「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(112ページ目) - Weblio英語例文検索

To control a size of a gate electrode layer in processing and to control a regions of impurity diffusion layers (= a source region, a drain region) in a heat treatment step in particular when having a LDD structure as a gate length shortens with a MOS transistor made fine.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの微細化に伴い、ゲート長が短くなり、特にＬＤＤ構造を有する場合には、加工時におけるゲート電極層の寸法制御性、また、熱処理工程時の不純物拡散層（＝ソース領域、ドレイン領域）の領域を制御することが重要となる。 - 特許庁

A spacer film 112 is formed on the side wall of the gate electrode, and impurities of a second conductivity-type are implanted into the surface layer parts of the first and second regions, with the use of the gate electrodes and spacer film as masks for second activation treatment and to form a second impurity diffusion region 110.例文帳に追加

ゲート電極の側壁上にスペーサ膜１１２を形成し、次いでゲート電極とスペーサ膜とをマスクとして第１領域と第２領域の表層部とに第２導電型の不純物を注入し第２の活性化処理を行い第２の不純物拡散領域１１０を形成する。 - 特許庁

A plated steel plate for a positive electrode can of an alkaline manganese battery has an Fe-Ni diffusion plate layer on the surface of an inner face of the can, of which, Fe exposure rate of the outermost surface is to be 10% or more, and preferably, 30% or more.例文帳に追加

本発明の要旨は、アルカリマンガン電池正極缶用のメッキ鋼板であって、缶内面になる面の表層にＦｅ−Ｎｉ拡散メッキ層を有し、その最表層のＦｅ露出率が１０％以上、望ましくは３０％以上であることを特徴とするものである。 - 特許庁

An insulating base material is formed with a via hole, and the via hole is packed with coat conductive particles having core members made of second metal having a melting point which is higher than a heating temperature at the time of connecting layers and a surface layer made of metal having a conductor pattern and first metal for generating metallic diffusion.例文帳に追加

絶縁基材にビアホールを形成し、ビアホール内に層間接続時の加熱温度よりも高い融点を有する第２の金属からなる心材と、導体パターンを形成する金属と金属拡散を生じる第１の金属からなる表面層とを有するコート導電粒子を充填する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon wafer that can prevent a wafer surface layer from being lowered in oxygen concentration due to the outward diffusion of oxygen, and also can prevent dislocation in an STI region to reduce or eliminate polishing damage and a local unevenness defect on a wafer surface caused by polishing.例文帳に追加

酸素の外方拡散によるウェーハ表層の酸素濃度の低下を防ぎ、ＳＴＩ領域での転位発生を防止でき、研磨ダメージや研磨起因のウェーハ表面の局所的な凹凸欠陥を低減もしくは消滅可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser, in which a p-type compound semiconductor substrate can be used, and at the same time, precise semiconductor layers can be laminated upon another by the MOCVD or MBE method, while a current constricting area is provided in a p-type layer having a short diffusion length and stable characteristics.例文帳に追加

ｐ形化合物半導体基板を用いると共に、拡散長の短いｐ形層内に電流狭窄領域を設けながら、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などにより精密な半導体層を積層することができると共に、安定した特性の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

When the hinge ball 13 and the driving shaft 7 are made of iron alloy, the inner circumference surface of the hole 13a of the hinge ball 13 is subjected to chemical conversion coating electroless plating method process, or low-temperature sulfide permeation treatment, so that an oxidation film, plating 37, or an iron sulfide diffusion layer is formed on the inner circumference of the hole 13.例文帳に追加

ヒンジボール１３及び駆動軸７を鉄系合金で形成した場合に、ヒンジボール１３の孔１３ａの内周面表面に、化成処理、無電解メッキ法又は低温浸硫処理を施すことにより、酸化皮膜、メッキ３７又は硫化鉄の拡散層を形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a liquid impurity material source 2 composed of mixed material of aluminum, boron and organic solvent is spread on the surface of an N-type semiconductor substrate 1 and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, the organic solvent is vaporized, and a layer containing aluminum and boron is formed.例文帳に追加

アルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ形半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

In the method for developing a planographic printing plate having at least a silver halide emulsion layer on the base and applying a silver complex salt diffusion transfer process, development is carried out in the presence of dihydroxybenzenes, trihydroxybenzenes and an antioxidant for the trihydroxybenzenes.例文帳に追加

支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版の処理方法に於て、ジヒドロキシベンゼン類、トリヒドロキシベンゼン類及び該トリヒドロキシベンゼン類の抗酸化剤の存在下で現像処理することを特徴とする平版印刷版の現像処理方法。 - 特許庁

To provide a diffusion transfer process planographic printing plate with an aluminum substrate as the base having both good printing resistance and stain suppressing performance, capable of preventing the whitening of the non-image area and capable of also suppressing the occurrence of undissolved matter, that is, sludge in a developing solution and in a solution used for removing the emulsion layer.例文帳に追加

耐刷性能と汚れ抑止性能の両性能が共に良好で、かつ非画像部の白色化の防止、現像液や乳剤層除去液中の不溶解物すなわちヘドロの発生も抑制できるアルミニウム基板を支持体とした拡散転写法平版印刷版を提供すること。 - 特許庁

Punch-through preventive regions 150 and 160 are formed at positions deeper than the transfer facilitation region 140 in the region from the transfer gate 130 to the floating diffusion part 120, or at positions shallower than the transfer facilitation region 140 in the lower layer region of the transfer gate 130.例文帳に追加

また、転送ゲート部１３０からフローティングデフュージョン部１２０にわたる領域の転送容易化領域１４０より深い位置、あるいは、転送ゲート部１３０の下層領域の転送容易化領域１４０より浅い位置に、パンチスルー防止領域１５０、１６０を形成した。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.例文帳に追加

本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁

In the solid polymer fuel cell, in which the porous metal body is arranged at least one side of the gas diffusion layer, comprising a polymer electrolyte membrane, and pairs of catalyst layers and gas diffusion layers arranged by sandwiching the polymer electrolyte membrane, boehmite alumina with an average roughness Ra of 5 nanometers or more to 1 micrometer or less is arranged at least a part of the surface of the porous metal body.例文帳に追加

高分子電解質膜と、該高分子電解質膜を挟持して配置された一対の触媒層及びガス拡散層とを備え、さらに前記ガス拡散層の少なくとも一方の側に多孔質金属体を配置した固体高分子型燃料電池であって、前記多孔質金属体の表面の少なくとも一部に平均粗さＲａが５ｎｍ以上１μｍ以下のベーマイトアルミナが設けられている固体高分子型燃料電池。 - 特許庁

The percutaneous patch comprises (a) and (b) and is applied to administrate 17-deacetylnorgestimate sufficient for suppressing the ovulation of woman by delivering to the skin of woman by diffusion, wherein (a) is a backing layer and (b) is a matrix layer existing under the backing layer and comprising a pressure sensitive adhesive mixture of 17-deacetylnorgestimate with at least one of silicone or polyisobutylenes.例文帳に追加

女性の排卵を抑制するための経皮パッチであって、次のａおよびｂを有する経皮パッチ：ａ）バッキング層；およびｂ）そのバッキング層の下に存在するマトリックス層であって、１７−デアセチルノルゲスチマート、および少なくともシリコーンおよびポリイソブチレンのうちの１種を含む感圧性粘着剤の混合物を含有し、女性の皮膚に拡散による伝達がなされるように、そして排卵を阻止する量の１７−デアセチルノルゲスチマートを投与するように適用される、マトリックス層。 - 特許庁

The film thicknesses t1 and t2 of a first free magnetic layer 53 and a second free magnetic layer 55 of a free magnetic layer 26 having a synthetic ferrimagnetic structure are set larger than a spin diffusion length, whereby the magnetic detector can be reduced in electric resistance while conduction electrons move through the magnetic detector as their spin kept unchanged.例文帳に追加

