「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(113ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus high resolution images having a high brightness through fine-pitched microlens arrays are attained, and a directional light diffusion layer sheet having different radiation angles in lateral and vertical directions is employed to be able to easily and arbitrarily adjust the vertical viewing angle while maintaining a wide lateral viewing angle.例文帳に追加

これにより、高い輝度を有しマイクロレンズアレイの微細ピッチ化を通じて高解像度の映像を得ることができ、水平及び垂直方向に相違する放射角特性を有する方向性光拡散層シートを適用して広い水平視野角を維持しながら、垂直視野角の制御を容易かつ任意に調節することができる。 - 特許庁

A semiconductor device and its manufacturing method characteristically has a profile of a gate electrode, a profile or scope of a diffusion layer forming ion implantation region, or a peripheral profile of an element region, or has an insulation film coating a part of the element region formed before ion implantation.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、ゲート電極の形状、拡散層形成用イオン注入領域の形状若しくは範囲、又は、素子領域の周辺形状に特徴があり、あるいは、イオン注入前に素子領域の一部を被覆する絶縁膜を形成する点に特徴を有するものである。 - 特許庁

Since the concentration of n-type dopants around a parasitic diode 124 increases due to the existence of the n-type diffusion layer 115, the breakdown voltage of the parasitic diode 124 connected to a collector electrode is set lower than that of a diode 122 connected to an emitter electrode.例文帳に追加

このため、寄生ダイオード１２４の周囲のＮ型不純物濃度は、Ｎ型拡散層１１５が形成されることでＮ型不純物量が増加することにより、コレクタ電極に接続されている寄生ダイオード１２４の耐圧がエミッタ電極に接続されているダイオード１２２の耐圧よりも低く設定される。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MOS type transistor structure and using the capacity between a gate electrode 23 and an impurity diffusion layer 24 as a varicap, a short channel effect can be utilized by constituting a gate width (GW) formed in a channel region beneath the gate electrode 23 in a multistage.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ＭＯＳ型トランジスタ構造で、ゲート電極２３と不純物拡散層２４間の容量をバリキャップとして用いるものにおいて、前記ゲート電極２３下のチャネル領域に形成されたゲート幅（ＧＷ）を多段階に構成することで、狭チャネル効果を利用することを特徴とするものである。 - 特許庁

The surface of an N-type semiconductor wafer 1 is coated with a liquid-state impurity source 2 composed of the mixture of an aluminum compound, boron compound, organic polymer material and organic solvent and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, and the organic solvent is evaporated so that a layer containing aluminum and boron can be formed.例文帳に追加

アルミニウム化合物とホウ素化合物と有機高分子物質と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ型半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor which has improved absorption of laser light, prevents diffusion of surplus laser light by absorption of the light in an undercoat layer, meets the need of reduction in diameter of writing light, and ensures the occurrence of few spot defects against charging potential in a wide range of a cylindrical support surface.例文帳に追加

電子写真感光体において、レーザー光の吸収を良くし、余剰となったレーザー光の吸収を下引き層に持たせて拡散を防止し、光書込み光径の小径化に対応し、円筒状支持体表面の広い範囲において、帯電電位に対して点欠陥の発生の少ない表面を提供する。 - 特許庁

The horizontal transfer region 4 is tapered (both ends are tapered) so as to improve the charge detection sensitivity of a floating diffusion layer 3 which converts signal charge to voltage signals, and an overflow barrier 5 and the overflow drain 6 are provided adjacent to the final storage electrode 8a of the horizontal transfer region 4 along the shape of the horizontal transfer region 4.例文帳に追加

信号電荷を電圧信号に変換する浮遊拡散層３の電荷検出感度を上げるためにテーパ形状（両端先細り形状）となっている水平転送領域４の形状に沿って、オーバーフローバリア５とオーバーフロードレイン６が水平転送領域４の最終蓄積電極８ａ隣にまで設けられている。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method for making a planographic printing plate is carried out by exposing a photographic material having a silver halide emulsion layer, developing (without including silver complex salt diffusion transfer development), and then treating the plate with a treating liquid containing a solvent for the silver halide, an organic compound having a mercapto group in the molecule and ≥0.2 mol phosphoric acid compound per 1 liter of the liquid.例文帳に追加

