「k process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing process for a (Li, Na, K)(Nb, Ta)O_3 type piezoelectric material comprises firing a formed article from powder particles constituted of a composition of (Li, Na, K) (Nb, Ta)O_3 at a specific temperature in the range of 850-1,000°C for a specific period of time.例文帳に追加

（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ_３の組成からなる粉末粒子の成形体を焼成することにより、（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ_３系圧電材料を製造する方法であって、８５０〜１０００℃の範囲内の一定温度で一定時間キープする。 - 特許庁

The protective coating film component has rubbery elasticity by holding a process oil in a nonpolar TPE mesh structure and comprises a gel-like composition expressing 1-60 Asker C hardness (SIRS 0101) and ≥400% tensile elongation (JIS K 6301).例文帳に追加

上記保護塗膜成分は、非極性ＴＰＥの網目構造中にプロセスオイルが保持されゴム状弾性を有し、かつアスカーＣ硬度（SIRS 0101)１°〜６０°で引張伸び（JIS K 6301）４００％以上を示すゲル状組成物からなる。 - 特許庁

In the semiconductor manufacturing method to form a high-k film 21 and a gate electrode 24 on a silicon substrate 11; the annealing process 23 is executed in the fluorine atmosphere after formation of the high-k film, and the subsequent process temperature is set to 600°C or lower.例文帳に追加

シリコン基板１１上にｈｉｇｈ−ｋ膜２１とゲート電極２４を形成する半導体装置の製造方法において、ｈｉｇｈ−ｋ膜形成後にフッ素雰囲気でアニール処理２３を施し、その後のプロセス温度を６００℃以下で行う、半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This correction coefficient α is calculated, based on an arrival scheduled time T(k) to a progress k of the manufacturing process of each lot, existing in a production line at a certain T and the operation information of a facility x configuring the manufacturing process and a facility halt completion time Tc(x).例文帳に追加

この補正係数αは、ある時刻Ｔにおける生産ラインに存在する各ロットの製造工程の工程ｋへの到着予定時刻Ｔ（ｋ）と、製造工程を構成する設備ｘの稼動情報と、設備停止完了時刻Ｔｃ（ｘ）とに基づいて算出される。 - 特許庁

A high-k dielectric layer can be patterned to allow the formation of a non-memory transistor together with a process of forming the flash memory cell.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層は、フラッシュメモリセルを形成するプロセスとともに、非メモリトランジスタの形成を可能にするようにパターニングされ得る。 - 特許庁

A peripheral edge part of the decorative material K is shaped to have a returning-back part R folded to a reverse face side by a prescribed amount in the shaping process.例文帳に追加

賦形工程時には加飾材（Ｋ）の周縁部が所定量だけ裏面側へ折り返された折返部（Ｒ）を有するように賦形する。 - 特許庁

The ECU 40 executes a process for determining whether the value K calculated in the step S102 is smaller than a predetermined threshold value α (step S104).例文帳に追加

ＥＣＵ４０が、ステップＳ１０２で算出した値Ｋが所定の閾値αより小さいか否かを判定する処理を実行する（ステップＳ１０４）。 - 特許庁

Because the adhesion transition layer exists between the upper low-k dielectric layer and the diffusion barrier cap dielectric layer, the possibility that the layers in the interconnection structure are separated in a packaging process is reduced.例文帳に追加

上部低誘電率（low-k)誘電体層と拡散障壁キャップ誘電体層との間に接着遷移層が存在するから、パッケージング工程の間に相互接続構造体が離層する機会を低減させることが可能になる。 - 特許庁

The receiver decodes the information decoded by the router by the acquired decoding key K in one time decoding process to acquire a plaintext (m).例文帳に追加

受信部は、それぞれのルータで暗号化された情報を、取得した復号鍵Ｋにより１回の復号処理で復号し、平文ｍを取得する。 - 特許庁

The fabrication process for the charge trapping high-k gate dielectric of the present invention is also applicable to a bulk device, a TFT device or an SOI device.例文帳に追加