人工フェリ構造のフリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３の膜厚ｔ１及び第２フリー磁性層５５の膜厚ｔ２をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ）より大きくすることにより、磁気検出素子内を伝導電子のスピンが同一性を保って移動している間の電気抵抗を低減させることができ、これによって、磁気検出素子の最小抵抗値と最大抵抗値の差、すなわち、磁気抵抗変化を大きくすることができる。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate 1, gate electrodes 3, an impurity diffusion region 4, at least a wiring layer 6 formed through the intermediary of an interlayer insulating film 5, containing relay pins connected electrically to the gate electrodes 3, and an uppermost wiring layer 8 formed through the intermediary of an interlayer insulating film 7, containing wiring patterns which are electrically connected to the relay pins respectively.例文帳に追加

半導体基板１と、複数のゲート電極３と、不純物拡散領域４と、層間絶縁膜５を介して形成され、複数のゲート電極にそれぞれ電気的に接続された複数の中継ピンを含む少なくとも１層の配線層６と、層間絶縁膜７を介して形成され、複数の中継ピンにそれぞれ電気的に接続された複数の配線パターンを含む最上層の配線層８とを具備する。 - 特許庁

The manufacturing method includes processes of applying slurry containing a catalytic metal precursor, a catalyst support having fine cavities, ionomers having cation exchange groups, and solvent on a gas diffusion layer to form a catalytic layer before reduction and reducing the catalytic metal precursor by means of thermal treatment under a reductive atmosphere to from catalytic metal particles in the fine cavities of the catalyst support.例文帳に追加

触媒金属前駆体、微細気孔を有する触媒担体、陽イオン交換基を有するイオノマ及び溶媒を含むスラリをガス拡散層上に塗布して未還元触媒層を形成する段階と、前記未還元触媒層を還元雰囲気にて熱処理して前記触媒金属前駆体を還元させることにより、前記触媒担体の微細気孔内に触媒金属粒子を形成する段階とを含む。 - 特許庁

This cooling block is fabricated by joining a first aluminum base material and a second aluminum base material in a heating environment containing oxygen with zinc between the base materials, while a concave for forming a coolant channel is machined on either or both of the base materials so that a diffusion bonding layer with zinc diffused in aluminum and an anti-corrosion layer made of zinc oxidized films can be formed simultaneously.例文帳に追加

各々アルミニウムからなり、少なくともそれらの一方に冷却液の流路形成用の凹部が加工されている第１の母材及び第２の母材を、両者の間に亜鉛を介在させた状態で酸素を含む加熱雰囲気下で接合することにより、亜鉛がアルミニウム中に拡散された拡散接合層と亜鉛酸化膜からなる防食層とが同時に形成されることにより冷却ブロックを形成する。 - 特許庁

The lithographic printing plate having at least a silver halide emulsion layer on a support body and using a silver complex salt diffusion transfer method, is characterized in that the silver halide emulsion layer comprises silver halide particles containing ≥95 mol% of silver chloride, and the silver halide particles have a core-shell structure with respect to rhodium, and ≥80 wt.% of the whole rhodium is included in the shell.例文帳に追加

支持体上にハロゲン化銀乳剤層を少なくとも有する、銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、前記ハロゲン化銀乳剤層が塩化銀を９５モル％以上含有するハロゲン化銀粒子からなり、該ハロゲン化銀粒子はロジウムに関してコア・シェル構造を有し、かつ全ロジウム量の８０％重量以上をシェル中に含有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

The direct oxidation fuel cell has at least one unit cell equipped with a membrane-electrode assembly having an anode and a cathode including an electrolyte membrane, a catalyst layer and a diffusion layer arranged on both sides of the electrolyte membrane, an anode side separator having a fuel passage for supplying fuel to the anode and a cathode side separator having an oxidant passage for supplying an oxidant to the cathode.例文帳に追加

