「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(108ページ目) - Weblio英語例文検索

An extension part 18a of the gate electrode covers a part of gate insulating film 17b on the second element region 15, and is connected to the n+ diffusion layer 16 on the second element region 15 through an opening 17c provided to the gate insulating film 17b.例文帳に追加

ゲート電極の延出部１８ａは、第２の素子領域１５上のゲート絶縁膜１７ｂの一部を被覆しており、ゲート絶縁膜１７ｂに備えられた開口部１７ｃを通じて、第２の素子領域１５上のｎ＋拡散層１６に接続されている。 - 特許庁

On an Si substrate 1, a Cr-Ta film 2 as a diffusion preventive layer, a lower electrode composed of a Pt film 3, a ferroelectric film 4 composed of PZT and an upper electrode composed of a Pt film 5 are laminated in this order to compose a ferroelectric capacitor 10.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に拡散防止層としてＣｒ−Ｔａ膜２と、Ｐｔ膜３からなる下部電極と、ＰＺＴからなる強誘電体膜４と、Ｐｔ膜５からなる上部電極とをこの順に積層して強誘電体キャパシタ１０を構成する。 - 特許庁

When the focal length of the first lens array 11 or the second lens array 15 is defied as T, a diffusion layer 21 is provided at a position apart with respect to the exit side by T to <2T than the focal positions of the first lens array and the second lens array.例文帳に追加

また、第１のレンズ列１１又は第２のレンズ列１５の焦点距離をＴとしたとき、当該第１のレンズ列及び当該第２のレンズ列の焦点位置よりＴ以上２Ｔ未満だけ出射側に離れた位置に拡散層２１を設けている。 - 特許庁

To restrain generation of a moire without damaging display quality, in a direct-view type liquid crystal display device in which a light diffusion layer having a stripe structure extending in either the vertical or horizontal direction is provided on an observer side of a liquid crystal display panel.例文帳に追加

垂直方向または水平方向のいずれか一方に延びるストライプ構造を有する光拡散層を液晶表示パネルの観察者側に備えた直視型の液晶表示装置におけるモアレの発生を、表示品位を損なうことなく抑制する。 - 特許庁

To solve the problem that when a finer dielectric memory is manufactured, the aspect ratio in the structure for leading out the electric potential of an upper electrode to a diffusion layer becomes large, so that the coverage of the upper electrode is deteriorated and the upper electrode is disconnected upon the heat treatment for crystallizing the dielectric.例文帳に追加

誘電体メモリの微細化が進むと、上部電極の電位を拡散層へ引き出す構造におけるアスペクト比が大きくなるため、上部電極のカバレッジが悪化し、誘電体を結晶化させる熱処理時に上部電極が断線してしまう。 - 特許庁

To remove remaining amorphous or polycrystalline silicon through a process, in which amorphous or polysilicon is deposited on a silicon semiconductor substrate, and the amorphous or polysilicon is solid-phase down selectively only on an impurity diffusion region to a single crystal layer, without treatment at a high temperature, through etching.例文帳に追加

シリコン半導体基板にアモルファス又はポリシリコンを堆積後高温処理を伴わずに選択的にこれを不純物拡散領域上のみ単結晶層に固相成長させる工程を経て残留したアモルファスや多結晶のシリコンをエッチング除去する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode junction element for direct methanol type fuel cell (MEA for DMFC) capable of improving diffusion performance of fuel in the catalyst layer of the anode and discharge performance of CO_2 generated, and to provide a DMFC that uses the MEA.例文帳に追加

アノードの触媒層における燃料の拡散性および生成したＣＯ_２の排出性を向上させることが可能な直接メタノール形燃料電池用膜／電極接合体（ＤＭＦＣ用ＭＥＡ）およびそのＭＥＡを用いたＤＭＦＣを提供する。 - 特許庁

An outer peripheral end face of the gas diffusion layer 28a has a separation face 52a formed by separating a circumference edge 50a, which is used as a positioning part, at a fixed separation section after unification with the solid polymer electrolyte film 18 by hot pressing.例文帳に追加

ガス拡散層２８ａの外周端面には、固体高分子電解質膜１８にホットプレスにより一体化された後、位置決め部として使用された外周縁部５０ａが、予め設定された分離部位から切り離されることにより、分離面５２ａが形成される。 - 特許庁

