「dislocations」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

SINGLE CRYSTAL MATERIAL IN WHICH HIGH DENSITY DISLOCATIONS ARE ONE-DIMENSIONALLY ARRAYED ON STRAIGHT LINE, FUNCTIONAL DEVICE USING THE MATERIAL, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM例文帳に追加

高密度転位を一次元に直線上に配列させた単結晶材料、該単結晶材料を用いた機能デバイスおよびそれらの作製方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a high quality single crystal body of GaN, AlN, AlGaN or the like, which has little thickness distribution, and is almost free from dislocations caused by temperature change and impurities.例文帳に追加

厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質なＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮなどの単結晶体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, the semiconductor layer, on the buffer layer which is not in contact with the substrate, has a free standing property, allowing generation of dislocations and cracks to be avoided.例文帳に追加

これにより、基板と接触していないバッファ層上の半導体層は、フリー・スタンディング特性を有することになり、転位及びクラックの発生を防止できる。 - 特許庁

The semiconductor layer may include a seed layer disposed proximal to the surface of the semiconductor layer and having the threading dislocations uniformly distributed therein.例文帳に追加

この半導体層は、半導体層の表面に近接して位置するシード層、およびそこに均一的に分布するレッディング転位を有することを含み得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing composite semiconductor substrate by which the slipping or dislocations of single-crystal semiconductor layers and the formation of lattice defects, HF defects, etc., in the semiconductor layers can be prevented.例文帳に追加

複合半導体基板の製造方法において、単結晶半導体層にスリップや転位、格子欠陥、ＨＦ欠陥等が形成されるのを防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide single crystal almost free from spiral dislocations and from mixing of a different polymorphic crystal and a different orientation crystal.例文帳に追加

螺旋転位が少なく、かつ異種多形結晶や異方位結晶の混入がほとんどない炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a single crystal which decreases accumulation of dislocations, which generate in a peripheral part of the crystal in a crucible, within a crystal.例文帳に追加

坩堝内の結晶周辺部に発生した転位が結晶内部に蓄積することを低減した単結晶製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

By the manufacturing method of the nitride semiconductor, the mass production of the nitride semiconductor with a significantly reduced number of internal crystal defects, dislocations or cracks is enabled.例文帳に追加

これにより、内部の結晶欠陥、転位又はクラックの発生を大きく減少させた窒化物の半導体を低コストで大量生産が可能である。 - 特許庁

To suppress miss-fit dislocations caused by the difference in the lattice constants, and to provide a high quality SiC semiconductor and a method of epitaxially growing SiC.例文帳に追加

格子定数の違いによるミスフィット転位を抑制し、しかも、品質の高いＳｉＣ半導体とＳｉＣエピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the generation of dislocations in a single crystal even when the single crystal having a large diameter is pulled up at a high speed, and to thereby prevent lowering in the yield at the production of single crystals.例文帳に追加

直径の大きな単結晶を高速で引上げても、単結晶の有転位化が発生せず、これにより単結晶製造の歩留まりの低下を防止する。 - 特許庁

The void portions 13a, 13b enable the dislocations D1 to be uniformly blocked, thus, a crystal layer of a low dislocation density can be formed in the upper part by the void portions 13a, 13b.例文帳に追加

転位Ｄ_1 は空間部１３ａ，１３ｂによって一様に遮断され、空間部１３ａ，１３ｂより上層部では低転位密度の結晶層が得られる。 - 特許庁

As a consequence, the region of the group III nitride-based compound semiconductor in the upper section of the parts that bury the steps can be a region where the through dislocations are extremely suppressed.例文帳に追加

これにより、段差を埋める部分上方のIII族窒化物系化合物半導体の領域を極めて貫通転位の抑制された領域とすることができる。 - 特許庁

Therefore, without performing sequential lamination of p-layers and n-layers, the SiC single crystal capable of reducing threading screw dislocations can be produced while suppressing transfer of polymorphism and dislocation.例文帳に追加

