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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18197



例文

The organic EL element 10 is manufactured by forming organic thin films having dipole moment at either or both of the base plate 1 on which the first electrode 2 is formed and the base plate 7 on which the second electrode 6 is formed, and by arranging the both base plates so that the electrodes face to each other, and by forming the luminescent layer 4 by injecting the liquid crystalline organic material for the luminescent layer between the electrodes.例文帳に追加

この有機EL素子10は、第1電極2が形成された基板1と第2電極6が形成された基板7の一方又は両方に双極子モーメントを有する有機薄膜を形成し、その両基板を電極が向き合うように対向させ、電極間に発光層用の液晶性有機材料を注入して発光層4を形成することにより製造する。 - 特許庁

To provide a coating composition for forming a liquid crystal layer capable of forming a liquid crystal film without dissolving an oriented film or a stretched film on a base when a liquid crystal material-containing coating liquid used for forming a liquid crystal layer is applied on the base, and obtaining a smooth liquid crystal film without generating uneven coating film on application, and to provide an optical element using the composition.例文帳に追加

液晶層を形成する際に用いる液晶材料含有塗工液を基材上に塗布した時にも、基材上の配向膜や延伸フィルムを溶解させることなく液晶層を形成でき、かつ、塗布時に塗膜ムラが発生せず平滑な液晶膜を得ることができる液晶層形成用コーティング組成物、およびそれを用いた光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The vertical IGBT 10 includes a p-type collector region 21 provided on a rear layer part of a semiconductor substrate 20 and electrically connected with a collector electrode, an n-type emitter region 26 provided on a front layer part of the substrate 20 and electrically connected with an emitter electrode, and an insulative insulation wall 36 provided around an element part.例文帳に追加

縦型IGBT10は、半導体基板20の裏層部に設けられているとともにコレクタ電極に電気的に接続されているp型のコレクタ領域21と、半導体基板20の表層部に設けられているとともにエミッタ電極に電気的に接続されているn型のエミッタ領域26と、素子部の周縁に設けられている絶縁体の絶縁壁36を備えている。 - 特許庁

At least one organic compound layer of an organic electroluminescent element comprising one or a plurality of organic compound layers contains at least one kind of charge transportation polyester, at least one organic compound layer contains a luminescent low molecular weight compound performing fluorescence, and the charge transportation polyester consists of a repeating unit including a specific structure as a partial structure.例文帳に追加

1または複数の有機化合物層より構成される有機電界発光素子の有機化合物層の少なくとも一層が、少なくとも1種の電荷輸送性ポリエステルを含有し、有機化合物層の少なくとも一層が蛍光発光する発光性低分子化合物を含有し、電荷輸送性ポリエステルが特定の構造を部分構造として含む繰り返し単位よりなる。 - 特許庁

例文

The manufacturing method of the electrode for a lithium secondary cell is provided with a process forming a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer on a collector 8 under an atmosphere including an Ar element being cation, using a sputtering method in a condition of a voltage impressed on the collector 8 using an RF power source 7 so that a potential of the collector 8 is to be practically negative.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、集電体8の電位が実質的に負電位になるように、RF電源7を用いて集電体8に電圧を印加した状態で、スパッタリング法を用いて、正イオンになるAr元素を含む雰囲気下で、集電体8上に、Li−Co−O層を含む正極活物質層を形成する工程を備える。 - 特許庁


例文

In the magnetoresistive effect storage element having a multilayer film structure sandwiching a nonmagnetic material layer 25 between two ferromagnetic material layers 24 and 26 and performing information recording utilizing variation of the magnetizing direction of one ferromagnetic material layer 24, at least one of the ferromagnetic material layers 24 and 26 has a single grain structure having no clear grain boundary represented by amorphous, for example.例文帳に追加

二つの強磁性体層24,26の間に非磁性体層25を挟んだ多層膜構造を有し、一方の強磁性体層24の磁化方向の変化を利用して情報記録を行う磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層24,26のうちの少なくとも一方を、例えばアモルファスに代表されるように、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造とする。 - 特許庁

The organic electroluminescent element of the present invention including a light-emitting layer between a pair of electrodes is characterized in that: the light-emitting layer consists only of a host material comprising a metal complex, and a guest material comprising a phosphorescent material; and energy of an excited state where the host material emits light is higher than energy of a singlet excited state of the guest material.例文帳に追加

