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grating substrateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 372



例文

To provide a method of designing a substrate type optical waveguide device having a grating structure in which an advanced functionality is accomplished, miniaturization is possible by reducing a length, and the processing accuracy is easily administrated in a manufacturing process.例文帳に追加

高度な機能性を達成しつつ、長さを短縮し小型化することも可能であり、しかも製造工程における加工精度の管理を容易化できるグレーティング構造を有する基板型光導波路デバイスの設計方法を提供する。 - 特許庁

To enable reduction of crystal defect of a conventional strain- relaxation buffer layer and a burden on a growing device in III-V compound semiconductor epitaxial wafer having an operative region where a substrate crystal and a grating constant are different equal to or greater than 0.15%.例文帳に追加

基板結晶と格子定数が0.15%以上異なる動作領域を持つIII−V族化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、従来の歪緩和バッファ層の結晶の欠点と、成長装置の負担を低減することを可能とする。 - 特許庁

By controlling the difference in the refractive index between the first low refractive index portion 11 and the substrate 10 to 0.1 or less, the grating with high diffraction efficiency can be produced without requiring rigorous control of etching depth upon forming the ridge 20 by etching.例文帳に追加

第1低屈折率部11と基板10との屈折率差を0.1以下とすることにより、エッチングでリッジ部20を形成する際にエッチング深さを厳密に制御する必要なしに、回折効率の高い回折格子を作製できる。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor element includes processes of: forming an optical guide layer on a substrate; forming a cap layer on the optical guide layer; and forming openings in partial parts of the optical guide layer and the cap layer to form a diffraction grating from the part of the optical guide layer.例文帳に追加

基板上に光ガイド層を形成する工程と、該光ガイド層上にキャップ層を形成する工程と、該光ガイド層の一部が該回折格子を形成するように該光ガイド層と該キャップ層の一部に開口部を形成する工程とを備える。 - 特許庁

例文

To provide a color filter substrate whose height is uniform irrespective of an arrangement place of a spacer when forming the spacer by lamination of a coloring layer on a grating pattern-like black matrix on a boundary between pixels at a requested position for example.例文帳に追加

着色層の積層によるスペーサーを所望の位置、例えば、画素間の境界にある格子パターン状のブラックマトリックス上に形成する場合、スペーサーの配置場所によらず高さが均一なカラーフィルタ基板を提供することを課題とする。 - 特許庁


例文

The second reflecting means 5 is a chirp type diffraction grating 55 disposed on a semiconductor substrate S in series with a gain waveguide 7 and the first reflecting means 3, and functions as a laser light projection surface of the semiconductor laser element 1.例文帳に追加

第2の反射手段5は、利得導波路7及び第1の反射手段3と直列に半導体基板S上に配置されたチャープ型回折格子55であり、半導体レーザ素子1におけるレーザ光の出射面として機能する。 - 特許庁

This diffraction grating formation method includes at least a process of forming stripe mask patterns 104 with a constant period and different coating widths on a substrate 100, and a process of transferring the mask patterns 104 onto the substrate 100 by an etching method having chemical anisotropic selectivity for a material constituting the substrate 100, in a method for forming diffraction gratings 106 (106a, 106b) with periodic irregularity.例文帳に追加

本発明に係る回折格子の形成方法は、周期的な凹凸を有する回折格子の形成方法において、基板上に周期が一定で被覆幅の異なるストライプ状のマスクパターンを形成する工程と、前記基板を構成する材料に対して化学的異方選択性を有するエッチング方法を用いて前記マスクパターンを該基板に転写する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The tunable wavelength selecting filter which selectively reflects light having a specified wavelength meeting a resonance condition in incident light as reflected light includes a substrate, a waveguide layer which is formed on the substrate and has a larger refractive index than the substrate and also has electrooptical effect, and a plurality of electrodes which are formed on the waveguide layer and made of materials transparent to the incident light and function as a diffraction grating.例文帳に追加

