「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(327ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a high-power magnetoresistive effect head with a higher yield for a CPP structured magnetoresistive head by reducing or eliminating deformation adjacent to a plane facing a medium on a layer comprising a reproducing element in processing a floating plane.例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、浮上面加工時における再生素子部を構成する層の媒体対向面近傍における変形を低減あるいは無くし、高い出力を有する磁気抵抗効果型ヘッドを高い歩留まりで提供する。 - 特許庁

Further, a flattened film 19 is formed on top parts of the wiring 18 and a TFT 31, and the electroluminescent display device is enabled to form an organic electroluminescent element 30 consisting of a pixel electrode 20, an organic compound layer 22, and a negative electrode 23 on the flattened film 19 in a wide area.例文帳に追加

さらに、配線１８、ＴＦＴ３１の上部に平坦化膜１９を形成し、その平坦化膜１９上に、画素電極２０、有機化合物層２２及び陰極２３からなる有機エレクトロルミネッセンス素子３０を、広い範囲に形成可能にした。 - 特許庁

Moreover, by using a translucent material for the substrate 6, light emitted from the light emitting layer 1 toward the substrate 6 passes through the substrate 6 and is reflected by the electrode 7, enabling to extract light from the top face of the light emitting element and thereby increase the emission efficiency.例文帳に追加

さらには、基板６の材質に透光性材料を用いることにより、発光層１から基板６方向に発光した光が基板６を通過し、電極７で反射するようになり、発光素子の上面から取り出すことができ、発光効率が向上する。 - 特許庁

The metal to be molten is arranged on the metallic member, and a melt stop material layer 30 which is selectively reacted with at least one element out of constituent elements of the molten metal to stop the melting reaction is provided at the position for stopping the melting flow of the molten metal.例文帳に追加

この溶融させる金属を金属部材上に配すると共に、溶融金属の溶け流れを止める位置に、溶融金属の構成元素の少なくとも１つの元素と選択的に反応して溶融反応を停止させる溶融停止材料層３０を設ける。 - 特許庁

The light that passes through the sensor panel 100 by light emission of the scintillator layer 11 is refracted, becomes a reflected light in the light-generating part 102 and pass through the polarizing plate 101; and the component that reaches the photoelectric conversion element array 12 of the sensor panel 100 becomes a trace amount.例文帳に追加

シンチレータ層１１の発光によってセンサーパネル１００を透過する光は、屈折し、光発生部１０２で反射光となって再び偏光板１０１を通過し、センサーパネル１００の光電変換素子アレイ１２に到達する成分は極微量となる。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element that does not require an addition of electron accepting molecules to the hole injecting layer and can drive at low voltage and at a high luminous efficiency, and can maintain stable light-emitting characteristics, and that is superior in heat resistance.例文帳に追加

正孔注入層への電子受容性分子の添加を必要とすることなく、低電圧、高発光効率で駆動させることができ、かつ長期間に亙って安定な発光特性を維持することができ、耐熱性にも優れた有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

This magnetic memory element utilizing a current induction switching comprises: a magnetic resistance structure containing a lower electrode and a free layer disposed on the lower electrode in which the distance between two sides opposed to each other is changed; and an upper electrode disposed on the magnetic resistance structure.例文帳に追加

下部電極と、下部電極上に形成され、対向する２辺の間隔が変化する自由層を備える磁気抵抗構造体と、磁気抵抗構造体上に形成された上部電極と、を備える電流誘導スイッチングを利用した磁気メモリ素子。 - 特許庁

An operation of floating charged particles and an operation of dispersing charged particles in a liquid crystal layer are controlled by determining strengths of electric fields to be applied to a liquid crystal element in accordance with a state of irradiation of light from a light source of a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置の光源の照射状態に応じて、液晶素子に対して、印加する電界の強度を決定することにより、荷電性粒子を液晶層内で浮遊させたり拡散させたりする動作を制御することができるようになる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a laminate structure including n-type semiconductor layers 102 and 103, p-type semiconductor layers 110 and 111, and an active layer 105 interposed between those n-type semiconductor layers 102 and 103 and p-type semiconductor layers 110 and 111.例文帳に追加

半導体発光素子は、ｎ型半導体層１０２，１０３と、ｐ型半導体層１１０，１１１と、これらｎ型半導体層１０２，１０３とｐ型半導体層１１０，１１１との間に介在する活性層１０５とを含む積層構造を有する。 - 特許庁

Further, an overlapped portion between a gate electrode and an element area in a specific group is extracted from the mask layout data, the overlapped portion is expanded to determine a mask shape for injecting the impurity into the channel layer, and the determined data are added to the mask layout data.例文帳に追加

