「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(111ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering target which is used for forming a Cu based wiring film of which the resistance is reduced, the adhesion to a glass substrate and an Si layer is successful, and which has Si diffusion barrier nature in a process temperature range of a wiring film of a flat panel display device or the like.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Regarding the transmission type screen used for a rear projection type projection TV, the transmission type screen is provided with a glass substrate, and also, the screen is provided with an optical anti-reflection material on the front side of the glass substrate, and a light diffusion layer coated with inorganic material on the rear side of the glass substrate.例文帳に追加

背面投射型プロジェクションテレビに用いる透過型スクリーンにおいて、該透過型スクリーンはガラス基板を有し、該ガラス基板の前面に光反射防止材を有し、該ガラス基板の背面に無機質コーティングからなる光拡散層を有することを特徴とする透過型スクリーン。 - 特許庁

To provide a method of clamping a fuel cell stack that maintains a stack clamping state in a stable and optimal manner without any problems, such as an irreversible variation in thickness of a gas diffusion layer, lowering in clamping pressure, generation of a tiny gap, and an increase in contact resistance, while the stack is operated.例文帳に追加

スタック運転中にガス拡散層の非可逆的な厚さの変動、締結圧力の低下及び微細隙間の発生、接触抵抗の増加などの問題がなく安定で最適化したスタック締結状態を維持する燃料電池スタック締結方法を提供する。 - 特許庁

The optical scanner includes: a glass substrate (10) on which a metallic wire wiring region is etched to a predetermined depth; a metallic wiring formed in the metallic wire wiring region; a diffusion blocking layer (112) so formed as to cover the metallic wire on the glass substrate; and an optical scanner structure connected to the glass substrate (10).例文帳に追加

金属配線領域が所定の深さにエッチングされたガラス基板（１０）と、金属配線領域に形成された金属配線と、ガラス基板上で金属配線をカバーするように形成された拡散障壁層（１１２）と、ガラス基板（１０）と結合された光スキャナ構造物と、を備える。 - 特許庁

Then, an impurity diffusion step is performed to dispose a heating device 920 such as a laser annealing device, a heat gas annealing device, or a lamp annealing device on the one surface 10s side and heat the semiconductor layer 1a with the temperature on the one surface 10s side being higher than that on the other surface 10t side.例文帳に追加

その後、不純物拡散工程において、一方面１０ｓ側にレーザーアニール装置、ヒートガスアニール装置、ランプアニール装置等の加熱装置９２０を配置し、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で半導体層１ａを加熱する。 - 特許庁

The adjustment of the water retaining performance of the gas diffusion layer 24 is conducted by setting the content of water repellent material per unit area of the channel confronting part 24A so that it is smaller than the content of the water repellent material per unit area of the rib confronting part 24B.例文帳に追加

このガス拡散層２４における保水性の調整は、チャネル対向部２４Ａにおける単位面積当たりの撥水性材料の含有量を、リブ対向部２４Ｂにおける単位面積当たりの撥水性材料の含有量より小さく設定することによって行う。 - 特許庁

The second adhesion part 22 has an inner peripheral end 221 exposed to the hollow part 169, with a sharp adhesion angle α formed between an exposed surface 222 of the inner peripheral end 221 and a second surface 172 of the diffusion resistance layer 17 in a cross section in a lamination direction.例文帳に追加

第２接着部２２は、その内周端部２２１を中空部１６９に露出させていると共に、内周端部２２１の露出面２２２と拡散抵抗層１７の第２表面１７２との間に形成される接着角αが積層方向の断面において鋭角である。 - 特許庁

To improve the suitability of an emulsion layer (gelatin) washing off at washing in the production of an aluminum planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process and to produce an aluminum planographic printing plate excellent in ink receptivity and printing durability while preventing the sticking of a deposit on a roller in a processing apparatus.例文帳に追加

銀錯塩拡散転写法を利用したアルミニウム平版印刷版の製版処理において、水洗処理時の乳剤層（ゼラチン）のウォッシュ・オフ性を向上させ、インキ受理性及び耐刷力に優れたアルミニウム平版印刷版の製版方法を提供することにある。 - 特許庁