本発明の電荷トラッピングｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体にかかる製造プロセスは、バルク装置、ＴＦＴ装置またはＳＯＩ装置にも適用され得る。 - 特許庁

The process in which the treatment of selectively removing at least Na, Ca and K from sea water is performed is realized by an electrolytic treatment and an evaporative concentration method.例文帳に追加

海水から少なくともＮａ、Ｃａ、Ｋを選択的に取り除く処理を施す工程は、電気分解処理法や蒸発濃縮法により実現される。 - 特許庁

S. It is preferable that a potassium salt solvent is applied to a strand before annealing in a wire manufacturing process and then the strand is annealed, so as to adjust volumes of K and O.例文帳に追加

Ｋ、Ｏ量の調整は、ワイヤ製造工程の焼鈍前に素線にカリウム塩溶液を塗布して焼鈍することにより行うのが好ましい。 - 特許庁

The cutting chips K which are generated during a cutting process and adhering to the cutting blade 21 are peeled off by the doctor device 30 provided at the cutting blade 21.例文帳に追加

この断裁工程の際に発生して断裁刃２１に付着する断裁カスＫを、当該断裁刃２１に設置されたドクター装置３０が剥離させる。 - 特許庁

To provide a (Li, Na, K)(Nb, Ta)O_3-based piezoelectric/electrostrictive porcelain composition, having a large electric field induced strain upon the application of a high electric field even while facilitating a poling process.例文帳に追加

分極処理が容易でありながら、高電界印加時の電界誘起歪が大きい(Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ_3系の圧電／電歪磁器組成物を実現する。 - 特許庁

The semiconductor process uses a plating bath of morpholine borane which provides higher thermal stability and range, allowing for greater compatibility with low k dielectric material.例文帳に追加

ｌｏｗ ｋ絶縁物質とのより優れた適合を可能にする、高い熱的安定度及び範囲を備えたモルホリンボランめっき浴を使用する。 - 特許庁

Letters XYZ to be formed in a watermark pattern are formed in process black by using toner YMC, and a solid image is formed on the letters so as to cover with toner K.例文帳に追加

「スカシ」模様とする文字「ＸＹＺ」をＹＭＣのトナーを用いてプロセスブラックで形成し、その上にＫのトナーで覆うようにベタの画像を形成する。 - 特許庁

This plant operation monitoring device is provided with a data registering part 1 for converting a process value inputted every moment from a plant into time series process data, a storage part 2 for successively storing the process data, and a monitoring part 3 for detecting the change inclination of the process value by statistically processing those process data in a prescribed checking block K stored in the storage part 2.例文帳に追加

プラントから時々刻々と入力されるプロセス値を時系列的なプロセスデータに変換するデータ登録部１と、前記プロセスデータを順次記憶する記憶部２と、該記憶部２に記憶された所定の検査区間Ｋ内の複数のプロセスデータを統計処理することによりプロセス値の変化傾向を検出する監視部３とを具備する。 - 特許庁

This molding method for the decorative molding is constituted of a shaping process for shaping a decorative raw material KS, and an injection filling process for filling the core material into a cavity constituted between a reverse face of the inserted decorative material K and a surface of a molding die 22.例文帳に追加

加飾素材（ＫＳ）を賦形する賦形工程と、インサートした加飾材（Ｋ）の裏面と金型（２２）の表面との間に構成されるキャビティにコア材を充填する射出充填工程とから構成する。 - 特許庁

Preferably, prior to the hot-dip galvanization process, a compound containing an element X which is at least one of S, Cl, Na, K, Ni, C, N, B, Se and Br is deposited on the sheet surface satisfying [X]≥(1/600)×[M], and the sheet is subjected to recrystallization annealing.例文帳に追加

好ましくは、溶融亜鉛めっき処理を施すに先立ち、まず、元素XとしてS、Cl、Na、K、Ni、C、N、B、Se、Brの少なくとも１種以上を含有する化合物を、下記（１）式を満足するように鋼板表面に付着させ、次いで、再結晶焼鈍する。 - 特許庁