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、一対の電極間に発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、 前記発光層は、金属錯体からなるホスト材料と、燐光材料からなるゲスト材料のみからなり、 前記ホスト材料が発光する励起状態のエネルギーが、前記ゲスト材料の一重項励起状態のエネルギーよりも高いことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor element consists of a semiconductor substrate 60 including a conductive region and insulating region, a conductive pattern formed on the conductive region of the semiconductor substrate 60, an auxiliary pattern composed of a conductive layer positioned adjacent to the conductive pattern, and an inter-layer dielectric film 66 which is formed on the semiconductor substrate 60 and has a contact hole 68 exposing the conductive pattern and auxiliary pattern at the same time.例文帳に追加

導電領域と絶縁領域とを含む半導体基板60と、半導体基板60の導電領域に形成される導電パターンと、導電パターンと隣接して配置される導電層よりなる補助パターンと、半導体基板60上に形成され、前記導電パターンと補助パターンとを同時に露出させるコンタクトホール68を有する層間絶縁膜66とを含む。 - 特許庁

To provide a dicing pressure-sensitive adhesive sheet using a polyvinyl chloride film as a substrate film, having a good yield of a material to be cut such as a semiconductor wafer and further good adhesion of an adhesive mass layer to the polyvinyl chloride film and capable of ensuring a sufficient chip element interval in an expanding step without causing peeling of the adhesive mass layer from the substrate film during dicing, pickup, or the like.例文帳に追加

基材フィルムとしてポリ塩化ビニルフィルム用いたダイシング用粘着シートであって、半導体ウエハ等の被切断物の歩留まりがよく、しかも粘着層とポリ塩化ビニル系フィルムとの密着性が良好で、ダイシング時、ピックアップ時等に基材フィルムからの粘着層の剥がれが発生せず、かつエキスパンド工程において十分なチップ素子間隔を確保しうるものを提供すること。 - 特許庁

例文

The rectifier element 10 can selects a state where the difference in potential between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 changes to apply a current between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 surrounded by the p-type semiconductor layers 5a, 5b is made into a depletion layer to disconnect a current path between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4.例文帳に追加

ショットキー電極3とカソード電極4との電位差が変化することにより、ショットキー電極3とカソード電極4との間に電流を流す状態と、p型半導体層5a,5bに囲まれるn^-半導体層2を空乏層化させてショットキー電極3とカソード電極4との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

例文

In an IC mount region 60 of an element substrate 10, wide light shield patterns 63 which form parallel stripes and an insulating layer 64 for short-circuit prevention which covers the surface sides of those light shield patterns 63 are formed in an area overlapping with an IC 4 in a plane, and a narrow inspection pattern 69 is formed on the surface of the insulating layer 64 for short-circuit prevention.例文帳に追加

素子基板10のIC実装領域60において、IC4と平面的に重なる領域には、ストライプ状に並列する幅広の遮光パターン63と、これらの遮光パターン63の表面側を覆う短絡防止用絶縁層64とが形成され、短絡防止用絶縁層64の表面には、幅の狭い検査パターン69が形成されている。 - 特許庁

The display element has an electrolyte and an oxidation-reduction active substance layer between a pair of electrodes opposite to each other, the oxidation-reduction active substance layer is formed by immersing at least one electrode of the counter electrodes in a processing liquid containing at least (1) an oxidation-reduction active polymer, (2) a metal ion or a nonmetal ion, (3) a ligand, and (4) a precipitation accelerator.例文帳に追加

一対の対向電極の間に電解質と酸化還元活性物質層とを有し、該酸化還元活性物質層は、少なくとも1)酸化還元活性ポリマーと、2)金属イオンまたは非金属イオンと、3)配位子と、4)析出促進剤とを含有する処理液に、該対向電極の少なくとも一方の電極を浸漬して形成されたものであることを特徴とする表示素子。 - 特許庁

In the substrate for the wavelength conversion element provided with a first substrate 11, a second substrate 12 for holding the first substrate and an adhesive layer 13 formed between the first and the second substrates 11 and 12 and comprising a silicon oxide, the thickness of the adhesive layer 13 is made smaller than one fourth of the thickness of the first substrate 11 and larger than one half of the wavelength of the incident light.例文帳に追加

