「layer interval」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an input device capable of improving the adhesion force between a transparent conductive layer located in an interval between electrode layers and an adhesive layer compared with a conventional one, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

電極層間の間隔内に位置する透明導電層と粘着層間の密着力を従来に比べて向上させることが可能な入力装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Internal stresses are reduced and peeling is suppressed by a hard thick film of a structure in which a stress mitigating layer by a metal layer is placed in a metal nitride film with a predetermined thickness at a predetermined interval.例文帳に追加

金属窒化物被膜の中に、当該金属層による応力緩和層を一定間隔毎に一定厚み挟み込む構造の硬質厚膜被膜により内部応力を低減して剥がれを抑制する。 - 特許庁

The panel 30 is arranged so that a transparent electrode layer 3 of an upper transparent electrode board 10 and a transparent electrode layer 5 of a lower transparent electrode board 20 are opposed to each other through a prescribed interval.例文帳に追加

タッチパネル３０は上部透明電極板１０の透明電極層３と下部透明電極板２０の透明電極層５とが所定の間隔で互いに対面するように配置される。 - 特許庁

Since the silicon oxynitride film pattern 16 widening a lower part can be formed on a forward taper shape, the wiring layer pattern 17 can be formed at a very narrow interval even when the interval does not form the resist pattern exceeding the resolution limit.例文帳に追加

順テーパー形状に下部が広がったシリコン酸窒化膜パターン１６を形成できるので、間隔が解像限界を超えるレジストパターンを形成しなくても非常に狭いパターン間隔で配線層パターン１７の形成ができる。 - 特許庁

The second wiring layer 32 has a second interlayer insulating film, a plurality of second via plugs 34-1, and a plurality of second wiring 34-2 provided at a second interval larger than the first interval in the second interlayer insulating film.例文帳に追加

第２配線層部３２は、第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜内に第１間隔よりも大きい第２間隔以上で設けられた複数の第２ビアプラグ３４−１及び複数の第２配線３４−２とを有する。 - 特許庁

The smoothing distance (effective width of population of smoothing) of smoothing processing at such a time is set to nearly agree with phase displacement made in the photoelectric conversion signal caused by the layer interval or step interval of the surface of the sample to be inspected.例文帳に追加

このときの平滑化処理の平滑化距離（平滑化の母集団の実効幅）は、検査試料の表面の層間隔または段差間隔によって光電変換信号に生じる位相変位と略一致するように設定される。 - 特許庁

In this way, the sticking-up of the green pellet GP' into the roller interval 42 and the formation of a stuck layer A on the surface of the roller 41, are both restrained and the roller interval 42 is not excessively closed, and good screening efficiency is kept.例文帳に追加

これにより、ローラ間隙４２への生ペレットＧＰ’の滞留もローラ４１表面への付着層Ａの形成も、ともに抑制され、ローラ間隙４２が過度に閉塞されることがなくなり、良好な篩い効率が維持される。 - 特許庁

A groove pattern 13 is formed to an insulation film 12 and an island pattern 14, almost in the same height as the insulation layer 12, consisting of the same insulation layer 12 is formed within the groove pattern 13 in the predetermined interval by etching the insulation layer 12.例文帳に追加

絶縁層１２をエッチングすることによって、絶縁層１２に溝パターン１３を形成すると共に絶縁層１２からなり絶縁層１２とほぼ同じ高さに達する島パターン１４を溝パターン１３内に所定間隔で形成する。 - 特許庁

In the medium opposing plane, at least a part of an end plane of the recording shield layer 20 is arranged at a front side of a progress direction of the recording medium keeping the prescribed interval by thickness of the gap layer 17 for an end plane of the magnetic pole layer 15.例文帳に追加

媒体対向面において、記録シールド層２０の端面の少なくとも一部は、磁極層１５の端面に対して、ギャップ層１７の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置されている。 - 特許庁

In the adhesion layer 3b, an air-escape groove 3c is formed at an interval part of each position that is fitted to the each edge part 1a of the two dome type movable contacts 1 abutted on each other.例文帳に追加

