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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > growing rateに関連した英語例文

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growing rateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 165



例文

In the method for producing the InGaN layer, under conditions that a growing temperature is 700°C to 790°C, a growing speed is 30 Å/min to 93 Å/min, and a flow rate of trimethyl indium is 1.76×10^-5 mol/min to 3.53×10^-5 mol/min, the InGaN layer is grown.例文帳に追加

本発明に係るInGaN層の製造方法は、700℃〜790℃の成長温度、30Å/分〜93Å/分の成長速度及び1.76×10^−5モル/分〜3.53×10^−5モル/分のトリメチルインジウムの流量の条件下でInGaN層を成長させる。 - 特許庁

To provide a wrapping material for growing a plant, exhibiting functions as a supplying source of water and a growth-promoter to the plant on the growth of the plant body and also having a high germination rate, and the wrapping material for growing the plant excellent in sowing workability.例文帳に追加

植物体の育成に際して前記植物体への水、及び成長促進剤の供給源としての機能を発揮するとともに、発芽率の高い植物育成用包材を提供すること、及び播種作業性に優れた植物育成用包材を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for growing seeds by combining various effective treatments and selections for establishing and reinforcing a fixation to make the improvement of cultivation properties of their posterity as effective, since in addition to the selective growing of the seeds obtained from an inclusive mutation of the seeds, an environmental mutation has a property to transmit superiority to the posterity although its fixing rate is low.例文帳に追加

〔課題〕 種子の包含変異からの選拔育種に加えて、環境変異も、固定度は低いが、後代に優良性が伝わる性質があるから、いろいろ有効な処理と選拔を組合わせて、固定化を定着強化して、後代の栽培性の改良を有効にする。 - 特許庁

To provide a growing method for an oxide single crystal, in which the rate of the success in crystal growing is improved to 80% or more, and moreover, a high quality oxide single crystal, in which the occurrence of a translocation train in a crystal is suppressed, can be manufactured in good repeatability and at a low cost.例文帳に追加

結晶育成の成功率が80%以上に改善され、しかも、結晶中の転位列の発生が抑制された高品質酸化物単結晶を再現性良く、低コストで製造可能な酸化物単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

例文

A carbon nanotube production apparatus 10 is provided with a magnetic field applying part 22 generating a magnetic field on a growing region 16 of carbon nanotubes, and a magnetic field control part 24 controlling the intensity of the magnetic field, so that the moving rate of a catalyst having magnetism in the growing region 16 is controlled.例文帳に追加

カーボンナノチューブ製造装置10に、カーボンナノチューブの成長領域16に磁場を生じさせる磁場印加部22とその磁場強度を制御する磁場制御部24を設けることにより、成長領域16における磁性を有する触媒の移動速度を制御する。 - 特許庁


例文

To provide a raw material rod for growing magnetic single crystals, which can obtain a YIG single crystal without deteriorating its magnetic properties since the controllability of the orientation of the single crystal is kept even when a growing rate is increase to prevent the increase of a magnetic resonance half-value width (ΔH), and to provide the magnetic single crystal.例文帳に追加

育成速度を速くしても単結晶の方位制御性が保たれて強磁性共鳴半値幅(ΔH)が大きくならず、磁気特性が劣化しないYIG単結晶が得られる磁性単結晶育成用原料棒と磁性単結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal-growing unit capable of growing a longer single crystal by inhibiting the growth of boundaries among multiple crystal particles, shortening an un-melted specimen part (a seed crystal), having less limitation in temperature gradient and capable of growing the single crystal at a sufficiently slow cooling rate and inhibiting a corrosion by the specimen, a reaction with the specimen and formation of an alloy.例文帳に追加

多結晶粒界の成長を抑制してより長い単結晶を成長させることができ、溶融させない試料部分(種結晶部分)を短くし、かつ温度勾配の制約が少なく、十分に遅い冷却速度で単結晶を成長させることができ、試料による腐食や試料との反応や合金形成を抑制することができる単結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

