「layer interval」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

An organic semiconductor device comprises an organic semiconductor layer which constitutes an active layer of the organic semiconductor thin film transistor and has an electric field effect mobility; source-drain electrodes formed in the organic semiconductor layer; and an organic compound molecular layer for controlling the threshold voltage formed in the organic semiconductor layer at the source-drain electrodes in piles, and forming a charge transfer interface at an interval to the semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体薄膜トランジスタの活性層を構成し、電界効果移動度を有する有機半導体層と、有機半導体層に形成されたソース、ドレイン電極と、ソース・ドレイン電極間の該有機半導体層に重ねて形成され、有機半導体層との間において電荷移動界面を形成するしきい値電圧制御用有機化合物分子層を備えたことを特徴とする有機半導体装置によって解決される。 - 特許庁

A pilot signal inserting interval acquisition section 3 acquires an optimum inserting interval of a pilot signal (known reference signal) in a transmission path with respect to a prescribed wireless communication apparatus on the basis of a signal supplied via an antenna 9 and a reception RF section 1 or information supplied from a host layer.例文帳に追加

パイロット信号挿入間隔取得部３は、アンテナ９及び受信ＲＦ部１を経由して供給される信号、又は、上位レイヤから供給される情報から、所定の無線通信装置との伝送路において最適なパイロット信号（既知参照信号）の挿入間隔を取得する。 - 特許庁

Spacers 15 are disposed only in a display region 90A in which no TFT elements and the like are formed on a substrate 10 and which is provided with a comparatively flat surface in an interval between the substrate 10 and a substrate 20 having a liquid crystal layer 50 interposed therebetween, and the interval between the substrate 10 and 20 is held via the spacer 15.例文帳に追加

液晶層５０を挟持する基板１０，２０間において、基板１０上にＴＦＴ素子等が形成されず、比較的平坦な面を備える表示領域９０Ａにのみペーサー１５を配設し、このスペーサー１５を介して基板１０，２０間の間隔を保持する構成とする。 - 特許庁

The interval of the columnar electrodes 12 arranged on the third virtual circulating line from the inner side is such an interval that two of the upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first and second virtual circulating lines from the inner side can be put around.例文帳に追加

内側から３番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２の間隔は、内側から１番目及び２番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２から引き出された上層配線１８を２本引き回すことができる間隔となっている。 - 特許庁

The composite electrode has a plate-like conductor 12, auxiliary electrodes stood on a plate-like conductor surface, and an active substance layer 16 formed between auxiliary electrodes, and a center interval or interval of opposed auxiliary electrodes is (h) to 2h, where (h) is a height of the auxiliary electrodes.例文帳に追加

複合体電極は、板状導電体１２、板状導電体面に立設された補助電極、補助電極の間に形成された活物質層１６を有し、補助電極の高さがｈである時、対向する補助電極の中心間隔又は間隔がｈ以上、２ｈ以下である。 - 特許庁

The interval of the columnar electrodes 12 arranged on the fourth virtual circulating line from the inner side is such an interval that three of the upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first, second and third virtual circulating lines from the inner side can be put around.例文帳に追加

内側から４番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２の間隔は、内側から１番目、２番目及び３番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２から引き出された上層配線１８を３本引き回すことができる間隔となっている。 - 特許庁

In this case, the interval of the columnar electrodes 12 arranged on the second virtual circulating line from the inner side is such an interval that one of upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first virtual circulating line from the inner side can be put around.例文帳に追加

この場合、内側から２番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２の間隔は、内側から１番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２から引き出された上層配線１８を１本引き回すことができる間隔となっている。 - 特許庁

The cord of the auxiliary belt layer 7 is made by organic fiber with 10-15% of dry heat shrinkage ratio, and includes a weft intersecting the cord of the auxiliary belt layer 7, thus cutting the weft at a plurality portions in the tire circumferential direction at a roughly constant interval.例文帳に追加

