「field collector」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The bright field optical path is constituted of a collector lens 3, a dimmer board 5, a field lens 7, a mirror reflector 9 and a condenser lens 14 and a dark field optical path is constituted of a first optical fiber bundle 12.例文帳に追加

コレクタレンズ３、減光板５、フィールドレンズ７、反射鏡９及びコンデンサレンズ１４によって明視野光路が構成され、第１光ファイバ束１２によって暗視野光路が構成される。 - 特許庁

As a result, the secondary electrons that are generated by their radiation of an electron beam EB to the sample are collected by a collector 9 where voltage of 300 V has been applied, and they are collected in the vicinity of a central opening of a collector throttling 17 by an electric field of the collector throttling 17 where higher voltage than the collector potential has been applied.例文帳に追加

この結果、試料への電子ビームＥＢの照射によって発生した２次電子は、３００Ｖが印加されたコレクタ９によって集められ、コレクタ電位より高い電圧が印加されたコレクタ絞り１７の電界により、絞り１７の中央の開口付近に集められる。 - 特許庁

In the respective orbits T1, T2 of the particles M1, M2, the particle M2 comes into collision against a collector owing to the effects of the magnetic field B and the electric field E, whereas the particle M1 does not come into collision against the collector if the following relations are satisfied: T1<(rin-rcoll) and T2>(rout-rin).例文帳に追加

粒子Ｍ_1、Ｍ_2それぞれの軌道Ｔ_1、Ｔ_2において、Ｔ_1＜（ｒ_in−ｒ_coll）かつＴ_2＞（ｒ_out−ｒ_in）の時、粒子Ｍ_2は磁界Ｂおよび電界Ｅの影響によりコレクタと衝突し、粒子Ｍ_1はコレクタと衝突しない。 - 特許庁

To manufacture an insulated gate bipolar transistor having a thin device thickness while a doping profile of a field stop layer or a collector layer is controlled.例文帳に追加

薄いデバイス厚のＩＧＢＴを、フィールドストップ層やコレクタ層のドーピング・プ口ファイルを制御しつつ作製すること。 - 特許庁

An FS (Field Stop) layer 2a, p^++-type collector layer 1a, and n^++-type cathode layer 1b are formed, in advance, before forming a MOS device structure.例文帳に追加

ＭＯＳデバイス形成前に予めＦＳ層２ａやｐ^++型コレクタ層１ａおよびｎ^++型カソード層１ｂを形成する。 - 特許庁

A ratio between carrier amounts of p^+-type collector layer PCL and carrier amounts of n^+-type field stop layer NF is set between 4 to 16.例文帳に追加

ｐ^＋型コレクタ層ＰＣＬのキャリア量／ｎ^＋型フィールドストップ層ＮＦのキャリア量の比の値を４以上１６以下とする。 - 特許庁

A collector region 33, a field dielectric 38, and a base region 44 are formed on one main surface of a semiconductor substrate 30.例文帳に追加

半導体基板３０の一主表面にコレクタ領域３３、フィールド絶縁膜３８及びベース領域４４を形成する。 - 特許庁

Also, since the sub-collector layer 3 is in sufficiently high density, a roughly zero electric field is attained near a boundary with the carrier block layer 2.例文帳に追加

また、サブコレクタ層３は十分高濃度であるため、キャリアブロック層２との境界面近傍ではほぼ零電界となっている。 - 特許庁

The second collector region 14 confronts the first part 11a of the base region 11 via the first collector region 13, and does not confront the second part 11b and an FLR(field-limiting ring) region 15.例文帳に追加

第２のコレクタ領域１４を第１のコレクタ領域１３を介してベース領域１１の第１の部分１１ａに対向させ、第２の部分１１ｂ及びＦＬＲ領域１５には対向させない。 - 特許庁

While a collector region 107 being formed in the reduced surface field region 101, a summit semiconductor layer 110 electrically connected with the base region 102 is formed so as to be isolated from the collector region 107.例文帳に追加