入射光のうち、共鳴条件に合った特定波長の光を反射光として選択的に反射させるチューナブル波長選択フィルタが、基板と、基板上に形成された、基板より屈折率が大きくかつ電気光学効果を有する導波層と、導波層上に形成され、入射光に対して透明な材料からなるとともに回折格子として機能する複数の電極とを含む。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes: a step of forming a resist layer on a semiconductor substrate; a step of exposing the resist layer with a grating mask; a step of developing the exposed resist layer to form a resist mask having a gradient; and a step of forming an impurity region by implanting ions in the semiconductor substrate via the resist mask.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上にレジスト層を形成する工程と、グレーティングマスクを用いてレジスト層を露光する工程と、 露光されたレジスト層を現像し、勾配を有するレジストマスクを形成する工程と、レジストマスクを介して、半導体基板にイオンを注入することで不純物領域を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

例文

Heat from the laser diode 2, the lens 3, the grating 5, etc. which constitute an external resonator type semiconductor laser is spread through the second supporting portion 6, the Peltier element 9, the heatsink 10 and the base substrate 11, however, heat conduction to the laser 8 is intercepted effectively by maintaining distance between the base substrate 11 and the laser 8 at a fixed value or more.例文帳に追加

外部共振器型半導体レーザを構成するレーザ・ダイオード2、レンズ3、グレーティング5等からの熱は、第2支持部6、ペルチェ素子9、ヒートシンク10、およびベース基板11を通って伝搬するが、ベース基板11とレーザ部8との間の距離を一定以上に保つことによって、レーザ部8への熱伝導が効果的に遮断される。 - 特許庁

例文

To provide a pattern forming method by which a preliminarily determined pattern such as a grating, comb-shaped and circular pattern can be formed in a single film forming process using a single mask under conventional various mask use environments such as high temperature, low temperature, vacuum and gas atmospheres, and to provide a patterned substrate prepared by the method, and a solar cell element using the substrate.例文帳に追加

従来の高温・低温・真空・ガス雰囲気中などの様々なマスク使用環境下で、格子状、櫛形、環状などの所定のパターンの成膜を、単独のマスクを用いて1回の成膜で行うことができるパターン形成方法、該方法によって作成されたパターン形成基板、及び該基板を用いた太陽電池素子の提供。 - 特許庁

The semiconductor laser device 1A includes: a group-III nitride substrate 11 whose main surface 11a is the nonpolarity surface; an active layer 27 with the In that is provided on the group-III nitride substrate 11; and a diffraction grating layer 17 that is provided along the active layer 27 and includes a periodic structure where a refractive index periodically varies in one- or two-dimension.例文帳に追加

半導体レーザ素子1Aは、非極性面を主面11aとするIII族窒化物基板11と、III族窒化物基板11上に設けられたInを含む活性層27と、活性層27に沿って設けられ、一次元又は二次元において屈折率が周期的に変化する周期構造を含む回折格子層17とを備える。 - 特許庁

A sine-wave or sine-wave half-wave type resist pattern corresponding to grating grooves is formed on a substrate 10 by a holographic exposure method, and then the substrate 10 and resist 21 are etched until the resist reaches an approximately 1/3 height through a 1st etching stage of irradiating them with an ion beam obliquely at the same angle as a blaze angle while using CF_4 as etching gas.例文帳に追加

ホログラフィック露光法により基板10上に格子溝に対応した正弦波状又は正弦半波状のレジストパターン21を作製し、その後、CF_4をエッチングガスとしてブレーズ角と同じ角度で斜めからイオンビームを照射する第1エッチング工程によりレジストが約1/3の高さになるまで基板10とレジスト21とを削る。 - 特許庁

The SAW device is formed by arranging at least one ITD electrode and a grating reflector as required on a piezoelectric substrate, a silicon dioxide (SiO_2) film with a thickness of 10nm to 15nm on the piezoelectric substrate is formed and the SAW device is heat-treated at an atmospheric temperature of 300°C or over for 10 minutes or more.例文帳に追加

圧電基板上に少なくとも1つのIDT電極と、必要に応じてグレーティング反射器とを配置して形成したSAWデバイスデバイスであり、前記圧電基板上に厚さ10nmから15nmの二酸化珪素(SiO_2)膜を形成すると共に、300℃以上の雰囲気温度にて10分間以上の熱処理を行う。 - 特許庁

Also, in another method, the optical waveguide grating is manufactured through a first stage ion exchange process wherein the ion exchange is performed for a specified time while applying the electric field in fused salt after the dope film forming process and the optical waveguide is formed, a process for removing residual dope films on the grass substrate and a second stage ion exchange process for further embedding the optical waveguide into the glass substrate.例文帳に追加