Then, a photoresist film is formed on at least one of the plurality of diffusion layer regions; and while a ground potential is supplied to the back side of the semiconductor substrate, plasma ashing processing is applied to the photoresist film so that the photoresist film can be removed.例文帳に追加

次いで、当該複数の拡散層領域のうちの少なくとも１つの拡散層領域上にフォトレジスト膜を形成し、半導体基板の裏面側に接地電位を供給しつつ、プラズマアッシング処理を当該フォトレジスト膜に施すことによってこれを除去する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly, capable of suppressing degradation of power generation efficiency by suppression of soaking of a resin material from an outer edge part to a central part of a gas diffusion layer, when a frame body is formed by resin molding adjacent to the outer edge part of the membrane electrode assembly.例文帳に追加

膜電極接合体の外縁部に隣接して枠体を樹脂成形する際に、ガス拡散層の外縁部から中心部への樹脂材料の染み込みを抑えて、発電効率の低下を抑えることができる膜電極接合体を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell which does not improperly affect a transistor characteristic and contact opening and is equipped with a structure capable of keeping excellently a dielectric breakdown strength of a diffusion-layer making electrode and gate electrode even with a process variance.例文帳に追加

トランジスタ特性やコンタクト開口性に不都合な影響がなく、かつプロセスばらつきが生じても、拡散層取り出し電極とゲート電極の絶縁耐圧を良好に確保できる構成を備えたＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The method for making a planographic printing plate is carried out by exposing a photographic material having a silver halide emulsion layer, developing (without including a process of silver complex salt diffusion transfer development), and then treating with a treating liquid containing a pyridine-N-oxide compound having a mercapto group in the molecule.例文帳に追加

ハロゲン化銀乳剤層を有する写真材料を露光し、現像処理（銀錯塩拡散転写現像を含まない）後、分子中にメルカプト基を有するピリジン−Ｎ−オキシド化合物を含有する処理液で処理する平版印刷版の作成方法。 - 特許庁

A barrier layer is formed by flowing the indoor air flow parallel with the air-conditioning air flow between the air-conditioning air flow blown to the local areas and the indoor atmosphere to obstruct the diffusion of the air-conditioning air flow by the indoor atmosphere.例文帳に追加

局所に向かって吹出された空調空気流と室内雰囲気との間に，空調空気流と平行な室内空気流を流すことにより，一種のバリア層を形成し，空調空気流が室内雰囲気によって拡散されるのを妨げることができる。 - 特許庁

The surface cloth as a diffusion reflection layer is woven in the thickness of 150-200μm, for instance, by the density of about 100 threads/inch by using a thread where titanium oxide, a white pigment or a fluorescent dye are mixed, and surface roughness (SMD) by a KES method is set, for instance, 0.4-0.5 micron.例文帳に追加

拡散反射層としての表地は、酸化チタン、白色顔料または蛍光染料を練り込んだ糸を用い、例えば、約１００本／インチの密度で１５０〜２００μｍの厚みに製織したものであり、KES法による表面粗さ(SMD)が例えば０．４〜０．５micronである。 - 特許庁

The titanium material 1, which has the thermal spray film layer after the fusion diffusion treatment as a joining face, and the aluminum material 2 are butted, both are joined with using TIG welding using an aluminum filler material or brazing joing using brazing filler metal.例文帳に追加

溶融拡散処理後の溶射皮膜層３を接合面としてチタン系材料１とアルミニウム系材料２とを突き合わせて、アルミニウム系溶加材を用いたＴＩＧ溶接もしくはアルミニウム系ろう材を用いたろう付け接合法により両者を接合する。 - 特許庁

To provide an electrode structure for a solid polymer fuel cell capable of suppressing reduction of the power generation property of the fuel cell by suppressing deposition of a ruthenium component at an anode diffusion layer even in a condition of shortage of fuel and in a high voltage operation.例文帳に追加

燃料不足状況および高電位運転においても、Ｒｕ成分のアノード拡散層での析出を抑え、燃料電池の発電性能の低下を抑制することができる固体高分子型燃料電池用電極構造体を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive suitable for a solid polymer fuel cell without fear of exfoliation between a solid polymer electrolyte film and a gas diffusion layer with enough adhesion durability, even if the solid polymer electrolyte film changes in dimension through repetition of wetting and drying.例文帳に追加

固体高分子電解質膜が湿潤と乾燥を繰り返し寸法変化しても、固体高分子電解質膜とガス拡散層とが剥離することが無く充分に接着耐久性のある固体高分子型燃料電池に好適な接着剤を提供する。 - 特許庁