リサーフ領域１０１内には、コレクタ領域１０７が形成されていると共に、ベース領域１０２と電気的に接続する頂上半導体層１１０が、コレクタ領域１０７と隔離するように形成されている。 - 特許庁

This relates to the collector for collecting drop from a pipette to be mechanically-installed in a pipetting device in the field of purification and amplification on nucleic acid.例文帳に追加

本発明は、核酸の精製と増幅の分野において、ピペット装置に機械的に取付けられるピペットからの滴を捕集する装置に関する。 - 特許庁

This system (150) creates an electric field attracting charged foreign substances to make it possible for a collector (160) to remove the charged foreign substances from the airflow.例文帳に追加

このシステム（１５０）は、帯電異物を引き寄せる電界を創出して、捕集部（１６０）が帯電異物を空気流から除去することを可能にする。 - 特許庁

The semiconductor device has an MOS gate structure comprising an N^- drift layer 1, a field stop layer 3, a P collector layer 4, a collector electrode 9, a P base layer 2, an N^+ emitter region 8, a gate insulating film 6, and a gate electrode 7, and an emitter electrode 5.例文帳に追加

半導体装置は、Ｎ^-ドリフト層１、フィールドストップ層３、Ｐコレクタ層４、コレクタ電極９、Ｐベース層２、Ｎ^+エミッタ領域８、ゲート絶縁膜６とゲート電極７とからなるＭＯＳゲート構造、エミッタ電極５を備える。 - 特許庁

In the lateral transistor, a polysilicon layer 14 is formed on a LOCOS (local oxidation of silicon) oxide film (a field insulating film) 12 so as to cover a collector region 5 and a base region 4 towards an emitter region 6 from the collector region 5.例文帳に追加

本発明に係るラテラルトランジスタは、ＬＯＣＯＳ酸化膜（フィールド絶縁膜）１２上に、コレクタ領域５からエミッタ領域６に向けて、コレクタ領域５とベース領域４とを覆うようにポリシリコン層１４を形成する。 - 特許庁

The surface of the glass substrate 33 on the opposite side to the field emission type electron source 10 is formed with collector electrodes 31 in a stripe state, and a phosphor layer 32 emitting visible light by electrons emitted from surface electrodes 7 of the field emission type electron source 10 so that the phosphor layer 32 covers the collector electrodes 31.例文帳に追加

ガラス基板３３の電界放射型電子源１０と対向する側の面にはストライプ状にコレクタ電極３１が形成され、電界放射型電子源１０の表面電極７から放射される電子によって可視光を発光する蛍光体層３２がコレクタ電極３１を覆うように形成されている。 - 特許庁

The lithium-ion secondary battery includes an electrode including a current collector and an electrode active material layer, an electrolyte layer, and a relaxation region which is installed at least at one of the current collector and the electrolyte layer, and which suppresses concentration of an electric field.例文帳に追加

本発明は、集電体および電極活物質層を含む電極と、 電解質層と、 該集電体および前記電解質層の少なくとも一方に設けられ、電界の集中を抑制する緩和領域と、を有する、リチウムイオン二次電池である。 - 特許庁

Consequently, congestion of an electric field which is nearby the border between an n-type active layer 12 and the p-type base layer 21 and in a high-electric-field area facing the n-type collector layer 24 is reduced to enable application of a higher voltage than usual.例文帳に追加

これにより、ｎ型活性層１２とｐ型ベース層２１との境界付近であってｎ型コレクタ層２４と対向した高電界領域における電界の集中が緩和され、従来より高い電圧の印加が可能となる。 - 特許庁

Consequently, electric field concentration on the gate electrode bottom at the outermost circumference of the actual operation area is reduced to suppress the dielectric strength deterioration between the drain and source (or between the collector and emitter).例文帳に追加

これにより実動作領域最外周でのゲート電極底部での電界集中を緩和しし、ドレイン−ソース（又はコレクタ−エミッタ）間の耐圧劣化を抑制できる。 - 特許庁

When minute fumes comprising a magnetic substance generated in working by thermal cutting pass through the dust collector main body 37, and they are attracted to the conductor 57 due to the magnetic field.例文帳に追加

