード側電極４４と、他の第４電解質膜・電極構造体３６のアノード側電極４２とは、金属拡散層５８を介して電気的に接続される。 - 特許庁

In the method, an impurity ion is implanted to a silicon substrate 11, thus manufacturing a semiconductor device with a process for forming the diffusion layer of source or drain region 25 or 19.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１に不純物イオンを注入することにより、ソース領域２５又はドレイン領域１９の拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

Etching is carried out, then the photoresist is removed, as shown in Figure (a), a polysilicon plug 11 is left only between the gate electrodes 6 each provided with the gate electrode cover nitride film 5 in the region 12 with the n-type diffusion layer.例文帳に追加

エッチングを行いフォトレジストを除去すると、（ａ）に示すように、ｎ型拡散層を有する領域１２内にゲート電極カバー窒化膜５を有するゲート電極６の間にのみポリシリコンプラグ１１を形成するポリシリコンが残る。 - 特許庁

A polymer binder containing fine powder of a water repellent organic fluorine compound polymer is mixed with carbon black powder, and the resulting mixture is applied onto a carbon fiber nonwoven fabric and solidified by hot press to produce a porous diffusion layer 2 (preparation process).例文帳に追加

撥水性の有機フッ素化合物ポリマーの微粉末を含む高分子バインダーとカーボンブラック粉末とを混合し、カーボン繊維の不織布に塗布した後、ホットプレス法によって固めて多孔質の拡散層２を得る（準備工程）。 - 特許庁

When the protruded electrode 42 containing tin provided at the electronic component comes in contact with the coating layer 33, metal diffusion is hardly generated at the contact part, and an intermetallic compound is restrained from being generated and deposited on the contact part.例文帳に追加

電子部品に設けられたスズを含む突出電極４２が被覆層３３に接触したときに、その接触部で金属の拡散が生じにくく、接触部に金属間化合物が生成されて堆積されるのを抑制できる。 - 特許庁

By this constitution, the mutual flocculation of the rutile type titanium oxide particles is suppressed even in a case that the concentration of the rutile type titanium oxide is enhanced and higher diffusion reflectivity than an existing material having a coating layer can be obtained.例文帳に追加

かかる構成により，ルチル型酸化チタンの濃度を高くした場合でも，ルチル型酸化チタン同士の凝集を抑制できるようになり，既存の被覆層を有する材料より高拡散反射率が得られるようになる。 - 特許庁

A water-repellent layer film is installed at a back face side of an electrode base material 11 in spreading slurry of catalyst particles 14 and fluoride resin particles 15 on the electrode base material 11 at an absorption and filtration step of a gas diffusion electrode manufacturing process.例文帳に追加

ガス拡散電極製造工程の吸引濾過工程で電極基材１１上に触媒粒子１４及びフッ素樹脂粒子１５のスラリーを展開する際に、電極基材１１の背面側に撥水層膜を設置する。 - 特許庁

Either a metal protective film 5 having oxidation-resistance or a metal protective film 5 wherein oxide has conductivity is disposed on an antiferromagnetic layer 2 constituting an extraordinary magnetoresistance effect film 1 via a mutual diffusion preventing film 4.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果膜１を構成する反強磁性層２上に、相互拡散防止膜４を介して、耐酸化性を有する金属保護膜５或いは酸化物が導電性を有する金属保護膜５のいずれかを設ける。 - 特許庁

The oxide film 603 exposing over the semiconductor substrate 600 is removed, and a silicide film 607 is formed on the surfaces of the gate electrode 602 and first impurity diffusion layer 605, and then the sidewall 604 is removed.例文帳に追加

半導体基板６００の上に露出する酸化膜６０３を除去した後、ゲート電極６０２及び第１の不純物拡散層６０５の表面部にシリサイド膜６０７を形成し、その後、サイドウォール６０４を除去する。 - 特許庁