ドープ膜形成工程後に、溶融塩中で電界印加しながら所定時間イオン交換を行い光導波路を形成する第1段階のイオン交換工程、ガラス基板上の残存ドープ膜除去工程、光導波路を更にガラス基板中に埋め込む第2段階のイオン交換工程を経る方法もある。 - 特許庁

The optical path switching element and the optical path switching method are such that the direction of reflection of an emitted light is changed, by arranging a phase change material in a grating shape on a substrate, and subjecting crystals of the phase change material to transition into an amorphous state.例文帳に追加

基板上に相変化材料をグレーティング状に配置し、相変化材料の結晶とアモルファス状態に転移させることにより、照射される光の反射方向を変化させることを特徴とする光路切替素子及び光路切替方法である。 - 特許庁

The measurement area 93 of the substrate 9 is irradiated with an illumination light by a light emission part 3, and a reflected light of the illumination light from the measurement area 93 is spectrally dispersed by a diffraction grating 52 of a spectroscope 5, to acquire a measured spectral reflectance.例文帳に追加

基板9の測定領域93には光照射部3により照明光が照射され、測定領域93からの照明光の反射光が分光器5の回折格子52にて分光されることにより、測定分光反射率が取得される。 - 特許庁

The analyzing element comprises a plurality of films 3, 4 having at least a metal film 4 and laminated on a substrate 2, and the diffraction grating 5 which can induces the evanescent wave by irradiating with an exciting light and which is formed on a boundary surface or a surface of a front layer between the layers 2 and 3 except the film 4.例文帳に追加

基板2上に少なくとも金属膜4を含む複数の膜3,4を積層し、励起光の照射によりエバネッセント波を誘起しうる回折格子5を金属膜4以外の層2,3間の境界面或いは表層の表面に形成する。 - 特許庁

A laser oscillation section 20 and a waveguide path grating section 21 are integrally formed on one substrate so that the length L of a resonator of the laser oscillation section 20 can be reduced, the modulation bandwidth can be higher, and higher speed signals can be transmitted.例文帳に追加

レーザ発振部20と導波路グレーティング部21とを同一基板1上に一体的に形成することにより、レーザ発振部20の共振器の長さLを短くすることができ、変調帯域を高くすることができ、より高速信号を伝送することができる。 - 特許庁

This light emitting device is provided with a substrate SUB, an organic EL element OLED which is arranged on the substrate SUB and which is equipped with the front face CTD, the back plate AND, and an organic layer ORG interposed between them and including a light emitting layer EMT, and a diffraction grating DGR arranged between the substrate SUB and the organic EL element OLED or on the organic EL element OLED.例文帳に追加

本発明の発光装置は、基板SUBと、前記基板SUB上に配置され、前面電極CTDと背面電極ANDとそれらの間に介在すると共に発光層EMTを含んだ有機物層ORGとを備えた有機EL素子OLEDと、前記基板SUBと前記有機EL素子OLEDとの間又は前記有機EL素子OLED上に配置された回折格子DGRとを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

This alignment mark is formed in a manner whereby a a first film (insulating film) 2 transparent to light for mask alignment is formed on the prescribed region of a semiconductor substrate, and a second film (conductive film) 4 which is formed like a diffraction grating pattern composed of islands and provided on the first film 2 to reflect the mask aligning light.例文帳に追加

半導体基板1上の所定の領域に、マスク合わせ用の光に対して透明性の第1の膜(絶縁膜2)を形成し、その第1の膜上に、複数の島状体からなる回折格子パターンで、マスク合わせ用の光を反射する第2の膜(導電膜4)を形成する。 - 特許庁

To provide a display which is so fully secure as to make forgery difficult and allows more reliable validity judgement, with respect to a display in which a substrate surface is divided in a matrix shape and a diffraction grating pattern is formed in a cell within each element of the matrix to constitute a display image.例文帳に追加

基材表面をマトリクス状に分割し、マトリクスの各要素の内部のセルに回折格子パターンを形成して表示画像を構成するディスプレイにおいて、よりセキュリティ性が高く偽造が困難で、真偽判定がより一層確実に行えるディスプレイを実現する。 - 特許庁

