「field cap」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The remaining half of the ions advance toward the exit side end-cap electrode 24 along the field line and is reflected by an electric field.例文帳に追加

残りの約半数のイオンは磁力線に沿って出口側エンドキャップ電極２４に向かい、電場により反射される。 - 特許庁

The lighting field mask 24 is mounted on a front face of a cylindrical cap 32 by screwing a screw 36 into a screw hole 34 through a long hole 35 formed on the lighting field mask.例文帳に追加

採光野マスク２４を、その長孔３５にねじ３６を通してねじ穴３４にねじ込むことにより、円筒キャップ３２の前面に取り付ける。 - 特許庁

This discharge tube 10 as an electric field-inducing light emitting conductor is attached to a cap or pin of an insulator constituting an insulator string, or a line hardware connected to the cap or pin, and emits light by an electric field generated by a voltage shared by a wholesome insulator.例文帳に追加

この放電管１０を碍子連を構成する碍子のキャップ、ピン、あるいはこれらに接続された架線金具に電界感応型発光体として取付け、健全碍子が分担する電圧によって生ずる電界で発光させる。 - 特許庁

An electric field sensitive light-emitting body 6 to emit light in an electric field generated by a voltage which a whole insulator(s) shares is installed on an insulator cap 2, pin 4, etc., having a large electric field intensity.例文帳に追加

碍子の電界強度の大きいキャップ２やピン４等に、健全碍子が分担する電圧によって生ずる電界で発光する電界感応型発光体６を取り付ける。 - 特許庁

This is based on a proverb, "Rika no Kanmuri, Kaden no Kutsu" (literally, lifting a courtier's cap under the plum tree, and stepping into the gourd field, which is a Chinese counterpart of "Be careful not to invite the least suspicion"), which is also included in the Chinese book "Monzen" (ancient Chinese poems). 例文帳に追加

これは中国の書物『文選(書物)』にもある諺「李下の冠、瓜田の履」に由来するものである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The end without the cap provides a desired electric field convergence, and high uniformity increases the number of contributing nanotubes.例文帳に追加

キャップのない端部は、望ましい電界集中を提供し、高い均一性は、寄与するナノチューブの数を増大させる。 - 特許庁

An end cap is connected to a rear side of the field case so as to cover the remaining exposed wires connected to the motor.例文帳に追加

エンドキャップが、前記モーターに接続された残余の露出配線を覆うように前記フィールドケースの後方に接続される。 - 特許庁

To provide a pot or planter for growing plants which are weak to cold, in the cold season, in an agricultural or a horticultural field, and a cap for covering the same.例文帳に追加

農業や園芸の分野のもので、寒冷期に寒さに弱い植物を育てるための鉢やプランターとそれに被せるキャップに関するものである。 - 特許庁

Approximately a half of the captured ions advances toward the intake-side end-cap electrode 22 along a field line and disappear.例文帳に追加

捕捉されていたイオンのほぼ半数は磁力線に沿って入口側エンドキャップ電極２２に向かい消滅する。 - 特許庁

To enable an end cap to be fixed with a fixing screw by forming a screw retainer hole in a plate-like extrusion-molded material in a simple field operation.例文帳に追加

簡易な現場作業で板状の押出成形材にネジ受孔を形成して端部キャップを止めネジで固定できるようにする。 - 特許庁

A visual field setting cap 25 is mounted on an infrared ray element package 24 with the equal constitution to that of conventional light- receiving devices.例文帳に追加

従来の受光器と同等の構成からなる赤外線素子パッケージ２４に視野設定用キャップ２５を装着する。 - 特許庁

The Wellington Monument wore a gleaming cap of snow that flashed westward over the white field of Fifteen Acres. 例文帳に追加

ウェリントンの記念碑はきらきらする雪の帽子をかぶって、西の方のフィフティーン・エイカーズの白い広場の上に光を放っている。 - James Joyce『死者たち』

To provide a cap sealing method of a field emission display capable of preventing oxygen from flowing inside a panel by sealing a cap in a vacuum space.例文帳に追加

真空の空間でキャップをシーリングすることで、酸素がパネルの内部に流入されることを防止し得る電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法を提供しようとする。 - 特許庁

