「dislocations」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Longitudinal dislocation, lateral dislocation and an inclination still remaining even when the dislocation is corrected by the loop formation, are detected by correcting the dislocation by integrally moving a loop roller and a register roller, and these dislocations are corrected based on a detecting result.例文帳に追加

ループローラとレジストローラとを一体に移動させてズレ補正を行うことにより、ループ形成によるズレ補正を行ってもなお残る縦ズレ、横ズレ及び傾きを検知し、検知結果に基づいてこれらのズレを補正する。 - 特許庁

To provide a method for regulating the rotation balance of a pull head of a single crystal pulling apparatus, by which the regulation of the balance of the pull head can be performed objectively with precision, and the single crystal free of warps or dislocations can be pulled.例文帳に追加

プルヘッドのバランス調整を客観的に行なえ、的確なバランス調整ができ、曲がりや転位のない結晶の引上が行なえる単結晶引上装置のプルヘッドの回転バランス調整方法を提供する。 - 特許庁

To detect lateral dislocations of workpieces precisely by employing fine control whereby hands are translated sideways with their orientation kept unchanged through simple control.例文帳に追加

簡易な制御によってハンドの方向を維持したまま該ハンドの位置を横方向に平行移動するファインコントロールを実現することができ、このファインコントロールを用いて正確にワークの横方向のずれを検出することができる。 - 特許庁

When the polycrystalline silicon wafer is immersed in a mixed acid solution comprising nitric acid, acetic acid and hydrofluoric acid to elicit dislocations, the occupancy of subgrain boundaries observed on the wafer surface is ≤10%.例文帳に追加

硝酸、酢酸および弗酸からなる混酸液に浸漬し、転位を顕在化させたとき、ウェーハ表面において観察される亜粒界の占有率が１０％以下であることを特徴とする多結晶シリコンウェーハ。 - 特許庁

The bonded polarity inverted layer 102 is a layer to prevent propagation of dislocations D_1, D_2,..., D_8 from below, and the GaN layer 102 that is doped with magnesium (Mg) until getting high concentration equal to the solid solubility or more.例文帳に追加

ボンド極性反転層１０２は、その下からの転位Ｄ_1，Ｄ_2，・・・・・，Ｄ_8の伝播を阻止するための層で、固溶度と同程度若しくは固溶度以上の高濃度にマグネシウム（Ｍｇ）をドープしたＧａＮ層１０２である。 - 特許庁

In the method, the dislocation controlling seed crystal 1 having an area 15 for allowing the spiral dislocations 19 to occur in a density higher than its periphery is prepared (seed crystal preparing process).例文帳に追加

該製造方法においては、周囲よりも高密度で螺旋転位１９を発生させることができる螺旋転位発生可能領域１５を有する転位制御種結晶１を準備する（種結晶準備工程）。 - 特許庁

To provide a pulling method capable of improving a yield of the single crystal by preventing dislocations when a single crystal is grown, in the case that a regenerated quartz crucible subjected to a regeneration treatment is used for pulling the silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶の引上げに再生処理を施した再生石英ルツボを使用するに際し、単結晶育成時における有転位化を防止し、単結晶歩留まりを向上させ得る引上げ方法を提供する。 - 特許庁

The silicon single crystal obtained by a float zone method has a diameter of at least 200 mm over a length of at least 200 mm and free from dislocations in the region of this length.例文帳に追加

単結晶が少なくとも２００ｍｍの長さにわたり少なくとも２００ｍｍの直径を有し、この長さの範囲内で無転位であることを特徴とする、フロートゾーン法により製造したシリコンからなる単結晶 - 特許庁

Although dislocations and other material defects may propagate within the axially grown material, defect propagation and generation in the laterally grown material are substantially reduced, if not altogether eliminated.例文帳に追加

転位及び他の材料欠陥は、軸方向に成長した材料中に伝播することがあるが、横方向に成長した材料中での欠陥の伝播及び発生は、なくらならないまでも実質的に減少する。 - 特許庁

To provide a transfer device and an image forming apparatus, capable of improving the releasability of a transfer material from a transfer roller and the transfer efficiency thereof, and securing superior durability of a transfer belt to prevent image dislocations from generating.例文帳に追加