熱切断加工時に生じる磁性体でなる微少なフュームが集塵装置本体３７内を通過するとき、前記磁界により導線５７に吸着される。 - 特許庁

The flyable organism collector-cum-ozone generator generates an electric field by dielectric polarization induced in a dielectric material by a first conductor as well as generates discharge by the first conductor and a second conductor.例文帳に追加

第１の導体によって誘電体に生じた誘電分極により電界を生じさせると共に、第１の導体と第２の導体とによって放電を生じさせる。 - 特許庁

A collector (a drain) electrode 17 and a gate electrode 16 or an emitter (a source) electrode 15 are connected to the resistive thin film 13 to serve as a resistive field plate.例文帳に追加

この抵抗性薄膜１３に、コレクタ（ドレイン）電極１７と、ゲート電極１６もしくはエミッタ（ソース）電極１５と、を接続させることで抵抗性フィールドプレートとする。 - 特許庁

The gate control transistor is a metal oxide film semiconductor field effect transistor having a gate, a source, and a drain, or an insulated gate bipolar transistor having a gate, an emitter, and a collector.例文帳に追加

ゲート制御トランジスタは、ゲート、ソース、および、ドレインを有する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタか、又は、ゲート、エミッター、コレクターを有する絶縁ゲートバイポーラトランジスタである。 - 特許庁

Thus, the fall of the water droplets into the electric field from the collector electrodes 11 can be suppressed and spark discharge occurring toward the water droplets from the discharge electrodes can be suppressed.例文帳に追加

これにより集塵電極１１から電界内への水滴の落下を抑制することができ、放電電極から水滴に向かって発生する火花放電を抑制する。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a base region 11, an emitter region 12, first, second, third and fourth collector regions 13, 14, 15 and 16, and a field-limiting ring(FLR) region 17.例文帳に追加

ベース領域１１とエミッタ領域１２と第１、第２、第３及び第４のコレクタ領域１３、１４、１５、１６とフィールド・リミッティング・リング（ＦＬＲ）領域１７とを設ける。 - 特許庁

Bipolar plate assemblies 8 and 10 for the PEM fuel cell have a meandering flow field 20s, formed on one surface and a mutually combined flow field 20i formed on an opposite surface, so that a single plate member can be used as an anode current collector and a cathode current collector which is adjacent to the fuel cell.例文帳に追加

ＰＥＭ燃料電池用の二極プレート組立体８，１０は、単一のプレート部材が、燃料電池と隣接したアノード電流コレクター及びカソード電流コレクターとして用いることがきるように、一方面に形成された曲がりくねった流れフィールド２０ｓと、反対面に形成された互いに組み合った流れフィールド２０ｉとを有している。 - 特許庁

A second metal substrate 32 of the same electric potential as the collector electrode is disposed at a symmetric position, viewed from the electric circuit pattern 31 connected to the collector electrode, of the first metal substrate 4 of a ground electrode, to relax the maximum electric field for improved insulating capability.例文帳に追加

コレクタ電極に接続された電気回路パターン３１から見て、接地電極である第１の金属基板４の対称位置に、コレクタ電極と同電位の第２の金属基板３２を配置することにより、最大電界が緩和されて、絶縁能力が向上する。 - 特許庁

Since the distance between these magnets Mg1 and Mg2, and a face 105a-1 opposite a magnetism collector (core) 105 varies in response to the vertical movement of these magnets Mg1 and Mg2, the magnetic field generated by these magnets Mg1 and Mg2 to be collected by the magnetism collector (core) 105 also varies.例文帳に追加

マグネットＭｇ１及びＭｇ２の上下動に応じて、マグネットＭｇ１及びＭｇ２と、集磁体１０５の対向面１０５ａ−１との距離が変化するため、集磁体１０５により集磁されるマグネットＭｇ１及びＭｇ２から発生する磁界も変化する。 - 特許庁

