「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(111ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable the cut-off property of a joint between precast members to be sufficiently secured and enable the precast members to be easily joined and integrated together, when a low-diffusion layer of tunnel-type radioactive waste burial disposal equipment and a cement-based member etc. for the other structures are constructed from the precast members.例文帳に追加

トンネル型放射性廃棄物埋設処分設備の低拡散層やその他の構造物のセメント系部材等をプレキャスト部材で構築する場合、プレキャスト部材同士の接合部の止水性を十分に確保でき、プレキャスト部材同士を簡単に接合一体化できるようにする。 - 特許庁

Prior to joining between a titanium material 1 of a base metal and an aluminum material 2, surface defatting and a blast treatment is done on a joining face of a titanium material side, a thermal spray film layer 3 of aluminum base is formed thereon, further subjected to a fusion diffusion treatment with TIG welding.例文帳に追加

母材となるチタン系材料１とアルミニウム系材料２との接合に先立って、チタン系材料１側の接合面１ａに表面脱脂とブラスト処理を施した上、アルミニウム系の溶射皮膜層３を形成するとともに、ＴＩＧ溶接法にて溶融拡散処理を施す。 - 特許庁

To provide a fuel battery in which an approximately linear gas inflow channel and an approximately linear gas outflow channel are formed on the surface of a cathode-side separator to be almost parallel with each other, and a decline in power generation performance, which results from the formation involving an area involving no oxidizer gas flow in a cathode-side gas diffusion layer, is prevented.例文帳に追加

カソード側のセパレータの表面に、略直線形状のガス流入流路およびガス流出流路が略平行に形成された燃料電池において、カソード側のガス拡散層に酸化剤ガスが流れない領域が生じることによる発電性能の低下を防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is capable of forming a side wall without producing a dent on the surface of a substrate at the side wall of a gate electrode so as to stabilize the formation positions of diffusion layer regions, such as a source region, a drain region, etc., and to obtain a semiconductor device uniform in element characteristics.例文帳に追加

ゲート電極側壁の基板表面に掘れを発生させることなくサイドウォールを形成することが可能で、これによりソース／ドレインなどの拡散層領域の形成位置が安定化して素子特性が均一な半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the MO_xN_y metal compound is an extremely efficient oxygen diffusion barrier at 1,000°C, and achieves, in a p-type metal oxide semiconductor (pMOS) device, an extremely aggressive equivalent oxide film thickness (EOT) and an inversion layer thickness of 14 Å or less.例文帳に追加

さらに、本発明のＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物は、１０００℃において非常に効率的な酸素拡散障壁であり、ｐ金属酸化物半導体（ｐＭＯＳ）デバイスにおいて、非常に攻撃的な等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および１４Å未満の反転層厚を可能にする。 - 特許庁

A He ion is irradiated on the whole of a chip and a lifetime killer is introduced from a position d2 shallower than a position d1 of a PN junction surface 31 including the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion region 23 to a position d3 deeper than the position d1 to form a low lifetime region 32 on the whole of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

The optical scanner includes: a glass substrate (10) on which a metallic wire wiring region is etched to a predetermined depth; a metallic wiring formed in the metallic wire wiring region; a diffusion blocking layer (112) so formed as to cover the metallic wire on the glass substrate; and an optical scanner structure connected to the glass substrate (10).例文帳に追加

金属配線領域が所定の深さにエッチングされたガラス基板（１０）と、金属配線領域に形成された金属配線と、ガラス基板上で金属配線をカバーするように形成された拡散障壁層（１１２）と、ガラス基板（１０）と結合された光スキャナ構造物と、を備える。 - 特許庁

Then, an impurity diffusion step is performed to dispose a heating device 920 such as a laser annealing device, a heat gas annealing device, or a lamp annealing device on the one surface 10s side and heat the semiconductor layer 1a with the temperature on the one surface 10s side being higher than that on the other surface 10t side.例文帳に追加

その後、不純物拡散工程において、一方面１０ｓ側にレーザーアニール装置、ヒートガスアニール装置、ランプアニール装置等の加熱装置９２０を配置し、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で半導体層１ａを加熱する。 - 特許庁