Only the cylindrical cap 32 and the light field mask 23 can be moved in a light axis direction by rotating the cylindrical cap against the cylindrical case 31.例文帳に追加

円筒キャップ３２を円筒筐体３１に対して回転させることにより、円筒キャップ３２および採光野マスク２４のみを光軸方向に移動させることができる。 - 特許庁

A gate cap film 15 for applying a tensile stress F1' to a field effect transistor is formed on the field effect transistor, and the stress caused by the gate cap film 15 is set larger than the stress to be applied to the transistor by bending of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電界効果型トランジスタ上には、電界効果型トランジスタに引っ張り応力Ｆ１´を印加するゲートキャップ膜１５が形成され、ゲートキャップ膜１５に起因する応力は、半導体基板１１の折り曲げによってトランジスタに印加される応力よりも大きくする。 - 特許庁

Since the outer diameter of the outer cover barrel section and the cap section is increased, the electric field of an outer cover surface 8 near the upper tip section of the inner electrode is weakened, and the maximum electric field section is moved to the upper side 3a of the outer cover barrel section and the cap section 3c having the increased outer diameter.例文帳に追加

外被胴部、笠部の外径を大きくすることにより、従来構造の碍管において最大電界を示した内部電極上部先端部近傍の外被表面８の電界は弱められ、更に最大電界部が外径を大きくした外被胴部、笠部３ｃの上部側３ａに移動する。 - 特許庁

An electrical field coupling circuit and a magnetic field coupling circuit are provided in the cap 9, and the transmission power of the simple portable telephone set 1 is extracted to a feeder 10 connected with an outside antenna.例文帳に追加

キャップ９内には、電界結合回路と磁界結合回路とが設けられ、簡易携帯電話機１の送信電力が外部アンテナに接続される給電線１０に取り出される。 - 特許庁

The direct current magnetic field B is released and a capturing electric field is revived before the reflected ions reach the intake-side end-cap electrode 22, and the ions can be reduced to approximately a half.例文帳に追加

反射されたイオンが入口側エンドキャップ電極２２に到達する前に直流磁場Ｂを解除して捕捉用電場を復活させることにより、イオンを約半分に減らすことができる。 - 特許庁

The structure may comprise a substantially cap-free gate 108 and conductive contacts 134 and 170 to a diffusion part 116 adjacent to the cap-free gate, and the conductive contact may include a field effect transistor (FET) borderless to the gate.例文帳に追加

この構造は、実質的に無キャップのゲート１０８と、無キャップのゲートに隣接する拡散部１１６への導電コンタクト１３４，１７０とを備え、導電コンタクトは、ゲートに対しボーダレスである電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含むことができる。 - 特許庁

This structure may include a field effect transistor (FET) having a substantially cap-free gate 108 and conductive contacts 134, 170 to a diffusion 116 adjacent to the cap-free gate, wherein the conductive contacts are borderless to the gate.例文帳に追加

この構造は、実質的に無キャップのゲート１０８と、無キャップのゲートに隣接する拡散部１１６への導電コンタクト１３４，１７０とを備え、導電コンタクトは、ゲートに対しボーダレスである電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含むことができる。 - 特許庁

The heterojunction field-effect transistor consisting of a nitride semiconductor includes a barrier layer 4, a cap layer 5 provided on the barrier layer 4, a gate electrode 10 provided on the cap layer 5 with the lower portion thereof buried in the cap layer 5, and a source electrode 9 and a drain electrode 8 provided on both sides of the gate electrode 10 and spaced from each other.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果トランジスタは、バリア層４と、バリア層４上に設けられたキャップ層５と、キャップ層５に下部を埋没するようにしてキャップ層５上に設けられたゲート電極１０と、ゲート電極１０の両側に離間して夫々設けられたソース電極９及びドレイン電極８と、を備える。 - 特許庁

The maintenance device includes: a cap 24 with an opening S1 for receiving ink ejected from a recording head 19 that can eject the ink containing the electrostatic particulates; and electrodes 41, 43 that are located inside an opening 24b in the cap 24 and generate an electric field as a result of application of voltage to the particulates included in the ink received inside the cap 24 via the opening 24b.例文帳に追加