本発明は、転写材の転写ローラーからの剥離性と転写効率の向上を可能とすると共に、転写ベルトの耐久性に優れ、画像ズレの生じない転写装置および画像形成装置の提供を課題とする。 - 特許庁

To grow a compound semiconductor single crystal having a low dislocation density in a good yield by reducing dislocations generated in the vicinity of a seeding part without using a communicating fine tube in a vertical Bridgman method or a vertical temperature gradient freezing method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法により、連通細管を用いることなしに、種付部近傍に発生する転位を少なくして、低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留良く育成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a low-resistivity silicon single crystal containing a dopant at relatively high concentration by adding a large amount of the dopant to a silicon melt when the silicon single crystal is pulled while suppressing the occurrence of dislocations in the crystal.例文帳に追加

結晶の有転位化を抑制しつつ、シリコン単結晶の引き上げ中に大量のドーパントを融液に添加して高濃度のドーパントを含有した低抵抗率のシリコン単結晶を製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

The upper region of the second compound semiconductor layer 32 epitaxially grown in horizontal directions can be a region where propagation of the through dislocations possessed by the first compound semiconductor layer 31 is suppressed.例文帳に追加

このとき第２のIII族窒化物系化合物半導体３２が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、第１のIII族窒化物系化合物半導体層３１が有する貫通転位の伝搬が抑制された領域とすることができる。 - 特許庁

To provide a method of heat treating a silicon wafer and a silicon wafer which provides good characteristics and a reliability of a device built on the surface of the silicon wafer and can improve the yield without fear of dislocations, etc., on the wafer surface.例文帳に追加

シリコンウェーハの表面に転位等が生じるおそれが無く、この表面に作り込まれたデバイスの特性及び信頼性が良好で、歩留まりの向上が可能なシリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal, by which the occurrence of dislocations in a tail part is suppressed and the yield and productivity is improved when a silicon single crystal having a diameter of 450 mm is grown by a Czochralski method.例文帳に追加

ＣＺ法により直径４５０ｍｍのシリコン単結晶を育成するに際し、テイル部での有転位化の発生を抑制し、歩留りおよび生産性を向上させることができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor single crystal by which a heavy weight semiconductor single crystal having a large diameter can be safely pulled while removing dislocations at a constricted part and suppressing the breakage at the constricted part and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

大口径，大重量の半導体単結晶を、絞り部における転位を除去し且つ絞り部の破断を起こさずに安全に引き上げることが可能な半導体単結晶製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

To pull a heavy single crystal silicon ingot having a large diameter by removing slip dislocations by the large diameter when the single crystal silicon is grown by pulling a seed crystal in a Czochralski process.例文帳に追加

ＣＺ法で種結晶を引上げ単結晶シリコンを成長させるに際して、太い径ですべり転位を除去できるようにすることによって、大口径、大重量の単結晶シリコンインゴットを引き上げることができるようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing a single crystal by which the propagation of dislocations included in a single crystal substrate to a growing layer on the substrate can be suppressed and the occurrence of a new dislocation in the growing layer can be suppressed.例文帳に追加

単結晶の基板に含まれる転位が、基板上の成長層へ伝播することを抑えることができ、また成長層での新たな転位の発生を抑制することができる単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A fine duplex grain structure composed of recrystallized grains and recovered grains having movable dislocations is formed on a base phase with a metallic structure of a high strength alloy material which has been solid-solution strengthened or precipitation streigthened, and the orientation of the adjacent crystals is made random.例文帳に追加

固溶強化又は析出強化された高強度合金材の金属組織母相に、再結晶粒と可動転位を有する回復粒とからなる微細な混粒組織が形成され、隣接結晶の方位ランダム化されているものとする。 - 特許庁

A silicon single crystal 11 free from dislocations is grown from a seed crystal 22 by storing a silicon melt 15 in a crucible 13 housed in a chamber 12, then immersing the seed crystal 22 into the silicon melt 15, and pulling the silicon single crystal 11 while rotating it.例文帳に追加

チャンバ１２に収容されたるつぼ１３にシリコン融液１５を貯留し、このシリコン融液１５に種結晶２２を浸漬して回転させながら引上げることにより、種結晶２２から無転位のシリコン単結晶１１を引上げて育成する。 - 特許庁

