「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(106ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the diffusion layer 5 is located on the downstream side of the polarizing plate 4a on an optical path, reflection to the backlight unit 20 side and backward scattering are prevented by the polarizing plate 4a, and thus reduction of contrast and the NTSC ratio (color reproducibility) are eliminated.例文帳に追加

それとともに、拡散層５が光の通路上、偏光板４ａの下流側にあるので、この偏光板４ａによって、バックライトユニット２０側への反射や後方散乱が阻止され、コントラストやＮＴＳＣ比（色再現性）の低下がない。 - 特許庁

The end of the first semiconductor region 14 is positioned closer to the floating diffusion layer 25 than the end of a gate electrode 20 of the transfer transistor, and the end of the second semiconductor region 15 is positioned at substantially identical position of the end of the gate electrode 20 of the transfer transistor.例文帳に追加

第１の半導体領域１４の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部よりも浮遊拡散層２５側に位置し、第２の半導体領域１５の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部と略同じ位置である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an inorganic compound-coated steel product having an inorganic compound coating layer with lower apparent diffusion coefficient compared to that of a conventional corrosion protective coated steel product and having excellent chloride ion barrier property under a high salt environment such as the ocean.例文帳に追加

従来の防食被覆鋼材に比べ、無機化合物被覆層の見かけ拡散係数が低く、海洋等の高塩分環境における塩化物イオンバリア性に優れた無機化合物被覆鋼材の製造方法を提供するにある。 - 特許庁

A coverage rate representing the area of a region that is the sum of an impurity diffusion layer forming region and a gate electrode forming region per given area is determined to be different between the first region A1 and the second region A2 of the semiconductor substrate.例文帳に追加

ここで、所定面積あたりの不純物拡散層の形成領域とゲート電極の形成領域の和で示される領域の面積である被覆率が、半導体基板の第１の領域と第２の領域間で異なるようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing a carbonaceous fiber-woven fabric balancing properties such as gas-permeation property, electric conductivity, water-retenting and water-discharging properties, thickness unevenness, etc., and suitable for a solid polymer type gas-diffusion layer material for a fuel cell as a long length form having a wide utility.例文帳に追加

ガス透過性、導電性、保水性、排水性、厚さむら等の性質がバランスし、固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料として好適な炭素質繊維織布を、利用性の広い長尺状に作製する方法を提供する。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect type head, a fixed layer is constituted of a ferromagnetic film 12/an oxide film 13/a ferromagnetic film 14 and oxygen diffusion is suppressed by incorporating an element (Mg, Al, Si, Ca, Ti, Zr, etc.), having strong bonding force to oxygen into the oxide film 13.例文帳に追加

固定層を強磁性膜１２／酸化物膜１３／強磁性膜１４で構成し、酸化物膜１３に酸素との結合力の強い元素（Mg、Al、Si、Ca、Ti、Zrなど）を含ませることによって酸素拡散を抑止した磁気抵抗効果型ヘッドとする。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device in which a source/drain diffusion layer having a straight line portion which is equal to or below the limit of the resolution of lithography used as a memory cell array region and a connection portion which connects the straight line portion can be formed easily.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域となるリソグラフィの解像限界以下の直線部と、その直線部を接続する接続部とを有するソース・ドレイン拡散層を簡易に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The area of a region in which boron is diffused is limited in the area of the p^+-type buried diffusion layer because the opening section corresponding to the scribing line is not formed, and the area of the region is made largely smaller than the case when the opening section corresponding to the scribing line is formed.例文帳に追加

スクライブラインに対応する開口部を形成しないことで、ボロンを拡散する領域の面積がＰ^＋型埋め込み拡散層の面積に限られ、スクライブラインに対応する開口部を形成した場合に比べて大幅に削減される。 - 特許庁

The corrosion-resistant member 3 consisting of a sintered body composed mainly of at least one kind selected from Group II or Group III elements of the periodic table, is joined to the surface of the ceramic base material 2 through a mutual diffusion layer 4 between the ceramic base material 2 and the corrosion-resistant member 3.例文帳に追加

セラミック基材２表面に、周期律表第２族あるいは第３族元素の少なくとも１種を主成分とする焼結体から成る耐食材３を、前記セラミック基材２と耐食材３との相互拡散層４を介して接合する。 - 特許庁

To provide a low-cost fuel cell separator, and its manufacturing method, fully endowed with corrosion resistance, mechanical strength or the like, and at the same time, with contact resistance alleviated between a gas diffusion layer and the separator, and enabled to be downsized.例文帳に追加