第1の基板11と、この第1の基板11を保持するための第2の基板12と、前記第1の基板11と第2の基板12との間に形成された酸化珪素からなる接着層13とを備え、前記接着層13の厚みを、前記第1の基板11の厚みの1/4より薄く、かつ入射光の波長の1/2より厚くしたものである。 - 特許庁

Electrodes 2a-2f and 3a-3f and a wiring metal layer for connection with a photoelectric converting element are formed on both sides of the insulating substrate 1, and on the side face of a slit-like opening formed previously in the insulating substrate, and a dividing part 9 is formed by removing part of the metal layer formed on the side face of the opening selectively by machining or chemical etching.例文帳に追加

予めスリット状の開口部を形成して絶縁基板1の表裏両面及び前記開口部の側面に光電変換素子へ接続するための電極2a〜2f、3a〜3f及び配線用の金属層を形成するとともに、前記開口部側面に形成された金属層の一部を機械加工または化学エッチングにより選択的に除去して分断部9を形成する。 - 特許庁

When an insulating layer 5 as the protecting film for the heating element 8 constituted of a heating resistance layer 3 and a wiring electrode 4 layered on an Si substrate 1 is formed by a dry film formation method such as CVD with the use of ceramic aluminum nitride which shows the crystal orientation dependency of a thermal conductivity, the thermal conductivity is made anisotropic by orienting and forming thin the film by an electronic shower method.例文帳に追加

Si基板1上に積層する発熱抵抗層3と配線電極4で構成される発熱素子8の保護膜としての絶縁層5を、熱伝導率の結晶方向依存性を示すセラミックス窒化アルミニウムを用いてCVD等の乾式成膜法で成膜する際に、電子シャワー法により配向薄膜化して熱伝導率に異方性をもたせる。 - 特許庁

The capacitance element 15 has a foundation insulating layer 11 wherein a recess 11a is formed in the surface thereof, a lower electrode 12 formed along the inner surface of the recess 11a on the foundation insulating layer 11, a capacitance insulating film 13 which is formed on the lower electrode 12 and composed of a high dielectric or a ferroelectric, and an upper electrode 14 formed on the capacitance insulating film 13.例文帳に追加

容量素子15は、表面に凹部11aが形成された下地絶縁層11と、下地絶縁層11の上に凹部11aの内面に沿って形成された下部電極12と、該下部電極12の上に形成され、高誘電体又は強誘電体からなる容量絶縁膜13と、該容量絶縁膜13の上に形成された上部電極14とを有している。 - 特許庁

Wet etching is performed upon the highly insulated thin layer at a room temperature in a mixed liquid of hydrofluoric acid, perchloric acid, other perhalogenated element acid, and the like such that an etching rate of the layer becomes10 Å/min, at the same time, an etching rate of silicon oxide, USG or polysilicon becomes10 Å/min all and a selection ratio becomes appropriate for needs of respective processes.例文帳に追加

弗化水素酸と過塩素酸やその他の過ハロゲン族元素酸の混合液により、室温下で高絶縁性薄層に対してウェットエッチングを行い、該層のエッチング率が10Å/min以上になるようにし、同時に酸化シリコンやUSG,或いはポリシリコン等のエッチング率が皆10Å/min以下であり且つ選択比は各工程の必要に適した比率となるようにする。 - 特許庁

With respect to a liquid crystal display element made by holding a liquid crystal layer with a pair of substrates having transparent electrodes on which a prescribed pattern is formed for performing display, a driving voltage having a period of applying a select voltage and a period of applying an initializing voltage of at most the voltage which causes liquid crystal molecules in the liquid crystal layer to initiate the change from initial alignment is applied.例文帳に追加

表示をさせるために所定のパターンを形成させた透明電極を有する一対の基板で液晶層を挟持してなる液晶表示素子に対し、選択電圧を印加する期間と、前記液晶層の液晶分子が初期配向から変化し始める電圧値以下の電圧である初期化電圧を印加する期間を有する駆動電圧を印加する。 - 特許庁

The temperature detecting member in abutment on the surface of the roller coated with the silicone rubber is constituted by disposing a molding 31 of a heat resistant foamed material on the free end side of a metal plate member 32, arranging a thermistor element in the molding and double coating the entire part thereof with an inner layer polyimide film 33 and outer layer 'Teflon (R)' film 34 adhered to each other.例文帳に追加