Stacked containers K are placed on a support rail 3, and transferred downstream by a pushing member 4a, and a band film F to one end of which an adhesive is applied is fed to the highest level of the stacked containers K in the transferring process.例文帳に追加

段積み容器Ｋを支持レール３上に載置した状態で押部材４ａによって下流方向へ移送し、その移送過程において、段積み容器Ｋの最上面位置に、一端に接着材が塗布された帯フィルムＦを供給する。 - 特許庁

The film forming device 1 is constituted to have a vacuum treatment chamber 2, an unloading chamber 3 (first substrate cooling device) which returns a substrate K sent from the vacuum treatment chamber 2 to an atmospheric environment while cooling the substrate K, and a clean booth 4 (second substrate cooling device) in which the transporting work of the substrate K from the unloading chamber 3 to a poststage process is performed.例文帳に追加

製膜装置１を、真空処理室２と、真空処理室２から送り込まれた基板Ｋを冷却しつつ大気圧環境に戻すアンロード室３（第一基板冷却装置）と、アンロード室３から後段の工程への基板Ｋの搬送作業が行われるクリーンブース４（第二基板冷却装置）とを有する構成とする。 - 特許庁

The method for forming an integrated circuit configuration on a semiconductor substrate includes deposition of the high-k gate insulating material on the substrate by using an atomic layer deposition process.例文帳に追加

原子層堆積プロセスを用いて基板上に高ｋゲート絶縁材料を堆積することを包含する、半導体基板上に集積回路構造を形成するための方法。 - 特許庁

In a process vessel 2 of a plasma etching processing device 1, a probe 40 is installed for detecting a time variation of a magnetic field around a central axis of a processing space K.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１の処理容器２内に、処理空間Ｋの中心軸周りの磁界の時間変化量を検出するプローブ４０が取り付けられる。 - 特許庁

Out of a (A+B) signal and a (C+D) signal for detecting a radial push-pull signal, the multiplying process is carried out for the (A+B) signal by a specific coefficient k.例文帳に追加

ラジアルプッシュプル信号を検出するための（Ａ＋Ｂ）信号及び（Ｃ＋Ｄ）信号のうち、（Ａ＋Ｂ）信号に対して所定の係数ｋを乗算処理する。 - 特許庁

Either or both of an absolute value image and a phase image are output from the k-space data to perform a projection process of a minimum value projection or the like as necessary.例文帳に追加

このようなｋ空間データから、絶対値画像および位相画像のどちらかまたは両方を出力し、必要に応じて最小値投影等の投影処理を行う。 - 特許庁

Thus, in an embedded wiring formation process S8, the side-wall deposit 118a prevents, together with a protective film 112, erosion of the low-k film 104.例文帳に追加

したがって，埋込配線形成工程Ｓ８において，側壁堆積物１１８ａは，保護膜１１２とともにＬｏｗＫ膜１０４の腐食を防ぐことができる。 - 特許庁

Since the reformed region K is formed along a (111) surface which is a cleavage surface, a wafer 20 can be cut by a relatively small force in a following cutting process.例文帳に追加

改質領域Ｋはへき開面である（１１１）面に沿って形成されるため、続く割断工程において、ウェハ２０を比較的小さな力で割断することができる。 - 特許庁

This method for producing mineral fertilizer using sea water as raw material has a process in which the treatment of selectively removing at least Na, Ca and K from sea water is performed.例文帳に追加

海水を原料としたミネラル肥料の製造方法であって、海水から少なくともＮａ、Ｃａ、Ｋを選択的に取り除く処理を施す工程を有する。 - 特許庁

To completely suppress peeling of interlayer film resulting from weakness in strength of close contact of a low-k film and damage generated during the dicing process.例文帳に追加

本発明は、ｌｏｗ−ｋ膜の密着強度の弱さやダイシング時のダメージに起因する、層間膜剥がれを抑制できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