To provide a new epitaxial substrate, with which a group III nitride layer group low in dislocation and excellent in crystallinity, especially, a nitride layer group containing Al can be formed; and to provide a method for reducing dislocations in the group III nitride layer group to be formed.例文帳に追加

低転位で結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物層群、特にはＡｌを含有する窒化物層群を形成することのできる、新規なエピタキシャル基板、及び形成すべきＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法を提供する。 - 特許庁

As described above, the mountain ranges that stretch east to west are influenced by such geological structures while the mountain ranges that stretch south and north have continuous geology with few dislocations and some rolling deformations by the pressure from the east and the west. 例文帳に追加

前述のように、東西方向に走る山脈はこうした地質構造に支配されており、一方、南北方向に走る山脈には東西方向からの圧力による波状変形が見られるが、断層は乏しく、地質は連続的である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Quantitative amounts of lip dislocations for allowing a target orientation profile to be obtained based on an orientation matrix calculated from the relation of the various kinds of patterns of the lip-opening degrees of the slice 6 and the orientation profiles at the times have been inputted as regulating data.例文帳に追加

演算装置１７には、スライス６の各種のリップ開度パターンとそのときの配向プロファイルとの関係から求めた配向マトリックスを基に目標配向プロファイルが得られるようにするための定量的なリップ変位量を制御データとして入力しておく。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a dielectric filter, with which a resonance electrode is made thick, performance can be improved and dislocations, deformation and contraction can be prevented, the resonance electrode can be formed as designed, and a high dielectric constant can be obtained.例文帳に追加

共振電極の厚さを厚くして性能の向上が図れる上、共振電極を位置ズレや変形、収縮等を可及的に防止でき設計通りに思うように形成することができ、また高い誘電率が得られる誘電体フィルタの製造方法の提供。 - 特許庁

Accordingly, the surface of the seed crystal is suppressed from melting when seeding, and generation of dislocations at the boundary of the melt is decreased so that the high quality aluminum oxide single crystal appropriate for an electronic component material or an optical component material can be efficiently manufactured.例文帳に追加

これによりシーディング時に種結晶表面の融解が抑えられ、融液との境界で転位の発生が減少し、効率的に電子部品材料や光学用部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造することができる。 - 特許庁

To provide a quartz glass crucible which avoids causing dislocations in a monocrystalline silicon due to the crucible itself when the monocrystalline silicon is produced, and has high heat resistance, a method for producing the same, and a method for producing a monocrystalline silicon using such a quartz glass crucible.例文帳に追加

シリコン単結晶の製造の際のルツボ自体に起因するシリコン単結晶の有転位化を回避し、かつ、高い耐熱性を有する石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにそのような石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heater for growing a single crystal, with which the temperature difference in the circumferential direction at the abutting part of a high-temperature furnace and a low-temperature furnace is made small and a crystal almost free from dislocations over whole crystal can be obtained, and to provide a device for producing a compound semiconductor single crystal using the heater.例文帳に追加

高温炉と低温炉の突合せ部分における周方向の温度差を少なくし、結晶全体で低転位の結晶を得るための単結晶成長用ヒータ及びそれを用いた化合物半導体単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, capable of suppressing dislocations and crystal defects due to the applications of stress and anneal, in a semiconductor manufacturing process, applying proper stresses in the channel region, and attaining both a low resistance and a shallow junction.例文帳に追加

半導体製造工程におけるストレス印加およびアニールによる転位、結晶欠陥を抑え、チャネル領域において良好なストレスを印加するとともに、低抵抗化と浅接合化の両立を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a power device which does not raise problems related to threshold voltage, even if a normal insulating material is used for forming an insulating spacer and will not raise strain causing dislocations or cracks in silicon, even if another material such as silicon nitride is used.例文帳に追加

絶縁性スペーサを形成するために通常の絶縁性材料を用いても閾値電圧と関連する問題が発生せず、窒化シリコンのような別の材料を用いてもシリコン中にデイスロケーション又は割れを発生させる歪みが発生しない電力デバイスを提供する。 - 特許庁