シリコーンゴムで被覆されたローラの表面に当接する温度検知部材が、金属製の板部材32の自由端側に耐熱性発泡材料の形成体31を配設し、その形成体中にサーミスタ素子を配置し、それらを互いに付着した内層ポリイミドフィルム33と外層テフロン(登録商標)フィルム34とで全体的に2重に被覆して構成される。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises a semiconductor substrate having protrusions and recesses formed on the surface, and a metal electrode formed on the protrusions and recesses which are formed on the surface of the semiconductor substrate, a glass layer existing at least partially on the interface of the surface of the semiconductor substrate and the metal electrode, and metal particles existing in the glass layer in contact with the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

表面に凹凸が形成された半導体基板と、前記半導体基板表面の凹凸上に形成された金属電極と、前記半導体基板表面と前記金属電極との界面の少なくとも一部に存在するガラス層と、ガラス層中であって前記半導体基板表面に接触して存在する金属粒子と、を有する光電変換素子。 - 特許庁

This electron emitting element 1 includes an electron accelerating layer 4 between an electrode substrate 2 and a thin film electrode 3, and the electron accelerating layer 4 contains an insulator particulate 5 and at least either one of a conductive particulate 6 having an average particle diameter smaller than that of the insulator particulate 5 or a basic dispersant 60.例文帳に追加

電子放出素子1は、電極基板2と薄膜電極3との間に電子加速層4を備え、電子加速層4は、絶縁体微粒子5と、絶縁体微粒子5より平均粒径の小さい導電微粒子6および塩基性分散剤60の少なくとも一方と、を含んでおり、電子加速層4の表面粗さは、中心線平均粗さ(Ra)で0.2μm以下となっている。 - 特許庁

The light condensing diffusion sheet to be disposed between a light guide plate and a liquid crystal display element in a transmission type liquid crystal panel is composed of a transparent substrate and a powder monolayer film applied on the substrate with a binding layer by bedding and fixing a transparent power material in a single layer while the transparent powder material is partly made to protrude.例文帳に追加

透過型液晶パネルにおける導光板と液晶表示素子との間に配置される集光性光拡散シートであって、前記集光性光拡散シートは、透明基体と、該透明基体の表面上に結着層を介して透明粉体をその一部が突出する状態で単層に敷き詰め固定した粉体単層皮膜とから構成される集光性光拡散シート。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a package substrate for mounting a semiconductor element in which the yield can be enhanced by reducing adhesion of resin powder, miniaturization and adhesion are ensured by forming an embedded circuit not causing undercut, an outer layer circuit can be formed for an insulation layer on the surface, and various metal structures such as bumps or pillars can be formed.例文帳に追加

樹脂粉の付着を抑制することにより歩留まり向上が可能であり、アンダーカットが生じない埋め込み回路を形成することにより微細で密着力があり、表面が絶縁層に対して外層回路が形成可能であり、また、バンプやピラー等の種々の金属構成を形成可能な半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In an organic photoelectric conversion element that has a transparent electrode and a counter electrode on and above a plastic substrate and has a photoelectric conversion layer composed of an n-type semiconductor material and a p-type semiconductor material between the transparent electrode and the counter electrode, the photoelectric conversion layer includes a bulk-shaped n-type semiconductor material and a particulate n-type semiconductor material.例文帳に追加

プラスチック基板上に透明電極及び対極を有し、該透明電極と対極との間に、n型半導体材料とp型半導体材料で構成される光電変換層を有する有機光電変換素子において、該光電変換層がバルク状n型半導体材料と粒子状n型半導体材料とを含有することを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

To provide a reflection type liquid crystal display element comprising at least one chiral nematic liquid crystal layer capable of selectively reflecting light having a prescribed wavelength region, capable of simply and inexpensively attaining enhancement of color purity at the time of selective reflection of light and enhancement of transparency or a black level by a light absorbing layer at the time of light transmission and accordingly enhancement of contrast.例文帳に追加

所定波長域の光を選択的に反射できるカイラルネマティック液晶層を少なくとも一つ含む反射型の液晶表示素子であって、光の選択反射時の色純度の向上、また、光透過時の透明度乃至光吸収層による黒レベルの向上、従ってコントラストの向上を簡単、安価に達成できる液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