The anisotropic diffusion layer 18 consists of convex- or concave-shaped micro lenses 18L with different cross-section curvatures in X and Y directions, with a major diameter direction (the Y direction) of its bottom face elliptical shape arranged vertical to the prism grooves 12a, 12b, and parallel with a linear light source 2 of a backlight unit 4.例文帳に追加

異方性拡散層１８は、Ｘ方向とＹ方向とで断面の曲率の異なる凸又は凹形状の微小レンズ１８Ｌの群でなり、その底面楕円形状の長径方向（Ｙ方向）は、プリズム溝１２ａ，１２ｂに垂直で、バックライトユニット４の線状光源２と平行に配列する。 - 特許庁

The p-type contact layer 6 sequentially laminates an optical reflective metal film 7 consisting of Ag having a thickness of 150 nm, a diffusion preventing metal film 8 consisting of W having a thickness of 100 nm, and a cover metal film 9 consisting of Au having a thickness of 150 nm to from a p-type electrode 12.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層６の上には厚さが１５０ｎｍのＡｇからなる光学反射金属膜７と、厚さが１００ｎｍのＷからなる拡散防止金属膜８と、厚さが１５０ｎｍのＡｕからなるカバー金属膜９とが順次積層されたｐ型電極１２が形成されている。 - 特許庁

The woven fabric or the nonwoven fabric made mainly of a flame resistant yarn or thread is passed through a thermo-compression roll, and after making the surface smooth and thin, a final heat treatment of 800-3,000°C is applied, thereby, the carbon fiber woven fabric or nonwoven fabric for fuel cell gas diffusion layer is manufactured.例文帳に追加

炭素繊維用耐炎化糸を主成分とする織布または不織布を熱圧ロールに通過させて、表面を平滑かつ厚みを薄くした後、８００〜３０００℃の最終熱処理をすることからなる燃料電池ガス拡散層用の炭素繊維織布または不織布の製造方法。 - 特許庁

To provide such a gate insulation film for semiconductor device that has a high dielectric constant and less deterioration and can be made smaller in film thickness, and in which an reactive (diffusion) layer is difficult to be formed between the Si base on a substrate and itself and a stable characteristic with less leak current is given.例文帳に追加

誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することが可能であり、基板上のＳｉ下地との間に反応（拡散）層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜を得ることを課題とする。 - 特許庁

In this case, since luminance distribution of the first display image 105 can be uniformalized by the diffusion layer 4, an image 121 of B in the second display image 110 can be blurred and thus, the occurrence of a duplicated image in the second display image 110 can be suppressed.例文帳に追加

この場合、拡散層４により第１の表示像１０５の輝度分布を均一化することができるため、第２の表示像１１０におけるＢの像１２１をぼかすことができ、よって、第２の表示像１１０における２重像の発生を抑制することができる。 - 特許庁

Crack resistance is improved in the first and the second interlayer insulating films 13 and 14 because of the adhesiveness of the PSG films 13a and 14a, and the thermal diffusion of phosphorus out of the PSG films 13a and 14a into the semiconductor layer 1a is prevented by the NSG films 13b and 14b.例文帳に追加

これにより、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａの粘性によって第１，第２層間絶縁膜１３，１４のクラック耐性を向上させるとともに、ＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂによってＰＳＧ膜１３ａ，１４ａ中のリンが半導体層１ａに熱拡散されることを防止する。 - 特許庁

The first coat of slurry is applied on a basic layer of carbon 6 and dried to form a first underlayer 7 and the second coat of slurry is applied on the underlayer 7 and dried to form a second underlayer 8 of which surface roughness is 40μm or less at maximum height Rmax, which provides a diffusion electrode 5.例文帳に追加

第１のスラリーを炭素基材層６上に塗布、乾燥し、第１の下地層７を形成し、第２のスラリーを下地層７上に塗布、乾燥して、表面粗さの最大高さＲmaxが４０μｍ以下の第２の下地層８を形成し、拡散電極５を形成する。 - 特許庁

As compared with the case where the opening area of the first flow passage 13 and the opening area of the second flow passage 15 are equal to each other, the supply of liquid fuel from the first flow passage 13 to the diffusion layer 17 is suppressed, so that the liquid fuel is more easily filled in the first flow passage 13.例文帳に追加