耐食性と機械的強度などを充分に有すると同時にガス拡散層とセパレータとの間の接触抵抗を低減するとともに薄型化を可能にした、安価な燃料電池用セパレータの提供およびその製造方法の提供。 - 特許庁

A sidewall spacer is formed on the sidewall of a reset gate opposing the selection gate and on the sidewall of the selection gate, the upper part of the diode region is covered, and the blocking, which expands to the active region to cover the transfer gate and the floating diffusion layer, is formed.例文帳に追加

選択ゲートに対向するリセットゲートの側壁及び選択ゲートの側壁上に側壁スペーサを形成し、ダイオード領域の上部を覆い、活性領域まで拡張してトランスファゲート及び浮遊拡散層を覆うブロッキングを形成する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a fabrication method thereof in which the barrier performance can be enhanced without destructing a diffusion layer on the surface of a substrate or deteriorating the aspect ratio of the contact hole while preventing fabrication yield from decreasing.例文帳に追加

基板表面の拡散層の破壊及びコンタクトホールのアスペクト比の悪化を生じることなく、バリア性を向上させることができると共に、製品歩留の低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a membrane/electrode assembly for a fuel cell and its manufacturing method advantageous for restraining a flooding phenomenon of water produced by power generation reaction blocking a gas channel, a gas diffusion layer for a fuel cell and its manufacturing method.例文帳に追加

発電反応で生成された水がガス通路を塞ぐというフラッディング現象を抑制するのに有利な燃料電池用の膜・電極接合体及びその製造方法、燃料電池用のガス拡散層及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of stably securing the concentration of impurities in a diffusion layer at the side of a gate electrode and capable of stabilizing a distance between PN junctions capable of obtaining a semiconductor device having stable element characteristics.例文帳に追加

ゲート電極脇の拡散層における不純物濃度を安定的に確保でき、またＰＮ接合間距離を安定化させることが可能で、これにより安定な素子特性を有する半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of surely obtaining a wiring board resistant to warp in a glass-ceramic-made substrate with little diffusion of Cu into the glass-ceramic and having a Cu-metallized layer relatively densely and rigidly adhered.例文帳に追加

ガラス−セラミックからなる基板に反りが生じにくく且つ当該ガラス−セラミック中にＣｕの拡散が少ないと共に、比較的緻密で且つ強固に密着したＣｕメタライズ層を有する配線基板が確実に得られる製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device 1 has grooves 16, the gate insulating films 17 formed on the surfaces of the grooves 16 respectively, gate electrodes 18 embedded in the grooves 16 respectively, and an N^+-type source diffusion layer 15 formed to be adjacent to the grooves 16.例文帳に追加

この半導体装置１は、溝部１６と、溝部１６の表面上に形成されたゲート絶縁膜１７と、溝部１６に埋め込まれたゲート電極１８と、溝部１６に隣接するように形成されたＮ^＋型ソース拡散層１５とを備えている。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device including an n channel MIS transistor and a p channel MIS transistor formed on one substrate wherein resistances at a gate electrode and a diffusion layer hardly increase, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ｎチャネルＭＩＳトランジスタとｐチャネルＭＩＳトランジスタとが１つの基板に形成された半導体装置において、ゲート電極及び拡散層における抵抗が上昇しにくい半導体装置及びその製造方法を実現できるようにする。 - 特許庁

The cross sectional shape of a diffusion layer 7 of a second reflecting face 9a is formed to be a long side face of sawtooth shape, and the inclination angle of the second reflecting face 9a is formed to be an angle at which an emission light can be reflected at a reflection angle of about 0-degree.例文帳に追加

第２反射面９ａは、拡散層７の断面形状が鋸歯形状の長辺面とされ、第２反射面９ａの傾斜の角度は、照射光をほぼ０°の反射角をもって反射させることができる角度に形成されている。 - 特許庁

This front plate 1 is used for the back projection type screen and has a diffusion layer 14 in an area at a specific distance from each of the incidence surface 12 and projection surface 11 of the front plate 1.例文帳に追加

本発明にかかる前面板は、背面投射型スクリーンにおいて用いられる前面板１であって、当該前面板１の入射面１２と出射面１１の各々より所定距離分離れた領域に拡散層１４を有するものである。 - 特許庁

In the light diffusion sheet which is made by dispersing transparent fine particles of a porous material in a transparent base material layer, the transparent fine particle has many voids inside and preferably has many recessed depression parts on a surface part.例文帳に追加

透明な基材層中に多孔質の透明微粒子が分散した光拡散シートであって、前記透明微粒子が内部に多数の空隙を有し、好ましくは表面部分に多数の凹陥部を有することを特徴とする光拡散シート。 - 特許庁