In a photovoltaic element comprising a wire electrode of a metal wire having a conductive coating layer, and a metal bus bar connected with the wire electrode, the wire electrode at the joint to the metal bus bar has a flat profile, as compared with the profile of the wire electrode compression-bonded to a semiconductor layer.例文帳に追加

導電性被覆層を有する金属ワイヤからなるワイヤ電極と、前記ワイヤ電極と接続された金属バスバーとを有する光起電力素子において、前記金属バスバーとの接合部のワイヤ電極の形状が半導体層上に圧着されたワイヤ電極の形状に比べて扁平に加工されていることを特徴とする光起電力素子を提供する。 - 特許庁

The structure to carry out simultaneous forging and manufacturing method of a graphite heat spreader includes a thermal via having one or two flanges 61 such as a coplanar thermal via 60, a graphite heat spreader having a surface layer covering a graphite material, a graphite heat spreader having a cladding layer to reinforce the structural unity, and a graphite heat spreader element having a metallic thermal via at a predetermined position.例文帳に追加

同一平面上にあるサーマルビア60のような、一または二個のフランジ61を有するサーマルビア、グラファイト材料を覆う表面層を有するグラファイトヒートスプレッダ、構造的一体性を強化するためにクラッド層を有するグラファイトヒートスプレッダおよび金属サーマルビアを所定の位置に含むグラファイトヒートスプレッダ素子を共鍛造する構造および製造方法にすることを特徴とする。 - 特許庁

A liquid crystal display element is provided with a liquid crystal layer containing a nematic liquid crystal material, translucent electrode substrates 11, 12 making liquid crystal molecules of the nematic liquid crystal material approximately vertically align and holding them in between, and circular electrodes EL1, EL2 respectively formed on the electrode substrates 11, 12 and applying an electric field to control alignment of the liquid crystal molecules to the liquid crystal layer 13.例文帳に追加

液晶表示素子はネマチック液晶材料を含む液晶層と、このネマチック液晶材料の液晶分子を略垂直に配向させて挟持する光透過性電極基板11,12と、電極基板11,12上にそれぞれ形成され液晶分子の配列を制御する電場を液晶層13に印加する円形電極EL1,EL2とを備える。 - 特許庁

The antenna unit 20 is mounted on a mobile terminal having a metal hinge part 24 for connecting a first housing and a second housing, and comprises a ground layer 21 arranged inside the first housing, a power supply part 22 formed in the ground layer 21, and a power supply element 23 electrically connected to the power supply part 22 and the hinge part 24.例文帳に追加

本発明のアンテナ装置20は、第1筐体と第2筐体とを連結する金属製のヒンジ部24を備えた携帯端末に搭載するアンテナ装置であって、第1筐体内部に配置されたグランド層21と、グランド層21に形成された給電部22と、給電部22に接続されると共にヒンジ部24に電気的に接続された給電素子23とを備える。 - 特許庁

A resin-encapsulated semiconductor device of the MCP in a stacked structure has a resin layer 3 of a photosensitive resin composition, containing a cyclic olefin-based resin (A) having an epoxy group and a photoacid generator (B) on a circuit-element forming surface of the semiconductor chip 2, wherein the back surface of another semiconductor chip 6 laminated on the semiconductor chip is in direct contact with the resin layer.例文帳に追加

エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂(A)と光酸発生剤(B)を含む感光性樹脂組成物の樹脂層3を半導体チップ2の回路素子形成面上に有し、かつ半導体チップ上に積層する別の半導体チップ6の裏面が樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のMCPの樹脂封止型半導体装置。 - 特許庁

After a layer 3 of a polymerized liquid crystal composition is formed on a transparent resin sheet 2 with an intermediate layer 5 between them when necessary, a magnetic field is caused to act in a direction rectangular to a running direction 6 of the sheet to align a polymerized liquid crystal compound, and then they are hardened by radiation of ultraviolet rays or the like to obtain the optical element.例文帳に追加

透明樹脂シート2上に、必要に応じて中間層5を介して重合性液晶組成物の層3を形成した後、磁場をシートの走行方向6とは直角な方向7に作用させて重合性液晶化合物を配向させ、その後、紫外線照射等を行なって硬化させ、光学素子を得ることにより、上記の課題を解決することができた。 - 特許庁