ハロゲン化銀乳剤層を有する写真材料を露光し、現像処理（銀錯塩拡散転写現像を含まない）後、ハロゲン化銀溶剤、分子中にメルカプト基を有する有機化合物及び１リットルあたり０．２モル以上のリン酸化合物を含有する処理液で処理する平版印刷版の作成方法。 - 特許庁

To provide a technology for suppressing the deterioration of performance in the semiconductor element such as a MISFET formed on a main surface of the semiconductor substrate by suppressing the diffusion of copper atoms attached to a back surface of the semiconductor substrate from the back surface into the semiconductor substrate, in a semiconductor device where copper wiring is used in a wiring layer.例文帳に追加

配線層に銅配線を使用する半導体装置において、半導体基板の裏面に付着した銅原子が半導体基板の裏面から内部へと拡散することを抑制し、半導体基板の主面に形成されているＭＩＳＦＥＴなどの半導体素子の特性劣化を抑制できる技術を提供する。 - 特許庁

Or, an insulating thin film which transmits light of ≤2,000 nm in wavelength by ≥95% and contains elements given the same or different conductivity with the semiconductor substrate is provided on the photodetection surface side of the semiconductor substrate and the elements are diffused to form a diffusion layer on the top surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

あるいは、半導体基板の受光面側に波長２０００ｎｍ以下の光を９５％以上透過させ、かつ、半導体基板と同一の又は異なる導電性を付与する元素を含む絶縁性薄膜を設け、この元素の拡散により半導体基板の表面に拡散層を形成する。 - 特許庁

By making hardness of the inner face higher than that of the outer face by forming a diffusion hardening layer on the inner face of the metal sheath, and by applying wire drawing by filling a MgB_2 superconductor, and as needed, improvement materials of the critical current density such as indium, copper, and tin into the sheath in the state, the superconducting wire rod is produced.例文帳に追加

金属シースの内面に拡散硬化層を形成して内面の硬さを外面の硬さよりも高くし、その状態でシース内にＭｇＢ_２超電導体、更に必要に応じてインジウム、銅、錫等の臨界密度向上物質を充填して伸線加工を施し、超電導線材を製造する。 - 特許庁

This surface-mounted LED 10 (light emitting device) includes: an LED chip 1; a phosphor layer 19 converting the wavelength of light emitted from the LED chip 1; and a light diffusion part 6 that is structured to diffuse light at the center part on the upper side of the LED chip 1 relative to light in the other parts.例文帳に追加

この表面実装型ＬＥＤ１０（発光装置）は、ＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１から出射された光の波長を変換する蛍光体層１９と、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成されている光拡散部６とを備える。 - 特許庁

To provide a method of removing contamination due to impurities and physical damages onto the surface of a semiconductor substrate before crystal growth or on the surface of a semiconductor before regrowth, with a minimum change in shape, without inducing the diffusion of impurities or crystal defects in an original semiconductor layer.例文帳に追加

もとの半導体層中の不純物拡散や結晶欠陥の発生を誘起することなく、また形状変化を最小限にして、結晶成長前の半導体基板表面や再成長前の半導体表面の不純物汚染や物理的ダメージを再現性良く安定的に除去する手法を提供すること。 - 特許庁

To provide a solar cell having a dielectric reflector with high reflectivity, having both characteristics of small layer thickness and of the diffusion lobe of an inversely-diffused radioactive beam by the absorber as widely as possible compared with conventional techniques, and therefore having a superior light-trapping characteristic and high efficiency.例文帳に追加

高い反射性を有する誘電性反射体を有するソーラーセルであって、従来技術と比較して、小さい層厚を有することと、吸収体に逆散乱される放射線の散乱ローブをできる限り広く有することの両方を有し、従って良好な光トラッピング特性と高い効率とを有するソーラーセルを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a permanent magnet, with which method while eliminating surface layer of the permanent magnet with cracks or roughness, new cracks or roughness are not formed on a newly exposed surface, and metal grains with high coercive force are efficiently subjected to grain boundary diffusion in the permanent magnet.例文帳に追加