To solve the problem that a conventional power MOSFET deteriorates in dielectric strength between its drain and source (or between its collector and emitter) since an electric field concentrates on the outermost circumferential gate electrode bottom in an actual operation area.例文帳に追加

従来のパワーＭＯＳＦＥＴでは実動作領域最外周のゲート電極底部に電界集中が発生しドレイン−ソース（又はコレクタ−エミッタ）間の耐圧劣化を招いている。 - 特許庁

A patrol person P patrols a field carrying an information collector 10; and when the patrol person approaches the front of one measuring instrument 1 being an object, the patrol person stops and photographs its measured value indicating section 2.例文帳に追加

巡視員Ｐが情報収集器１０を持って現場を巡回し、目的とする１つの計測器１の前に来たら、立ち止まってその計測値指示部２を撮影する。 - 特許庁

Since the concentration of an electric field generated in the vicinity of the bottom surface of the buffer region 113 is eased by the configuration, voltage resistance between the collector and the emitter can be further increased.例文帳に追加

当該構成により、バッファ領域１１３の底面近傍で発生する電界集中が緩和されることとなるため、コレクタ−エミッタ間の耐圧を更に高くすることが可能となる。 - 特許庁

The carbon fiber produced by the method is usable in a wide variety of uses such as electrode of various batteries and capacitors, a power collector, an electrode for FED (field emission display) and gas adsorption substrate.例文帳に追加

得られた炭素繊維は、各種電池、各種キャパシタの電極、集電体、ＦＥＤ用電極、あるいはガス吸着用基板、等として広範囲な用途に使用する事が出来る。 - 特許庁

The method includes storing a received interrupt signal within an interrupt cause register of an interrupt controller, outputting an interrupt command from the interrupt controller to an interrupt collector, asserting an interrupt signal to the microprocessor from the interrupt collector, and shifting a cause value field into a cause array.例文帳に追加

受信した割込み信号を割込みコントローラの割込み要因レジスタ内に格納し、前記割込みコントローラから前記割込みコレクタへ割込み命令を出力し、前記割込みコレクタからマイクロプロセッサへ割込み信号をアサートし、要因値フィールドを要因アレイにシフトする。 - 特許庁

To provide an AC electric field type electric dust collector which shows high performance while keeping an absolute minimum dV/dt value (a rising/falling gradient of a rectangular wave) and by which a power supply unit, a cable and the like can be simplified and a method for driving this collector.例文帳に追加

必要最小限のｄＶ／ｄｔ値（＝矩形波の立上り・立下り傾斜）を有しながら高性能が得られ、且つ、電源装置およびケーブル類の簡略化を可能とした、交流電界形電気集じん装置、および、交流電界形電気集じん装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor switching element 1, an N-type reduced surface field region 302 is formed in a semiconductor substrate 301, and a P-type collector region 303a, an N-type drain region 306b and an N-type buffer region 314 are formed in the reduced surface field region 302.例文帳に追加

半導体スイッチング素子１において、半導体基板３０１内にはＮ型リサーフ領域３０２が設けられており、リサーフ領域３０２内にはＰ型コレクタ領域３０３ａとＮ型ドレイン領域３０６ｂとＮ型バッファ領域３１４とが設けられている。 - 特許庁

To solve the problem that electrical field concentration occurs in a gate electrode bottom of an outermost periphery of an actual active region in the conventional power MOSFET, resulting in degradation of its breakdown voltage between source and drain (or between collector and emitter).例文帳に追加

従来のパワーＭＯＳＦＥＴでは実動作領域最外周のゲート電極底部に電界集中が発生しドレイン−ソース（又はコレクタ−エミッタ）間の耐圧劣化を招いている。 - 特許庁

The power generator 3 includes a field magnet 31 connected with the first rotating shaft 12, an armature 32 connected with the second rotating shaft 22, and a current collector 33 taking out generated electric power from the armature 32.例文帳に追加