The optical part 1 is provided with an optical plane waveguide type circuit made by forming and integrating optical waveguides 111, 112, 121 and 122, optical branching parts 131 and 132, reflecting parts 141 and 142, Bragg grating parts 151 and 152 and optical detection parts 161 and 162 on the substrate 100.例文帳に追加

光部品1は、光導波路111,112,121,122、光分岐部131,132、反射部141,142、ブラッググレーティング151,152および光検出部161,162が基板100上に形成されて集積化された光平面導波路型回路を備える。 - 特許庁

This hologram consists of a hologram film 10 in which a diffraction grating is recorded, a substrate 11 disposed with a joining material 13 on one surface of the hologram film 10, and a polymer film 12 disposed with a joining material 13 to the other surface of the hologram film 10.例文帳に追加

回折格子が記録されたホログラム膜10とホログラム膜10の一方側に接合材料13を介して配置された基板11と,ホログラム膜10の他方側に接合材料13を介して配置された高分子フィルム12とよりなり,高分子フィルム12の膜厚は100μm以下である。 - 特許庁

While the parts 131 and 132 of the bent waveguide on a substrate 121 constituting an array waveguide grating 104 are turned to a core diameter to perform a multi-mode operation, the relation of waveguide height and width and a limit curvature radius is appropriately combined and a high order mode filter is constituted.例文帳に追加

アレイ導波路格子104を構成する基板121上の曲がり導波路の部分131、132はマルチモード動作を行うコア径となっているが、導波路高さおよび幅と限界曲率半径の関係を適切に組み合せ、高次モードフィルタを構成している。 - 特許庁

The optical pickup 100 has the semiconductor laser chip 112, a 1st holding member 114 which holds it, a cover glass 134 which has a diffraction grating 132, a photodetecting element substrate 144 which has a plurality of photodetecting elements 142, and a 2nd holding member 152 which holds it.例文帳に追加

光ピックアップ100は、半導体レーザーチップ112と、これを保持する第一の保持部材114と、回折格子132を有するカバーガラス134と、複数の受光素子142を有する受光素子基板144と、これを保持する第二の保持部材152とを有している。 - 特許庁

A grating (25) is arranged in the upper clad layer on the opposite sides of a distribution feedback region of a waveguide region (22) having end regions (22B) defined at the opposite ends and the distribution feedback region (22A) defined internally and extending from one end face to the other end face of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の一方の端面から他方の端面まで延在し、両端に端部領域(22B)が画定され、内部に分布帰還領域(22A)が画定された導波路領域(22)の、該分布帰還領域の両側の上側クラッド層内に、回折格子(25)が配置されている。 - 特許庁

A plane waveguide type optical circuit where an under-clad layer 21, a core layer 20 obtained by patterning an optical waveguide layer 15, and an over-clad layer 22 covering over the core layer 20 or the like are formed on an Si substrate 10 is prepared as an optical circuit being an object where a diffraction grating is to be formed (figure 1 (a) to (c)).例文帳に追加

Si基板10上に、アンダークラッド層21、光導波層15をパターニングしたコア層20、及びコア層20等を覆うオーバークラッド層22を形成した平面導波路型光回路を、回折格子を形成する対象となる光回路として準備する(図1(a)〜(c))。 - 特許庁

Since the interference fringes of the secondary light are little recorded on the 2nd master hologram 32, the secondary light is little emitted from the 2nd master hologram, and only the interference fringes between the zero order and the primary are recorded on a photosensitive film of the hologram substrate, and consequently, a hologram used as a diffraction grating element is created.例文帳に追加

第2のマスターホログラムには2次光の干渉縞が記録されていないため、第2のマスターホログラムから2次光はほとんど出ず、0次光と1次光の干渉縞のみがホログラム基板の感光フィルムに記録され、最終的に回折格子素子として用いるホログラムが作製される。 - 特許庁

To prevent the generation of noises due to the fact that zero-order diffracted light caused by the outer shape of a cell is spread and superposed on 1st-order diffracted light for reading information, in an optical information recording medium formed by arranging plural diffraction grating cells on the surface of a substrate as an information recording element.例文帳に追加

回折格子セルを情報記録要素として基板表面に複数配置することにより形成される光情報記録媒体において、情報読み取りのための1次回折光に、セルの外形に起因する0次回折光が広がって重なり、ノイズとなることを防止する。 - 特許庁