A second conductive impurity area 7 and a first conductive impurity area 6 are separately formed in a first conductive semiconductor active layer 4 formed through an embedded dielectric layer 3 on one main face side of a substrate 2, and element electrodes 10 and 9 are respectively formed on the second conductive impurity area 7 and the contact impurity area 6.例文帳に追加

基板2の一主面側に埋込誘電体層3を介して形成された第1導電型の半導体活性層4に、第2導電型の不純物領域7と、第1導電型のコンタクト不純物領域6とが互いに離れて形成され、第2導電型の不純物領域7およびコンタクト不純物領域6上に、それぞれ素子電極10,9を有する。 - 特許庁

The super water-repellent material has a support and an organic-inorganic composite layer containing a crosslink structure formed by hydrolysis and condensation polymerization of alkoxide of an element selected from Si, Ti, Zr and Al in a graft polymer layer composed of a graft polymer chain directly bonded to the support surface, and has a water repellency-treated uneven surface.例文帳に追加

支持体と、該支持体表面に直接結合したグラフトポリマー鎖からなるグラフトポリマー層中に、Si、Ti、Zr、Alから選択される元素のアルコキシドの加水分解及び縮重合により形成された架橋構造を含んでなる有機−無機複合層と、を備え、且つ、撥水処理が施された凹凸表面を有することを特徴とする超撥水材料。 - 特許庁

In this spin-valve thin film magnetic element, the free magnetic layer has, in the surface on the opposite side as to the direction toward a disposed fixed magnetic layer, the groove provided with a track groove, whose width is equal to the track width, and flat parts on both sides thereof.例文帳に追加

本発明は、スピンバルブ型薄膜磁気素子であり、フリー磁性層は、記固定磁性層の配置されている方向と反対側の面にトラック幅に相当する幅のトラック溝が設けられた溝部と、その両側の平坦部とを有し、バイアス層は、フリー磁性層の両平坦部上に配置されるとともに、反強磁性層およびバイアス層は、以下の組成式の相互に異なる合金からなる。 - 特許庁

Liquid crystal having temperature areas taking on a nematic and a smectic phases as either a carrier transport layer or a luminescent layer is used to control orientation direction in the smectic phase by temperature control and voltage impression, where, a highly conductive part and a low conductive part are selectively formed at required areas in one and the same element according to anisotropy of mobility of the carrier by orientation direction.例文帳に追加

キャリア輸送層或いは発光層として、ネマチック相とスメクチック相を呈する温度領域を有する液晶を用い、温度制御と電圧印加によって、スメクチック相における配向方向を制御し、該配向方向によるキャリアの移動度の異方性によって同一素子内の所望の領域に選択的に高導電部と低導電部を形成する。 - 特許庁

The white organic electroluminescent element is designed to be formed by fitting a hole transport layer 3, a plurality of organic luminescent layers 4 each containing a kind of a plurality of phosphor materials emitting fluorescence of different luminescent color systems in an organic host material capable of sustaining hole and electron injections, and an electron transport layer 5 between a positive electrode 2 and a negative electrode 6.例文帳に追加

ホール輸送層3と、ホール及び電子の注入を持続することができる有機ホスト材料に発光色系統の異なる蛍光を発する複数種類の蛍光材料を一種類ずつ含有する複数層の有機発光層4と、電子輸送層5とを、陽極2と陰極6の間に設けて形成される白色有機電界発光素子を設計する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a wound-type solid electrolytic capacitor which is improved in electric properties through a process of forming an electrolytic polymerization conductive high-molecular film of high density and uniformity inside an element, in a wound-type solid electrolytic capacitor which is equipped with a solid electrolyte layer formed of polypyrrole or its derivative through electrolytic polymerization on another solid electrolyte layer formed of polythiophene or its derivative.例文帳に追加

ポリチオフェンまたはその誘導体からなる固体電解質層上に、ポリピロールまたはその誘導体からなる固体電解質層を電解重合によって形成した巻回型固体電解コンデンサにおいて、素子内部に緻密で均一な電解重合導電性高分子膜を形成し、電気特性に優れた巻回型固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser element is divided into the chips at a high yield, by adjusting the surface roughness Ra of the rear surface, namely, the surface on which the semiconductor layer is not formed of the GaN-based semiconductor substrate composed of a semiconductor wafer, which is constituted by laminating a semiconductor layer upon a hexagonal GaN substrate and has cleavage planes on its side faces to300 Å.例文帳に追加