帯電性を有する微粒子を含むインクを噴射可能な記録ヘッド１９から噴射されるインクを受容するための開口部Ｓ１を有するキャップ２４と、キャップ２４における開口部２４ｂの内側に位置して開口部２４ｂを介してキャップ２４内に受容されるインクに含まれる微粒子に対して電圧の印加に伴い電界を作用させる電極部４１，４３とを備えた。 - 特許庁

This cap sealing method of the field emission display is constituted so as to successively perform a step of placing a sealing material-applied cap on a base board of the panel of boring and forming a hole by being inserted inside a vacuum chamber, and a step of hardening by irradiating to a sealing material of the cap with a laser for covering the hole.例文帳に追加

真空チャンバの内部に挿入されて、ホールが穿孔形成されたパネルの基板上にシーリング材が塗布されたキャップを載置させる段階と、ホールを被覆するためにキャップのシーリング材にレーザーを照射して硬化させる段階と、を順次行うように電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法を構成する。 - 特許庁

After capturing ions inside an ion trap 2, an electric current is supplied to a solenoid coil 26 to form a direct current magnetic field B and moreover to release a capturing high-frequency electric field, and an opposite polar voltage is applied on end-cap electrodes 22, 24.例文帳に追加

イオントラップ２内にイオンを捕捉した後に、ソレノイドコイル２６に電流を供給して直流磁場Ｂを形成すると共に捕捉用高周波電場を解除し、エンドキャップ電極２２、２４には反対極性の電圧を印加する。 - 特許庁

Also, the part between the resistor 14 and a cap 13 is electrically insulated, thus preventing the generation of electric field distribution in the same direction as the plane of the microwave integrated circuit 12, and hence enhancing the electric field absorption effect of the resistor 14.例文帳に追加

また、抵抗体１４とキャップ１３の間は電気的に絶縁するようにしているため、マイクロ波集積回路１２の平面と同方向の電界分布の発生を防止でき、より抵抗体１４の電界吸収効果を高めることができる。 - 特許庁

The brain cap 1 has a first sensor 2 for measuring an electric field generated in response to brain activity and a second sensor 3 for detecting a state of a brain bloodstream.例文帳に追加

ブレインキャップ１は、脳活動に伴って発生する電場を計測する第１センサ２と、脳血流の状態を検出する第２センサ３とを有する。 - 特許庁

The fixture 13 is provided with a cylindrical fixture body 15 passing through the sheet 3, and a cap 16 for tightening the fixture body 15 from the outer periphery on the unclean field side.例文帳に追加

その固定具１３は、シート３を貫通する円筒状の固定具本体１５と、その固定具本体１５を不潔野側の外周から締め付けるキャップ１６とを備えている。 - 特許庁

To provide an endoscope which can raise the efficiency and safety of endoscopic treatment by giving vibration to a treatment tool without spoiling a visual field, an endoscope hood, a tube for treatment tool passing through and an endoscope cap.例文帳に追加

視野を損なうことなく処置具に振動を付与することにより、内視鏡的処置の効率や安全性を高めることができる内視鏡、内視鏡フード、処置具挿通用チューブ及び内視鏡キャップを提供する。 - 特許庁

An assembly method for a sensor includes a step of arranging an emitter 336 in a probe cap 300, and the emitter 336 is configured to generate an electromagnetic field from at least one microwave signal.例文帳に追加

センサを組み立てる方法は、エミッタ３３６をプローブキャップ３００内に配置するステップを含み、エミッタ３３６は少なくとも１つのマイクロ波信号から電磁界を生成するように構成される。 - 特許庁

Furthermore, a non-magnetic spacer layer 23, a magnetic field generation layer (FGL) 24 including a high saturation magnetic flux density layer (high Bs layer), and a cap layer 25 are sequentially formed on the spin injection layer 22.例文帳に追加

さらに、スピン注入層２２の上に、非磁性スペーサ層２３、高飽和磁束密度層（高Ｂｓ層）を含む磁界発生層（ＦＧＬ）２４およびキャップ層２５を順次形成する。 - 特許庁

To provide a corner cap for a corner bead allowing field construction easily with an excellent appearance, even when a width of a horizontal corner bead part is different for that of a vertical corner bead part.例文帳に追加