The adjustment of the water retaining performance of the gas diffusion layer 24 is conducted by setting the content of water repellent material per unit area of the channel confronting part 24A so that it is smaller than the content of the water repellent material per unit area of the rib confronting part 24B.例文帳に追加

このガス拡散層２４における保水性の調整は、チャネル対向部２４Ａにおける単位面積当たりの撥水性材料の含有量を、リブ対向部２４Ｂにおける単位面積当たりの撥水性材料の含有量より小さく設定することによって行う。 - 特許庁

The second adhesion part 22 has an inner peripheral end 221 exposed to the hollow part 169, with a sharp adhesion angle α formed between an exposed surface 222 of the inner peripheral end 221 and a second surface 172 of the diffusion resistance layer 17 in a cross section in a lamination direction.例文帳に追加

第２接着部２２は、その内周端部２２１を中空部１６９に露出させていると共に、内周端部２２１の露出面２２２と拡散抵抗層１７の第２表面１７２との間に形成される接着角αが積層方向の断面において鋭角である。 - 特許庁

To improve the suitability of an emulsion layer (gelatin) washing off at washing in the production of an aluminum planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process and to produce an aluminum planographic printing plate excellent in ink receptivity and printing durability while preventing the sticking of a deposit on a roller in a processing apparatus.例文帳に追加

銀錯塩拡散転写法を利用したアルミニウム平版印刷版の製版処理において、水洗処理時の乳剤層（ゼラチン）のウォッシュ・オフ性を向上させ、インキ受理性及び耐刷力に優れたアルミニウム平版印刷版の製版方法を提供することにある。 - 特許庁

The anisotropic diffusion layer 18 consists of convex- or concave-shaped micro lenses 18L with different cross-section curvatures in X and Y directions, with a major diameter direction (the Y direction) of its bottom face elliptical shape arranged vertical to the prism grooves 12a, 12b, and parallel with a linear light source 2 of a backlight unit 4.例文帳に追加

異方性拡散層１８は、Ｘ方向とＹ方向とで断面の曲率の異なる凸又は凹形状の微小レンズ１８Ｌの群でなり、その底面楕円形状の長径方向（Ｙ方向）は、プリズム溝１２ａ，１２ｂに垂直で、バックライトユニット４の線状光源２と平行に配列する。 - 特許庁

The p-type contact layer 6 sequentially laminates an optical reflective metal film 7 consisting of Ag having a thickness of 150 nm, a diffusion preventing metal film 8 consisting of W having a thickness of 100 nm, and a cover metal film 9 consisting of Au having a thickness of 150 nm to from a p-type electrode 12.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層６の上には厚さが１５０ｎｍのＡｇからなる光学反射金属膜７と、厚さが１００ｎｍのＷからなる拡散防止金属膜８と、厚さが１５０ｎｍのＡｕからなるカバー金属膜９とが順次積層されたｐ型電極１２が形成されている。 - 特許庁

The woven fabric or the nonwoven fabric made mainly of a flame resistant yarn or thread is passed through a thermo-compression roll, and after making the surface smooth and thin, a final heat treatment of 800-3,000°C is applied, thereby, the carbon fiber woven fabric or nonwoven fabric for fuel cell gas diffusion layer is manufactured.例文帳に追加

炭素繊維用耐炎化糸を主成分とする織布または不織布を熱圧ロールに通過させて、表面を平滑かつ厚みを薄くした後、８００〜３０００℃の最終熱処理をすることからなる燃料電池ガス拡散層用の炭素繊維織布または不織布の製造方法。 - 特許庁

To provide such a gate insulation film for semiconductor device that has a high dielectric constant and less deterioration and can be made smaller in film thickness, and in which an reactive (diffusion) layer is difficult to be formed between the Si base on a substrate and itself and a stable characteristic with less leak current is given.例文帳に追加

誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することが可能であり、基板上のＳｉ下地との間に反応（拡散）層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜を得ることを課題とする。 - 特許庁