本発明において、六方晶GaN基板上に半導体層が積層形成された半導体ウエハーであって、基板であり、また側面に、へき開面を有するGaN系半導体基板の裏面、つまり半導体層が形成されていない面の表面ラフネスRaが300オングストローム以下とすることで歩留まり良くチップ分割を行うものである。 - 特許庁

On at least one face of a polymer thin film 5 made of molecular compound, as principal component, which is obtained by superimposing monomer in this piezoelectric element 1a, a piezoelectric thin film 3, located in between a first electrode layer 2 and a second electrode layer 4 and made of a piezoelectric body as the principal component which generates charges by applying a dynamic force is formed.例文帳に追加

本発明に係る圧電素子1aは、単量体を重合してなる高分子化合物を主成分とする高分子薄膜5の少なくとも一方の面に、第1電極層2と、第2電極層4との間に挟まれた、力学的な力が印加されることにより電荷を生じる圧電体を主成分とする圧電体薄膜3が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

To simplify the structure of a magnetic recording element, to shorten processes, to reduce a production unit price, to also provide a huge planar hall effect utilizing a multiple domain state further, and to provide a storage device measuring magnetoresistance and recording information in the multiple state by simultaneously utilizing a ferromagnetic semiconductor layer (MS) itself where magnetic information is recorded as a sensor layer.例文帳に追加

磁気情報の記録される強磁性半導体層(magnetic Semiconductors、MS)自体をセンサー層として同時に利用することにより、磁気記録素子の構造を簡単にして工程を短縮し、生産単価を節減するばかりか、さらに多重ドメイン状態を利用した巨大な平面ホール効果(Planar Hall Effect)または磁気抵抗(Magnetoresistance)を測定して多重状態の情報を記録することができる記憶素子を提供する。 - 特許庁

This method for producing the organic electroluminescent element comprises steps of forming a first electrode on a substrate; preparing a solution containing a hole carrier organic material, an electron carrier organic material and a light emitting organic material; atomizing the solution on the first electrode by use of a pressurized gas to form the organic thin film layer; and forming a second electrode on the organic thin film layer.例文帳に追加

基板上に第1の電極を形成し、正孔輸送性有機材料、電子輸送性有機材料および発光性有機材料を含む溶液を調製し、この溶液を加圧気体を用いて第1の電極上に噴霧して有機薄膜層を形成し、有機薄膜層上に第2の電極を形成する工程を有する有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

The organic semiconductor element comprises: an organic semiconductor layer, having one or more layers consisting of a liquid crystal organic semi-conducting material and having smectic liquid crystal phase, between two electrodes which face with each other; and an oriented film consisting of a conductive high polymer material, in between one or both of the two electrodes and the organic semiconductor layer.例文帳に追加

2つの対向する電極の間に、スメクティック液晶相を呈している液晶性有機半導体材料からなる層を1層又は2層以上有する有機半導体層を備え、それら2つの電極の一方又は両方と有機半導体層との間に、導電性高分子材料からなる配向膜を設けた有機半導体素子により、上記課題を解決した。 - 特許庁

The method for manufacturing the gallium nitride compound semiconductor element comprises a step for forming an aluminum nitride layer having conductivity on the surface of a silicon carbide substrate, whose surface is inclined at a first angle from the (0001) plane toward the [11-20] direction, and a step for forming a gallium nitride compound semiconductor laminated structure on the aluminum nitride layer.例文帳に追加

本発明による窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法は、表面が(0001)面から[11−20]方向に第1の角度で傾斜している炭化珪素基板の該表面に、導電性を有する窒化アルミニウム層を形成する工程と、該窒化アルミニウム層の上部に、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体を形成する工程と、を包含する。 - 特許庁

In an membrane-electrode for a fuel cell and a fuel cell system including the same, the assembly includes a catalyst layer disposed on one face of a polymer electrolyte membrane, the catalyst layer contains an alloy catalyst made of platinum and a transition element, and the D-band lattice vacancy of the 5d band orbit of the catalyst is larger than 0.3 and 0.45 or less at the electron configuration of platinum.例文帳に追加