発電機３は、第１の回転軸１２に接続された界磁３１、第２の回転軸２２に接続された電機子３２、および電機子３２から発電電力を取り出す集電子３３を備える。 - 特許庁

A semiconductor device includes an N-type semiconductor substrate 2 having an MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) structure 1 formed on a surface side, and the P-type collector layer 4 formed on a rear surface of the N-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体装置は、表面側にＭＯＳＦＥＴ構造１が形成されたＮ型半導体基板２と、Ｎ型半導体基板２の裏面に形成されたＰ型コレクタ層４とを備える。 - 特許庁

The electrostatic precipitator has the collector electrode which collects the ionized particulate within the electric field created by the high voltage corona discharge electrode 52 with the pulsed high voltage power supply 150.例文帳に追加

静電式集塵器は、高電圧パルス電源150によってパルス駆動される高電圧コロナ放電電極52によって作り出される電界内にイオン化した微粒子を集めるコレクタ電極を有する。 - 特許庁

To make uniform the intensity of an electric field formed between a dust collecting electrode and a counter electrode in a dust collector in which dust collection is performed by applying a potential difference between the dust collecting electrode and the counter electrode.例文帳に追加

集塵電極と対向電極に電位差を付与して集塵を行う集塵装置において、集塵電極と対向電極の間に形成される電界の強度を平均化する。 - 特許庁

To provide a data collector capable of obtaining water-level data of a paddy field and transmitting the data to an external terminal by making effective use of existing component elements without newly adding a water level sensor.例文帳に追加

水位センサを新たに付加することなく、既存の構成要素を有効活用して水田の水位データを取得して外部端末に送信することができるデータ収集装置を提供する。 - 特許庁

And the fluorine generator is formed in the vacuum chamber, a crossing electric field and magnetic field propels to a collector along with a non-limiting orbit for collecting heavier potassium ion in the plasma, on the other hand, the fluorine is collected by extracting the lighter fluoride ion and the working gas from the chamber along with the limited orbit.例文帳に追加

真空チャンバに形成され、交差した電界と磁界とがプラズマ中のより重いカリウムイオンを収集するため非制限軌道に沿って収集器まで推進し、一方より軽いフッ素イオンと作業ガスイオンとを制限された軌道に沿ってチャンバから抽出させてフッ素を収集する。 - 特許庁

The collector region has second conductivity type dopant in both a region overlapping a field relax region and a region overlapping an active region, and a region of second conductivity type carriers having a lower carrier density as compared with the region overlapping the active region exists in field relax region.例文帳に追加

そして、該コレクタ領域は、電界緩和領域に重なる領域と能動領域に重なる領域共に第二導電型のドーパントがあり、該電界緩和領域に重なる領域には該能動領域に重なる領域と比較して第二導電型のキャリアのキャリア密度が低い領域がある。 - 特許庁

To suppress an attachment of much dust in an upstream end of the facing surfaces of each electrode to prevent an abnormal electric discharge in a dust collector forming an electric field between the facing surfaces of the electrodes to be paired.例文帳に追加

対となる電極の対向面の間で電界を形成する集塵装置において、各電極の対向面の上流端部における多量の塵埃の付着を抑制して異常放電を防止する。 - 特許庁

The stereocomplex polylactic acid material can be well made by utilizing an electric field spinning method by flying a solution or molten liquid of a blend of PLLA and PDLA to a collector while increasing the voltage.例文帳に追加

電界紡糸法を利用し、電圧を上昇させながら、ＰＬＬＡとＰＤＬＡのブレンド溶液あるいは融液をコレクターに飛ばすことにより、良好にステレオコンプレックス化されたポリ乳酸材料を作製することができる。 - 特許庁

To the current path provided after the internal signal of the bias control part varies, a field-effect transistor whose gate and drain are connected to each other or a bipolar transistor whose base and collector are connected to each other is connected.例文帳に追加

バイアス制御部の内部信号の変化後に設けられる電流パスには、ゲート及びドレインが相互に接続された電界効果トランジスタ又はベース及びコレクタが相互に接続されたバイポーラトランジスタが接続される。 - 特許庁