この構造によれば、第１の流路１３の開口面積と第２の流路１５の開口面積とが等しい場合に比べて、第１の流路１３から拡散層１７への液体燃料の供給が抑制されて第１の流路１３において液体燃料が充満し易くなる。 - 特許庁

The opening part and the groove part on the positive electrode side of the separator are partially disposed in the vertical direction parallel with the gravity; the size of the separator is not smaller than 10 cm square; and the ratio of the ridge width to the groove width of a part where the separator contacts a gas diffusion layer on the positive electrode side is in the range of 1:1 to 1:2.例文帳に追加

セパレータの正極側開口部および溝部の一部が重力と平行な上下方向に配されており、セパレータの大きさが１０ｃｍ角以上で、セパレータが正極側のガス拡散層と接している部分の畝幅と溝幅の比を１：１〜１：２の範囲とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of suppressing a diffusion of Au, without making the flatness of the interface between a semiconductor layer and an electrode and capable of acting a low electric power consumption with a high oscillation efficiency, by reducing an internal light scattering and an absorption loss, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A p^+-type diffusion layer 15 is not formed just under the n^+-type source 17E unlike an n^+-type source region 17 in a region A and a sheet resistor R1 in the n^+-type source region 17E is larger than a sheet resistor R2 in the n^+-type source 17 (R1>R2).例文帳に追加

ｎ＋型ソース領域１７Ｅの直下には、領域Ａのｎ＋型ソース領域１７と異なり、ｐ＋型拡散層１５は形成されておらず、ｎ＋型ソース領域１７Ｅのシート抵抗Ｒ１は、ｎ＋型ソース領域１７のシート抵抗Ｒ２よりも大きい（Ｒ１＞Ｒ２）。 - 特許庁

When an electrostatic surge with a positive polarity based upon a ground terminal GND is applied to an input/output pad I/O, a breakdown current Itrig of an n channel MOS transistor NMOS flows from the input/output pad I/O through a p^+ diffusion layer PD1 and a forward diode of an n-well NW1.例文帳に追加

入出力パッドＩ／Ｏに接地端子ＧＮＤに対して正極性の静電サージが印加されると、入出力パッドＩ／ＯからＰ^＋拡散層ＰＤ１−ＮウェルＮＷ１の順方向ダイオードを経由してＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭＯＳのブレークダウン電流Ｉｔｒｉｇが流れる。 - 特許庁

In a same manner, since when the materials of the luminescent layers 17R, 17G, 17B and the material of the electron injecting layer 19 are applied and left as they are, the two liquid materials are diffused and entangled each other, second diffusion areas 18R, 18G, 18B, the inclined composition area, can be formed.例文帳に追加

同様に、発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの材料と電子注入層１９の材料とを塗布し、放置すると、２液の材料が拡散し絡み合うので、傾斜組成領域である第２の拡散領域１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成することができる。 - 特許庁

When the liquid given to the liquid receiving part 10 diffuses to the surroundings in an absorbing layer 5 and a surface sheet 4, the grade of the diffusion degree of the liquid corresponding to the physical condition at the time or the wearing time can be known by the reference marks 12, 14, 16 and the grade displays 21, 22, 23.例文帳に追加

受液部１０に与えられる液が吸収層５および表面シート４で周囲に拡散したときに、前記基準マーク１２，１４，１６および等級表示２１，２２，２３によって、そのときの体調や着用時間に応じた液の拡散度の等級を知ることができる。 - 特許庁

In an LED array 110, a metal wiring 150 having a belt-shaped part 154 which intersects a step-difference 116 and spans across the surface of a middle insulating film 140 and an exposed part of the surface of a diffusion mask layer 130 is formed on an electrode forming surface 118 in an LED element 110.例文帳に追加

ＬＥＤ素子１１０において，電極形成面１１８上には，段差１１６を横切りつつ中間絶縁膜１４０表面と拡散マスク層１３０表面の露出部分とにまたがる帯状部分１５４を有する金属配線１５０が形成される。 - 特許庁