To provide a new positive active material realizing a secondary battery with improved cycle characteristics and low temperature characteristics by optimizing a diffusion state of a conductive material in an active material layer and an adhesion state of the conductive material with an active material.例文帳に追加

活物質層中における導電材の分散状態や導電材と活物質との密着状態を最適にし、結果としてサイクル特性や低温特性の改善されたリチウム二次電池を実現し得る新規な正極活物質を提供する。 - 特許庁

The diffusion layer 17 has a gate region 24 provided right below the gate electrode 20 and is provided with a pair of groove portions 25 between the gate region 24 and source electrode and between the gate region 24 and drain electrode 22.例文帳に追加

拡散層１７は、ゲート電極２０の直下に設けられたゲート領域２４を有しており、このゲート領域２４とソース電極２１との間およびゲート領域２４とドレイン電極２２との間に一対の溝部２５が設けられている。 - 特許庁

The electrode is manufactured by forming a water repellent layer containing sulfur and at least one kind of its compound by a liquid phase method or a gas phase method on a part or whole of the surface of the conductive porous body which is a gas diffusion electrode.例文帳に追加

この電極は、ガス拡散用電極である導電性多孔体の表面の一部又は全部に、硫黄及びその化合物の少なくとも１種を含む撥水層を液相法又は気相法により形成させることにより製造される。 - 特許庁

The grooves 34 have respective blocking portions 36 that block direct flow of hydrogen into the respective cavities formed by the respective grooves 34 and that allow flow of hydrogen into the respective cavities through an anode-side gas diffusion layer 20a.例文帳に追加

複数の溝部３４は、溝部３４によって形成される空隙内への水素の直接的な流入を阻害し、水素を、アノード側ガス拡散層２０ａを透過させてから、上記空隙内に流入させるための阻害部３６を備える。 - 特許庁

To solve problems that cell voltage is low because of low diffusion velocity of gas such as reaction gas and product gas and liquid such as reaction liquid and product water in a catalyst layer comprising conductive carbon particles carried with catalyst metal and a polymer electrolyte.例文帳に追加

触媒金属を担持した導電性炭素粒子と、高分子電解質からなる触媒層において、反応ガスおよび生成物ガスなどの気体、反応液体、生成水などの液体の拡散速度が遅いため電池電圧が低い。 - 特許庁

A plurality of through holes for discharging water generated in the reaction layer are formed on the diffusion layers 201 of at least one of cells, and a filling material having heat insulating and hydrophilic performance is filled in each through hole.例文帳に追加

セルの少なくとも一方の前記拡散層２０１に、前記反応層において生成された水を外部に排出するための複数の貫通孔が形成され、該各貫通孔に、断熱性及び親水性を有する充填材が充填される。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 4, an organic polysilcon film 5, and a second interlayer insulating film 6 composed of a material different from that of the first interlayer insulating film 4 are formed in this order on a diffusion prevention film 3 formed on a lower layer interconnect line 2.例文帳に追加

下層配線２上に形成された拡散防止膜３の上に、第１の層間絶縁膜４、有機ポリシリコン膜５、および、第１の層間絶縁膜４とは異なる材料からなる第２の層間絶縁膜６をこの順に形成する。 - 特許庁

Then, fluorescent diffusion light-emitting pattern 30 for dispersing and irradiating visible light toward each key top 13 is screen-printed on the surface of each click part 11 of the low rubber layer 10 by transmission of near ultraviolet rays from the ultraviolet LED 20 to the click part 11.例文帳に追加

そして、ローゴム層１０の各クリック部１１の表面に、紫外線ＬＥＤ２０からクリック部１１への近紫外線の伝送により、キートップ１３に向けて可視光を拡散照射する蛍光拡散発光模様３０をスクリーン印刷する。 - 特許庁

The gas diffusion layer has a gas flow way which uses an electrolyte film side as its bottom, and a property of a carbon fiber which constitutes the bottom of the above gas flow way differs from the property of the carbon fiber which constitutes the side wall and/or the ceiling face of the gas flow way.例文帳に追加

ガス拡散層は、電解質膜側を底面とするガス流路を有し、前記ガス流路の底面を構成するカーボン繊維の性状がガス流路の側壁および／またはガス流路の天面を構成するカーボン繊維のそれと異なっている。 - 特許庁

The metallic layers 12 are composed of horizontal layers 12H and 13H, which are in contact with the upper surface of the diffusion layer and vertical layers 12V and 13V, which are in contact with the side walls 7 and 8, and the vertical layers 12V and 13V are further reduced in electrical resistance.例文帳に追加