亀裂や凹凸を有する永久磁石表面層を排除しながら、新たに露出した表面に別途の亀裂や凹凸が形成されることがなく、しかも、保磁力性能の高い金属粒を効率的に永久磁石内に粒界拡散することのできる、永久磁石の製造方法を提供する。 - 特許庁

This gas diffusion layer is filled with a conductive agent including boron denaturation carbon black in a fiber porous base material and only having one peak in an Log differential pore volume distribution graph measured by a mercury intrusion method and that peak exists within a range of a pore diameters of 0.01 to 1 μm.例文帳に追加

本発明のガス拡散層は、繊維多孔質基材にホウ素変性カーボンブラックを含む導電剤が充填されているガス拡散層であり、水銀圧入法により測定したＬｏｇ微分細孔容積分布グラフにおいて、ピークを１つだけ有し、そのピークが細孔直径０．０１〜１μｍの範囲に存在する。 - 特許庁

If second conductor powder for a wiring pattern layer 6 laminated and formed in a ceramic green sheet 5 is constituted of only metallic powder MP, it rapidly contracts at a baking temperature suitable for ceramic due to the diffusion of metallic particles and melting of the particles, thus causing warp or the like.例文帳に追加

セラミックグリーンシート５に積層形成する配線パターン層６用の第二導電体粉末は、金属粉末粒子ＭＰのみから構成されていると、セラミックに適合した焼成温度では、金属粒子間における拡散や粒子の溶融により収縮が急激に進行し、反り等を招くことにつながる。 - 特許庁

A process wherein an impurity diffusion layer 4 to be used to control threshold voltage is performed by implanting ions, and a process wherein a high temperature heat treatment is performed for a short period to recover the crystal defect generated by the ion implantation, are performed continuously without performing heat treatment in this manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法が、イオン注入によってしきい値電圧制御のための不純物拡散層を形成する工程と、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のための高温短時間熱処理を行う工程とを、熱処理を実施することなく連続的に行う。 - 特許庁

In this controlled potential elecrolytic gas sensor using an electrolyte comprising a sulfuric acid solution, is provided with a gas diffusion electrode formed with a gold sintered body layer obtained by sintering gold grains of 4-16 m^2/g in specific surface area, on one face of a gas permeable membrane.例文帳に追加

定電位電解式ガスセンサは、硫酸水溶液よりなる電解液を用いる定電位電解式ガスセンサにおいて、ガス透過膜の一面に、比表面積が４〜１６ｍ^^2 ／ｇの金粒子を焼結して得られる金焼結体層が形成されてなるガス拡散電極を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the lithographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer process and having physical development nuclei between a surface-roughened and anodized aluminum support and a silver halide emulsion layer, the lithographic printing plate contains an oil dispersion of substituted 1-phenyl-3-pyrazolidone.例文帳に追加

粗面化され陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版において、該平版印刷版が置換された１−フェニル−３−ピラゾリドンのオイル分散物を含有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

An optical sheet 3 is constituted by joining a light shielding sheet 14 in which apertures 12 and light shading parts 13 are alternately arranged to a diffusion board 11 via an adhesive layer 15 and further joining a lens sheet 16 constituted of a lens part 18 where array-shaped lenses 18A are arranged on one surface and a lens sheet base material 17 to the light shielding sheet 14.例文帳に追加

光学シート３は、拡散板１１に接着層１５を介して開口部１２と遮光部１３を交互に配列した遮光シート１４を接合し、さらに遮光シート１４には、アレイ状のレンズ１８Ａが一方の面に配列されたレンズ部１８及びレンズシート基材１７からなるレンズシート１６を接合する。 - 特許庁

The guide roller in which flanges are installed on both ends is used, the gas diffusion layer base material impregnated with the water-repellent material containing liquid passes through the guide roller by hanging on the flanges of the guide roller at the end in the width direction, and a center section of a porous base material in the width direction does not come in contact with the guide roller.例文帳に追加