また、粘着層は、隣接する２つのドーム型可動接点の各縁部にかかる各位置の間の部分に空気逃げ溝３ｃを形成される。 - 特許庁

The optical sheet 20 with the light shielding layer comprises an optical substrate 21 and the light shielding layers 13C transferred on the optical base substance 21 at a prescribed interval.例文帳に追加

遮光層付き光学シート２０は、光学基板２１と、この光学基材２１上に所定間隔で転写された遮光層１３Ｃとを備えている。 - 特許庁

It repeats scanning of +Y direction shifting a scanning start position with a predetermined interval (scanning spacing) in +X direction, and detects a layer 72.例文帳に追加

そして、スキャン開始位置を＋Ｘ方向に所定の間隔（スキャン間隔）ずつずらしながら、＋Ｙ方向のスキャンを繰り返し、階層７２を検出する。 - 特許庁

A coupling lens CL is bonded, at four points of 90° interval on the circumferential surface thereof, to the lens supporting parts SM1-SM4 of a light source holding member through an adhesive layer GL.例文帳に追加

カップリングレンズＣＬの周面の９０°間隔の４点で光源保持部材のレンズ支持部ＳＭ１〜ＳＭ４に接着層ＧＬを介して接着する。 - 特許庁

The slag foaming is restrained by further adding a carbon agent onto the slag layer produced after completing the addition of desiliconizing agent during interval till completing the receiving of the molten iron.例文帳に追加

（１）受銑が完了するまでの間で、脱Ｓｉ剤の添加完了後生成したスラグ層に、さらに炭剤を添加することによりスラグフォーミングを抑制する。 - 特許庁

A gap having a predetermined interval is formed between a reverse surface of the semiconductor wafer W and a bottom surface of the recessed portion 78, and an air layer is sandwiched in the gap.例文帳に追加

半導体ウェハーＷの下面と凹部７８の底面と間に所定間隔の隙間が形成され、その隙間に気体層が挟み込まれる。 - 特許庁

The mold flux and the oxide film (the mixed layer 6 thereof) stuck on the surface of the cast slab 5 are removed at the interval from a mold 1 to first support rolls 4.例文帳に追加

鋳型１から最初のサポートロール４(1st) までの間で鋳片５表面に付着したモールドフラックスおよび酸化皮膜（これらの混合層６）を除去する。 - 特許庁

To simply and accurately form a spacer part for keeping thickness of a liquid crystal layer (a cell gap) at a fixed interval.例文帳に追加

液晶層の厚み（セルギャップ）を一定間隔に保持するためのスペーサー部を簡便に、かつ精度よく形成することができるカラーフィルターの製造方法の提供。 - 特許庁

An insulative second antiferromagnetic layer 41 is provided on a multilayer film 23 at a specified interval in the direction of the width of a track (track width Tw).例文帳に追加

多層膜２３上にはトラック幅方向に所定の間隔（トラック幅Ｔｗ）を開けて、絶縁性の第２反強磁性層４１が設けられている。 - 特許庁

P-type isolation regions 13 are provided inside the N-type diffusion layer 14 extending in a certain direction and separated from each other by a certain interval.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１４内に、複数のＰ型の分離領域１３が、一方向に延在し、互いに一定の距離を隔てて平行に形成される。 - 特許庁

The superabrasive grain layer forming the row is desirably arranged at a proper interval by taking into consideration the particle size of the superabrasive grain, a kind of workpiece, and a work condition.例文帳に追加

列をなした超砥粒層は、超砥粒の粒径、工作物の種類、加工条件などを考慮し、適切な間隔をあけて設けることが好ましい。 - 特許庁

The thickness of the TiN layer can be controlled by controlling the time interval of the annealing processes and the pressure of nitrogen in an annealing tool.例文帳に追加

このＴｉＮ層の厚さはアニール過程の時間期間を制御することと、アニールツール内の窒素の圧力を制御することで制御することができる。 - 特許庁

The breakdown voltage BV is specified, by introduction of this principle, with the interval d between the high concentration p-type conductive layers 3, 4 in the low concentration n-type conductive layer 2.例文帳に追加