The angular distribution of the reflection intensity on the reflection layer 30 shows that the reflection intensity at the position of ±((arctan(A/20)×180/π)×1/2)° angle shifted from the glare angle, wherein A is the longitudinal length of the liquid crystal cell, is ≥1000% when the reflection intensity of the complete diffusion reflection plate is 100%.例文帳に追加

この液晶セルの縦の長さをＡとした時、反射層３０による反射強度角度分布において、グレア角から±（（arctan(A/20)×180/π）×１／２）°ずれた位置における反射強度は、完全拡散反射板の反射強度を１００％とした時に１０００％以上となっている。 - 特許庁

A relationship of θ2-θ1≥10 degrees is met, when a contact angle to water on the inner surface of the gas channel groove 17d is set to θ1 and a contact angle to water on a gas contact surface in contact with the oxidizing gas flowing in the oxidizing gas channel Op in a gas diffusion layer 15c is set to θ2.例文帳に追加

ガス流路溝１７ｄの内面における水に対する接触角をθ１、ガス拡散層１５ｃのうち酸化ガス流路Ｏｐを流れる酸化ガスと接触するガス接触表面における水に対する接触角をθ２としたときに、θ２−θ１≧１０度の関係を満たす。 - 特許庁

This separator for the fuel cell consists of a plate like carbon 11 (first member) and a metallic plate 12 (second member) having a plurality of protruding pieces 13 laminated on the carbon 11, being brought into elastic contact with a gas diffusion electrode layer 20 of an electrode structural body, and forming a gas flow passage 14.例文帳に追加

平板状のカーボン１１（第１の部材）と、このカーボン１１に積層され、電極構造体のガス拡散電極層２０に弾性的に接触させられるとともにガス流路１４を形成する複数の突片１３を有する金属板１２（第２の部材）とからなる。 - 特許庁

Thus, at the portion lying between the NMOS forming region Rnm and the PMOS forming region Rpm in an oxide film 2 for an element isolation, the N/P-type well diffusion layer 12 is hardly formed, and the CMOS device that has a small element isolation width and a high isolation function is provided.例文帳に追加

したがって、素子分離用酸化膜２のうちＮＭＯＳ形成領域ＲnmとＰＭＯＳ形成領域Ｒpmとの間に位置する部分には、Ｎ／Ｐ型ウェル拡散層１２がほとんど形成されず、素子分離幅が小さく分離機能の高いＣＭＯＳデバイスが得られる。 - 特許庁

To ensure stable cell performance by enabling it to perform satisfactory diffusion of gases necessary for the reaction, while retaining mechanical strength for the electrode, and in particular, by forming a carbon layer which has a smooth surface, regardless of unevenness of the electrode substrate and has an improved uniform water repellency.例文帳に追加

電極の機械的な強度を確保しながら、反応に必要な気体の拡散を良好に行うことを可能にし、特に、電極基材の凹凸に関わらず平滑な表面を持つ、均一で撥水性に優れたカーボン層を形成し、安定な電池性能を確保する。 - 特許庁

To provide a contaminant diffusion prevention mat making a noxious substance absorbing layer extremely thin, easily and surely laid on contaminated sediment without becoming too low in specific gravity like a conventional water permeable sheet and preventing whirling-up of the contaminated sediment when covering it with sand.例文帳に追加

有害物質を吸収する層を非常に薄くすることができ、また従来の透水性シートのように比重が小さくなり過ぎず汚染底質への敷設を容易且つ確実にでき、更に覆砂する際に汚染底質の巻き上げを防止できる汚染物質拡散防止マットを提供する。 - 特許庁

The objective epitaxial silicon wafer is characterized in that the silicon epitaxial layer is formed on the nitrogen-doped silicon single crystal wafer, dislocation loops are contained in the bulk, the BMD density in the bulk is ≥5×108 pieces/cm3, and the carrier diffusion length is 300 to 600 μm.例文帳に追加

および、窒素がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中に転位ループと５×１０^８個／ｃｍ^３以上のＢＭＤ密度を有し、かつ、キャリアの拡散長が３００〜６００μｍであることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。 - 特許庁