The charge trapping characteristic of the high-k dielectric can be further improved by exposing the high-k dielectric layer (22) to a treatment process such as plasma exposure using excited state oxygen (e.g. oxygen plasma) atmosphere.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ誘電体の電荷トラッピング特性は、ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層（２２）を、励起状態の酸素（たとえば、酸素プラズマ）環境を用いて、プラズマ照射のような処置プロセスにｈｉｇｈ−ｋ誘電体層（２２）を曝すことによりさらに向上し得る。 - 特許庁

To establish a manufacturing method of a semiconductor device using a residue removing liquid by providing the residue removing liquid after the dry process capable of suppression of slight crack-like corrosion which can not have been resolved by a conventional polymer peeling liquid without giving damage to a Cu and low-k film.例文帳に追加

本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。 - 特許庁

The correction method contains a correction buffing process Y3 wherein the weight unbalance of the tire T1 to which a reference buffing treatment has been executed is measured and the relief mark MA or MB which is on its important-point position K or closest to the important-point position K is buffed at a polishing amount of 0 to 5.0 mm.例文帳に追加

基準バフ処理されたタイヤＴ１の重量アンバランスを測定し、その重点位置Ｋ上又は重点位置Ｋに最も近い浮出しマークＭＡ又はＭＢを、０〜５．０ｍｍの研磨量Ｄでバフ掛けする修正バフ工程Ｙ３を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method along with an apparatus thereof which generates a uniform plasma under a pressure near the atmospheric pressure successively for manufacturing a high-k film in a semiconductor element manufacturing process, treats a base with the plasma and forms a good high-k film on the base.例文帳に追加

半導体素子の製造工程におけるｈｉｇｈ−ｋ膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なプラズマを継続して発生させ、基材を該プラズマで処理して、基材上に良質のｈｉｇｈ−ｋ膜を製造する方法及びその装置の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method along with an apparatus thereof which generates a uniform plasma under a pressure near the atmospheric pressure successively for manufacturing a low-k film in a semiconductor element manufacturing process, treats a base with the plasma and forms a good low-k film on the base.例文帳に追加

半導体素子の製造工程におけるｌｏｗ−ｋ膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なプラズマを継続して発生させ、基材を該プラズマで処理して、基材上に良質のｌｏｗ−ｋ膜を製造する方法及びその装置の提供。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device having a high-k film 21 and a gate electrode 24 formed on a silicon substrate 11, annealing treatment 23 is applied to the substrate after formation of the high-k film in a fluorine atmosphere, and thereafter, the process temperature is set to be lower than 600°C.例文帳に追加

シリコン基板１１上にｈｉｇｈ−ｋ膜２１とゲート電極２４を形成する半導体装置の製造方法において、ｈｉｇｈ−ｋ膜形成後にフッ素雰囲気でアニール処理２３を施し、その後のプロセス温度を６００℃以下で行う、半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which dispenses with a patterning process of a lanthanum oxide film, relating to the semiconductor device in which a high-K gate insulating film is constituted by laminating a high-K dielectric film and a lanthanum oxide film, in an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタにおいてｈｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜をｈｉｇｈ−Ｋ誘電体膜と酸化ランタン膜の積層により構成した半導体装置において、酸化ランタン膜のパターニングプロセスを不要とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The Pachinko game machine determines whether each of two special winning random numbers K wins or not, and carries out the pattern generation process β in which two pairs of special symbols A, B, C are aligned vertically in a symbol display region 6a based on the determined special winning random number K and are displayed definitely.例文帳に追加

さらに、二個の当り特別乱数値Ｋについて、それぞれ当りか否かを判定し、判定した当り特別乱数値Ｋに基づいて二組の特別図柄Ａ，Ｂ，Ｃを図柄表示領域６ａ上で上下に並べて確定表示する図柄生成行程βを実行する構成とした。 - 特許庁

As a method of calculating the predicted value, a method of calculating the predicted value of the measurement subsequent or prior to the continuous measurements by obtaining a (k)-order autoregressive model from (k) continuous measurements using an autoregressive factor calculated by Levinson-Durbin prediction process method is used.例文帳に追加