補助ベルト層７のコードが乾熱収縮率１０〜１５％の有機繊維からなり、かつ、補助ベルト層７のコードと交差する緯糸を含み、かつ、緯糸がタイヤ周方向の複数箇所でほぼ一定間隔にて切断されている。 - 特許庁

A second wiring group includes a plurality of rectangular copper wirings Lc2 that are laid on the second copper wiring layer adjacent to the first copper wiring layer in parallel at a predetermined interval d2 and extended in a second direction perpendicular to the first direction.例文帳に追加

第２配線群は、第１の銅配線層と隣接する第２の銅配線層に、所定の間隔ｄ２を空けて並列に敷設され、第１の方向と垂直な第２の方向に延伸する短冊状の複数の銅配線Ｌｃ２を含む。 - 特許庁

Next, a laser beam 5 having an irradiation diameter corresponding to a predetermined rib width is radiated to the insulation layer 4 at a predetermined rib interval while scanning it at a speed at which only the surface of the insulation layer 4 is thermally set, so that the upper part of a part to be formed into ribs is thermally set.例文帳に追加

次に絶縁層４に、所定のリブ幅に対応させた照射径のレーザー光５を、所定のリブ間隔で、絶縁層４の表面のみが熱硬化する速度で走査しつつ照射して、リブとなる部分の上部を熱硬化させる。 - 特許庁

By forming the holding projections 10 having approximately the same length at a predetermined interval in contact with the tops of convex portions of the wrinkle-like concavo-convex layer 6, the thickness of a liquid crystal layer 12 can be easily controlled to the thickness of a design value.例文帳に追加

ほぼ同じ長さに形成された保持用突起部１０を皺状凹凸層６の凸部上に接するように所定の間隔で形成することにより、液晶層１２の厚さを設計値通りの厚さに容易に制御することができる。 - 特許庁

A cavity 60 having the interval dimension corresponding to the thickness dimension from the resin molded layer of a laminated product to the gigged layer 4 of the skin material 2 is constituted between the molding surfaces 41, 51 of a pair of the molds 40, 50.例文帳に追加

その型閉じ状態において、一対の成形型４０、５０の成形面４１、５１の間には、積層品１の樹脂成形層５から表皮材２の起毛層４までの厚さ寸法に対応する間隔寸法を有するキャビティ６０が構成される。 - 特許庁

A power semiconductor device includes a plurality of trenches 4, which is installed in a first base layer 1 of a first conductive type having an interval, in such a way to divide a main cell MR and dummy cell DR at a position separated from a collector layer 3 of a second conductive type.例文帳に追加

電力用半導体装置は、第２導電型のコレクタ層３から離間した位置で、メインセルＭＲとダミーセルＤＲとを区画するように間隔をおいて第１導電型の第１ベース層１内に配設された複数のトレンチ４を含む。 - 特許庁

An insulating layer 13 and a cap film 14 that are disposed with an interval from a movable electrode 12 so as to cover the movable electrode 12 are formed on an interlayer insulating layer 8, voids U are formed around the movable electrode 12, a conductive layer 15a is formed on the cap film 14, a redistribution line 15b is formed on the interlayer insulating layer 8, and a transmission line is configured with the conductive layer 15a.例文帳に追加

可動電極１２を覆うようにして可動電極１２と間隔を空けて配置された絶縁層１３およびキャップ膜１４を層間絶縁層８上に形成し、可動電極１２の周囲には空洞Ｕを形成し、キャップ膜１４上には導電層１５ａを形成するとともに、層間絶縁層８上には再配線１５ｂが形成され、導電層１５ａにて伝送線路を構成する。 - 特許庁

This display device is provided with a light transmissive insulating base 2, a pair of electrodes 3 formed at a prescribed interval on one surface of the insulating base 2, a dielectric layer 4 formed on at least one electrode of the pair of electrodes, a light emitter layer 5 formed on the dielectric layer and a light transmissive sealing layer 6 formed on the light emitting layer.例文帳に追加