A cap film for supplying hydrogen to a region sandwiched between the embrittled region and the surface of the semiconductor substrate and preventing the diffusion of hydrogen from the embrittled region is provided for the semiconductor substrate, whereby a semiconductor layer can be transferred from the semiconductor substrate to a base substrate.例文帳に追加

そして、脆化領域からの水素の拡散を防ぎ、且つ脆化領域と半導体基板の表面に挟まれた領域に水素を供給できるキャップ膜を半導体基板に形成し、当該半導体基板からベース基板に半導体層を転載する発明に至った。 - 特許庁

A distance image pick-up area 120 for reading measuring light emitted to the measured objective body 4, and a usual image pick-up area 130 for reading an image of the measured objective body 4 are formed each other in the respective optimum diffusion layer depths a picture element by a picture element in response to wavelength sensitivity characteristics.例文帳に追加

画素ごとに、測定対象物体４に照射した測定光を取り込む距離画像撮像領域１２０と、測定対象物体４の画像を取り込む通常画像撮像領域１３０とを、波長感度特性に応じて、互いに最適な拡散層深さに形成する。 - 特許庁

A select gate 6 and a floating gate 7 are formed on a silicon substrate 1 through gate oxide films 5 and 4, a drain region 2 is formed on the side of the floating gate 7, a source region 3 is formed on the side of the select gate 6, and a diffusion layer 11 is formed in the silicon substrate 1 located between the gates 6 and 7.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ゲート酸化膜５，４を介して選択ゲート６，浮遊ゲート７が形成され、浮遊ゲート７の側方にドレイン領域２が、選択ゲート６の側方にソース領域３が、各ゲート６，７間に位置するシリコン基板１内に拡散層１１がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

To provide a BRS laser and a method for manufacturing the BRS laser, in which, an active layer is protected from diffusion of P-type impurities which come from not only a wall face on both sides of a ribbon, namely upper and bottom wall faces of the ribbon, but also a sideward wall face connected to the upper and bottom wall faces.例文帳に追加

リボンの両側の壁面、すなわちリボンの上部および底部壁面だけでなく、上部および底部壁面に接続する側方壁面からも来るｐ型不純物の拡散から、活性層がさらに保護されるＢＲＳレーザ、および、ＢＲＳレーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this PN-type electron beam detector 100, a PN junction is composed of a P+-type diffusion layer 102 formed on the front face (on the lower side in Figure) of an N--type semiconductor substrate 101, while the rear face of the N--type semiconductor substrate 101 is an incident surface of the electron beam or the reflected electrons.例文帳に追加

Ｎ^-型半導体基板１０１の表面（図１中、下側）に形成されたＰ^+型拡散層１０２にてＰＮ型電子線検出器１００のＰＮ接合が構成され、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面が電子線又は反射電子の入射面となる。 - 特許庁

Since a conventional high-cost metallic porous member to serve as the gas diffusion layer and the current collector is not used and, in place of this, the fluid passage layers 16, 17 which do not require conductivity and the metallic cooling plate (separator) 12 having corrosion resistance are used, low cost and high power generation efficiency are attained.例文帳に追加

従来のガス拡散層及び集電体兼用の高価な金属製多孔質部材を用いず、これに代えて導電性が無用の流体流路層１６，１７と耐蝕性を有する金属製冷却板（セパレータ）１２とを用いて、低コスト化と高発電効率化を図った。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a compound magnetic component having higher permeability by forming an interface layer generated by the mutual diffusion of atoms in a boundary between a metallic magnetic particles and a ferrite film to reduce air gaps, and improving chemical unity to facilitate the formation of a magnetic path.例文帳に追加

金属磁性粒子とフェライト被膜の境界に、原子の相互拡散による界面層を形成して空隙を少なくし、化学的結合性を向上させて、磁路の形成を容易にすることにより、より高い透磁率の複合磁気部品の製造方法を提供する - 特許庁

Also, an incident light to be incident toward the top of the specific texture structure is reflected from a mirror surface 19A of a quadrangular reflection mirror 19 toward a diffusion layer 12 as a light receiving surface, and thus, as an increase in reflection rate of an incident light is suppressed, more amount of incident light increases.例文帳に追加