ガイドローラとしてその両端部にフランジが設けられたものを用い、撥水材含有液が含浸されたガス拡散層基材はその幅方向の端部で前記ガイドローラの前記フランジに掛けられて前記ガイドローラを通り、多孔質基材の幅方向の中央部は前記ガイドローラと接触しない。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for a second optical wafer inspection for such defects as metalization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad area defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁

To synchronously and concurrently carry out work to laminate diffusion layers (second pattern 5) on a catalyst layer (first pattern 4) formed at a continuously sent electrolyte membrane of a web shape, and work to cut out a membrane electrode junction (joining pattern 1) formed by lamination, and improve the productivity of the membrane electrode junction 1.例文帳に追加

連続的に送られるウエブ状の電解質膜に形成された触媒層（第１パターン４）に拡散層（第２パターン５）を積層する作業と、積層によって形成された膜電極接合体（接合パターン１）を切り出す作業とを、同期して同時に行えるようにし、膜電極接合体１の生産性を向上させる。 - 特許庁

The integrated circuit further has conductive wiring with which the first groove is filled, and the conductive wiring has a surface lower than the upper side surface of the side wall of the diffusion barrier layer, and a metal cap is substantially directly formed only on an area on the conductive wiring.例文帳に追加

前記集積回路は、さらに、前記第１の溝が充たされた導電体配線を有し、前記導電体配線が、前記拡散バリア層の前記側壁部分の上側表面よりも低い表面を有し、かつ、金属キャップを、実質的に前記導電体配線上の領域にのみに直接形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a resin composition suitable for production of biochips, with which a resin composition layer excellent in diffusion controllability of an acid generated by exposure can be formed and various kinds of polymers can be stably and accurately formed with high density on a substrate even when exposure amount is low, and to provide a method for producing biochips by using the composition.例文帳に追加

露光により発生した酸の拡散制御性に優れた樹脂組成物層を形成でき、露光量が少ない場合であっても基板上に多種類の高分子を高密度、かつ安定して正確に形成できるバイオチップの製造に適した樹脂組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。 - 特許庁

Boron ion 5 is implanted selectively to a region for isolation region formation via a thermal silicon oxide film on a P-type semiconductor substrate 1, boron 6 is added to an epitaxial layer 2, a silicon oxide film 10 of a low temperature is formed on the semiconductor substrate 1, and an isolation region 8 is formed by drive-in diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の熱シリコン酸化膜を介して分離領域形成用の領域に選択的にボロンイオン５を注入しエピタキシャル層２にボロン６を添加し、半導体基板１上に低温のシリコン酸化膜１０を形成し、ドライブイン拡散をして分離領域８を形成する。 - 特許庁

A carbon layer (22) is offset to depart from a gate electrode (15), relative to the tip of a source/drain extension region (18) of a field effect transistor formed in a semiconductor substrate (11); and is positioned to enclose a source/drain impurity diffusion region, in sectional profile.例文帳に追加

半導体基板（１１）に形成される電界効果型トランジスタのソース・ドレインエクステンション領域（１８）の先端に対してゲート電極（１５）から離れる方向にオフセットし、かつ、断面プロファイルでソース・ドレイン不純物拡散領域を取り囲んで位置する炭素層（２２）を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing the mutual diffusion of impurities in a polysilicon layer and reducing the resistance of an n-type polymetallic gate electrode and a p-type polymetallic gate electrode in the semiconductor device having a gate electrode in a polymetallic gate structure and a dural gate structure.例文帳に追加

ポリメタルゲート構造及びデュアルゲート構造のゲート電極を有する半導体装置において、ポリシリコン層中の不純物の相互拡散を防止すると共に、Ｎ型ポリメタルゲート電極とＰ型ポリメタルゲート電極の抵抗を共に低くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a recording sheet for thermal printing which can endure a high temperature in a process of high-speed printing and enables attainment of a clear image and reduction of creases or warps of paper by reducing diffusion of heat from an image receiving layer and which is devised mainly for the high-speed printing.例文帳に追加

高速印刷する過程での高温に耐え得る感熱印刷用記録シートであって、受像層からの熱の拡散を抑制することによって鮮明な画像を得るともに、用紙のシワや反りの発生を抑制することが可能な、主として高速印刷のための感熱印刷用記録シート提供する。 - 特許庁