本発明の直接酸化型燃料電池は、電解質膜とその両側にそれぞれ配置された触媒層および拡散層を含むアノードおよびカソードとを備える膜−電極接合体、アノードに燃料を供給するための燃料流路を有するアノード側セパレータ、ならびにカソードに酸化剤を供給するための酸化剤流路を有するカソード側セパレータを具備した少なくとも１つの単位セルを有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an MOS transistor whose drain region is an impurity diffusion region formed in the first region of the SOI substrate with an active layer insulated and separated from a support substrate by a buried oxide film and separated into a plurality of regions including the first and the second regions by a field oxide film having a thickness reaching the buried oxide film; and a first wiring layer.例文帳に追加

半導体装置は、埋め込み酸化膜によって支持基板から絶縁分離されるとともに、埋め込み酸化膜にまで達する厚さを有するフィールド酸化膜によって、第１および第２の領域を含む複数の領域に分離された活性層を有するＳＯＩ基板の、第１の領域に形成された不純物拡散領域をドレイン領域とするＭＯＳトランジスタと、第１の配線層とを有する。 - 特許庁

Since the p-type GaAs semiconductor can easily establish both translucency and low resistivity as compared with a metal thin film, appropriate current diffusion can be realized by providing a contact layer 20 by an p-type GaAs semiconductor having a necessary and sufficient thickness, thus providing the nitride-based semiconductor light-emitting device 10 for obtaining light having high emission intensity from the surface of the translucent conductive layer 22.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ半導体は金属薄膜に比較して透光性、低抵抗性を両立し易いので必要十分な厚さのｐ型ＧａＡｓ半導体によるコンタクト層２０を設けることで好適な電流拡散が実現でき、透光性導電体層２２の表面から高い発光強度の光が得られる窒化物系半導体発光素子１０を提供することができる。 - 特許庁

In the membrane/electrode assembly, a pair of electrode catalyst layers is made of a composite catalyst particle, having a polyelectrolyte, a catalytic material, and an electron conductive substance, and the content ratio of the polyelectrolyte in the composite catalyst particle is larger on the side in contact with the solid polymer electrolyte membrane, as compared with the side in contact with the gas diffusion layer in a thickness direction of the electrode catalyst layer.例文帳に追加

一対の電極触媒層は、高分子電解質と触媒物質と電子伝導性物質を有する複合触媒粒子からなり、電極触媒層の厚み方向において、ガス拡散層に接する側と比べて、固体高分子電解質膜に接する側において、複合触媒粒子中の高分子電解質の含有割合が多いことを特徴とする膜電極接合体。 - 特許庁

The film thickness t1 of a first free magnetic layer 53 of a free magnetic layer 26 having a synthetic ferrimagnetic structure is set larger than a spin diffusion length, whereby the magnetic detector can be reduced in electric resistance while conduction electrons move through the magnetic detector as their spin kept identical.例文帳に追加

人工フェリ構造のフリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３の膜厚ｔ１及をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ）より大きくすることにより、磁気検出素子内を伝導電子のスピンが同一性を保って移動している間の電気抵抗を低減させることができ、これによって、磁気検出素子の最小抵抗値と最大抵抗値の差、すなわち、磁気抵抗変化を大きくすることができる。 - 特許庁

This method of manufacturing a gas diffusion electrode for polymer electrolyte fuel cell has a process for dipping the conductive porous base material with the water repellent treatment solution, a process for drying the conductive porous base material, a process for forming a carbon layer on the conductive porous base material and a process for baking the conductive porous base material having the carbon layer in this order.例文帳に追加

（ａ）導電性多孔質基材を撥水処理液中に浸漬する工程、（ｂ）前記導電性多孔質基材を乾燥する工程、（ｃ）前記導電性多孔質基材上にカーボン層を形成する工程、および（ｄ）前記カーボン層を有する導電性多孔質基材を焼成する工程を、工程（ａ）〜（ｄ）の順に有する高分子電解質型燃料電池用ガス拡散電極の製造方法。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device 30, a plurality of photoelectric conversion elements 34 in which a heavily-doped impurity diffusion layer 36 is formed on the surface are formed in a two-dimensional array at the surface of a semiconductor substrate, and an insulating layer 40 is laminated on a semiconductor substrate 32.例文帳に追加