光透過性を有する絶縁性基体２と、前記絶縁性基体２の一方の面上に所定間隔をもって形成された一対の電極３と、前記一対の電極のうち少なくとも一方の電極上に形成された誘電体層４と、前記誘電体層上に形成された発光体層５と、前記発光体層上に形成された光透過性を有する封止層６とを備えている。 - 特許庁

A light shielding layer 24 is formed on a position with a prescribed interval along the outer side of the peripheral edge of a lower light shielding film 22 between the lower light shielding film 22 and a semiconductor film 25.例文帳に追加

下部遮光膜２２と半導体膜２５の間に、下部遮光膜２２の周縁部の外側に沿って所定の間隔をあけた位置に該当する位置に、遮光層２４を設けた。 - 特許庁

The unevenness of the etching can be prevented by carrying out the etching divided into a plurality of times and by carrying out the cleaning to remove bubbles on the surface of the phosphorous semiconductor layer in an interval of etching.例文帳に追加

エッチングを複数回にわけて実行し、エッチングの合間にリン系半導体層表面の気泡を除去する洗浄を行うことでエッチングムラを防止することもできる。 - 特許庁

A first conductive type of second impurity diffusion region 5 is disposed in the first layer 12 at an interval in an in-plane direction from the first impurity diffusion region 13.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域１３から、面内方向にある間隔を隔てて、第１の層１２内に第１導電型の第２の不純物拡散領域５が配置されている。 - 特許庁

At the time, lens interval of the beam expander is controlled so that wave front aberration during convergence to the object recording layer is within an allowable range based on an output signal of a light receiver PD.例文帳に追加

このとき、受光器ＰＤの出力信号に基づいて、対象記録層に集光するときの波面収差が許容範囲内となるようにビームエキスパンダのレンズ間隔が制御される。 - 特許庁

The grid pattern plate is arranged on an upper part of the bottom surface part, and the attenuation material layer has at least two zones positioned on places having each different interval from the grid pattern.例文帳に追加

前記格子パターン板は、前記底面部の上部に配置され、前記減衰材料層は、前記格子パターンから異なる間隔のところに位置する少なくとも２つのゾーンを有する。 - 特許庁

A bit line BL of a tungsten film, for example, and a first layer interconnection are then buried in the interconnection trenches 18 having an interval limited by the side wall spacer 19.例文帳に追加

サイドウォールスペーサ１９でその間隔が狭められた配線溝１８内に、たとえばタングステン膜からなるビット線ＢＬおよび第１層配線を配線溝１８に埋め込んで形成する。 - 特許庁

A foamed layer is formed by supplying the resin-foamable stock solution P between a pair of surface materials 2 and 3 which are arranged in an opposed state at a mutual interval, so that the laminate panel can be continuously manufactured.例文帳に追加

互いに間隔を空けて対向配置された一対の表面材２，３間に、樹脂発泡原液Ｐを供給させて発泡層を形成して連続的にラミネートパネルを製造する。 - 特許庁

The metal nanoparticle layer PM has a structure wherein metal domains of Au, Ag, Al, etc. are formed as fine nanoparticles at a proper interval in the direction crossing a laminating direction at a right angle.例文帳に追加

金属ナノ粒子層ＰＭは、積層方向と直行する方向に、ナノ微粒子としてＡｕ，Ａｇ，Ａｌなどの金属ドメインを、適当な間隔で形成した構造となっている。 - 特許庁

To suppress reduction of a degree of circuit integration by the enlargement of the interval of signal lines, and by inserting a shield line or a shielding layer between the signal lines, and to prevent malfunctions of the circuit due to noise.例文帳に追加

信号配線間隔の拡大や信号配線間へのシールド線またはシールド層の挿入による回路集積度の低下をきたすことなく、ノイズによる回路誤動作を防止する。 - 特許庁

Besides they are stuck by using a sealant in at their peripheral circumferences so as to keep a gap at a specified interval and a polymer liquid crystalline material is injected into the gap to form a liquid crystal layer 8.例文帳に追加