On both the sides of the side wall spacers 106 on the semiconductor substrate 101, a first single-crystal silicon film 107 of superior crystallizability is formed by epitaxial-growing at relatively small growth rate, and then, on the first single-crystal silicon film 107, a second single-crystal silicon film 108 is formed by epitaxial-growing at relatively large growth rate.例文帳に追加

半導体基板101上におけるサイドウォールスペーサー106の両側に、相対的に小さい成長レートでエピタキシャル成長させることにより、結晶性に優れた第1の単結晶シリコン膜107を形成した後、該第1の単結晶シリコン膜107の上に、相対的に大きい成長レートでエピタキシャル成長させることにより、第2の単結晶膜シリコン膜108を形成する。 - 特許庁

Further, by applying the reducing water to a general rock, the preparation of a functional rock having both of the low radioactivity and high-rate growing light (far infrared rays 4-14μ) radiation rate has become possible, and by the method of firing pottery and porcelain, the preparation of a similar functional artificial ore has also become possible.例文帳に追加

更に一般岩石に塗布して低放射能と高率育成光線(遠赤外線4μ〜14μ)放射率を合わせ持つ機能性岩石を作成することが出来る様にもなったし陶磁器を焼き上げる方法で同様の機能性人工鉱石を作成する事も出来る様になった。 - 特許庁

例文

Of course, behind all this lies a deterioration of the U.S. housing sector, the declining housing prices, the rising mortgage delinquency rate and the growing stocks of unsold houses. 例文帳に追加

また、その背景には当然のことながら、米国の住宅セクターの状況の悪化、住宅価格の低下、住宅ローンの延滞率の上昇、あるいは住宅在庫の積上りなどが相次いでいるということもあるのではと思います。 - 金融庁

例文

This method for producing a silicon wafer comprises growing a silicon single crystal rod doped with nitrogen by CZ method while controlling a nitrogen concentration, an oxygen concentration and a cooling rate and processing the silicon single crystal rod into a wafer.例文帳に追加

CZ法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を、窒素濃度、酸素濃度、及び冷却速度を制御しつつ育成し、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工するシリコンウエーハの製造方法。 - 特許庁

A group III-V nitride boule is formed by growing a group III-V nitride material on a corresponding native group III-V nitride seed crystal by vapor phase epitaxy at a growth rate above 20 μm per hour.例文帳に追加

相応する天然III−V族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、1時間に20μmを上回る成長速度で、III−V族窒化物材料を成長させることにより、III−V族窒化物ブールを形成する。 - 特許庁

The method includes an example method including growing a first layer 20 of oxide on first and second facets 16a, 12a, with the first facet 16a having a faster oxide growth rate.例文帳に追加

第1のファセット16a及び第2のファセット12a上に酸化物の第1の層20を成長させる段階を含み、第1のファセット16aがより速い酸化物成長速度を有する例示的方法を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor thin film manufacturing apparatus for growing a single crystal thin film or a high quality polycrystal thin film of aligned crystal elements in the feasible growth rate.例文帳に追加

単結晶薄膜、または結晶方位の揃った良質な多結晶薄膜を、実用可能な速度で成長させる半導体薄膜製造装置を提供することにある。 - 特許庁

Next, the relation (fig. 2) between the size and the density of the grow-in defect caused by the void and the growing rate of the silicon single crystal is obtained by the simulation using the computer.例文帳に追加

次いで、結晶内部に導入される空孔起因のグローンイン欠陥のサイズならびに密度とシリコン単結晶の成長速度との関係(図2)を、電子計算機を用いたシミュレーションにより求める。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a superjunction semiconductor device that can increase a growing rate of an epitaxial layer without greatly increasing the number of processes.例文帳に追加

工程数を大幅に増加させることなしに、エピタキシャル層の成長レートを早くすることができる超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The synthetic quartz is grown by hydrothermal synthesis using an autoclave and the growing conditions are controlled to obtain 1.78 mm/day growth rate in an NaOH soln.例文帳に追加