水平見切り部と垂直見切り部の幅とが異なる場合であっても、外観性よく、かつ、簡単に現場施工できる見切り縁用コーナーキャップを提供する。 - 特許庁

There is provided a field-effect transistor comprising: two current tunnel layers 105 formed on a barrier layer 103 so as to interpose a gate electrode 104 and be separated from each other; and two cap layers 106 each formed on each of the current tunnel layers 105.例文帳に追加

ゲート電極１０４を挟んで各々離間して障壁層１０３の上に接して形成された２つの電流トンネル層１０５と、各々の電流トンネル層１０５の上に形成された２つのキャップ層１０６とを備える。 - 特許庁

This heterojunction type field effect transistor comprises a laminate 30 produced by laminating a first GaN layer which is a channel layer 40, an AlN layer which is an electron donating layer 50 and a second GaN layer which is a cap layer 60 in this order.例文帳に追加

チャネル層４０である第１ＧａＮ層と、電子供給層５０であるＡｌＮ層と、キャップ層６０である第２ＧａＮ層とが順次に積層された積層体３０を備えて構成される。 - 特許庁

To provide an alarm device for preventing a cap from being left unfastened which is capable of transmitting radio signals of high electric field intensity to an alarm generator even if a lid member is closed.例文帳に追加

蓋部材を閉じても、電界強度の強い無線信号を警報発生装置に発信することができるキャップ締め忘れ警報装置を提供する。 - 特許庁

The cap section and the barrel section 3c having the large outer diameter function to prevent the air dielectric breakdown occurring at the maximum electric field section from being propagated to a ground side terminal metal fixture, thus exerting an effect to increase the external flashover voltage.例文帳に追加

また、外径の大きな笠部、胴部３ｃは、最大電界部で発生した空気絶縁破壊が接地側端末金具に伝播する事を遮蔽する働きもし、より外部閃絡電圧を高める効果を発揮する。 - 特許庁

A conductive mesh 8 is installed to an ion inlet hole 5 provided at one of end cap electrode 3, and a field correction electrode 7b is installed in the vicinity of the outside of an ion discharge hole 6 provided at the other end cap electrode 4, and a DC voltage having the same polarity as those of ions is impressed on the electrode 7b, as required.例文帳に追加

一方のエンドキャップ電極３に穿設されたイオン導入孔５には導電性メッシュ８を設け、他方のエンドキャップ電極４に穿設されたイオン排出孔６の外側近傍には電場補正用電極７ｂを配設し、該電極７ｂには必要に応じてイオンと同極性の直流電圧を印加する。 - 特許庁

When introducing an ion into an ion trap space 1 from an opening 5 in a center of an inlet side end cap electrode 3, a predetermined direct current voltage is applied to a ring electrode 2 and inlet side and outlet side end cap electrodes 3 and 4, to generate an electrostatic field having a recess shaped equipotential surface enwrapping the incident ion in the ion trap space 1.例文帳に追加

入口側エンドキャップ電極３の中央の開口５からイオントラップ空間１にイオンを導入する際には、入射したイオンを包み込むような凹形状の等電位面を有する静電場をイオントラップ空間１に発生させるべく、リング電極２、並びに入口側及び出口側エンドキャップ電極３，４に所定の直流電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a polyallylamine-based copolymer highly imparting basic performance required for inkjet recording such as color development to a recorded product, hardly allowing a mixed liquid (a waste liquid) of a liquid composition and an ink composition to be accumulated in a cleaning cap, and enabling good cleaning operation which is not achieved conventionally to be achieved, in a fine chemical field such as an inkjet recording field.例文帳に追加

インクジェット記録分野などのファインケミカル分野において、発色性等のインクジェット記録に必要な基本性能を記録物に高度に付与し、かつ、クリーニングキャップに液体組成物とインク組成物との混合液（廃液）を溜まりにくくさせ、従来実現することができなかった良好なクリーニング操作を可能にする、ポリアリルアミン系高分子共重合体を提供する。 - 特許庁

The semiconductor optical element comprises an n-type buffer layer 102, an undoped InAlAs carrier travel layer 103, an n-type InAlAs field relaxation layer 104, an undoped InAlAs multiplication layer 105, a p-type InAlAs field relaxation layer 106, a p-type concentration gradient InGaAs absorption layer 107, and a p-type InP cap layer 108 formed on an n-type InP substrate 101.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、アンドープＩｎＡｌＡｓキャリア走行層１０３、ｎ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０４、アンドープＩｎＡｌＡｓ増倍層１０５、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０６、ｐ型濃度勾配ＩｎＧａＡｓ吸収層１０７、ｐ型ＩｎＰキャップ層１０８で構成されている。 - 特許庁