そして、一定間隙を保持するように周囲でシール剤７により貼着され、その一定間隙にはポリマー液晶材料が注入されて液晶層８が設けられている。 - 特許庁

An interval between the boundary surface of the information recording layer 2B and or the surface having the grooves or pits for tracking and a medium surface on the laser beam- incident side is 0.05 to 0.1 mm.例文帳に追加

情報記録層２Ｂの境界面および／またはトラッキング用の溝あるいはピットを有する面と、レーザ光入射側の媒体表面との間隔は０．０５〜０．１ｍｍ。 - 特許庁

A first wiring group includes a plurality of rectangular copper wirings Lc1 that are laid on the first copper wiring layer in parallel at a predetermined interval d1 and extended in a first direction.例文帳に追加

第１配線群は、第１の銅配線層に所定の間隔ｄ１を空けて並列に敷設され、第１の方向に延伸する短冊状の複数の銅配線Ｌｃ１を含む。 - 特許庁

Chip electrodes 37 to 39 are formed on the ground wire layer 36 at an equal interval, and one of the chip electrodes is connected to a bonding electrode 34 via a bonding wire 47.例文帳に追加

グランド配線層３６には、チップ電極３７〜３９が等間隔で形成されており、いずれか１つのチップ電極が、ボンディングワイヤ４７を介してボンディング電極３４に接続されている。 - 特許庁

When peaks of the echo wave 10 appear at a time interval (t) corresponding to the thickness of the iron portion 7 of the cast-iron pipe 1, the lining layer 8 and the iron portion 7 are determined to be sound.例文帳に追加

鋳鉄管１の鉄部７の厚みに対応する時間ｔの間隔でエコー波１０のピークが現れたときに、ライニング層８および鉄部７が健在であると判定する。 - 特許庁

To realize a magnetic recording and reproducing device having high recording density and reduced deterioration of properties due to a short circuit between a magneto-resistance effect film and a magnetic shield layer even when a shield interval is narrowed.例文帳に追加

シールド間隔を狭くした場合にも磁気抵抗効果膜と磁気シールド層の短絡による特性劣化を少なくし、高い記録密度の磁気記録再生装置を実現する。 - 特許庁

A heat transfer plate 50 is brought into contact with the driving circuit 37, and faces against a yellow ink storing room 44 formed on the lowermost layer of the ink tank 40, and is arranged at a certain interval.例文帳に追加

伝熱板５０は、駆動回路３７と接触していて、インクタンク４０の最下層に形成されているイエローインク貯留室４４と対向し、間隔をおいて配置されている。 - 特許庁

This display includes first wiring 24 and second wiring 26 arranged in parallel separately at an interval, a conductive layer 30 arranged at a position overlapping the first wiring 24 and the second wiring 26, and an insulating layer 32 interposed between the first wiring 24 and second wiring 26 and the conductive layer 30.例文帳に追加

表示装置は、隣同士の間隔をあけて並列する第１配線２４及び第２配線２６と、第１配線２４及び第２配線２６と重なる位置に配置された導電層３０と、第１配線２４及び第２配線２６と導電層３０との間に介在する絶縁層３２と、を有する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor includes a substrate and a photosensitive layer disposed on the substrate, wherein a surface layer contains fluorine-containing polymer particles and a dispersion aid for the fluorine-containing polymer particles, and the surface layer has convex portions with diameters of from 200 μm to 500 μm spaced at an average interval of from 600 μm to 950 μm.例文帳に追加

電子写真感光体は、支持体と、前記支持体上に設けられた感光層とを備え、表面層がフッ素含有樹脂粒子及び該フッ素含有樹脂粒子の分散助剤を含み、表面に直径が２００μｍ以上の凸部を６００μｍ以上９５０μｍ以下の平均間隔で有する。 - 特許庁