合成水晶の育成はオートクレーブを用いた水熱合成法を用い、NaOH溶液中で成長速度が1.78mm/日となるように設定した。 - 特許庁

To improve a nitriding rate in single crystal growth and to prevent discoloring of a single crystal upon growing a single crystal by a flux method using a source material containing an easily oxidizing substance or easily moisture absorbing substance such as Na.例文帳に追加

Naなどの易酸化性物質または易吸湿性物質を含む原料を用いてフラックス法により単結晶を育成するのに際して、単結晶育成時の窒化率を向上させ、単結晶の着色を防止することである。 - 特許庁

At this time, the gas containing Si species and the gas containing C species are supplied at a low flow rate C/Si ratio where the gas containing C species is supplied at the slowest speed, thereby growing the p-type SiC epitaxial layer 3.例文帳に追加

このとき、Si種を含むガスとC種を含むガスの流量比(以下、C/Si比とする)を、C種を含むガスが供給律速となるような低C/Si比で供給して、p型SiCエピタキシャル層3を成長させる。 - 特許庁

The silicon single crystal is grown by selecting the growing rate to control the size and density of the grow-in defect caused by the void introduced into the inside of the crystal to be a desired value based on the simulation result.例文帳に追加

そして、そのシミュレーション結果に基づいて、結晶内部に導入される空孔起因のグローンイン欠陥のサイズと密度とが所望の値となるように成長速度を選択し、シリコン単結晶を育成する。 - 特許庁

Besides, the mass increment of a single crystal grown at the underside of a lid 5 is monitored by a load cell 7b and the mass increment of the single crystal is converted to the growing rate in the direction of its thickness.例文帳に追加

また、蓋5の下面に成長した単結晶の質量増加量をロードセル7bによりモニタし、単結晶の質量増加量をその厚さ方向の成長速度に換算する。 - 特許庁

Also it is possible to improve controllability of crystal morphology or growing rate of crystals by adding a group IIa element (an alkaline earth metal element) to the melt as an additive of small amount.例文帳に追加

また、融液に少量添加物としてIIa族元素(アルカリ土類金属元素)を添加することにより結晶形態の制御性や結晶成長速度を改善することが可能である。 - 特許庁

To provide an apparatus of growing a biopolymer crystal which is capable of enhancing crystallization rate and work efficiently and enables crystal structure of the grown crystal to be analyzed simply and quickly.例文帳に追加

生体高分子の結晶化の成功率を高め作業効率を向上させることができ、成長した結晶を簡便かつ迅速に結晶構造解析に供することを可能にする結晶成長用装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a highly flat epitaxial wafer, by which the epitaxial wafer high in flatness can be obtained and the rate of inferior products can be reduced without adding a new process and causing lowering of flatness after epitaxially growing.例文帳に追加

新たな工程を増やしたり、エピタキシャル成長後の平坦度の劣化を招来することなく、高平坦度を確保でき、製品不良を大きく減少させることが可能な高平坦度エピタキシャルウェーハの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a crystal which can prevent the decline in growth rate and the deviation in solid phase composition when growing a C-doped compound semiconductor using the metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いてCドープ化合物半導体を成長する際に、成長速度の低下や固相組成のずれを抑制することができる結晶の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single crystal, which can grow the SiC single crystal of excellent quality with a low density of lattice defects at a high growing rate stably for a long period of time.例文帳に追加

低い格子欠陥密度で良質なSiC単結晶を、高い成長速度で、かつ長時間安定して成長させることのできるSiC単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cutting tree selecting apparatus of a tree under a transmission line, which can reduce cost required for cutting work, by calculating a growing rate at every tree and putting the trees whose separation distance becomes near after several years to a cutting plan without omission.例文帳に追加

樹木1本毎に伸び率を算出して数年後に離隔距離が近くなる樹木を伐採計画に漏れなく入れることによって伐採作業に要する費用を低減できる送電線下樹木の伐採樹木選定装置を得る。 - 特許庁

To provide a method for producing polycrystalline silicon which increases the thickness of a silicon rod with preventing meltdown of the silicon rod and maintaining a high growing rate and a high yield under the conditions of a high pressure state and supplying a large amount of the raw material.例文帳に追加