The first absorption type grating 31 includes: a plurality of X-ray shield parts 31b shielding the radiation emitted from the radiation source 11; and a substrate 31a which is arranged with the plurality of X-ray shield parts 31b, and through which the radiation emitted from the radiation source 11 is transmitted.例文帳に追加

第1の吸収型格子31は、放射線源11から出射された放射線を遮蔽する複数のX線遮蔽部31bと、複数のX線遮蔽部31bが配列されるとともに、放射線源11から出射された放射線を透過する基板31aを備える。 - 特許庁

The crystal surface at the side surface of the diffraction grating provided to the distributed feedback semiconductor laser using an InP substrate 1 having the plane (100), as the main plane is formed of the crystal plane inclined in any direction of the [01-1] direction and [011-] direction from the plane (100).例文帳に追加

(100)面を主面とするInP基板1を用いた分布帰還型半導体レーザに設ける回折格子の側面の結晶面を(100)面から〔01−1〕方向或いは〔011−〕方向のいずれかの方向に傾斜した結晶面、即ち、「B面」で構成する。 - 特許庁

The X-ray spectral element 1 comprises an artificial grating 3, having a cyclic structure formed by alternately laminating plural sets of Ag reflecting layers 4 and Al spacer layers 5 via metal intermediate layers 6 on a substrate 2, whereby an incident X-ray 14 is diffracted to generate diffracted X-rays.例文帳に追加

Agの反射層4 とAlのスペーサ層5 とを、金属の中間層6 を介して、交互に複数組積層して構成されて周期構造を有する人工格子3 を基板2 上に備え、入射X線14を回折して回折X線16を発生させるX線分光素子1 である。 - 特許庁

A first adhesive S1 is mounted on a wiring substrate 16 on which a light emitting element 11 is mounted, a second adhesive S2 is mounted on an actuator base 2, a third adhesive S3 is mounted on a diffraction grating 13 as optical components and a fourth adhesive S4 is mounted on a cover 4.例文帳に追加

発光素子11を搭載した配線基板16に第1接着剤S1をマウントし、アクチュエータベース2に第2接着剤S2をマウントし、光学部品としての回折格子13に第3接着剤S3をマウントし、カバー4に第4接着剤S4をマウントする。 - 特許庁

A polarization diffraction grating 1 includes a transparent substrate 2, a polymer liquid crystal layer 4 that is adhered onto the transparent substrate 2 via an adhesive layer 3, and that has a first concave-convex structure 4a that diffracts incident light formed on a face opposite to the adhesive layer 3, and an optically isotropic material layer 5 provided to fill the first concave-convex structure 4a.例文帳に追加

透明基板2と、透明基板2上に接着層3を介して接着され、接着層3とは反対側の面に入射光を回折させる機能を有する第1の凹凸構造4aが形成された高分子液晶層4と、第1の凹凸構造4aに充填された状態で設けられた光学的等方性材料層5とを備えた偏光性回折格子1である。 - 特許庁

The element includes: the polarization diffraction element including a translucent substrate having a diffraction grating constructed by alternately formed concave parts and convex parts and a birefringent liquid crystal filled in the translucent substrate; and at least one phase delay layer formed by a material having birefringence and successively laminated on the liquid crystal of the polarization diffraction element.例文帳に追加

交互に形成された凹部と凸部とで構成される回折格子を有する透光性基板と、上記透光性基板上に充填された複屈折性液晶とを含む偏光性回折素子、及び上記偏光性回折素子の液晶上に連続して積層され、複屈折性を有する物質で形成された少なくとも一つの位相遅延層、を含む。 - 特許庁

A polarizing element 5 uses a grating separating polarized light from natural light and the polarizing element 5 having a polarizing function, by forming unevenness of a material into a shape to a size in matching with a desired wavelength on the surface of a substrate of quartz-transmitting ultraviolet light and properly giving the angle of incidence is used to generate polarized light 9, with which a work (orientation substrate) 100 is irradiated.例文帳に追加

自然光から偏光光を分離するグレーティングを用いた偏光素子5であって、石英など紫外光を透過する基板上に、所望の波長に合わせて、形状、材料、寸法の凹凸が表面に形成され、入射角を好適に設けることで偏光機能を有する偏光素子5を用いて偏光光9を生成しワーク(配向基板)100に照射する。 - 特許庁