表面に高濃度不純物拡散層３６が形成された複数の光電変換素子３４が半導体基板表面部に二次元アレイ状に配列形成され、半導体基板３２の上に絶縁層４０が積層された固体撮像素子３０において、前記各光電変換素子の直上の絶縁層４０と高濃度不純物層３６との間の界面部分にそれぞれ不純物拡散抑制層５０を形成する。 - 特許庁

To carry out a desired circuit connection in a subsequent wiring forming step and enhance a yield of a semiconductor product in such a manner that, even when a finished dimension of a wiring layer or a diffusion layer fluctuates because of exposure variations and etching variations in a production process, a characteristic fluctuation of a transistor because of its fluctuation is corrected or a decrease in an operating allowance of an internal circuit is prevented.例文帳に追加

製造プロセスでの露光ばらつき、エッチングばらつきによって配線層あるいは拡散層の仕上がり寸法が変動した場合でも、その変動によるトランジスタの特性変動を補正する、あるいは内部回路の動作余裕の減少を防止するように、以後の配線形成工程で所望の回路接続を行うことができ、半導体製品の歩留まりを向上させることができる。 - 特許庁

After a contact hole 109a to a diffusion layer 102 is formed in an oxide silicon film 103a, a balsam treatment with a gas containing at least hydrogen (for example, steam) is carried out to change a sidewall protective film 110a made of fluorocarbon polymer into a sidewall protection film 110aa made of almost hydrocarbon polymer.例文帳に追加

拡散層１０２に達するコンタクト孔１０９ａを酸化シリコン膜１０３ａに形成した後、少なくとも水素を含んだガス（例えばスチーム）によるパルザム処理によりフルオロカーボン・ポリマーからなる側壁保護膜１１０ａを概ねハイドロカーボン・ポリマーからなる側壁保護膜１１０ａａに変換する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a diffusion problem with a surface layer forming metal can be certainly solved, magnetically adverse effects on a semiconductor element, and further are eliminated by realizing a non-magnetic external electrode, deterioration of electrical conductivity is not caused even when the frequency of a transmit signal increases.例文帳に追加

表面層形成金属の拡散問題を確実に解決でき、しかも非磁性の外部電極を実現することにより、磁気的な悪影響を半導体素子に与えることが無く、加えて伝送信号の周波数が増加した場合でも導電率の低下が生じない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a finishing liquid for a printing plate having always stable and high plate wearability to printing conditions, especially to the change in a feeding water condition in a lithographic printing plate utilizing the silver complex salt diffusion transfer process having physical development kernels between an anodized aluminum support and a silver halide emulsion layer.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、印刷条件、特に給水条件の変動に対して、常に安定して高い耐刷性を有する印刷版用の仕上げ液を提供する。 - 特許庁

The Sn-Cu-Ni intermetallic compound functions as a barrier layer; mutual diffusion between Ni and Cu is suppressed; generation of voids due to Kirkendall effect is suppressed; a sealing property of an interface between the ceramic element 9 and an external terminal electrode is improved; and reliability of this ceramic electronic component is improved.例文帳に追加

このＳｎ−Ｃｕ−Ｎｉ金属間化合物層がバリア層として機能し、ＮｉとＣｕとの相互拡散が抑制されるとともに、カーケンダル効果によるボイドの発生を抑制し、セラミック素体９と外部端子電極との界面のシール性を向上させ、セラミック電子部品の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a membrane-electrode assembly having elasticity capable of absorbing load variation or dimension variation in the stacking direction of unit cells, a gas diffusion layer capable of reducing damage of an electrolyte membrane by conductive carbonaceous fibers which are the composing material, and enhancing the power generation performance and durability.例文帳に追加

単セルの積層方向における荷重変化や寸法変化を吸収可能な弾性を有すると共に、構成材料である導電性炭素質繊維による電解質膜の損傷を軽減可能なガス拡散層を備え、発電性能及び耐久性に優れた膜・電極接合体を提供する。 - 特許庁