It is presumed that the magnesium is brought into reaction with nickel oxide in the surface of the nickel powder and is present as multiple oxide, and the multiple oxide of the magnesium oxide and nickel oxide is made dense compared to the surface layer of the nickel oxide only to prevent the diffusion of oxygen into the nickel powder and to suppress the oxidation of the nickel powder.例文帳に追加

本マグネシウムは、ニッケル粉表面で酸化ニッケルと反応し複合酸化物として存在していると推測され、この酸化マグネシウムと酸化ニッケルの複合酸化物は、酸化ニッケル単独の表面層にくらべ緻密になり、酸素のニッケル粉中への拡散を防止し、ニッケル粉の酸化を抑制する。 - 特許庁

To provide an electrode catalyst layer for a polymer electrolyte fuel cell with gas diffusion properties having a slanted distribution in a thickness or a film face direction against a polymer electrolyte membrane with mechanical strength maintained, and with a high effective utilization factor of catalyst, and to provide its manufacturing method and a polymer electrolyte fuel cell.例文帳に追加

機械的強度を保ちつつ、高分子電解質膜に対して厚さ方向または膜面方向にガス拡散性が傾斜分布を持ち、触媒の有効利用率が高い固体高分子型燃料電池用電極触媒層、その製造方法および固体高分子型燃料電池を提供すること。 - 特許庁

A gate electrode 15 is formed on a prescribed channel region 13 on a substrate 11 of a monocrystal Si enclosed with an element isolation oxide film 12 via a gate oxide film 14 of a combination structure, and a source/ drain diffusion layer 16 is formed away from the channel region 13 on the both-side substrates 11.例文帳に追加

素子分離酸化膜１２に囲まれた単結晶Ｓｉの基板１１上における所定のチャネル領域１３上には組み合わせ構成のゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５が形成され、その両側の基板１１上にはチャネル領域１３を隔ててソース／ドレイン拡散層１６が形成されている。 - 特許庁

When hydrogen is supplied to the fuel gas passage, the distance between an anode side gas diffusion layer 413a and the separator 42 is increased by supply pressure of hydrogen and elastic force of the seal member 415 and the conductive elastic member 416, and passage cross-section area of the fuel gas passage 417 is increased.例文帳に追加

燃料ガス流路４１７に水素が供給されたときには、水素の供給圧力、および、シール部材４１５、導電性弾性部材４１６の弾性力によって、アノード側ガス拡散層４１３ａとセパレータ４２との間の距離が増大し、燃料ガス流路４１７の流路断面積が増大する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device with excellent display quality preventing a liquid crystal and a polymer dispersed body from being deteriorated by diffusion of impurities thereinto from an electrode and, at the same time, maintaining an aligned state of liquid crystal molecules in a liquid crystal layer in the case of no voltage application and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

電極からの不純物の拡散による液晶やポリマー分散体の劣化を防止することができるとともに、電圧無印加時における液晶層内の液晶分子の配向状態を維持することができる、表示品質に優れた液晶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sensor body 1 includes two kinds of wiring patterns such as diffusion layer wiring patterns 15 and metal wiring patterns 17 electrically connected to piezo-resistance R1x-R4x, R1y-R4y and R1z-R4z of resistors, and at least parts thereof formed in the respective flexural parts 13 are formed of the wiring patterns 15.例文帳に追加

また、センサ本体１では、抵抗体たるピエゾ抵抗Ｒ１ｘ〜Ｒ４ｘ，Ｒ１ｙ〜Ｒ４ｙ，Ｒ１ｚ〜Ｒ４ｚに電気的に接続された配線として拡散層配線１５と金属配線１７との２種類があり、少なくとも各撓み部１３に形成される部分が拡散層配線１５により構成されている。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for a second optical wafer inspection for such defects as metalization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad area defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁

A pixel unit 1 is structured with a non-volatile memory transistor MT formed in a p-type well 12 of a silicon substrate 10 to include a floating gate 14 and a control gate 16 and selection gate transistors ST1, ST2 formed in both sides of each memory transistor MT through common use of such memory transistor MT and diffusion layer 17.例文帳に追加