The top of an aluminum substrate surface-treated with an acidic aqueous solution of ≤pH 5 at 10-70°C after surface roughening and anodic oxidation is coated with a silver halide-containing emulsion layer to obtain the objective silver salt diffusion transfer type planographic printing plate.例文帳に追加

粗面化処理及び陽極酸化処理に続き、その表面を１０〜７０℃でｐＨ５以下の酸性の水溶液で処理されたアルミニウム支持体上に、ハロゲン化銀を含む乳剤層を塗布してなることを特徴とする銀塩拡散転写型平版印刷版。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device including MOS field effect transistors or the like capable of performing manufacturing by avoiding an inverting layer from being produced beneath a dummy gate even in the case of ion implantation of a conductive impurity with positive electric charges to thereby prevent accelerated diffusion.例文帳に追加

プラスの電荷を有する導電性不純物をイオン注入してもダミーゲート直下に反転層を生成させず、これにより増速拡散を防止して製造できるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A delay determined by a time constant depending on an output resistance and a diffusion layer capacitance of a MOS transistor(TR) single body connected to each input terminal and being a component of the multi-input logic gate circuit is used for a minimum unit of the variable delay time.例文帳に追加

多入力論理ゲート回路を構成するＭＯＳトランジスタであって、各入力端子に接続されるＭＯＳトランジスタ単体の拡散層容量と出力抵抗で決まる時定数による遅延を、可変遅延時間の最小単位として用いる。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a circuit 6 for phase compensation which uses an MOS capacitance of a structure, having an insulating film between a gate electrode formed on a semiconductor substrate and a diffusion layer, wherein the circuit for phase compensation consists of first and second MOS capacitances 14, 15.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたゲート電極と拡散層間に絶縁膜を有する構造のＭＯＳ容量を用いた位相補償用回路６を備え、位相補償用回路は第１および第２のＭＯＳ容量１４、１５により構成される。 - 特許庁

The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.例文帳に追加

分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁

At an end part of a first common gate which included in a second CMOS inverter 20, a first contact part 20c is formed which is electrically connected to a p-type drain diffusion layer 21d of a p-type MOSFET 21p of the second CMOS inverter 20.例文帳に追加

第１共有ゲート１０Ｇの第２のＣＭＯＳインバータ２０に含まれる端部には、第２のＣＭＯＳインバータ２０におけるｐ型ＭＯＳＦＥＴ２１ｐのｐ型ドレイン拡散層２１ｄと電気的に接続される第１コンタクト部１０ｃが形成されている。 - 特許庁

When viewed from a lamination direction, an electrolyte-electrode assembly and a separator are joined so that a site B in which the gas diffusion layer 14b is not crushed is coincident with a convex part 20bS of the separator 20, and so that a crushed site A is coincident with a recessed part 20bR of the separator 20.例文帳に追加

電解質−電極接合体とセパレータとを、積層方向から見たとき、ガス拡散層１４ｂのつぶれていない部位Ｂがセパレータ２０の凸部２０ｂＳと一致し、つぶれた部位Ａがセパレータ２０の凹部２０ｂＲと一致するように接合する。 - 特許庁

On the side opposite the electrolyte layer 13 of the positive electrode 12 an aeration structure 15 is provided so as to prevent any foreign matter from straightly reaching the positive electrode 12 directly while the external air is supplied to the positive electrode 12 by natural diffusion through the gap.例文帳に追加

正極１２の電解質層１３と反対側には通気構造体１５が設けられており、間隙を介して外気を自然拡散により正極１２供給しつつ、異物が直線的に直接正極１２に達することを防止できるようになっている。 - 特許庁

In the manufacturing method of the gas diffusion layer electrode base material for the polymer electrolyte fuel cell, a paper-shaped body including carbon short fiber is impregnated with carbon precursor resin to harden it, through-holes with different densities and/or pore sizes in the plane direction are opened on it, and later, it is carbonized.例文帳に追加