この原理を採用して降伏電圧BVを低濃度ｎ型導電層２における高濃度ｐ型導電層３，４の間隔ｄによって規定する。 - 特許庁

The thin-film element 102 and a first insulating layer 103 are arranged on a substrate 101 at an interval in a surface direction of the substrate 101, a second insulating layer 104 is arranged astride the thin-film element 102 and the first insulating layer 103, and the second insulating layer 104 is arranged between the thin-film element 102 and the first insulating layer 103.例文帳に追加

基板１０１上に薄膜素子１０２と第一の絶縁層１０３とが基板１０１の面方向に間をあけて配設され、薄膜素子１０２および第一の絶縁層１０３にまたがって第二の絶縁層１０４が配設されると共に、第二の絶縁層１０４が薄膜素子１０２と第一の絶縁層１０３との間に配設される。 - 特許庁

In the wafer 10, intervals d1-d3 of the modified region R in respective groups of modified regions Ga-Gc differ, an interval d1 in the group of modified regions Ga on the lowest layer is maximized, and an interval d3 in the group of modified regions Gc on the highest layer is minimized (d1>d2>d3).例文帳に追加

ウェハ１０では、各改質領域群Ｇａ〜Ｇｃにおける改質領域Ｒの間隔ｄ１〜ｄ３が異なり、最下層の改質領域群Ｇａの間隔ｄ１が最も大きくなり、最上層の改質領域群Ｇｃの間隔ｄ３が最も小さくなるように設定されている（ｄ１＞ｄ２＞ｄ３）。 - 特許庁

This light transmission touch panel is configured of a colored upper substrate 11 whose lower face is formed with an upper conductive layer 2 and a lower substrate 3 whose upper face is formed with a lower conductive layer 4 faced to the upper conductive layer 2 with a predetermined interval.例文帳に追加

下面に上導電層２が形成されると共に着色された上基板１１と、上面に上導電層２と所定の間隙を空けて対向する下導電層４が形成された下基板３から光透過性タッチパネルを構成するものである。 - 特許庁

The interval between the radiation conductor layers 3, 4 whose resonance frequencies differ from each other and the ground conductor layer 9 is set to be narrow for the first radiation conductor layer 3 compatible with the high frequency band, and wide for the second radiation conductor layer 4 compatible with the low frequency band.例文帳に追加

共振周波数が異なる各放射導体層３，４と接地導体層９との間隔を、高域周波数帯に対応する第１放射導体層３では狭く、低域周波数帯に対応する第２放射導体層４では広く設定しておく。 - 特許庁

To improve light-emitting efficiency by uniformalizing a thickness of a light-emitting layer while an interval between pixel regions is set to be small by providing a pixel regulation layer (an insulation inorganic film) around a bank, in an organic EL device containing an organic light-emitting layer formed in coating.例文帳に追加

塗布形成される有機発光層を含む有機ＥＬデバイスにおいて、バンクの周りに画素規制層（絶縁性無機膜）を設けて画素領域間の間隔を小さくしつつ、発光層厚の均一化を図ることにより、発光効率を向上させる。 - 特許庁

Exhaust gas is passed in alternate normal and reverse direction through a catalytic layer filled with a denitration catalyst supporting transition metal on refractory inorganic oxide, and a time interval of switching of the passing direction is varied in dependence on the temperature of the catalytic layer or of outlet gas of the catalytic layer.例文帳に追加

耐火性無機酸化物に遷移金属を担持した脱硝触媒を充填した触媒層に、正逆交互に排ガスを流通し、かつ触媒層あるいは触媒層の出口ガスの温度に基づいて、流通方向を切り替える時間間隔を変化させる。 - 特許庁

In this semiconductor device, a defect detecting conductor wiring 1 is formed on the topmost layer 3a in multilayer wiring structure, and then conductor wirings 10, 11, 12 are formed on the topmost layer 3a in multilayer wiring structure or the second layer 3b at a minimum design interval capable of adjacently patterning.例文帳に追加