To provide a bottle cap with fall-off prevention function which can be opened and closed easily by one hand when a bottle beverage is drunk in a state that the freedom of both hands or the field of view is limited and so forth during driving or placing a bottle on an unstable place in a cabin or outside a vehicle or the like.例文帳に追加

運転中や車内・屋外等の不安定な場所において、両手の自由や視界に制限を受ける状態等でボトル飲料を飲むとき、片手で容易に開閉できる脱落防止機能付きのボトルキャップを提供する。 - 特許庁

However, a surface-roughed section comprising irregular parts is present on both the surfaces 16B, 16C of the rubber material 16, and the base plate 14, the rubber material 16, the weight 18, the magnetic field generation member 20, and the spin valve type GMR element 22 are stored in a magnetic shield cap 30.例文帳に追加

但し、ゴム材１６の両表面１６Ｂ、１６Ｃそれぞれに、凹凸部分により構成される粗面部が存在し、これらベースプレート１４、ゴム材１６、錘１８、磁場発生部材２０及びスピンバルブ型ＧＭＲ素子２２が磁気シールドキャップ３０に収納されている。 - 特許庁

Not only both ends of a lead frame 26 are projected outside a package 24 but also a base plate 14, a rubber material 16, a weight 18, a magnetic-field generating member 20, and a spin bulb type GMR element 22 are incorporated into a magnetic-shielding cap 30 formed in a box shape by a metal.例文帳に追加

リードフレーム２６の両端部分がパッケージ２４外に突出している他、金属によって箱状に形成された磁気シールドキャップ３０に、ベースプレート１４、ゴム材１６、錘１８、磁場発生部材２０及びスピンバルブ型ＧＭＲ素子２２が内蔵される。 - 特許庁

The casing for optical components is provided with a lower casing wherein a plurality of optical components are installed, a cap-like upper casing 472 for closing the lower casing, and an optical components holding frame 446 for holding an incident side polarizing plate and an angle-of-field correcting plate and arranging them in a prescribed position in the lower casing.例文帳に追加

光学部品用筐体は、複数の光学部品が設置される下部筐体と、この下部筐体を閉塞する蓋状の上部筐体４７２と、入射側偏光板および視野角補正板を保持し、下部筐体内の所定位置に設置する光学部品保持枠４４６とを備える。 - 特許庁

The field-effect transistor includes a channel layer mainly containing InGaAs, a Schottky layer mainly containing AlGaAs, a stopper layer mainly containing InGaP, a cap layer including a first region and a second region arranged with a recess for exposing a surface of the Schottky layer formed therebetween, a source/drain electrode arranged on the cap layer, and a gate electrode arranged on the surface of the Schottky layer exposed by the recess.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓを主要な材料とするチャネル層と、ＡｌＧａＡｓを主要な材料とするショットキー層と、ＩｎＧａＰを主要な材料とするストッパ層と、ショットキー層の表面を露出するリセスを挟んで配置された第１領域と第２領域とを含むキャップ層と、キャップ層の上に設けられたソース／ドレイン電極と、リセスによって露出されたショットキー層の表面に設けられたゲート電極とを具備する電界効果トランジスタを構成する。 - 特許庁

The hetero junction field effect transistor includes: a nitride semiconductor layer including a barrier layer 40 and a cap layer 50 formed on the barrier layer 40; a gate electrode 90 provided on the nitride semiconductor layer so that a lower part of the gate electrode 90 is embedded in the nitride semiconductor layer; and a surface protection film 100 formed on the nitride semiconductor layer and made of an insulation film that does not contain Si.例文帳に追加

本発明に係るヘテロ接合電界効果トランジスタは、バリア層４０及びバリア層４０上に形成されたキャップ層５０を含む窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層に下部を埋没するようにして前記窒化物半導体層上に設けられたゲート電極９０と、前記窒化物半導体層上に形成されたＳｉを含まない絶縁膜からなる表面保護膜１００とを備える。 - 特許庁