したがって、ｐ層とｎ層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 - 特許庁

To provide a silicon epitaxial wafer wherein the generation of misfit dislocations is suppressed regardless of the conductivity type or doped element of a used silicon single crystal substrate, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

用いるシリコン単結晶基板の導電型や添加元素に関わらず、ミスフィット転位の発生を抑制したシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single crystal capable of reducing threading dislocations while suppressing transfer of polymorphism and dislocation without performing sequential lamination of p-layers and n-layers.例文帳に追加

ｐ層とｎ層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for manufacture of a semiconductor single crystal capable of producing a good-quality Be-containing ZnSe mixed crystal-single crystal having decreased dislocations in a relatively short time.例文帳に追加

転位の少ない良質のＢｅ含有ＺｎＳｅ系混晶単結晶を比較的短時間で製造することができる半導体単結晶の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate in which dislocations in the whole element layer can be reduced uniformly within the surface and the area of the low dislocation region can be simply enlarged.例文帳に追加

素子層全体を面内均一に低転位化させることができ、簡便に、低転位領域の大面積化を図ることができる化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

As a seismic center model, a seismic center function is obtained, where a dislocation surface 1 is divided into a plurality of small dislocations 2, and time and spatial randomness is given to each small dislocation 2.例文帳に追加

震源モデルとして、断層面１を複数の小断層２に分割し、各小断層２ごとに時間的、空間的なランダム性を付与した震源関数を求める。 - 特許庁

To provide a GaN group crystal material which is formed with few dislocations and few cracks and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低転位でクラックの少ない状態として形成された、ＡｌＧａＮ系結晶層を有するＧａＮ系結晶基材を提供し、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

To manufacture a highly reliable substrate, in which damages to an active layer and dislocations of the crystal due to influence of natural oxidation of an AlxGa1-xAs layer during etching do not occur.例文帳に追加

Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ層のエッチング時の自然酸化による影響で活性層の損傷、結晶の転移が発生せず、信頼性の高いものを製造すること。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling method by which micro defects caused by bubbles formed on the surface of a quartz crucible or the like, and dislocations in the single crystal can be reduced.例文帳に追加

石英坩堝の表面に形成される気泡等に起因する微小欠陥や単結晶の有転位化を低減できるシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a new group III nitride film, by which the group III nitride film having low dislocations and containing Al can be formed on a sapphire single crystal substrate.例文帳に追加

サファイア単結晶基板上において、低転位のＡｌ含有III族窒化物膜を形成することが可能な、新規なIII族窒化物膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

A silicon layer 4 as a defect suppressing substance layer is provided between a first nitride-based compound semiconductor layer 3 containing dislocations grown on a substrate 1, and a second nitride-based compound semiconductor layer 5 containing dislocations less than the first nitride-based compound semiconductor layer to manufacture a nitride-based compound semiconductor base material.例文帳に追加

基板１上に成長した転位を含む第一の窒化物系化合物半導体層３と、前記第一の窒化物系化合物半導体層よりも少ない転位を含む第二の窒化物系化合物半導体層５との間に、欠陥抑制物質層であるシリコン層４を介在させて窒化物系化合物半導体基材１０を製造する。 - 特許庁

Dislocations are collected into the region H25 to reduce dislocations in the surrounding low defect single crystal region Z and the C-plane growth region.例文帳に追加

下地基板２１の上に規則正しくストライプマスクパターンを設けてその上にファセット２６よりなる直線状のＶ溝（谷）２４を形成しこれを維持しながらＧａＮ２２をファセット成長させファセット面２６よりなるＶ溝（谷）底部に欠陥集合領域Ｈ２５を形成しそこへ転位を集めてその周囲の低欠陥単結晶領域ＺとＣ面成長領域を低転位化する。 - 特許庁