Since the second growth layer 22 is grown laterally so as to fill up the dimples of the first grown layer 21, dislocation D transferred from the first growing layer 21 bends laterally at the surface projections, thereby remarkably reducing the density of dislocations D propagated to the surface of the second growth layer 22.例文帳に追加

第１の成長層２１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１から引き継がれた転位Ｄが表面の突部において横方向に屈曲し、第２の成長層２２の表面まで伝播される転位Ｄの密度が大きく低減される。 - 特許庁

To provide a reinforcing fiber fabric having highly reinforcing effect without causing bowing and stitch dislocations in its winding and filling steps, and to provide a reinforcing fiber sheet free of surface unevenness and good in quality in terms of appearance.例文帳に追加

補強繊維織物の巻取り工程および該補強繊維織物を目止め処理する工程において、布目曲がりおよび目ずれを起すことなく、優れた補強効果を備えた補強繊維織物、および表面に凹凸のない、外観上良質な補強繊維シートを提供することにある。 - 特許庁

Then, crystals whose azimuth is capable of easy crystal growth are selected at the constricted part 4 from among plural crystal cores generated at one side of the constricted part 4, and crystal defects such as dislocations generated at the core generation side is prevented from propagating to a region, where large crystals should be obtained at the level difference 2.例文帳に追加

くびれ部４の片側で発生した多数の結晶核のうち、結晶成長しやすい方位の結晶をくびれ部４で選択し、かつ、核発生させた側で生じた転位等の結晶欠陥が大きい結晶を得たい領域まで伝播するのを段差２で抑制する。 - 特許庁

The seed layer may be made to be thinner than a critical thickness for relaxation of distortion in the semiconductor structure, so that distortion in the semiconductor structure is relieved by dislocations formed in the seed layer, or by gliding between the seed layer and the bonding layer on an interface between the two layers.例文帳に追加

シード層は、半導体構造体内の歪みの緩和のための臨界厚より薄くすることができ、その結果、半導体構造体内の歪みは、シード層内に形成される転位により、又は、シード層と接合層の間を、その２つの層の間の界面において滑らせることにより、緩和される。 - 特許庁

The seed layer may be made to be thinner than a critical thickness for relaxation of distortion in the semiconductor structure so that distortion in the semiconductor structure is relieved by dislocations formed in the seed layer, or by gliding between the seed layer and the bonding layer, i.e. an interface between the two layers.例文帳に追加

シード層は、前記シード層に形成される転位によって、または前記シード層と前記接合層の間、即ちこれら二つの層間の界面での滑りによって半導体構造における歪みが解除されるように、前記半導体構造における歪みの緩和のための臨界圧力よりも薄くすることができる。 - 特許庁

To prevent the solidification at the outer peripheral part from being earlier than that at the inside of a crystal, and to inhibit the generation of polycrystals caused by accumulation of dislocations at the inside during growth of the crystal by uniformizing the temperature distribution in the radial direction of the growth interface, in a semiconductor crystal growth process based on a VB method or a VGF method.例文帳に追加

ＶＢ法又はＶＧＦ法による半導体結晶成長方法において、成長界面の径方向の温度分布を均一にすることで、結晶内部に対し外周部が早く固化することを防ぎ、成長途中で転位が内部に集積し多結晶化するのを防止可能にする。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling device that suppresses condensation of SiO gas on a necessary part in the pulling device without complicating the device, prevents generation of dislocations in a silicon single crystal and suppresses reduction in a life of a carbon heater or a carbon crucible used upon pulling a silicon single crystal.例文帳に追加

装置を煩雑化することがなく、引上装置内の所要部分へのＳｉＯガスの凝縮を抑制して、シリコン単結晶の有転位化を防止すると共に、シリコン単結晶の引上時に使用するカーボンヒータやカーボンルツボの寿命の低下を抑制することができるシリコン単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁

To provide a drop shock buffer structure for preventing dislocations in four directions of an electronic component which occur at the time of shock, and preventing deformation of a lead wire of a coil due to shock, by effectively absorbing and dispersing shock which occurs in the electronic component such as the coil on a circuit board by drop and the like.例文帳に追加

落下等により回路基板上のコイル等の電子部品に生じる衝撃を効果的に吸収し分散させることにより、衝撃時に生じる電子部品の上下左右の位置ズレを防ぎ、また、衝撃によるコイルのリード線の変形を防ぐための落下衝撃緩衝構造を提供する。 - 特許庁