In the heat treatment in the device process, metal impurities (c) in the SIMOX substrate are sufficiently gettered because of boron ion-injected into a high-density boron layer 14 formed in a bulk layer 13 to a density of ≥1×10^13/cm^2 and disorder of a silicon grating at the reverse-surface side part of a silicon single-crystal substrate due to the ion injection of boron.例文帳に追加

バルク層13に形成された高濃度ボロン層14に1×10^13/cm^2以上の密度でイオン注入されたボロンと、このボロンのイオン注入に起因するシリコン単結晶基板10の裏面側部のシリコン格子の乱れとにより、デバイス工程の熱処理時、SIMOX基板20の内部の金属不純物cが十分にゲッタリングされる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device includes the GaAs substrate 1, the quantum dot active layer 3 formed over the GaAs substrate 1, a GaAs layer 4 formed above or below the quantum dot active layer 3, and the diffraction grating 7 formed from InGaP or InGaAsP and periodically provided along an propagating direction of light in the GaAs layer 4.例文帳に追加

半導体発光素子を、GaAs基板1と、GaAs基板1上に形成された量子ドット活性層3と、量子ドット活性層3の上側又は下側に形成されたGaAs層4と、GaAs層4の内部に、InGaP又はInGaAsPからなり、光の進行方向に沿って周期的に設けられた回折格子7とを備えるものとする。 - 特許庁

The color reaction measuring machine 10 includes the sensor chip 1, where a light waveguide layer 3 including an incidence side grating 4a to which light enters and an emission side grating 4b from which the incidence light is emitted is provided on a main surface of a substrate 2.例文帳に追加

光が入射される入射側グレーティング4a及び前記入射光が出射される出射側グレーティング4bを含む光導波路層3が基板2の主面に設けられたセンサチップ1を備えた発色反応計測機10において、前記入射側グレーティング4aが、前記入射側グレーティング4aのピッチ幅をDとしたとき、下式を成立させる間隔に形成され、前記入射側グレーティング4aに入射される光が複数の波長を持つ光であることを特徴としている。 - 特許庁

The distributed feedback semiconductor laser device 50 is a ridge waveguide type and comprises an n-GaAs substrate 52 and a multilayered structure, which consists of an n-AlGaAs clad layer 54, InGaAs/GaAs quantum well structure layer 56, a GaInNAs absorption layer 58 formed with diffraction grating, p-AlGaAs clad layer 60, and a GaInNAs absorption layer, which are deposited in this order on the n-GaAs substrate 52.例文帳に追加

本分布帰還型半導体レーザ素子50は、リッジ導波路型であって、n−GaAs基板52と、n−GaAs基板52上に、順次、成膜された、n−AlGaAsクラッド層54、InGaAs/GaAs量子井戸構造層56、回折格子57が形成されているGaInNAs吸収層58、p−AlGaAsクラッド層60、及びGaAsキャップ層62の積層構造とを備えている。 - 特許庁

A substrate 71 configurating a polarization hologram 50 is so set that its flexural rigidity attains a value higher than the value meeting the thermal stress generated in a birefringent film 81 in forming a grating by increasing, for example, its sheet-metal gage or the like and therefore the flatness higher than heretofore can be obtained with the polarization hologram.例文帳に追加

偏光ホログラム50を構成する基板71は、例えば、板厚を大きくするなどして、その曲げ剛性が格子の形成時に複屈折膜81に生じる熱応力に応じた値以上となるように設定されているために、偏光ホログラムでは従来よりも高い平坦度を得ることができる。 - 特許庁

In the substrate type optical waveguide device, two Bragg grating patterns 12, 13 are positioned in different regions in a cross section orthogonal to a light guide direction, and formed in a region arranged along the light guide direction, and a waveguide core 10 has P-type and N-type semiconductor regions 10a, 10b.例文帳に追加

二通りのブラッググレーティングパターン12,13が光の導波方向と直交する断面において互いに異なる領域に位置し、かつ光の導波方向に沿って並列した領域に形成され、かつ、導波路コア10がP型及びN型の半導体領域10a,10bを有する基板型光導波路素子である。 - 特許庁