また、特定のテクスチャ構造の頂部に向けて入射される入射光は、四角錐状の反射鏡１９の鏡面１９Ａから受光面である拡散層１２に向けて反射されるため、入射光の反射率の増加が抑制され、その分、入射光量が増大する。 - 特許庁

A water-repellent material as a fixing material is impregnated into a substrate 44 forming a gas diffusion layer 42, the substrate 44 is brought into contact with the surface on a reaction gas passage 35 (36) side of the separator 20, and the substrate 44 and the separator 20 are integrated with each other by drying them up at an existing state.例文帳に追加

ガス拡散層４２を形成する基材４４に固着材として撥水材料を含浸させ、当該基材４４をセパレータ２０の反応ガス流路３５（３６）側の面に接触させ、その状態で乾燥させて該基材４４とセパレータ２０とを一体化させる。 - 特許庁

In the transmission type screen 40 using a light guide plate 41 provided with end surfaces of a plurality of optical fibers 41b which is planarly arranged, a diffusion layer 42 containing diffusing particles 42a and a polarizing plate 43 are disposed on a surface of the incident side of light of the light guide plate 41.例文帳に追加

平板状に配列された複数の光ファイバー４１ｂの端面を備えた導光プレート４１を用いた透過型スクリーン４０において、導光プレート４１の光の入射側の面上に、拡散粒子４２ａを含有する拡散層４２と、偏光層４３とを配置するようにした。 - 特許庁

A photo-guide plate 10 consists of a transparent plate in which at least one end face is used as a light incident surface and other plane, at least one, is allowed to serve as a light emission surface, wherein the light emission surface has a light diffusion layer 12 containing 1-50 wt.% transparent spherical powder covered with titanium dioxide.例文帳に追加

少なくとも一つの端面を入光面とし、他の少なくとも一つの平面を出光面とする透明板からなる導光板において、該透明板の出光面に二酸化チタン被覆透明球状粉末を１〜５０重量％含む光拡散層を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a flexible wiring board in which an ingredient of a plating does not penetrate and a plated layer does not disappear by diffusion into wiring, and which is excellent in low warpage, flexibility, adhesion with sealant, solvent resistance and chemical resistance, thermal resistance, electrical property, humidity resistance, workability and economical efficiency.例文帳に追加

メッキ成分の浸透が無くかつ配線へメッキ層が拡散して無くなることなく、低反り性、柔軟性、封止材との密着性、耐溶剤性及び耐薬品性、耐熱性、電気特性、耐湿性、作業性及び経済性に優れるフレキシブル配線板を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor integrated circuit device which can increase the access speed to the memory cell of the memory cell section of a DRAM by reducing the resistance of the bit line or capacity connection of the memory cell section by siliciding the diffusion layer of a logic circuit section in a chip in which the memory cell section and the logic section of a peripheral circuit integrally coexist.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセル部と、周辺回路のロジック部とを一体化した混載チップで、論理回路部の拡散層を珪化物化して高速化、高集積化しつつ、メモリセル部のビット線接続や容量接続の抵抗を低減して該セルへのアクセスの高速化を可能にする装置を提供する。 - 特許庁

The membrane/electrode assembly includes a hydrogen ion conductive polymer electrolyte membrane, a cathode electrode and an anode electrode, and also includes a diffusion auxiliary layer between the cathode electrode and the hydrogen ion conductive polymer electrolyte membrane.例文帳に追加

水素イオン伝導性高分子電解質膜と、カソード電極とアノード電極を有する膜／電極接合体であって、前記カソード電極と前記水素イオン伝導性高分子電解質膜との間に拡散補助層を有することを特徴とする膜／電極接合体が提供される。 - 特許庁

The anisotropic light-diffusion film for the LED lighting has a layer formed from a resin composition (A) which includes 70 to 90 wt.% of amorphous polyester resin and 10 to 30 wt.% of hydrogenated product of a vinyl-aromatic-hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer.例文帳に追加

（Ａ）非晶性ポリエステル樹脂７０〜９０重量％及びビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物１０〜３０重量％を含む樹脂組成物から形成される層を有するＬＥＤ照明用異方性光拡散フィルムである。 - 特許庁