In this case, since luminance distribution of the first display image 105 can be uniformalized by the diffusion layer 4, an image 121 of B in the second display image 110 can be blurred and thus, the occurrence of a duplicated image in the second display image 110 can be suppressed.例文帳に追加

この場合、拡散層４により第１の表示像１０５の輝度分布を均一化することができるため、第２の表示像１１０におけるＢの像１２１をぼかすことができ、よって、第２の表示像１１０における２重像の発生を抑制することができる。 - 特許庁

Crack resistance is improved in the first and the second interlayer insulating films 13 and 14 because of the adhesiveness of the PSG films 13a and 14a, and the thermal diffusion of phosphorus out of the PSG films 13a and 14a into the semiconductor layer 1a is prevented by the NSG films 13b and 14b.例文帳に追加

これにより、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａの粘性によって第１，第２層間絶縁膜１３，１４のクラック耐性を向上させるとともに、ＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂによってＰＳＧ膜１３ａ，１４ａ中のリンが半導体層１ａに熱拡散されることを防止する。 - 特許庁

The first coat of slurry is applied on a basic layer of carbon 6 and dried to form a first underlayer 7 and the second coat of slurry is applied on the underlayer 7 and dried to form a second underlayer 8 of which surface roughness is 40μm or less at maximum height Rmax, which provides a diffusion electrode 5.例文帳に追加

第１のスラリーを炭素基材層６上に塗布、乾燥し、第１の下地層７を形成し、第２のスラリーを下地層７上に塗布、乾燥して、表面粗さの最大高さＲmaxが４０μｍ以下の第２の下地層８を形成し、拡散電極５を形成する。 - 特許庁

As compared with the case where the opening area of the first flow passage 13 and the opening area of the second flow passage 15 are equal to each other, the supply of liquid fuel from the first flow passage 13 to the diffusion layer 17 is suppressed, so that the liquid fuel is more easily filled in the first flow passage 13.例文帳に追加

この構造によれば、第１の流路１３の開口面積と第２の流路１５の開口面積とが等しい場合に比べて、第１の流路１３から拡散層１７への液体燃料の供給が抑制されて第１の流路１３において液体燃料が充満し易くなる。 - 特許庁

The opening part and the groove part on the positive electrode side of the separator are partially disposed in the vertical direction parallel with the gravity; the size of the separator is not smaller than 10 cm square; and the ratio of the ridge width to the groove width of a part where the separator contacts a gas diffusion layer on the positive electrode side is in the range of 1:1 to 1:2.例文帳に追加

セパレータの正極側開口部および溝部の一部が重力と平行な上下方向に配されており、セパレータの大きさが１０ｃｍ角以上で、セパレータが正極側のガス拡散層と接している部分の畝幅と溝幅の比を１：１〜１：２の範囲とする。 - 特許庁

To obtain a high performance variable capacitor having a maximum capacity variation ratio against an intended absolute capacity by effectively utilizing a capacity component in the horizontal direction of the variable capacitor to regulate a structure of each diffusion layer composing the variable capacitor, and minimizing an increase in the area of the variable capacitor.例文帳に追加

バリキャップの水平方向の容量成分を効果的に活用し、バリキャップを構成する各拡散層の構造を規定化することにより、所望の絶対容量に対して最大の容量変化比を有し、なおかつ、バリキャップの面積の増大を最小限に抑えた高性能なバリキャップを得る。 - 特許庁

To recover a platinum catalyst, and recover and reutilize an electrolyte membrane in no deformation by using milder ethanol aqueous solution of 25% or less for an organic solvent which is an immersion medium, and by carrying out peeling-off of a diffusion layer and peeling-off of PGM by two stages.例文帳に追加

浸漬媒体である有機溶剤に、よりマイルドな２５％以下のエタノール水溶液を用いるとともに、拡散層の剥離とＰＧＭの剥離を２段階で実施することにより、白金触媒を回収しつつ電解質膜を変形のない状態で回収し、再利用を可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, by which a silicide film having low resistance and a stable electrical characteristic can be formed in self-alighing way, without deteriorating the characteristic of a semiconductor device even on a fine gate electrode containing an impurity at a high concentration and a diffusion layer.例文帳に追加