The spherical aberration caused by the deviation of the thickness of the substrate 11 of an optical information recording medium 10 is corrected by changing the shape of a luminous flux making incident on an objective lens 6 from a light source 1 side, and also positions of two sub-spots are corrected by displacing a grating 2 so that a proper track error signal is obtained.例文帳に追加

光情報記録媒体10の基板11の厚さの偏差により発生する球面収差を、光源1側から対物レンズ6へ入射する光束の形態を変化させて補正するとともに、適正なトラック誤差信号が得られるように、グレーティング2を変位させて、2つのサブスポットの位置を補正する。 - 特許庁

An objective lens OB is subjected to aberration correction to exhibit good aberration performance when the blue laser beam LB is used, and respective coefficients of the phase function of diffraction grating surfaces provided in the wave surface conversion element WC are set to desired values, thereby realizing the optical pickup coping with three different wavelengths and substrate thicknesses.例文帳に追加

対物レンズ(OB)は、青色レーザー光(LB)を用いる場合に良好な収差性能となるように収差補正がなされており、波面変換素子(WC)に設けられた回折格子面の位相関数の各係数を所望の値とすることで異なる3つの波長及び基板厚に対応した光ピックアップ系になる。 - 特許庁

To simplify an etching process, and to reduce a variation of optical characteristics of an obtained wire grid polarizer as one of objectives, in a method of manufacturing the wire grid polarizer including the etching process in which a metallic wire is formed by etching a metallic layer formed on a substrate having grating projections.例文帳に追加

格子状凸部を有する基材上に形成された金属層をエッチングして金属ワイヤを形成するエッチング工程を有するワイヤグリッド偏光子の製造方法において、当該エッチング工程を簡略化すると共に、得られるワイヤグリッド偏光子の光学特性のばらつきを低減することを目的の一とする。 - 特許庁

A bimetal 10 curves when high-expandable material 10b of the bimetal 10 applied to a lower part of a substrate 1 or an upper part of an overclad 1a is expanded more than a low-expandable material 10a when a temperature of it is elevated, and the whole of a waveguide grating element 30 is warped thereby to apply a compressive stress to a waveguide.例文帳に追加

温度が上昇すると基板1の下部あるいはオーバークラッド1aの上部のいずれかに貼付けられたバイメタル10の高膨張材10bが低膨張材10aより膨張するのでバイメタル10が湾曲し、導波路グレーティング素子30全体が反り、導波路に圧縮応力が加わる。 - 特許庁

Concerning the pattern, with which the fine cell composed of the diffraction grating is provided as a constitutive unit, configured by locating these cells on the surface of the substrate, the cells are in plural arbitrary different forms and the specified information is added to an array in the case of combining and locating the plural cells for the machine readable hologram.例文帳に追加

回折格子からなる微小なセルを構成単位とし、前記セルが基板表面に配置されて構成されるパターンにおいて、前記セルは、複数の任意の異なる形状をなし、該セルを複数個組み合わせて配置する際の配列に特定の情報を付加したことを特徴とする機械読み取りホログラム。 - 特許庁

The display panel 10 has pixel formation regions for respective display pixels (color pixels PXr, PXg, and PXb), arrayed in the columnar direction, defined by banks 19 which project from one surface side of an insulating substrate 11, are successively arranged, having a fence- or grating-shaped pattern and also used in common as a common voltage line Lc.例文帳に追加

表示パネル10は、絶縁性基板11の一面側から突出し、柵状又は格子状の平面パターンを有して連続的に配設され、共通電圧ラインLcとして兼用されるバンク19により、列方向に配列された各表示画素(色画素PXr、PXg、PXb)の画素形成領域が画定される。 - 特許庁

例文

A diffraction grating supported on a substrate turnable freely is tilted by impressing an electric field, electrically driven mechanical spectral elements for separation of light incident on the diffraction surface are arranged two dimensionally in plural number, and each of these spectral elements is capable of independently setting its tilt angle.例文帳に追加

基板上に回動自在に支持された回折格子を電界印加によって傾斜させ、回折格子の回折面に入射される光を分光する微小電気駆動機械式の分光素子が2次元状に複数配列されてなり、これら分光素子のそれぞれが個別に傾斜角を設定可能にする。 - 特許庁




  
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