多層配線構造の最上層３ａに欠陥検出用導体配線１を形成し、それに隣接してパターニング可能な最小設計間隔で多層配線構造の最上層３ａ又は２層目３ｂに導体配線を１０、１１、１２を形成する。 - 特許庁

Semiconductor chips are connected to a plurality single-layer wiring interposers sequentially and hierarchically, the interval of an outer bump pad on the single-layer wiring interposer is set to an integer times of the electrode pitch of the semiconductor chip, and the wiring pattern of each single-layer wiring interposer is simplified.例文帳に追加

半導体チップと複数の単層配線インターポーザを順次階層的に接続し、単層配線インタポーザ上のアウターバンプパッドの間隔を半導体チップの電極ピッチの整数倍として、それぞれの単層配線インターポーザの配線パターンを単純化する。 - 特許庁

Semiconductor layers of different kinds (In_0.53Al_0.17Ga_0.30As layer 104a-1 and Al_0.53Ga_0.65As_0.51Sb_0.49 layer 104a-2) forming a hetero junction belonging to a type II for every predetermined interval in a waveguide direction of an active layer 104 are alternately arranged.例文帳に追加

活性層１０４の導波方向において所定間隔毎にタイプIIに属するヘテロ接合を形成する異種の半導体層（Ｉｎ_０．５３Ａｌ_０．１７Ｇａ_０．３０Ａｓ層１０４ａ−１とＡｌ_０．５３Ｇａ_０．６５Ａｓ_０．５１Ｓｂ_０．４９層１０４ａ−２と）を交互に配列する。 - 特許庁

This interval holding member 1 reinforces the ground of the spraying face of slope by fixing and spraying the mesh 2, for example, used lath wire gauze at a fixed interval by leaving the ground to fix the mesh 2 to an intermediate section of the spraying layer 5 in order to provide effect of aggregate.例文帳に追加

この間隔保持材１は網２例えば使用したラス金網を一定の間隔で基盤から離して固定し吹付けすることにより、網２は吹付層５の中庸部位に固定され骨材の効を奏して吹付法面の基盤をより強化する。 - 特許庁

An SG pattern 11a is provided around an outer-most layer of a printed circuit board 11 to connect the SG pattern 11a and a frame ground of a casing 31 by earth plates 21 so that an interval of connecting points becomes shorter than a prescribed interval determined from a wavelength of a signal.例文帳に追加

プリント基板１１最外層の周囲にＳＧパターン１１ａを設け、ＳＧパターン１１ａと筐体３１のフレームグランドとを、アース板２１により接続点の間隔を信号の波長で定まる所定間隔より短く接続する。 - 特許庁

In the liquid crystal device, the thickness of the coloring layer 7 is made thinner in a second region of a reflective region than in a first region of a transmissive region and a multigap layer 3 for narrowing the interval of the liquid crystals is provided.例文帳に追加

液晶表示装置で、反射領域となる第２領域では、透過領域となる第１領域よりも、着色層７の厚さを薄くし、液晶セルの間隔を狭めるマルチギャップ層３を設ける。 - 特許庁

The ratio of the thickness to the width of the coil wire of the planar coil buried between the lower magnetic layer and the upper magnetic layer is set to 0.8 or over, and the ratio of the interval between coil wires to the width of the coil wire is set to 0.2 or over.例文帳に追加

下部磁性層と上部磁性層との間に埋設した平面コイルのコイル線の幅に対する厚さの比を 0.8以上にすると共に、コイル線の幅に対するコイル線間隔の比を 0.2以上にする。 - 特許庁

To form a fine resist pattern consisting of a photosensitive material layer by preventing spread of exposure light caused by scattered light from a surface of a conductor layer, and as a result, to obtain a desired fine wiring interval.例文帳に追加

導体層の表面からの散乱光で露光光が広がることを防止することで、感光性材料層からなる微細なレジストパターンを形成することができ、ひいては、所望の微細な配線間隔を得ること。 - 特許庁