金属層１２，１３は、拡散層の上面に接触する水平層１２Ｈ，１３Ｈと第１サイドウオール７，８に接触する垂直層１２Ｖ，１３Ｖ）からなり、垂直層１２Ｖ，１３Ｖは電気抵抗が更に低くなっている。 - 特許庁

This oxide super-conductive compound multi-core wire material is manufactured by bundling plural compound strands, binding the outside thereof by a metal tape or a metal wire material, compressing the bound strands, heat-treating the same, and forming a metal diffusion layer between the compound strands.例文帳に追加

この酸化物超電導複合多芯線材は、複合素線を複数本束ね、その外側を金属テープ又は金属線材で結束し、圧縮加工を施し、熱処理して、複合素線間に金属拡散層を形成することにより製造される。 - 特許庁

Ion diffusion on the surface of a positive active material is improved, growth of a positive electrode film is suppressed even when the thickness of a positive active material layer is increased, and increase in charge transfer resistance in the positive electrode can be suppressed.例文帳に追加

これにより、正極活物質層表面でのイオン拡散性を改善し、正極活物質層の厚みを厚くした場合であっても正極皮膜の成長を抑制し、正極での電荷移動抵抗の上昇を抑制することができる。 - 特許庁

A gas concentration sensor 100 has a pump cell 110 for detecting the concentration of oxygen in exhaust gas and a sensor cell 120 for detecting the concentration of NOx in the exhaust gas and a porous diffusion layer 101 is provided between the cells 110, 120.例文帳に追加

ガス濃度センサ１００は、排ガス中の酸素濃度を検出するためのポンプセル１１０と、排ガス中のＮＯｘ濃度を検出するためのセンサセル１２０とを有し、各セル１１０，１２０の間に多孔質拡散層１０１が設けられる。 - 特許庁

The fuel cell also has a gasket which is arranged so as to contact at least a part of the end face of the power generation body in order to suppress leakage of gas to the outside and circulation of gas between the gas diffusion electrode layers on both sides of the electrolyte layer.例文帳に追加

また燃料電池は、外部への気体の漏洩と、電解質層の両面のガス拡散電極層間における気体の流通とを抑制するために、発電体の端面の少なくとも一部に当接するように配置されたガスケットを備える。 - 特許庁

Charge holding portions 10A, 10B are formed on both sides of the gate electrode 13 respectively, and first and second diffusion-layer regions 17, 18 with a second conductive type are formed on regions of the semiconductor substrate 11 corresponding to the portions 10A, 10B, respectively.例文帳に追加

ゲート電極１３の両側に電荷保持部１０Ａ，１０Ｂを夫々形成し、電荷保持部１０Ａ，１０Ｂに対応する半導体基板１１の領域に第２導電型の第１，第２の拡散層領域１７，１８を夫々形成する。 - 特許庁

To improve electron and hole mobilities in a channel party by employing a distorted Si/SiGe structure (or distorted Si/SiGeC structure), to keep the crystallinity of such a heterostructure in a proper condition, to prevent shortening of an effective channel length and diffusion of a Ge, and to reduce the resistance of the source layer and chain layer.例文帳に追加

歪Ｓｉ／ＳｉＧｅ構造（または歪Ｓｉ／ＳｉＧｅＣ構造）を採用してチャネル部分の電子移動度または正孔移動度の向上を行うと共に、かかるヘテロ構造の結晶性を良好な状態に保ち、実効チャネル長の短縮を防ぎ、Ｇｅの拡散を防ぐと共に、ソース層およびドレイン層の抵抗を低くする。 - 特許庁

The hologram reflection plate 10 disposed in the rear of a liquid crystal panel and reflecting incident light in a specific direction and range is characterized in that a light diffusion agent is dispersed in an adhesion layer laminating a hologram 11 and a light reflection layer 12 and the hologram is to be a hologram of a volume phase transmission type, a surface relief type or the like.例文帳に追加

液晶パネルの背面側に配置され、入射光を特定方向、範囲に反射させるホログラム反射板１０において、ホログラム１１と光反射層１２とを積層する粘着層中に光拡散剤が分散された構成である体積位相透過型、又は表面レリーフ型等のホログラムであることを特徴とするホログラム反射板。 - 特許庁

The ratio of the thickness of a diffusion layer to that of the layer having the low refractive index is made larger so that the ratio of phase change among the respective layers is not changed suddenly when the multilayer film is scraped off in order to adjust the phase of the light to be reflected by the multilayer film reflection mirror.例文帳に追加

本発明による多層膜反射鏡は、前記多層膜反射鏡によって反射される光の位相を調整するために多層膜を削り取る際に、各層間で位相変化の割合が急激に変化しないように、前記屈折率の低い層の厚さに対する拡散層の厚さの比率を大きくしたことを特徴とする。 - 特許庁