低抵抗かつ安定した電気特性を有するシリサイド膜を、微細で不純物濃度が高いゲート電極及び拡散層上においても、デバイス特性に劣化を生じることなく、自己整合的に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Specifically, when the diffusion layer of the fuel electrode is formed by applying a compound of carbon black and polytetrafluoroethylene to the surface of a base material comprising a carbon paper, the weight ratio of the polytetrafluoroethylene in the compound and/or the applying amount of the compound are changed in accordance with the flow of the fuel.例文帳に追加

具体的には、カーボンペーパ等からなる基材の表面に、カーボンブラック＋ポリテトラフルオロエチレン混合物を塗布して燃料極拡散層とする場合において、混合物中に含まれるポリテトラフルオロエチレンの重量比、及び／又は、混合物の塗布量を燃料の流れに沿って変化させる。 - 特許庁

The method has a process for selectively forming the cap film with the Cu diffusion prevention function on metal wiring comprising Cu embedded in a groove of an inter- layer insulation film and a process for forming an insulation film comprising an insulation material which does not contain oxygen at least on the cap film.例文帳に追加

また、層間絶縁膜の溝部に埋め込まれたＣｕを含む金属配線上に、Ｃｕ拡散防止機能を有するキャップ膜を選択的に形成する工程と、 少なくとも上記キャップ膜上に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of suppressing a diffusion of Au, without making the flatness of the interface between a semiconductor layer and an electrode and capable of acting a low electric power consumption with a high oscillation efficiency, by reducing an internal light scattering and an absorption loss, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A p^+-type diffusion layer 15 is not formed just under the n^+-type source 17E unlike an n^+-type source region 17 in a region A and a sheet resistor R1 in the n^+-type source region 17E is larger than a sheet resistor R2 in the n^+-type source 17 (R1>R2).例文帳に追加

ｎ＋型ソース領域１７Ｅの直下には、領域Ａのｎ＋型ソース領域１７と異なり、ｐ＋型拡散層１５は形成されておらず、ｎ＋型ソース領域１７Ｅのシート抵抗Ｒ１は、ｎ＋型ソース領域１７のシート抵抗Ｒ２よりも大きい（Ｒ１＞Ｒ２）。 - 特許庁

When an electrostatic surge with a positive polarity based upon a ground terminal GND is applied to an input/output pad I/O, a breakdown current Itrig of an n channel MOS transistor NMOS flows from the input/output pad I/O through a p^+ diffusion layer PD1 and a forward diode of an n-well NW1.例文帳に追加

入出力パッドＩ／Ｏに接地端子ＧＮＤに対して正極性の静電サージが印加されると、入出力パッドＩ／ＯからＰ^＋拡散層ＰＤ１−ＮウェルＮＷ１の順方向ダイオードを経由してＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭＯＳのブレークダウン電流Ｉｔｒｉｇが流れる。 - 特許庁

In a same manner, since when the materials of the luminescent layers 17R, 17G, 17B and the material of the electron injecting layer 19 are applied and left as they are, the two liquid materials are diffused and entangled each other, second diffusion areas 18R, 18G, 18B, the inclined composition area, can be formed.例文帳に追加

同様に、発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの材料と電子注入層１９の材料とを塗布し、放置すると、２液の材料が拡散し絡み合うので、傾斜組成領域である第２の拡散領域１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成することができる。 - 特許庁

When the liquid given to the liquid receiving part 10 diffuses to the surroundings in an absorbing layer 5 and a surface sheet 4, the grade of the diffusion degree of the liquid corresponding to the physical condition at the time or the wearing time can be known by the reference marks 12, 14, 16 and the grade displays 21, 22, 23.例文帳に追加

受液部１０に与えられる液が吸収層５および表面シート４で周囲に拡散したときに、前記基準マーク１２，１４，１６および等級表示２１，２２，２３によって、そのときの体調や着用時間に応じた液の拡散度の等級を知ることができる。 - 特許庁