That is to say, the fining of crystal particles and the formation of areas wherein dislocations accumulate in crystal are enhanced by imparting the prescribed strain to the member, and a large amount of the element intruding into the crystal grain boundaries of fine crystal particles or dislocation parts is trapped, and thereby the diffusion of the element intruding into the inside of the member is accelerated.例文帳に追加

すなわち、部材に所定の歪みを付与することで、結晶粒の微細化および結晶内に転位の集積する領域の形成が進行し、この微細化した結晶粒の結晶粒界や転位部位に侵入した元素が大量にトラップされることで侵入元素の部材内部への拡散が促進される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium oxide single crystal complex having a nitrided gallium modification layer which is capable of reducing the possibility of generation of defects and dislocations, and simply performing the crystal growth of III-V group nitride semi-conductors at low cost, and recyclable as a novel substrate on a surface layer part of the gallium oxide single crystal.例文帳に追加

欠陥や転位の発生のおそれをより低減でき、かつ、低コストで簡便にIII−Ｖ族窒化物半導体を結晶成長させる新規な基板としても利用可能性を有する、酸化ガリウム単結晶の表層部に窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Internal stress generated between an oxidized region provided near the active layer and the interlayer insulating film can be reduced by using a separation groove 30 formed on a surface protection film 32 covering the interlayer insulating film, so that the increase of dislocations is suppressed, so that the VCSEL array device of high reliability is available.例文帳に追加

活性層近傍に設けられた酸化領域と層間絶縁膜との間に生ずる内部応力を、層間絶縁膜を覆う表面保護膜３２に形成された分離溝３０を利用して緩和できるようにしたから、転位の増殖を抑え、高信頼性の半導体レーザアレイ素子を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon single crystal capable of reducing crystal defects such as COPs when manufacturing silicon single crystals without lowering cooling power of a cooling body, and preventing generation of cracks or fractures from occurring even when dislocations occur in the silicon single crystal, and an apparatus for pulling a silicon single crystal for use for the method.例文帳に追加

冷却体の冷却能を低下させることなく、シリコン単結晶の製造時におけるＣＯＰ等の結晶欠陥の低減を図ることができ、かつ、シリコン単結晶に転位が発生した場合でも、クラックや割れの発生を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法及びそれに用いられるシリコン単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁

This is accomplished by introducing a semiconductor layer having a plurality of threading dislocations distributed substantially uniformly across its surface as a starting layer before following growth and relaxation of the compositionally graded layer and/or at least one intermediate layer during the growth and relaxation of the compositionally graded layer.例文帳に追加

このことは、組成的に勾配したバッファ層の後に続く成長および緩和の前のスタート層としておよび／または組成的に勾配した層の成長および緩和中の少なくとも１つの中間層としてその表面にわたり実質的に均一に分布する複数のスレッディング転位を有する半導体層を導入することによって達成される。 - 特許庁

The silver halide photographic emulsion contains flat silver halide grains characterized by having an aspect ratio of ≥2 and a silver iodide content of ≥2 mol and dislocations concentrated near the vertices of the grains and containing a hexacoordinated cyano complex in an amount of 1×l0-7-1×-2 per 1 mol of the silver halide.例文帳に追加

アスペクト比が２以上であり、粒子内部の沃化銀含有率が２モル％以上で、粒子の頂点近傍に転位が集中している平板状ハロゲン化銀粒子であって、該粒子がハロゲン化銀1モル当たり１×１０^-7ないし１×１０^-2モルの六配位シアノ錯体を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真乳剤。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor which can manufacture a high quality of nitride-based compound semiconductor by forming a nitride-based compound semiconductor layer having a flat surface and fewer dislocations without using a mask material, and which can enhance characteristics of a nitride-based compound semiconductor device formed on the flat surface of the semiconductor.例文帳に追加

マスク材料を用いることなしに、表面が平坦で低転位な窒化物系化合物半導体層を形成可能とすることによって高品質な窒化物系化合物半導体を製造することができ、その平坦な表面上に形成される窒化物系化合物半導体デバイスの特性を向上させることができる窒化物系化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