炭素短繊維を含む紙状体に炭素前駆体樹脂を含浸して硬化し、密度及び／又は孔径が面方向に異なる貫通孔を開け、その後に炭素化する高分子電解質型燃料電池用ガス拡散層電極基材の製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for which wiring or a diffusion layer is formed using a high accuracy mask even while the performance of a high speed circuit part is not lowered or is equivalent and using the low accuracy mask of accuracy lower than that, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高速回路部分の性能は下げないか同等でありながら高精度マスクを用いると共にこれより精度の低い低精度マスクを用いて配線もしくは拡散層を形成した半導体集積回路及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The emitter region 6 and the collector region are arranged separately in the width direction of the side wall and the depth direction of the semiconductor substrate 1 through the second conductive type impurity diffusion layer 5, and they are arranged in the closest position in width direction of the side wall.例文帳に追加

前記エミッタ領域６と前記コレクタ領域とは前記第２導電型の不純物拡散層５を介してサイドウオールの幅方向及び半導体基板１の深さ方向に離間して配置され、かつサイドウオールの幅方向において最近接して配置されている。 - 特許庁

To provide water repellent paste for gas diffusion layer with an excellent binding capacity, water repellency, proper permeability to a base material, and plane uniformity by not fiberizing fluororesin by a comparatively low shear force, but by fiberizing on a base material when coating by a high shear force.例文帳に追加

比較的低い剪断力ではフッ素樹脂は繊維化せずに、高剪断力で塗工するときに基材上で繊維化することによって、結着力、撥水性、基材への適度の浸透性、平面均一性に優れたガス拡散層用撥水ペーストを提供すること。 - 特許庁

Holes are bored in the resin base material 8 through chemical processing, and electrodes 5 which are electrically connected to silicon substrates 2 of the respective photovoltaic cell elements 1 and electrodes 6 which are electrically connected to the diffusion layer 4 are formed and arrayed at respective hole positions while spaced from one another.例文帳に追加

樹脂基材８に化学的処理により穴開け加工を施し、該穴位置に各光電池セル素子１のシリコン基板２に電気的に導通する電極５と、拡散層４に電気的に導通する電極６を形成して互いに間隔を介して配列する。 - 特許庁

A transfer facilitation region 140 is formed in the lower layer region of a transfer gate 130 while being self-aligned by performing extra ion implantation to the entire region beneath a floating diffusion part 120, a photodiode 110 and the transfer gate 130 constituting an imaging element.例文帳に追加

撮像画素を構成するフローティングデフュージョン部１２０、フォトダイオード１１０、転送ゲート部１３０下の全領域に対して追加のイオン注入を行うことにより、自己整合的に転送容易化領域１４０を転送ゲート部１３０の下層領域に形成する。 - 特許庁

To form a diffusion preventing layer properly on the surface part of semiconductor substrate each corresponding to at least the edge of the CB side of a gate electrode part in a DRAM having the CB of a SAC structure provided between two gate electrode parts.例文帳に追加

本発明は、２つのゲート電極部間に設けられるＳＡＣ構造のＣＢを有するＤＲＡＭにおいて、少なくともゲート電極部のＣＢ側のエッヂにそれぞれ対応する半導体基板の表面部に拡散防止層を的確に形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a practically durable thin film piezoelectric element inexpensively by forming a diffusion preventive layer between a substrate and an electrode material formed thereon thereby forming a piezoelectric thin film having high piezoelectric characteristics on an iron based general purpose substrate.例文帳に追加

基板と基板上に形成した電極材料との間に拡散防止層を形成することによって、鉄系の汎用基板上で高い圧電特性を有する圧電薄膜を形成することを実現し、実用に耐えうる薄膜圧電素子を安価に提供する。 - 特許庁

The invention offers the thermal transfer image receiving sheet 10 which has the base material 11, and a receiving layer 12 formed on the base materal and containing an acetal resin with the specific structure, coloring matter of thermal diffusion property and metal ion content compound which can be chelated.例文帳に追加

基材１１と、該基材１１上に形成され、特定の構造を有したアセタール系樹脂と、熱拡散性の色素とキレート化が可能な金属イオン含有化合物とを含む受容層１２とを有する熱転写受像シート１０を提供するものである。 - 特許庁

To provide a membrane-electrode assembly 1, which can effectively prevent short-circuit due to piercing of a fibrous material forming a diffusion layer 5 into an electrolyte film 2, and can be manufactured with high productivity.例文帳に追加