また、マスクレイアウトデータから特定のグループのゲート電極と素子領域との重なり部分を抽出し、その重なり部分を拡張してチャネル層に不純物を注入するときのマスクの形状を決定し、そのデータをマスクレイアウトデータに追加する。 - 特許庁

This superjunction semiconductor element is provided with an n high-resistance region 20, around a drift layer 12 consisting of parallel pn layers composed of n drift regions 12a and p partition regions 12b, and concentration ND of the impurities in the high-resistance region 20 is set at 5.62×1017×VDSS-1.36 (cm-3) or lower.例文帳に追加

ｎドリフト領域１２ａとｐ仕切り領域１２ｂとの並列ｐｎ層からなるドリフト層１２の周囲に、ｎ^-高抵抗領域２０を設け、そのｎ^-高抵抗領域２０の不純物濃度Ｎ_Dを５．６２×１０^17×Ｖ_DSS^-1.36（ｃｍ^-3）以下とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element not only capable of suppressing production of particles producible from a process for forming a transfer layer in a donor substrate and for laminating the donor substrate on a substrate and generation of other pollution, and but also capable of improving transfer efficiency.例文帳に追加

ドナー基板内に転写層を形成して前記ドナー基板を基板上にラミネーションする工程から発生できる粒子及びその他の汚染発生を抑制するだけでなく、転写効率を向上させる有機電界発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor capable of blocking irradiation of external light to an oxide semiconductor layer, and preventing degradation of a semiconductor characteristic of the same, to provide a method of manufacturing the same, and to provide a display substrate improved in display quality by using the same as a switching element.例文帳に追加

酸化物半導体層に対する外部光の照射を遮断し、その半導体特性の劣化を防止できる薄膜トランジスタ、その製造方法、およびそれをスイッチング素子として利用し、表示品質を向上した表示基板を提供する。 - 特許庁

The gas detection element (30) is equipped with the flat plate-like base material (31) constituting the light waveguide (12), the color development layer (32) laminated on the light-reflecting surface of the light waveguide (12) to develop a color by reaction with the predetermined chemical substance and holding members (21 and 22) for holding the base material (31).例文帳に追加

ガス検出素子（30）は、光導波路（12）を構成する平板状の基材（31）と、光導波路（12）の光反射面に積層されて所定の化学物質との反応により発色する発色層（32）と、基材（31）を保持する保持部材（21,22）を備えている。 - 特許庁

The optical compensation structure may be a passive optical compensation structure, and may include one or more of a supplemental frontlighting source, a diffuser, a black mask, a diffractive optical element, a color filter, an anti-reflective layer, a structure that scatters light, a microlens array, and a holographic film.例文帳に追加

該光学補正構造物は、受動的光学補正構造物であり、補足的フロント照明源、ディフューザ、ブラックマスク、回折光学素子、カラーフィルタ、反射防止層、光を散乱させる構造物、マイクロレンズアレイ、及びホログラフィー膜のうちの１つ以上を含むことができる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal aligning agent allowing formation of a liquid crystal alignment layer that has superior display quality and causes no image persistence, even when a liquid crystal display element is continuously driven for a long period of time, and having excellent printability, even when printing is performed with a small amount of the liquid.例文帳に追加

表示品位に優れ、長時間連続駆動した場合であっても焼き付きを来たさない液晶配向膜を形成することができ、且つ少量の液量で印刷を行った場合でも印刷性に優れる液晶配向剤を提供すること。 - 特許庁

To provide a group III nitride-based semiconductor element configured such that contact resistance between an electrode provided on a semiconductor layer and a group III nitride-based semiconductor region can be suppressed to be small when a surface of the group III nitride-based semiconductor region is inclined from a (c) plane.例文帳に追加

III族窒化物系半導体領域の表面がｃ面から傾斜している場合に、該半導体層上に設けられる電極と該半導体領域との接触抵抗を小さく抑えることが可能なIII族窒化物系半導体素子を提供する。 - 特許庁

A sanitary napkin 1 comprises rear flap portions W_B, W_B that are formed on both rear sides of a body section where an absorbent element 6 is provided between a surface sheet 3 and a rear surface sheet 2, and the slippage prevention self-adhesive layer that is formed on an underwear-abutting surface side.例文帳に追加

表面シート３と裏面シート２との間に吸収要素６が介在される本体部分の後側両側部にそれぞれ後部フラップＷ_Ｂ、Ｗ_Ｂが形成され、かつ下着当接面側にズレ止め粘着剤層が形成される生理用ナプキン１である。 - 特許庁