In an LED array 110, a metal wiring 150 having a belt-shaped part 154 which intersects a step-difference 116 and spans across the surface of a middle insulating film 140 and an exposed part of the surface of a diffusion mask layer 130 is formed on an electrode forming surface 118 in an LED element 110.例文帳に追加

ＬＥＤ素子１１０において，電極形成面１１８上には，段差１１６を横切りつつ中間絶縁膜１４０表面と拡散マスク層１３０表面の露出部分とにまたがる帯状部分１５４を有する金属配線１５０が形成される。 - 特許庁

The angular distribution of the reflection intensity on the reflection layer 30 shows that the reflection intensity at the position of ±((arctan(A/20)×180/π)×1/2)° angle shifted from the glare angle, wherein A is the longitudinal length of the liquid crystal cell, is ≥1000% when the reflection intensity of the complete diffusion reflection plate is 100%.例文帳に追加

この液晶セルの縦の長さをＡとした時、反射層３０による反射強度角度分布において、グレア角から±（（arctan(A/20)×180/π）×１／２）°ずれた位置における反射強度は、完全拡散反射板の反射強度を１００％とした時に１０００％以上となっている。 - 特許庁

A relationship of θ2-θ1≥10 degrees is met, when a contact angle to water on the inner surface of the gas channel groove 17d is set to θ1 and a contact angle to water on a gas contact surface in contact with the oxidizing gas flowing in the oxidizing gas channel Op in a gas diffusion layer 15c is set to θ2.例文帳に追加

ガス流路溝１７ｄの内面における水に対する接触角をθ１、ガス拡散層１５ｃのうち酸化ガス流路Ｏｐを流れる酸化ガスと接触するガス接触表面における水に対する接触角をθ２としたときに、θ２−θ１≧１０度の関係を満たす。 - 特許庁

This separator for the fuel cell consists of a plate like carbon 11 (first member) and a metallic plate 12 (second member) having a plurality of protruding pieces 13 laminated on the carbon 11, being brought into elastic contact with a gas diffusion electrode layer 20 of an electrode structural body, and forming a gas flow passage 14.例文帳に追加

平板状のカーボン１１（第１の部材）と、このカーボン１１に積層され、電極構造体のガス拡散電極層２０に弾性的に接触させられるとともにガス流路１４を形成する複数の突片１３を有する金属板１２（第２の部材）とからなる。 - 特許庁

Thus, at the portion lying between the NMOS forming region Rnm and the PMOS forming region Rpm in an oxide film 2 for an element isolation, the N/P-type well diffusion layer 12 is hardly formed, and the CMOS device that has a small element isolation width and a high isolation function is provided.例文帳に追加

したがって、素子分離用酸化膜２のうちＮＭＯＳ形成領域ＲnmとＰＭＯＳ形成領域Ｒpmとの間に位置する部分には、Ｎ／Ｐ型ウェル拡散層１２がほとんど形成されず、素子分離幅が小さく分離機能の高いＣＭＯＳデバイスが得られる。 - 特許庁

To ensure stable cell performance by enabling it to perform satisfactory diffusion of gases necessary for the reaction, while retaining mechanical strength for the electrode, and in particular, by forming a carbon layer which has a smooth surface, regardless of unevenness of the electrode substrate and has an improved uniform water repellency.例文帳に追加

電極の機械的な強度を確保しながら、反応に必要な気体の拡散を良好に行うことを可能にし、特に、電極基材の凹凸に関わらず平滑な表面を持つ、均一で撥水性に優れたカーボン層を形成し、安定な電池性能を確保する。 - 特許庁

To provide a contaminant diffusion prevention mat making a noxious substance absorbing layer extremely thin, easily and surely laid on contaminated sediment without becoming too low in specific gravity like a conventional water permeable sheet and preventing whirling-up of the contaminated sediment when covering it with sand.例文帳に追加

有害物質を吸収する層を非常に薄くすることができ、また従来の透水性シートのように比重が小さくなり過ぎず汚染底質への敷設を容易且つ確実にでき、更に覆砂する際に汚染底質の巻き上げを防止できる汚染物質拡散防止マットを提供する。 - 特許庁