In another embodiment, a texturizing underlayer is formed by depositing first and second conductive metal layers and annealing the metal layers to form surface dislocations structured as a periodic network, and a conductive metal is then deposited in gaseous phase and agglomerates onto the surface dislocations of the texturizing layer to form nanostructures in the form of island clusters.例文帳に追加

別の態様において、第一及び第二の導電金属層を堆積させ、該金属層をアニーリングして周期的ネットワークとして構造化された表面転位を形成し、前記テクスチャライジング下層を形成し、導電金属を気相堆積させて前記テクスチャライジング層の表面転位の上に凝集して、アイランドクラスタ形態のナノ構造を形成する。 - 特許庁

In the silicon wafer, the number of particles and the number of interstitial dislocations due to crystallization are controlled to be 0 to 10 per wafer, respectively.例文帳に追加

薄膜のエピタキシャル層を積層するためのシリコンウェーハであって、結晶に起因したパーティクル及び侵入型転位がそれぞれウェーハ当り０〜１０個であるエピタキシャル層積層用シリコンウェーハである。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate equipped with high-crystallinity 3C-SiC (cubic silicon carbide) film, with the occurrence of crystal defects or cracks suppressed, due to misfit dislocations, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ミスフィット転位による結晶欠陥の発生や亀裂の発生が抑制された結晶性の高い３Ｃ−ＳｉＣ膜を備えた半導体基板およびその製造方法を提供する - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC substrate which can reduce not only micropipes but also basal plane dislocations, an SiC substrate manufactured by the method, and a semiconductor device.例文帳に追加

マイクロパイプだけでなく基底面内転位も低減することができるＳｉＣ基板の製造方法及びこれにより作製されたＳｉＣ基板並びに半導体装置を提供する。 - 特許庁

By the heat treatment at the second predetermined temperature, dislocations 4 are introduced and the lattice constant of the second epitaxial thin film 6 is alleviated to a value close to the lattice constant of a bulk crystal of the second material.例文帳に追加

第２の所定の温度で熱処理することによって転位４が導入され、第２のエピタキシャル薄膜６は第２の物質のバルク結晶の格子定数に近い値に緩和する。 - 特許庁

All dislocations including a dislocation on an axis can be efficiently removed when the increase or decrease of the diameter d at the neck part 9 is performed in the final stage of the step to form the neck part 9.例文帳に追加

ネック部径ｄの増減を、ネック部９を形成する過程の最終段階で行うこととすれば、軸上転位を含む全ての転位を、より効率よく除去することができる。 - 特許庁

The number of through dislocations is remarkably suppressed in the upper section of the GaN layer 3 formed on each bottom face of the steps of 10 μm depth, as compared to in the upper section formed on each upper step face of the steps.例文帳に追加

GaN層３の、基板１の深さ10μmの段差の底面上方に形成された部分は、段差の上段面上方に形成された部分に比して貫通転位が著しく抑えられる。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal having a diameter which is considerably greater than 150 mm over a defined length and is free of dislocations in the region of this length.例文帳に追加

所定の長さにわたり１５０ｍｍよりも明らかに大きな直径を有しかつこの所定の長さの範囲内で無転位であるシリコンからなる単結晶を提供すること - 特許庁

To provide a technique for growing a crystal layer whose lattice constant differs from that of the ground substrate on the ground substrate, while the generation of dislocations and defects is restrained.例文帳に追加

基板の製造方法は、下地基板上に、その下地基板とは格子定数の異なる結晶層を転位や欠陥の発生を抑えた状態で成長する技術を提供する。 - 特許庁

If the heat-treating is processed in an oxygen-element gas containing ambience, then the diffusion of O atoms is caused from the substrate surface side as well, thereby enhancing the coalescence and annihilation of dislocations.例文帳に追加

酸素元素ガス含有雰囲気下で加熱した場合には、Ｏ原子の拡散が基板表面側からも生じるので、転位の合体消失をより促進させることができる。 - 特許庁

To form a (nondefective) III-V compound semiconductor layer without dislocations, and further a silicon layer on a silicon single-crystal substrate.例文帳に追加