A high quality liquid crystal display element having no alignment abnormality is enabled with the overcoatless color filter by color filter constitution, making 20-55 degrees for the angle making the resin matrix and a transparent substrate and making 10-25 degrees for the angle making the resin black matrix and a colored layer.例文帳に追加

樹脂ブラックマトリクスと透明基板のなす角度を、２０〜５５°とすること、また樹脂ブラックマトリクスと着色層のなす角度を１０〜２５°としたカラーフィルタ構成により、オーバーコートレスのカラーフィルタで配向異常のない高品質な液晶表示素子を可能とした。 - 特許庁

Since space in which an capacitor element is mounted is unnecessary, the wiring board is easily downsized, and a plurality of capacitors, which have capacitances corresponding to a plurality of electrodes of electronic components, are also easily arranged in the insulating substrate 1 by adjusting the thickness of the dielectric layer 7 and the like.例文帳に追加

コンデンサ素子を搭載するスペースが不要であるため小型化が容易であり、誘電体層７の厚さの調整等により、電子部品の複数の電極に対応した静電容量を有する複数のコンデンサを絶縁基板１に配置することも容易である。 - 特許庁

A diaphragm 15a forming one wall surface of a pressure chamber 11 and interposed between the pressure chamber 11 and a piezoelectric element 20 disposed corresponding to the pressure chamber 11 is formed of an insulator, and a conductive layer 16 is provided on the pressure chamber inner wall surface side of the diaphragm 15a.例文帳に追加

圧力室11の一壁面を構成する、圧力室11と該圧力室に対応して配置される圧電素子20との間に介在する振動板15ａを絶縁体からなるものとし、その振動板15ａの圧力室11の内壁面側に導電層16を備える。 - 特許庁

To provide a lighting device equipped with a series connection type organic EL element capable of abbreviating a process of wiping predetermined ink in forming a light emitting layer by a coating method, having a structure with a large light emitting area, and, further having a high light extraction efficiency.例文帳に追加

発光層を塗布法によって形成する際に所定のインキを拭き取る工程が省略可能で、発光面積の大きい構成であって、さらに光の取り出し効率の高い直列接続型の有機ＥＬ素子を備える照明装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a high-reliability, high-luminance LED element by obtaining a GaN-based thin film with good crystallinity by using an AlN crystal film seed layer which has high-level crystallinity and is uniform over the entire surface even when using a large-sized substrate of, especially, ≥100 mm in diameter.例文帳に追加

高度の結晶性を有し、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ素子等を得る。 - 特許庁

The electronic element has the conductor film 2 disposed on a substrate 1, electrodes 3 and 4 for supplying a current to the conductor film 2, and an orientation layer 5 disposed between the conductor film 2 and substrate 1 to orient molecules contained in the conductor film 2 in a prescribed direction.例文帳に追加

電子素子は、基板１上に配された導体膜２と、導体膜２に電流を流すための電極３，４と、導体膜２と基板１との間に配され、導体膜２に含まれる分子を所定の方向に配向する配向層５とを備えている。 - 特許庁

This filler layer for a solar cell module is laminated on the front surface side and the rear surface side of a solar cell element and constituted by a resin film made of a thermally reversible cross-linked olefinic polymer composition.例文帳に追加

太陽電池素子の表面側と裏面側に積層する充填剤層として、熱可逆架橋性オレフィン系重合体組成物による樹脂膜から充填剤層を構成することを特徴とする太陽電池モジュ−ル用充填剤層に関するものである。 - 特許庁

Moreover, the element has a first electrode (64) formed of silicide, electrically connected to the first conductivity-type semiconductor substrate or the semiconductor layer, covered by an upper film (59), constituting the antireflection film (57), and formed along the surface of the isolation region (55).例文帳に追加

さらに、第１導電型の半導体基板または半導体層に電気的に接続され、反射防止膜（５７）を構成する上層膜（５９）で被覆されて分離領域（５５）の表面に沿って形成されたシリサイドによる第１電極（６４）を有する。 - 特許庁

Furthermore, in forming the sealing resin layer 40Z by crimping by the die 70, the position relation of the micro lens and the organic EL emitting element 20 is precisely determined and no air gap is included in the micro sheet, thus closed sealing is secured.例文帳に追加

しかも、金型７０を圧着して封止樹脂層４０Ｚを成形した時点において、マイクロレンズと有機ＥＬ発光素子２０との間の位置関係が正確に決定されると共に、マイクロレンズシート中に空隙が含まれないため、密閉性が確保される。 - 特許庁