Especially, the retardation layer is provided at a position corresponding to the reflection display region between the liquid crystal layer and a second polarizing plate on the CF substrate side and the spacer for regulating the interval between the element substrate and the CF substrate is provided in a region which is not two-dimensionally superposed on the soft retardation layer of the CF substrate.例文帳に追加

特に、位相差層は、液晶層とＣＦ基板側の第２の偏光板との間において、反射表示領域に対応する位置に設けられ、ＣＦ基板であって、材質的に柔らかな位相差層と平面的に重ならない領域には、素子基板とＣＦ基板の間隔を規定するためのスペーサが設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: an n-type epitaxial layer 2; a trench 3 formed on the n-type epitaxial layer 2, where an embedded electrode 5 is provided inside; and a p^+-type impurity region 2a formed at a prescribed region at the upper surface side of the n-type epitaxial layer 2 with a prescribed interval to the trench 3 when viewed in plan view.例文帳に追加

この半導体装置は、ｎ型エピタキシャル層２と、このｎ型エピタキシャル層２に形成され、内部に埋め込み電極５が設けられたトレンチ３と、ｎ型エピタキシャル層２の上面側の所定領域に、平面的に見て、トレンチ３と所定の間隔を隔てて形成されたｐ^+型不純物領域２ａとを備えている。 - 特許庁

The first transistor portion 11 includes a group-III nitride semiconductor layer structure including a heterojunction, a source electrode 5 and a drain electrode 7 disposed at an interval on the group-III nitride semiconductor layer structure, a gate electrode 6 having a field plate 91, and an insulator layer 8 disposed to cover the drain electrode 7.例文帳に追加

第１のトランジスタ部１１は、ヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造、III族窒化物半導体層構造上に間隔をおいて配置されたソース電極５およびドレイン電極７、フィールドプレート９１を有するゲート電極６、ドレイン電極７を被覆するように配置された絶縁体層８を有する。 - 特許庁

In particular, the retardation layer is formed at position corresponding to the reflective display area between the liquid crystal layer and a second polarizing plate on the side of the CF substrate, and the spacers, prescribing the interval between the element substrate and CF substrate, are positioned in an area which do not overlap the materially soft retardation layer in a plane.例文帳に追加

特に、位相差層は、液晶層とＣＦ基板側の第２の偏光板との間において、反射表示領域に対応する位置に設けられ、ＣＦ基板であって、材質的に柔らかな位相差層と平面的に重ならない領域には、素子基板とＣＦ基板の間隔を規定するためのスペーサが設けられている。 - 特許庁

This panel 1 is constituted by attaching the inner layer board 3 to a panel frame 2 provided with five vertical sash bars 6, etc. at an interval by restraining its both side parts inward from a side face part position of the panel frame and attaching the outer layer board 4 to the panel frame 2 by restraining its both side parts inward from a side face part position of the inner layer board.例文帳に追加

パネル１は、５本の縦桟６…が間隔的に備えられたパネルフレーム２に対し、内層ボード３がその両側部をいずれもパネルフレームの側面部位置から内方に控えさせて取り付けられ、外層ボード４がその両側部をいずれも内層ボードの側面部位置から内方に控えさせて取り付けられたものである。 - 特許庁

The nitride semiconductor device includes a semiconductor-layer laminate 102 formed on a substrate 101, a first ohmic electrode 131 and a Schottky electrode 132 formed on the semiconductor-layer laminate 102 with an interval in-between, and a passivation film 141 covering the semiconductor-layer laminate 102.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、基板１０１の上に形成された半導体層積層体１０２と、半導体層積層体１０２の上に互いに間隔をおいて形成された第１のオーミック電極１３１及びショットキー電極１３２と、半導体層積層体１０２の上を覆うパッシベーション膜１４１とを備えている。 - 特許庁