本発明は、半導体装置に関し、シリコン単結晶基板上に完全に転位をなくした（無欠陥の）III −Ｖ族化合物半導体層、更にはシリコン層を形成することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method by which a long single crystal free of dislocations can be grown in a method for growing a silicon single crystal using a continuous charge CZ process (Czochralski process).例文帳に追加

連続チャージＣＺ法（チョクラルスキー法）を用いたシリコン単結晶の育成方法において、転位のない長尺の単結晶を育成することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a semiconductor layer such as a GaN layer grown in excellent crystal having a small number of through dislocations and a semiconductor light emitting device formed through the same.例文帳に追加

貫通転移の少ない良質な結晶を成長させることができるＧａＮ層などの半導体層の成長方法とこれを用いた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming device, which flexibly responds to the demand from a user for image formation in a shorter time, regardless of the image quality, while distortions and dislocations of a transferred image are suppressed.例文帳に追加

転写像の歪みや位置ズレを抑えつつ、高画質よりも短時間での画像形成を実現したいというユーザーの要望に対して、より柔軟に応えることができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for glowing a silicon single crystal where dislocations remained in the central axis portion of a neck part in a necking step can be surely removed when the single crystal with a large diameter and a heavy weight is produced.例文帳に追加

大口径で大重量のシリコン単結晶を製造する際、ネッキング工程でネック部の中心軸部分に残った転位を、確実に除去できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reproduction verifying type magnetic head, which performs a magnetic recording and reproducing operation with reference to a magnetic tape, preventing dislocations by bonding two elements, and to simplify the constitution.例文帳に追加

本発明は磁気テープに対して磁気記録・再生を行う再生検証型の磁気ヘッドに関し、２つの素子を接合することによる位置ずれを防止すると共に構成を簡素化することを課題とする。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal having a shape capable of removing dislocations without increasing lengths of a narrowed part in contact with the lower end of a seed crystal and a neck part in contact with the narrowed part; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

種結晶の下端に接する絞り部および絞り部に接するネック部の長さを長くすることなく転位を除去できる形状のシリコン単結晶およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By epitaxially growing a GaN layer 32 in vertical and horizontal directions by utilizing the top parts T, which are exposed from the mask 4, of the GaN layer 31 for the nuclei, propagation of through dislocations from the GaN layer 31 is remarkably suppressed.例文帳に追加

マスク４から露出したGaN層３１の頂上部Ｔを核として、GaN層３２を縦及び横方向エピタキシャル成長させれば、GaN層３１からの貫通転位の伝播が著しく抑えられる。 - 特許庁

Assigning to the dislocation conversion layer a donor concentration lower than that of the drift layer, therefore, allows the above conversion of a larger number of basal plane dislocations than the case where the drift layer exists alone.例文帳に追加

この転位変換層のドナー濃度をドリフト層のドナー濃度よりも低く設定することにより、ドリフト層が単層であるよりも、より多くの基底面転位を貫通刃状転位に変換することができる。 - 特許庁

After etching the basic bottom layer 20 to form steps and performing transverse epitaxial growth by utilizing the side faces of the steps as the nuclei, the parts that bury the steps hardly allow the through dislocations which propagate in the longitudinal direction to propagate.例文帳に追加

これをエッチングして段差を設け、段差の側面を核として横方向エピタキシャル成長させれば、段差を埋める部分は縦方向に伝搬する貫通転位をほとんど伝搬しない。 - 特許庁

To provide a high-quality single crystal body and a single crystal substrate having little dislocations and impurities by temperature changes, and to provide a production method of a single crystal body for growing a single crystal body.例文帳に追加

温度変化による転位および不純物の少ない高品質な単結晶体、単結晶基板、および単結晶体の成長を行うことが可能な単結晶体の製造方法を提供する。 - 特許庁