The objective epitaxial silicon wafer is characterized in that the silicon epitaxial layer is formed on the nitrogen-doped silicon single crystal wafer, dislocation loops are contained in the bulk, the BMD density in the bulk is ≥5×108 pieces/cm3, and the carrier diffusion length is 300 to 600 μm.例文帳に追加

および、窒素がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中に転位ループと５×１０^８個／ｃｍ^３以上のＢＭＤ密度を有し、かつ、キャリアの拡散長が３００〜６００μｍであることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。 - 特許庁

In the optical plate that includes a transparent substrate provided with a light-emitting surface and a light-incidence surface formed on the side opposite to the light emission surface, a plurality of elongated recessed sinks are formed on the light-incidence surface of the transparent substrate, and a diffusion layer is filled into the plurality of elongated recessed sinks.例文帳に追加

前記目的を達成するために、光出射面と相対側に形成される光入射面を具備する透明基板を含む光学板において、前記透明基板の光入射面に複数の長条型凹槽を形成し、前記複数の長条型凹槽に拡散層を充填する。 - 特許庁

In an integrated circuit, a diffusion barrier layer 18 made of a high density material for protecting a copper structure 40 from oxidation in the presence of oxygen or water being apt to bring about defects such as pin-holes is modified on site by oxidation of a material self-restrictively capable of making a protective oxide.例文帳に追加

集積回路内で、酸素または水の存在下で酸化から銅構造４０を保護する高密度材料よりなる拡散バリア層１８は、ピンホールのような欠陥を生じやすいが、自己制限的に保護酸化物を形成できる材料の酸化によってその場修正される。 - 特許庁

This backlight unit 202 comprises: light sources 302 emitting light; a reflecting sheet 320 arranged below the light sources 302 for reflecting the light emitted from the light sources 302; and the heat diffusion layer 322 formed on one surface of the reflecting sheet 320.例文帳に追加

本発明に係るバックライトユニット２０２は、光を放出する光源３０２と、上記光源３０２の下方に配置され、該光源３０２から放出された光を反射する反射シート３２０と、上記反射シート３２０の一表面に形成された熱拡散層３２２と、を含んで構成したものである。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for forming a Cu based wiring film of which the resistance is reduced, the adhesion to a glass substrate and an Si layer is successful, and which has Si diffusion barrier nature in a process temperature range of a wiring film of a flat panel display device or the like.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Regarding the transmission type screen used for a rear projection type projection TV, the transmission type screen is provided with a glass substrate, and also, the screen is provided with an optical anti-reflection material on the front side of the glass substrate, and a light diffusion layer coated with inorganic material on the rear side of the glass substrate.例文帳に追加

背面投射型プロジェクションテレビに用いる透過型スクリーンにおいて、該透過型スクリーンはガラス基板を有し、該ガラス基板の前面に光反射防止材を有し、該ガラス基板の背面に無機質コーティングからなる光拡散層を有することを特徴とする透過型スクリーン。 - 特許庁

To provide a method of clamping a fuel cell stack that maintains a stack clamping state in a stable and optimal manner without any problems, such as an irreversible variation in thickness of a gas diffusion layer, lowering in clamping pressure, generation of a tiny gap, and an increase in contact resistance, while the stack is operated.例文帳に追加

スタック運転中にガス拡散層の非可逆的な厚さの変動、締結圧力の低下及び微細隙間の発生、接触抵抗の増加などの問題がなく安定で最適化したスタック締結状態を維持する燃料電池スタック締結方法を提供する。 - 特許庁

The anisotropic light-diffusion film for the LED lighting has a layer formed from a resin composition (A) which includes 70 to 90 wt.% of amorphous polyester resin and 10 to 30 wt.% of hydrogenated product of a vinyl-aromatic-hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer.例文帳に追加

（Ａ）非晶性ポリエステル樹脂７０〜９０重量％及びビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物１０〜３０重量％を含む樹脂組成物から形成される層を有するＬＥＤ照明用異方性光拡散フィルムである。 - 特許庁