拡散層５を形成する繊維状物質が電解質膜２に突き刺さって短絡が生じるのを効果的に阻止することのできる膜電極接合体１であって、高い生産性のもとで製造することのできる膜電極接合体を提供することを課題とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a ceramic dielectric film 3 on a lower electrode 2 formed of an impurity diffusion layer of a ceramic substrate 1; and forming an upper electrode 4a on the ceramic dielectric film 3.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の不純物拡散層からなる下部電極２上にセラミック誘電体膜３を形成する工程と、セラミック誘電体膜３上に上部電極４ａを形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

In the fuel cell which has a separator 1 in which a reaction gas guide flow passage 4 and a level difference 5 are installed, and in which the gap flow passage 8 is formed between the level difference 5 and the gas diffusion layer 3 in assembling a stack, weir like seals 9 to close the gap flow passage 8 are installed.例文帳に追加

反応ガス誘導流路４および段差５を設けたセパレータ１を有し、スタック組立時に段差５とガス拡散層３との間に隙間流路８が形成される燃料電池において、隙間流路８を閉塞する堰状シール９を設ける。 - 特許庁

The first photodetector 4 is aligned to receive light made incident through the light exit opening into the hollow body at both the positions, and the second photodetector 5 is aligned to receive light scattered by the diffusion/scatter layer at both the positions.例文帳に追加

第１光検出器４は両位置において光出口開口部を通って中空体の中に入射する光を受信するよう整列され、第２光検出器５は両位置において拡散散乱層による散乱光を受信するよう整列される。 - 特許庁

Infiltration/diffusion of an atom for constituting a metal phase to/in an Si substrate is prevented, by terminating a dangling bond of the Si existing on a surface of the substrate by an atom-like hydrogen 12, before a metal layer is formed on the substrate contacted with the metal.例文帳に追加

金属が接するＳｉ基板に，金属層を形成する前にＳｉ基板表面に存在するＳｉの未結合手を原子状水素１２によって終端することにより金属相を構成する原子がＳｉ基板中へ侵入・拡散することを防止した。 - 特許庁

To provide a resin composition excellent in thermal conductivity between metals and ceramics, excellent in durability, elongation and moisture resistance of adhesive layer between the metals and the ceramics and free from fear of penetration or diffusion of phosphorus compound, etc., into the ceramics.例文帳に追加

金属とセラミックスとの間の熱伝導性に優れることはもちろんのこと、金属とセラミックスとの間の接着剤層の耐久性、伸び性及び耐湿性に優れ、しかもリン化合物等がセラミックス中へ浸透・拡散する虞のない樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A barrier film 5 having a copper diffusion preventing function is formed on a metallic wiring layer 4 by activating or electroless plating a catalytic metal and performing cleaning after the metal is activated or electroless-plated.例文帳に追加

金属配線層４上に、触媒金属による活性化処理及び無電解メッキ処理により銅拡散防止機能を有するバリア膜５を形成するとともに、活性化処理、無電解メッキ処理の少なくともいずれか一方の後に洗浄処理が行われる。 - 特許庁

A protective film is deposited before high temperature annealing on the surface where a mask and oxide film 3, etc., are removed after impurity ions 5 are implanted in the surface layer, so that a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed form being desorbed from surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層に不純物イオンを注入し、マスク、酸化膜等を除去した表面に、保護膜を堆積して高温アニールをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

The element isolation region is a deep trench 15, consisting of a forward taper profile 13 and a bowing profile connecting to a lower part, and a boundary surface between the forward taper profile 13, and the bowing profile is arranged in the high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1.例文帳に追加

素子分離領域は、順テーパ形状部１３及び下部に繋がるボーイング形状部からなるディープトレンチ１５であり、前記順テーパ形状部と前記ボーイング形状部との境界面は高濃度不純物拡散半導体層１内に配置されている。 - 特許庁

When an optical disk having three recording layers is a target, the laser beam is converged on the middle second recording layer in the parallel driving state of the liquid crystal lens, and on the first and second recording layers in the convergence/diffusion driving state.例文帳に追加

記録層を３層有する光ディスクを対象とする場合、レーザ光は、液晶レンズが平行駆動状態にあるときに真中の第２の記録層に収束され、収束／拡散駆動状態時には、それぞれ第１および第２の記録層に収束される。 - 特許庁

A liquefied impurity source 3, composed of a mixture of aluminum, boron, and an organic solvent, is coated on the silicon oxide film 2, and this is heated at temperatures lower than the diffusion temperatures of aluminum, and the organic solvent is evaporated to form a layer containing aluminum and boron.例文帳に追加

シリコン酸化膜２の上にアルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源３を塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