高圧かつ原料大量供給の条件で、シリコンロッドの溶断を防ぎつつ高い成長速度と収率でシリコンロッドを太く成長させる。 - 特許庁

To provide a method for cultivating sweet potato, capable of growing seeding thereof from its single-leafed single node, also improving propagation rate and reducing the generation of round sweet potato as less as possible.例文帳に追加

本発明は、さつまいもを単葉単節から育苗でき、しかも増殖率を高め、丸イモの発生を極力少なくする方法の開発を課題とする。 - 特許庁

To provide a crucible for growth of a crystal and a method for growing a crystal to improve crystal quality, improve a yield, and improve a crystal growth rate.例文帳に追加

結晶品質の向上、歩留り向上および結晶成長速度の改善を図ることができる結晶成長用ルツボおよび結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for growing a ferroelectric thin film of high quality consisting of crystal grains with small and uniform sizes, with a MOCVD technique in a short period of time (with a high growth rate).例文帳に追加

結晶粒のサイズが小さくて均一な良質の強誘電体薄膜を、MOCVD法を用いて短時間(高い成長速度)で成長することを可能にする。 - 特許庁

To provide a koji mold which vigorously proliferates even when water content charged to raw materials is lower than a conventional water content and having rapid growing rate in a method for producing koji for brewing and to provide the method for producing the koji for brewing by using the koji mold.例文帳に追加

醸造用麹の製造法において原料の盛込み水分が通常よりも低水分でも旺盛に繁殖し、生育速度が早い麹菌、及び該麹菌を用いる醸造用麹の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a remote plasma CVD machine which can feed a raw material gas for growing a CNT (Carbon Nano-Tube) in vapor phase to a substrate at a fixed flow rate, and is excellent in maintainability.例文帳に追加

CNTを気相成長させる原料ガスを一定の流れで基板に供給できるメンテナンス性のよいリモートプラズマCVD装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for rearing animals and plants by which illumination is distributed to preservation and growth of animals and plants and appearance of animals and plants are made more vivid than that obtained by a conventional panel light and growing rate is remarkably improved.例文帳に追加

動植物の維持や成長に照明の面から寄与し、従来の照明灯よりも動植物の外観が鮮やかで、成長速度も格段に向上する動植物の育成方法を提案する。 - 特許庁

In growing a silicon single crystal 15, in order to control the V/G value with high accuracy so as to yield a desired defect-free region, it is important to conduct the pulling at a constant pulling rate.例文帳に追加

シリコン単結晶15の育成にあたって、所望の無欠陥領域が得られるようにV/Gを高精度に制御するためには、一定の引上速度で引上げを行うことが重要である。 - 特許庁

The flow rate of a gas for burning or a gas for a glass raw material which is supplied to the burner 7 is controlled based on the measured value of the growing speed or the surface temperature of a glass particle deposited body 19 deposited on the glass rod 11.例文帳に追加

ガラス棒11に堆積したガラス微粒子堆積体19の成長速度又は表面温度の計測値に基づいて、バーナ7へ供給する燃焼用ガス又はガラス原料用ガスのガス流量を制御する。 - 特許庁

To provide a device for cooling water and a method for treating cooling water capable of surely preventing scales from growing even at a place of a low flow rate in a cooling water line.例文帳に追加

冷却水ライン中の流速が遅い箇所でもスケール成長が確実に防止される冷却水処理装置と冷却水処理方法を提供する。 - 特許庁

This three-dimensional net structure for plant-growing ground has ≥5 mm thickness, ≥0.3 mm fiber diameter, ≥85% void rate, and has ≥60% earth and sand-retention.例文帳に追加

厚さ5mm以上、繊維径0.3mm以上、空隙率85%以上の立体網状構造体であり、かつ土砂保持性が60%以上であることを特徴とする植物育成地用立体網状構造体。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which device characteristics can be improved by unifying a cooling rate of a semiconductor element melted by laser irradiation, and unifying/increasing grain sizes of growing crystals, and to provide a method for producing the element.例文帳に追加