画素ユニット１は、シリコン基板１０のｐ型ウェル１２に形成された、浮遊ゲート１４と制御ゲート１６を持つ不揮発性メモリトランジスタＭＴと、このメモリトランジスタＭＴと拡散層１７を共有して各メモリトランジスタＭＴの両側に形成された選択ゲートトランジスタＳＴ１，ＳＴ２とから構成される。 - 特許庁

To obtain a solid-state image sensing device which is enhanced in detection sensitivity by a method wherein a detection capacitance formed of a floating diffusion layer is decreased without varying an output electrode or a reset electrode in threshold value, and charge is trapped in a gate insulating film of ONO film when a device is charged while it is manufactured.例文帳に追加

製造中デバイスが帯電した場合、ゲート絶縁膜を構成するＯＮＯ膜中に電荷がトラップされ、出力電極やリセット電極のしきい値の変動が生じることなく、浮遊拡散層からなる検出容量が低減し、検出感度が向上する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The display plate includes a light-transmitting substrate with light-transmitting properties and a light diffusion part formed at a side opposite to a visible side of the light-transmitting substrate, wherein the display plate includes a colored resin layer having a smooth surface smoothed by smoothing treatment formed at the visible side of the light-transmitting substrate.例文帳に追加

光透過性を有する光透過性基板と、光透過性基板の視認側と反対側に形成された光拡散部とを備え、光透過性基板の視認側に、平滑処理によって、平滑化された平滑面を有し、光透過性基板の視認側に形成された有色樹脂層を備える。 - 特許庁

The manufacturing method of a solar battery cell includes: a process in which the aqueous phosphoric acid solution is jetted against the surface of a semiconductor substrate; and a process in which the semiconductor substrate on which the aqueous phosphoric acid solution is jetted is heated so that n-type impurities are diffused in the semiconductor substrate to form an n-type impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の表面にリン酸水溶液を噴霧する工程と、リン酸水溶液が噴霧された半導体基板を加熱することにより半導体基板にｎ型不純物を拡散させてｎ型不純物拡散層を形成する工程とを含む太陽電池セルの製造方法である。 - 特許庁

The liquid crystal display device 100 has: a backlight unit 10; the liquid crystal display panel 20a having an arrangement pattern 22a of pixels (dots) arranged in a matrix shape having rows and columns; and the light diffusion layer 30a disposed on the viewer side of the liquid crystal display panel and having the stripe structure extending in the vertical direction.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置１００は、バックライトユニット１０と、行および列を有するマトリクス状に配列された絵素（ドット）の配列パターン２２ａを有する液晶表示パネル２０ａと、液晶表示パネルの観察者側に配置され、垂直方向に延びるストライプ構造を有する光拡散層３０ａとを有する。 - 特許庁

To provide a pressurization method of fuel cell material advantageous to improve power generation performance of a fuel cell, where the pressurization method of fuel cell material can keep the porosity of a membrane electrode junction or a gas diffusion layer on an air outlet side relatively higher than a porosity on an air inlet side, and can ensure exhaust performance of water from the air outlet side.例文帳に追加

膜電極接合体またはガス拡散層の空気出口側の気孔率が、空気入口側よりも相対的に高めに維持することができ、空気出口側の水の排出性を確保することができ、燃料電池の発電性能を向上させるのに有利な燃料電池素材の加圧方法を提供する。 - 特許庁

The light diffusion plate has an A layer including 100 pts.mass of a resin containing >70 mass% and <95 mass% styrene based monomer units and >5 mass% and <30 mass% (meth)acrylate monomer units (hereafter described as MS resin A) and 0.1-10 pts.mass of a light diffusing agent.例文帳に追加

スチレン系単量体単位７０質量％を超えて９５質量％未満、（メタ）アクリル酸エステル単量体単位が５質量％を超えて３０質量％未満を含む樹脂（以下、「ＭＳ樹脂Ａ」という）１００質量部及び光拡散剤０．１〜１０質量部を含有するＡ層を有する光拡散板。 - 特許庁