The ultraviolet light 12 conflicts air bubbles 4 generated by air diffusion to cause irregular reflection 12', and at the same time the air bubbles are retained on the water surface, and the generated air bubble layer prevents radiation of the ultraviolet light from the water surface, which increases irradiation efficiency of the ultraviolet light in a tank S, and performs smooth disinfection/sterilization of the water to be treated, with the ultraviolet light.例文帳に追加

紫外線１２は、散気による気泡４に当たって乱反射１２’するとともに、気泡を水面に滞留させ、その気泡層によって、紫外線の水面からの放射を防止するため、紫外線の槽Ｓ内での照射効率が高く、円滑な被処理水の紫外線による消毒・殺菌が行われる。 - 特許庁

In the method of forming wirings of a semiconductor element in which ultra-fine electronic circuit wirings are formed, the electronic circuits are formed by embedding conductor materials including at least Cu layer into the substrate material and only the open surface of the electronic circuits is covered with a material for preventing movement by thermal diffusion of the conductor material.例文帳に追加

微細な電気回路配線を形成する半導体素子の配線形成方法において、基材中に少なくともＣｕ層を含む導電体材料の埋め込みにより電気回路を形成し、該導電体材料の熱拡散移動を防止する材料によって、前記電気回路の開放表面のみを被覆する。 - 特許庁

Probably, it is presumed that binding powers of ceramic particles and conductive particles configurating the thick film resistor 6 are enhanced and made compact by burning the thick film resistor 6 at a higher temperature, and thereby any solid phase diffusion becomes hard to occur between the thick film resistor 6 and the glass insulating layer 2 contacting with the thick film resistor 6.例文帳に追加

恐らく、厚膜抵抗６の高温焼成により、厚膜抵抗６を構成するセラミック粒子や導電粒子の結合力が強化され、また緻密となり、そのために厚膜抵抗６とそれに接するガラス絶縁層２との間で固相拡散が生じにくくなるためと推定される。 - 特許庁

A common wiring line for supplying an electric power to an individual wiring line 102 consists of a diffusion preventing layer 104 formed to a partial region centering a via hole 232, a first metal 105 which coats its top surface and side surface, and further a second metal 106 layered on the first metal.例文帳に追加

個別配線１０２に電力を供給するための共通配線は、ビアホール２３２を中心とした一部領域に形成された拡散防止層１０４と、その上面および側面を被覆する第１の金属１０５と、更に第１の金属に積層された第２の金属１０６とから構成される。 - 特許庁

Probably, it is inferred that by firing the thick-film resistor 6 at a high temperature, bonding force of ceramic particles or conductive particles which constitute the thick-film resistor 6 is reinforced and also is densified, this makes it difficult to generate solid phase diffusion between the thick-film resistor 6 and the glass insulating layer 2 which is in contact therewith.例文帳に追加

恐らく、厚膜抵抗６の高温焼成により、厚膜抵抗６を構成するセラミック粒子や導電粒子の結合力が強化され、また緻密となり、そのために厚膜抵抗６とそれに接するガラス絶縁層２との間で固相拡散が生じにくくなるためと推定される。 - 特許庁

An optical diffusion member (optical reflection decorative film 22) is prepared on the surface of the first housing case 20, and a reflecting member (a first reflecting layer 50) is prepared on the surface of the design side of the second housing case 30, thereby diffusing light emitted from the EL sheet 40 and illuminating the wide area of the first housing case 20.例文帳に追加

また、第一筐体ケース２０の表面に光拡散部材（光反射加飾フィルム２２）を、第二筐体ケース３０の意匠側表面には反射部材（第一の反射層５０）を設けており、それらによってＥＬシート４０から照射された光を拡散し、第一筐体ケース２０の広領域を照光する。 - 特許庁

To suppress decrease of power generation capacity because of narrowing of an MEA (Membrane Electrode Assembly) reaction area by properly controlling width of the rubber impregnation area to the peripheral edge part of a GDL (Gas Diffusion Layer) in a seal structure body having a structure wherein rubber constituting a seal lip line is impregnated in a peripheral edge part of the GDL constituting the MEA.例文帳に追加