To prevent degradation of light emitting efficiency and deterioration of reliability when a semiconductor light emitting element is further formed on a continuous film semiconductor layer formed so as to differ in the substrate, lattice constant, or thermal expansion coefficient, using a partial growth suppressing structure.例文帳に追加

部分的成長抑制構造を利用して、基板と格子定数または熱膨張係数が異なる連続膜半導体層を形成した上に、さらに半導体発光素子を形成する場合の発光効率の低下および信頼性の悪化を防止する。 - 特許庁

To actualize a nonvolatile semiconductor memory element having a cell structure of one layer of polysilicon which is manufactured using a standard CMOS process, and to provide a nonvolatile semiconductor memory device which is reduced in mounting area by efficient arrangement and improved in reliability of storage maintenance.例文帳に追加

標準ＣＭＯＳプロセスを用いて製造できる１層ポリシリコンのセル構造の半導体メモリ素子を実現すると共に、効率的な配置により実装面積を小さくし、記憶保持の信頼性を向上させた不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The gas sensor element 2 has, on one side L1 of the longitudinal direction L, a heating region where the heating section 401 faces the sensor substrate, and the whole heating region is covered with a porous protective layer 5 having many pores of ceramic particles.例文帳に追加

ガスセンサ素子２は、その長手方向Ｌの一方側Ｌ１に、発熱部４０１とセンサ基板とが対向する加熱領域を有しており、加熱領域の全体は、セラミックス粒子による多数の気孔を形成してなる多孔質保護層５によって被覆してある。 - 特許庁

The white polyester film for the reflection plate is composed of a white polyester film and the coating layer provided at at least on one surface thereof and the amount of silicon element volatilizing at heating treatment at 200°C under normal pressure for 30 minutes is 5 μg or less per 1 m^2.例文帳に追加

白色ポリエステルフィルムおよびその少なくとも片面に設けられた塗布層からなり、２００℃、常圧、３０分間の加熱処理において揮発するケイ素元素の量が１ｍ^２当り５μｇ以下であることを特徴とする、反射板用白色ポリエステルフィルム。 - 特許庁

Since molecules, and the like, in the light emitting layer 23 are oriented in a predetermined direction, linearly polarized light is emitted in the direction corresponding to the orienting direction when a voltage is applied between the transparent electrode 22 of an organic EL element thus fabricated and the reflecting electrode 24.例文帳に追加

こうして作製された有機EL素子の透明電極２２−反射電極２４間に電圧を印加すると、発光層２３中の分子等が所定方向に配向しているために、その配向方向に対応する方向の直線偏光を発光する。 - 特許庁

To provide an optical pickup apparatus in which target aberration correction can be performed accurately in respective liquid crystal layers and light utilization efficiency can be improved even if a multi-layer liquid crystal optical element in which a plurality of liquid crystal layers are laminated and arranged is mounted.例文帳に追加

複数層の液晶層を積層配置した多層液晶光学素子を搭載しても、それぞれの液晶層が目的の収差補正を正確に行うことができ、しかも光利用効率を向上させることができる光ピックアップ装置を提供すること。 - 特許庁

While in the semiconductor element 1, the region between the drain electrode 11 and the source electrode 12 is conductive by generating electrons 20 and holes in the depletion region 17 under the condition that the depletion region 17 is irradiated with light having larger energy than a bandgap in the electronic transit layer 14.例文帳に追加

一方、半導体素子１は、電子走行層１４のバンドギャップよりも大きなエネルギを持つ光を空乏領域１７に受けた状態で、空乏領域１７に電子２０と正孔とが生成されることでドレイン電極１１・ソース電極１２間が導通する。 - 特許庁

The light source element for the projection type video display device is constituted by disposing the semiconductor laser device array where a plurality of semiconductor laser devices are arranged on the same substrate on a heat receiving plate and forming a synthetic resin layer on a part where the semiconductor laser device array is disposed.例文帳に追加

同一基板上に複数の半導体レーザ素子を配列した半導体レーザ素子アレイを受熱板に配設してなり、該半導体レーザ素子アレイが配設された部位に合成樹脂層を形成して投写型映像表示装置の光源エレメントとなるようにする。 - 特許庁

The organic EL element with high brightness having a low driving voltage can be obtained by doping at least either one of Hf, Zr, or V in IZO film as a dopant, and by forming the IZO film having low specific resistance and high transmissivity as a surface layer.例文帳に追加

ＩＺＯ膜にドープ材として、Ｈｆ、Ｚｒ、及び、Ｖの少なくとも一つをドープすることにより、低比抵抗で高透過率を備えたＩＺＯ膜を表面層として成膜することにより、低駆動電圧で高輝度の有機ＥＬ素子が得られる。 - 特許庁