This gas sensor 1 is equipped with the cylindrical main metal fitting 2; the detection element 25 inserted into the main metal fitting 2 and fixed thereto; and the first sealing layer 51A, the second sealing layer 51B and the third sealing layer 51C filled between the main metal fitting 2 and the detection element 25, for sealing the interval.例文帳に追加

ガスセンサ１は、筒状の主体金具２と、主体金具２に挿入され固定された検出素子２５と、主体金具２と検出素子２５との隙間に充填され、これらの間を封止する第１充填封止層５１Ａ，第２充填封止層５１Ｂ，第３充填封止層５１Ｃとを備える。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor comprises an organic photosensitive layer and one or more inorganic thin film layers layered in this order on a conductive substrate, wherein the organic protective layer in the one or more inorganic thin film layers, directly formed on the organic photosensitive layer, has cracks distributed at an interval of ≥1 μm to ≤10 mm.例文帳に追加

導電性基体上に、有機感光層と１層以上の無機薄膜層とがこの順に積層されて構成され、前記１層以上無機薄膜層のうちの有機感光層上に直接設けられた無機保護層が、１μｍ以上１０ｍｍ以下の間隔で散在するクラックを有する電子写真感光体である。 - 特許庁

In a disk-like ultrathin cut blade 1 made of a single layer or multi-layer grain layer 2, a plurality of recessed parts 5 for clearance grooves extending from the outer peripheral edge in the central direction are formed circumferentially at a predetermined interval in at least the outer peripheral regions of both surfaces.例文帳に追加

本発明は、単層若しくは多層の砥粒層２からなる円盤状の極薄切断ブレード１において、両表面の少なくとも外周領域に、外周縁から中心方向に延びる逃げ溝用の凹部５が、円周方向に所定間隔を有して複数形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁

A circuit module (A) includes a plurality of high heat conduction layers 2, 3 formed at an interval on a lowest surface, that becomes a mounting surface of a resin layer 1 comprising a module substrate, a heating component 4 is mounted on the one high heat conduction layer 2, and a component 5 having a great temperature characteristic variation is mounted on the other high heat conduction layer 3.例文帳に追加

回路モジュールＡは、モジュール基板を構成する樹脂層１の実装面となる最下面に間隔をあけて形成された複数の高熱伝導層２，３を有し、一方の高熱伝導層２の上に発熱部品４が搭載され、他の高熱伝導層３の上に温度特性変動の大きな部品５が搭載される。 - 特許庁

Provided is the image forming method using the developing roller having relation; 10R≤Sm≤30R and R/5≤Ra≤R/2 wherein roughness imparting particles are contained in a resin layer and an interval between the roughness imparting particles in the resin layer is Sm, the average center line roughness of the resin layer is Ra, and the volume reference median diameter of the toner is R.例文帳に追加

粗さ付与粒子を樹脂層中に含有し、樹脂層の粗さ付与粒子の間隔をＳｍ、樹脂層の平均中心線粗さをＲａ、トナーの体積基準メディアン径をＲとしたとき、１０Ｒ≦Ｓｍ≦３０Ｒ、Ｒ／５≦Ｒａ≦Ｒ／２の関係を有する現像ローラを用いる画像形成方法。 - 特許庁

At the forming of the counter electrodes, an adhesive layer 105 including powder silicon oxide as main components and boron or phosphorus with high concentration is accumulated at the interval part and peripheral supporting part of the counter electrodes 101 and 103, and two substrates forming the counter electrodes are adhered, and then the adhesive layer of the counter electrode interval part 104 is removed so that the counter electrode structure can be formed.例文帳に追加

対向電極を形成する際に、対向電極１０１，１０３の間隙部および周辺支持部に粉体酸化珪素を主成分とし硼素またはリンを高濃度に含む接着層１０５を堆積し、対向電極を形成する２枚の基板を接着した後、対向電極間隙部１０４の接着層を取り去ることによって、対向電極構造を形成する。 - 特許庁