ＭＥＡを構成するＧＤＬの周縁部にシールリップラインを構成するゴムを含浸する構造のシール構造体において、ＧＤＬ周縁部に対するゴム含浸領域の幅を適切に制御し、もってＭＥＡ反応領域が狭くなって発電容量が低下するのを抑制する。 - 特許庁

(1) The fuel cell separator has grooves 40 and ribs 41, and the grooves constitute a gas passage and the ribs 41 comes in contact with a diffusion layer at the crestal plane, and in the fuel cell separator, the ribs 41 are made hollow and the hollow portion in the ribs is also made a gas passage, and the top wall 44 of the ribs is made a porous structure.例文帳に追加

（１）溝４０とリブ４１を有し、溝がガス流路を構成し、リブ４１がその頂面で拡散層に接触する燃料電池用セパレータであって、リブ４１を中空とし、リブ内の中空部分もガス流路４３とし、リブの頂壁４４を多孔構造とした燃料電池用セパレータ。 - 特許庁

To provide a gas passage forming member for a fuel cell battery capable of suppressing performance drop of the fuel cell battery caused by load decrease in the gas passage forming member in which a gas passage consisting of a metal porous body and a gas diffusion layer consisting of carbon fibers are integrated while relating to a manufacturing method thereof, and to provide a manufacturing method of the gas passage forming member.例文帳に追加

金属多孔体からなるガス流路とカーボン繊維からなるガス拡散層とが一体化されたガス流路形成部材、及びその製造方法に関し、荷重抜けによる燃料電池の性能低下を抑制することのできる燃料電池用のガス流路形成部材、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The respective weir like seals 9 are composed of elastic bodies adhered to a wall face and the bottom face of the level difference 5, have shapes that the gap flow passage 8 is closed and that they are partly overlapped with the gas diffusion layer 3, and have shapes that height dimensions gradually become lower as the seals go separated from the wall face of the level difference 5.例文帳に追加

各堰状シール９は段差５の壁面および底面に接着された弾性体よりなり、隙間流路８を閉塞するとともに一部をもってガス拡散層３と重ね合わされる形状を有し、かつ高さ寸法が段差５の壁面から離れるにしたがって徐々に低くなる形状を有する。 - 特許庁

According to this method, the necessary change of a circuit is effected through a single layer of all wiring layers, and a desired wiring correction for changing chip version is effected by wiring layers necessary for the correction of mask accompanied by the addition of a function or the correction of bug whereby the shortening of the diffusion period of time and the reduction of expense for the mask are realized.例文帳に追加

これにより、所望の回路変更を全ての配線層の単一層のみで行うことができ、機能追加やバグ修正に伴うマスク修正に必要な配線層のみで、チップバージョンを変更する所望の配線修正が行え、拡散期間の短縮、マスク費用削減が実現できる。 - 特許庁

Thus high resolution images having a high brightness through fine-pitched microlens arrays are attained, and a directional light diffusion layer sheet having different radiation angles in lateral and vertical directions is employed to be able to easily and arbitrarily adjust the vertical viewing angle while maintaining a wide lateral viewing angle.例文帳に追加

これにより、高い輝度を有しマイクロレンズアレイの微細ピッチ化を通じて高解像度の映像を得ることができ、水平及び垂直方向に相違する放射角特性を有する方向性光拡散層シートを適用して広い水平視野角を維持しながら、垂直視野角の制御を容易かつ任意に調節することができる。 - 特許庁

A semiconductor device and its manufacturing method characteristically has a profile of a gate electrode, a profile or scope of a diffusion layer forming ion implantation region, or a peripheral profile of an element region, or has an insulation film coating a part of the element region formed before ion implantation.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、ゲート電極の形状、拡散層形成用イオン注入領域の形状若しくは範囲、又は、素子領域の周辺形状に特徴があり、あるいは、イオン注入前に素子領域の一部を被覆する絶縁膜を形成する点に特徴を有するものである。 - 特許庁