The light emitting element includes a conductive support substrate 1 disposed on an opposite side to a light emission surface 11 and a nitride based semiconductor device layer 9 having a side face 9a slanted at a predetermined angle to the surface 11.例文帳に追加

この発光素子は、光出射面１１とは反対側に設置された導電性の支持基板１と、支持基板１に接合され、光出射面１１に対して所定の角度傾斜した側面９ａを有する窒化物系半導体素子層９とを備えている。 - 特許庁

The spin torque oscillating element includes first and second magnetic body layers containing an Fe-Co-(Al, Si, Ge, Mn, Cr, B) alloy and an intermediate layer provided between the first and second magnetic body layers.例文帳に追加

Ｆｅ−Ｃｏ−（Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｂ）合金を含む第１の磁性体層と、第２の磁性体層と、前記第１の磁性体層と前記第２の磁性体層との間に設けられた中間層と、を備えたことを特徴とするスピントルク発振子が提供される。 - 特許庁

The manufacturing method includes an embedding step to form a buried layer 14 by achieving the growth of semiconductor crystal containing In or Ga as a group III element while supplying oxygen in a step region M1 present on the (100) surface of group III-V compound semiconductor crystal.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の（１００）面上に存在する段差領域Ｍ１を、酸素を供給しながらＩＩＩ族元素としてＩｎ又はＧａを含む半導体結晶を成長させて埋込層１４を形成する埋込工程を含む。 - 特許庁

In this method, the active element 8 or the support 2 contains a polycrystalline material at least in a part being bonded on the surface thereof, and a layer of the amorphous material 6 is formed on the surface containing the polycrystalline material prior to the bonding.例文帳に追加

この方法は、活性要素８又は支持体２が少なくともその表面上の接合対象部位に多結晶材料を含み、接合に先立ち、この多結晶材料を含む表面上に非晶質材料６の層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

In such a constitution, the wiring 67 and the resistant element 70 are formed of the third polysilicon layer forming the plate electrode 60 so that the steps peculiar to DRAM may be effectively used, thereby making feasible of simplifying the steps as well as attaining to the design efficiency.例文帳に追加

配線６７と抵抗素子７０は、プレート電極６０を形成する第３ポリシリコン層を用いて形成するため、ＤＲＡＭ特有の工程を有効に活用し、工程の簡略化を図ることができるとともに、設計の効率化を図ることができる。 - 特許庁

The surface covered particle consists of a nuclear particle of the amorphous silica that is obtained by the acid treatment of vermiculite, and of a covering layer of an oxide, hydroxide or carbonate of at least one kind of an element component selected from the group consisting of Mg, Ca and Zn.例文帳に追加

バーミキュライトの酸処理によって得られた非晶質シリカからなる核粒子と、Ｍｇ、Ｃａ及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１種の元素成分の酸化物、水酸化物または炭酸塩の被覆層とからなることを特徴とする。 - 特許庁

The ceramic having high microwave-absorbing exothermic effect is obtained by applying a glaze containing ≥ 80 wt.% iron element expressed in terms of ferric oxide on the ceramic base material and depositing metallic iron and magnetite or one of them in a glaze layer by burning.例文帳に追加

セラミックス素地に、鉄元素を酸化第二鉄換算で80重量%以上含む釉薬を施し、焼成によって金属鉄およびマグネタイトもしくはその両方を釉薬層中に析出せしめることにより、マイクロ波吸収発熱効果の高いセラミックスを得る。 - 特許庁

A selective etching treatment step is provided after a plasma nitriding treatment step, and while a silicon nitride film 109 formed on an electrode layer 107 is left, a silicon nitrided oxide film 11 formed on surfaces of an element isolation film 103 and an insulating film 105 is removed.例文帳に追加

プラズマ窒化処理工程の後に、選択エッチング処理工程を設け、電極層１０７に形成された窒化珪素膜１０９を残しつつ、素子分離膜１０３および絶縁膜１０５の表面に形成された窒化酸化珪素膜１１１を除去する。 - 特許庁

The element contains in an airtight sealed container a laminated body containing an organic light-emitting material layer and a chemical sorbent for carbon dioxide (for example, a metallic hydroxide and a copper compound such as a hydroxide of an alkaline earth metal and an alkaline metal) separately from the laminated body.例文帳に追加

気密封止容器中に、有機発光材料層を含む積層体と、該積層体とは別に二酸化炭素の化学的収着剤（例えば、アルカリ土類金属やアルカリ金属の水酸化物などの金属水酸化物、銅化合物）を収容して含む。 - 特許庁