To provide a wiring layer formation method which can increase the surface flatness of a wiring layer and also eliminates a composition which changes a magnetic field in an extended wiring interval region, and a semiconductor device manufacturing method.例文帳に追加

配線層の表面の平坦度を高めることができ且つ配線間隔が広い領域において磁界を変動させる構成を無くした配線層の形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A metallization layer 27 is formed on the outer surface of the lower insulating substrate 21 of the thermoelectric module 20 and degassing through holes 29 penetrating the lower insulating substrate 21 and the metallization layer 27 are provided at a specified interval.例文帳に追加

そして、この熱電モジュール２０の下側絶縁基板２１の外側の面にメタライズ層２７を形成し、下側絶縁基板２１とメタライズ層２７とを貫通するガス抜き用の貫通孔２９を所定間隔で設けた。 - 特許庁

A transparent conductive oxide layer 19 is set as an anode, and a probe 21 of an atomic force microscope is placed with a predetermined interval from a surface of the transparent conductive oxide layer 19, which is set as a cathode.例文帳に追加

透明導電性酸化物層１９を陽極とし、透明導電性酸化物層１９の表面から所定の間隔を隔てて原子間力顕微鏡の探針２１を設置しこれを陰極とする。 - 特許庁

The anchor parts 2a extend from the mortal layer 2 to the fitting holes 1a in the heat insulation layer 1, respectively, and are fit and joined in the fitting holes 1a, respectively, thus facing the separator 4 in a direction of the concrete form interval L or in a width direction of the concrete form.例文帳に追加

アンカー部２ａは、モルタル層２から断熱層１の嵌合穴１ａに伸びて嵌合穴１ａに嵌合及び接合すると共に、セパレータ４と型枠間隔Ｌの型枠厚さ方向に対向している。 - 特許庁

An interval L2 between the bottom surfaces of the adjacent recesses 28 is not more than 0.7 times larger than the thickness L1 of the buffer layer 6, thus forming the buffer layer 6 successively in depth separated from the bottom surface of the recess by a fixed distance.例文帳に追加

隣接する凹部２８の底面同士の間隔Ｌ２は、バッファ層６の厚みＬ１の０．７倍以下であるため、バッファ層６は凹部底面から一定距離だけ隔てた深さに連続して形成される。 - 特許庁

An upper layer part of the sacrifice layer is etched to form recessed parts 58 of a width the same as the width of the ribbon member at intervals same as the intervals of the ribbon members, and projecting parts 60 of a width the same as the interval of the ribbon members are also formed.例文帳に追加

犠牲層の上層部をエッチングして、リボン部材の幅と同じ幅の凹部５８をリボン部材の間隔と同じ間隔で形成すると共に、リボン部材の間隔と同じ幅の凸部６０を形成する。 - 特許庁

The second semiconductor layer 20b has a width in the gate length direction narrower than an interval between the gate electrode 24 and each of the ohmic electrodes 22, 23, and has a surface level density lower than that of the first semiconductor layer 19.例文帳に追加

第２の半導体層２０ｂは、ゲート電極２４とオーミック電極２２、２３との間隔よりもゲート長方向の幅が狭く且つ第１の半導体層１９と比べて表面準位密度が低い。 - 特許庁

A source electrode 5 and a drain electrode 6 are formed at an interval on a substrate 1, and a semiconductor layer 4 is formed of an oxide semiconductor layer on those source electrode 5, drain electrode 6, and substrate 1.例文帳に追加

基板１上にソース電極５及びドレイン電極６を間隔をあけて形成し、次いでこれらソース電極５、ドレイン電極６及び基板１の上に、酸化物半導体層よりなる半導体層４を形成する。 - 特許庁

This thin film recording head is provided with a first magnetic core layer 34 and a second magnetic core layer 31 successively stacked with an interval on a slider and a coil part 36 arranged between the first and second magnetic core layers 31 and 34.例文帳に追加

スライダ上に間隔をあけて順に積層された、第１の磁気コア層３４と、第２の磁気コア層３１と、第１および第２の磁気コア層３１、３４の間に配置されたコイル部３６とを有する。 - 特許庁