予測値を求める方法としては、Ｌｅｖｉｎｓｏｎ−Ｄｕｒｂｉｎ予測処理法により算出した自己回帰係数を用いて、ｋ個の連続した測定値からｋ次の自己回帰モデルを求め、連続した測定値の次の測定値や直前の測定値の予測値を予測する方法を用いた。 - 特許庁

Moreover, "the magnetization process" is set to arrange the magnetizing core 11 within yoke 2 and apply m magnetic fields, corresponding to each magnetic pole parts 3a and 3b, across an angular range (gap S3) larger than the angular range of the gap S1 in the circumferential direction of the fellow ferromagnets K to one ferromagnet K.例文帳に追加

又、「着磁工程」は、着磁コア１１をヨーク２内に配置して行い、１つの強磁性体Ｋに対して強磁性体Ｋ同士の周方向の隙間Ｓ１の角度範囲より大きい角度範囲（隙間Ｓ３）を挟んで各磁極部３ａ，３ｂに対応したｍ個の磁界をかけるように設定する。 - 特許庁

When M observation signals x_i(k) are sequentially inputted to a noise eliminating part 12 through M channels 11a of an inputting part 11 time sequentially, N stage singular value decomposition units 12a cascaded with one another sequentially process the observation signals x_i(k).例文帳に追加

Ｍ個の観測信号ｘ_ｉ（ｋ）が入力部１１のＭ個のチャンネル１１ａを介して雑音除去部１２に時系列的に順次入力されると、互いにカスケード接続されたＮ段の特異値分解ユニット１２ａにより当該観察信号ｘ_ｉ（ｋ）に対して順次処理が行われる。 - 特許庁

The pachinko game machine is provided with a judgment auxiliary area 14, extracts a winning special random number K whenever a game ball passes through this judgment auxiliary area 14 three times, and carries out a pattern generation process once on the basis of the winning special random number K.例文帳に追加

本発明にかかるパチンコ遊技機は、判定補助領域１４を備え、この判定補助領域１４へ遊技球が、三回通過する毎に、当り特別乱数Ｋを抽出し、かかる当り特別乱数Ｋに基づき図柄生成行程を一回実行する構成とした。 - 特許庁

Then, an MR resistance estimated value during the process of grinding is calculated form the S value and the K value, and when the MR resistance estimated value reaches a target resistance value (S7), the grinding work is stopped (S8).例文帳に追加

次に、Ｓ値およびＫ値から、研磨工程中のＭＲ抵抗推定値を求め、このＭＲ抵抗推定値が目標抵抗値に達した時点で（Ｓ７）、研磨加工を停止する（Ｓ８）。 - 特許庁

In the method for producing a copper alloy, a load of ≥20 kg/mm is applied by rolls according to a twin roll casting process, and a copper alloy is solidified at a cooling velocity of 100 to 1,000 K/sec.例文帳に追加

双ロール鋳造法にて２０ｋｇ／ｍｍ以上の荷重をロールにて付与させ、１００〜１０００Ｋ／ｓｅｃの冷却速度で凝固させる銅合金の製造方法。 - 特許庁

A PC carries out a process of compensating for the variability of the discharging amounts of ink droplets discharged from the n pieces of nozzles for K using the characteristic data, thereby forming binary data.例文帳に追加

ＰＣは、上記の特性データを用いて、ｎ個のＫ用ノズルから吐出されるインク滴の吐出量のバラツキを補償する処理を実行することによって、二値データを生成する。 - 特許庁

By adjusting the thickness of the low-k CMP protective layer 5, it is possible to respond to a large change in the CMP process without seriously affecting the effective permittivity of a structure 9.例文帳に追加

低ｋＣＭＰ保護層５の厚さを調節して当該構造９の有効誘電率に著しい影響を与えることなしにＣＭＰプロセス内の大きな変化に対応できる。 - 特許庁