本発明は、燃料電池用膜-電極アセンブリ及びこれを含む燃料電池システムに関し、膜-電極アセンブリは高分子電解質膜の一方の面に配置される触媒層を含み、触媒層は白金及び遷移元素の合金触媒を含み、触媒は白金の電子配列において、5dバンドオービタルのD-バンド空格子点が0.3より大きく0.45以下である。 - 特許庁

The positive electrode active material has an olivine structure and is expressed by Li_xM_1-xMnPO_4 (in the formula, 0<x≤1, and M is an alkaline metal element having an ion radius larger than Li), in which the interlayer spacing of MnO_6 layer is larger than the interlayer spacing of MnO_6 layer contained in LiMnPO_4 as a reference substance.例文帳に追加

本発明は、オリビン構造を有し、Li_xM_1−xMnPO_4(式中、0<x≦1であり、MはLiよりもイオン半径の大きなアルカリ金属元素である。)で表され、かつ、MnO_6層の層間隔が、基準物質としてのLiMnPO_4に含まれるMnO_6層の層間隔よりも大きいことを特徴とする正極活物質を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

This new aromatic amine derivative having a specific monoamine structure, and the organic electroluminescent element in which organic thin film layers comprising mono- or multilayers including at least one luminous layer is nipped between a cathode and an anode is characterized in that at least one layer of the organic thin film layers contains the aromatic amine derivative as a single or mixture component.例文帳に追加

特定のモノアミン構造を有する新規な芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも1層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is composed of an organic layer containing a luminous layer between a lower electrode and an opposing electrode formed on a substrate, and the defective part, generating short-circuiting between the opposing electrodes and the lower electrode, is treated so as to become non-conductive by making at least either the opposing electrodes or the lower electrode contact active gas.例文帳に追加

基板上に形成された下部電極と対向電極の間に、発光層を含む有機層を設けた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該対向電極と下部電極の少なくとも一方に活性ガスを接触させることによって、対向電極と下部電極の間の短絡を生ずる欠陥部分を非導通化処理した有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The surface protection sheet used by applying on the element processed surface of an electronic component comprises a base material, an adhesive layer held on one side of the base material, and a magnetic layer having an enough magnetic force to fix the electronic component to a processing apparatus or a necessary magnetic force for supporting the component to be fixed when the electronic component having already processed elements, etc., is additionally processed.例文帳に追加

電子部品の素子加工面に貼付して用いられる表面保護シートにおいて、基材とその片面に支持された粘着剤層とを含むとともに、素子等がすでに加工された電子部品の追加の加工時に電子部品を加工装置に固定するのに十分であるかもしくは固定を補助するのに必要な磁力を有しているように構成する。 - 特許庁

In the case of the surface emitting laser, since a problem such as grid mismatching, etc., is generated when an epitaxial layer is grown on an Si substrate, the epitaxial layer 14 is grown on the substrate of a Gas substrate 11, e.g. it is joined onto the Si substrate upside down to form the element 2 and then the block 1 is formed and divided by Si anisotropic etching.例文帳に追加

面発光レーザの場合、エピタキシャル層をSi基板上で成長させると、格子不整合等の問題が生じるため、例えばGaAs基板11基板上にエピタキシャル層14を成長させ、それを逆向きにしてSi基板17上に接合し、面発光レーザ素子2を成形してから、異方性エッチングによりSi製ブロック1を成形・分割する。 - 特許庁

例文

After the process of forming a dielectric layer 4 on the surface of a capacitor element 2 to which an anode lead wire 3 is jointed, by performing a process of generating a fine chip 41 at the dielectric layer 4 by supplying ultrasonic vibrations, it is made possible to apply a voltage to the anode lead wire 3 and perform the electrolytic polymerization, in a process of forming the conductive high polymer film 5.例文帳に追加

陽極リード線3を接合したコンデンサ素子2の表面に誘電体層4を形成する工程の後に、超音波振動を与えることにより誘電体層4に微小な欠損41を生じさせる工程を行うことによって、導電性高分子膜5を形成する工程において、陽極リード線3に電圧を印加して電解重合を行うことを可能とする。 - 特許庁




  
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