This varactor diode does not have a junction formed of the p^+ diffusion layer which is hard to vary in capacity and has high resistance and the n type epitaxial layer 20, so the capacity variation rate of the p-n junction is improved and the diode is driven with the low voltage, so that the capacity variation of the p-n junction can follow up a high-frequency voltage.例文帳に追加

本発明の可変容量ダイオードでは、容量が変化しにくく高抵抗であるｐ^+拡散層４０とｎ型エピタキシャル層２０との接合が形成されないので、ｐｎ接合の容量変化率が向上して低電圧で駆動されるようになり、ｐｎ接合の容量変化が高周波の電圧に追従できるようになる。 - 特許庁

When information light 1 which carries information by spatial modulation and reference light 2 for recording are allowed to interfere in an information recording layer 4 of a recording medium and the information is recorded according to the resulting interference pattern, diffusion of the reference light 2 for recording is controlled so that rays of the reference light 2 for recording cause no interference in the information recording layer 4.例文帳に追加

空間的に変調することで情報を担持した情報光１と、記録用参照光２とを記録媒体の情報記録層４において干渉させ、当該干渉パターンによって情報を記録する際に、記録用参照光２同士が情報記録層４において干渉を生じないように記録用参照光２の発散を制御する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element, in which transparent semiconductors functioning as current diffusing layers can be formed efficiently on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section and the variation of the serial resistance, in which the forward current of the element hardly occurs, and which can suppress the deterioration of the light-emitting layer section caused by the thermal diffusion of a dopant profile.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ発光層部の両主表面側に電流拡散層として機能する透明半導体を効率よく形成でき、また、発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制でき、さらに、素子の直列抵抗ひいては順方向電流のばらつきも生じにくい発光素子を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor light-emitting element 1 absorbs in advance Si atoms 41 obtained by thermal decomposition of SiH_4, thereby forming a diffusion protection layer 31 composed of Si-doped InP with high impurity concentration on one surface of a semiconductor substrate 11 and side surfaces of a semiconductor mesa part 12 in the initial growth of a buried layer 13.例文帳に追加

半導体レーザ素子１の製造方法では、ＳｉＨ_４を熱分解して得られるＳｉ原子４１を予め吸着させることにより、埋込層１３の初期成長において、半導体基板１１の一面及び半導体メサ部１２の側面に、高不純物濃度のＳｉドープＩｎＰによる拡散防止層３１を形成する。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a number of micro grooves 1 having an aspect ratio of one or more, forming and heat treating a polysilicon layer 31 doped in high concentration on an inside wall of the groove 1, forming a diffusion layer 32 to be becoming a drain region, forming trenches 101, 102 by removing silicon pillars 4, and filling the trenches 101, 102 by an insulating film 33.例文帳に追加

アスペクト比が１以上の微小な溝１を多数形成し、この溝１内壁に高濃度にドープされたポリシリコン層３１を形成して、熱処理し、ドレイン領域となる拡散層３２を形成し、シリコン柱４を除去することでトレンチ１０１、１０２を形成し、このトレンチ１０１、１０２内を絶縁膜３３で埋める。 - 特許庁

The hydrogen-permeable membrane selectively permeates hydrogen, includes a metal layer, wherein the theoretical hydrogen permeability defined by the diffusion coefficient of hydrogen and the product of the degree of solid solution is equal to the pure Pd or higher, and forms the hydrogen-permeable membrane having the thickness of a surface oxidized layer of at least one side of two surfaces of the hydrogen-permeable membrane is 100 nm or less.例文帳に追加

水素を選択的に透過させる水素透過膜であって、水素の拡散係数と固溶度の積で定義される理論水素透過度が純Pdと同等以上の金属層を含み、前記水素透過膜の２つの面のうち少なくとも一方の表面酸化物層厚が１００nm以下である水素透過膜を形成する。 - 特許庁

In this compound light diffuser for a liquid crystal backlight, a functional film having light diffusion property and a thickness of 20-500 μm is stacked on at least one side of a thermoplastic resin plate via an adhesively bonding layer, and the adhesively bonding layer is 10-100 μm thick, and has a porosity of 30-90%.例文帳に追加

光拡散性を有する厚さ２０〜５００μｍの機能性フィルムが、熱可塑性樹脂板の少なくとも片側面に、接着層を介して積層される光拡散板であって、該接着層は厚みが１０〜１００μｍであり、３０〜９０％の空孔率を有していることを特徴とする液晶バックライト用複合光拡散板。 - 特許庁