レーザ照射により溶融した半導体素子の冷却速度を均一にし、成長する結晶を均一かつ大きくすることで、デバイス特性を向上できる半導体素子およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a growing material for marine seed plants capable of sowing the seeds in a wide range without flowing them away and elevating the germinating rate, and the method for producing such material.例文帳に追加

種子が流出せずに広範囲に播種でき、発芽率を上昇させることのできる海産種子植物育成材料及び海産種子植物育成材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a simulation method and a simulation program more accurately calculating a form near an interface when taking a large time-step or reducing the number of surface growing rate calculating steps.例文帳に追加

大きなタイムステップをとった場合、あるいは表面成長速度を計算するステップを減らした場合、において、界面付近の形状をより正確に算出できるシミュレーション方法およびシミュレーションプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a process for producing an InP single crystal of a high yield by suppressing the generation defects, such as polycrystals and twins, when growing the InP single crystal, thereby enhancing a single crystallization rate.例文帳に追加

InP単結晶を成長させる際に、多結晶や双晶などの欠陥が発生するのを抑制し、単結晶化率を高め、歩留まりが高いInP単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which device characteristics can be improved by unifying a cooling rate of a semiconductor element molten by single laser irradiation and unifying/increasing grain sizes of growing crystals, and to provide a method for producing the element.例文帳に追加

単一のレーザ照射により溶融した半導体素子の冷却速度を均一にし、成長する結晶を均一かつ大きくすることで、デバイス特性を向上できる半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

After about 1 hr and the temperature of the electric furnace 6 reaches growing temperature of 1,200°C, the growth of a specimen is performed for 2 hr under a stabilized condition of the flow rate of gaseous argon, the pressure in the quartz tube chamber 5 and the temperature of the electric furnace 6.例文帳に追加

そして、約1時間後、電気炉6が1200℃の成長温度になって、そのときArガスの流量、石英管室5の圧力と電気炉6の温度が安定した条件下で2時間の試料成長を行わせた。 - 特許庁

A first growth layer 21 is grown on a base 10 for growing so that the growth rate in the perpendicular direction to the growth face is >10 μm/h.例文帳に追加

成長用基体10上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/hより大きくなるように第1の成長層21を成長させる。 - 特許庁

To provide a thin film growing method by which a thin film having sufficient adhesion with a substrate can more swiftly be produced at an increased film deposition rate and to provide a system therefor.例文帳に追加

基板との間に十分な密着力を持った薄膜を、成膜速度を上げて、より迅速に作製できるようにした薄膜成長方法及び装置を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing silicon epitaxial wafer includes a step of gradually growing a silicon epitaxial layer on a single-crystal silicon substrate, by gradually increasing the heating power to the silicon substrate and also gradually increasing the feed rate of a gaseous starting material.例文帳に追加

シリコン単結晶基板に対する加熱力を漸増させるとともに、原料ガスの供給量を漸増させながらシリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層を成長する漸増成長工程を有する。 - 特許庁

One factor in this expansion of service consumption in China is an overseas travel boom in China thatis rapidly growing in scale, expanding at a year-on-year rate of 10 percent from 2000 onward (Fig.3.4.15).例文帳に追加

このような中国におけるサービス消費拡大の1つの要因として、中国においては海外観光がブームとなっており、その規模も急速に拡大している(2000年以降、対前年比10%以上の伸びで拡大)ことが挙げられる(第3-4-15図)。 - 経済産業省

Above all, China, with a faster growth rate, is rapidly growing about 4.8 times larger than before, and it is expected that China will take up more than 50% of the scale of entire lot of the emerging Asian countries, and more than 25% of that of the entire grouping of the emerging nations.例文帳に追加

中でも中国は約4.8 倍と急拡大し、アジア新興国全体の50%以上、新興国全体でも25%以上を占めると予想される。 - 経済産業省

例文

One of the reasons given for the drop in the structural unemployment rate in countries taking the Anglo-Saxon approach was the growing flexibility of their labor markets.例文帳に追加

アングロ・サクソン型の政策を採る国で構造的失業率が低下した理由の1つに、これらの国で労働市場の柔軟性が高まったことがあると言われている。 - 経済産業省

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