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layer substrateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 39496



例文

The pattern forming material formed on a substrate has first and second reaction layers reacted mutually by heating to be expanded in volume and a third reaction layer expanded in volume by heating.例文帳に追加

基板上に形成されたパターン形成材料であって、加熱されることにより、相互に反応して体積が膨張する第1の反応層および第2の反応層と、加熱されることにより、体積が膨張する第3の反応層と、を有することを特徴とするパターン形成材料。 - 特許庁

To acquire high frequency characteristics, high output characteristics and super power characteristics by preventing a leakage current generated between a substrate and a semiconductor layer and further easily forming a via hole, in a semiconductor device which comprises a III-V nitride semiconductor and has a via hole structure.例文帳に追加

III-V族窒化物半導体からなりバイアホール構造を有する半導体装置において、基板と半導体層との間に生じる漏れ電流を防止すると共にバイアホールの形成を容易にして高周波特性、高出力特性及び大電力特性を得られるようにする。 - 特許庁

A magneto-resistive layer 15 is formed on one surface, to which a conductive member of a supporting substrate 13 consisting of an insulating member 12 and a conductive member 11 surrounded by the insulating member is exposed, and also on the surface at a magnetic recording medium 14 side of the thin-film magnetic head.例文帳に追加

磁気抵抗効果層15が、絶縁性部材12と、周囲を絶縁性部材によって囲まれた導電性部材11とからなる支持基体13の導電性部材が表出する一面上で、かつ薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体14側の面に形成される。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a semiconductor chip, where the electrode part is sequentially formed on an element forming face 15a of a semiconductor substrate 15 via an interlayer insulating film 17, and a conductor member bonded to a Ni layer via a bonding member having electrical conductivity.例文帳に追加

半導体基板15の素子形成面15a上に、層間絶縁膜17を介して、電極部が順に形成された半導体チップと、電気伝導性を有する接合部材を介して、Ni層と接合された導体部材とを備える半導体装置の構造を以下のようにする。 - 特許庁

例文

The semiconductor device includes fully silicified, first gate wiring 19A formed on a semiconductor substrate 10, a first sidewall 21A formed on the side of the first gate wiring 19A, and an impurity diffused layer 14B formed in an active area 12.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板10の上に形成された、フルシリサイド化された第1のゲート配線19Aと、第1のゲート配線19Aの側面上に形成された第1のサイドウォール21Aと、活性領域12に形成された不純物拡散層14Bとを備えている。 - 特許庁


例文

The surface protective film for an optical film includes adhesive layers laminated on one surface of a substrate layer comprising (A) 100 pts.wt. polyolefinic thermoplastic resin and (B) 5-30 pts.wt polyether-based resin having an amide group and/or an imido group in a molecule.例文帳に追加

(A)ポリオレフィン系熱可塑性樹脂100重量部及び(B)分子内にアミド基及び/またはイミド基を有するポリエーテル系樹脂5〜30重量部からなる基材層の片面に、粘着層が積層されていることを特徴とする光学フィルム用表面保護フィルム。 - 特許庁

A carbon nanotube is produced by the method that a primary carbon nanotube is grown on a substrate where a catalytic substance layer is formed and that, after the primary growing, a secondary carbon nanotube is grown on the surface of the primary carbon nanotube utilizing the catalytic substance existing on the surface of the grown primary carbon nanotube.例文帳に追加

触媒物質層が形成された基板に1次カーボンナノチューブを成長させ、1次成長後にカーボンナノチューブの表面に存在する触媒物質を利用して1次カーボンナノチューブの表面に2次カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの製造方法である。 - 特許庁

When insulating wires are laid on the both sides of a substrate, having an inner later circuit formed previously in a multiwire wiring board employing an insulated wire in the required wiring, positioning is made using an inner layer pattern provided only on one side of the inner later circuit.例文帳に追加

必要な配線に絶縁電線を用いたマルチワイヤ配線板において、予め内層回路を形成した基板の両面に絶縁電線を布線する際に、内層回路の片面にのみ設置した内層パターンを用いて位置合わせを行うことを特徴とする位置合わせ方法。 - 特許庁

To provide a resin composition having a small dielectric constant, excellent in pattern accuracy and adhesiveness to a substrate, capable of developing with water or a diluted alkaline solution, and suitable for forming a printed circuit board, a solder resist for IC package or a interlayer dielectric layer or the like, and a photosensitive film using the resin composition.例文帳に追加

パターン精度、基板との密着性に優れ、水又は希アルカリ溶液で現像ができ、プリント配線基板やICパッケージ用のソルダーレジストや層間絶縁層等の形成に適する低誘電率樹脂組成物及びこれを用いた感光性フイルムを提供する。 - 特許庁

例文

To provide a card which is excellent in design property, wherein a layer containing a light condensing fluorescent dye is formed in the card made of transparent substrate, or uneven patterns or characters are formed on the uppermost surface of the card by using a material into which the light condensing fluorescent dye is kneaded.例文帳に追加

本発明は、透明基材からなるカードに集光性蛍光染料を含む層を形成し、または、集光性蛍光染料を練りこんだ材料を使用し、カードの最表面に凹凸による図柄又は文字を形成した意匠性に優れたカードを提供する。 - 特許庁

例文

A polishing slurry containing colloidal silica having an average primary particle diameter of 60 nm or smaller, an acid and water, controlled into a pH range of 0.5 to 4 is used to polish the glass substrate with a polishing pad having a nap layer having a compressibility of 10% or higher and a compressive elastic modulus of 85% or higher.例文帳に追加

平均一次粒子径が60nm以下のコロイダルシリカ、酸および水を含み、pHが0.5〜4の範囲になるように調整してなる研磨スラリーを用いて、ガラス基板をナップ層の圧縮率が10%以上、圧縮弾性率が85%以上である研磨パッドで研磨する。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive tape for liquid crystal panel fixation which can cope with reduction in thickness and weight by realizing good light shielding properties and light reflectivity without forming a halftone (e.g., silver) layer on a substrate and has high reliability by avoiding faults of blocking in a step of pressure-sensitive adhesive application.例文帳に追加

基材に銀色等の中間色層を設けることなく良好な遮光性および光反射性を実現して薄型軽量化に対応するとともに、粘着剤の塗工工程におけるブロッキングの不具合を回避して、信頼性の高い液晶パネル固定用粘着テープを提供する。 - 特許庁

An overcoat layer 17 is applied onto the heating resistor 12, and the thermistor 24 for controlling temperature is electrically connected to wiring conductors 22 and 23 connected to terminal parts 20 and 21 on an opposite side to the side of the insulating substrate 11 where the heating resistor 12 is formed through conductive adhesives 25 and 26.例文帳に追加

発熱抵抗体12上にオーバーコート層17を施し、発熱抵抗体12が形成された絶縁基板11の反対側の端子部20,21に接続された配線導体22,23に温度制御用のサーミスタ24を導電性接着剤25,26で電気的に接続する。 - 特許庁

A Ti film 2 is formed on the surface of an alumina substrate 1, a Cu film 3 is formed in film thickness of 3-4 μm by an electroplating method using the Ti film 2 as a foundation layer, and a spiral inductor element I is formed by the pattern shape of the Cu film 3.例文帳に追加

アルミナ基板1の表面にTi膜2を形成した後、このTi膜2を下地層としてCu膜3を電気メッキ法によって3〜4μmの膜厚に形成し、このCu膜3のパターン形状によって例えば渦巻き形状のインダクタ素子Iを形成する。 - 特許庁

When a TFT array substrate of a reflection type or translucence and half-reflection type electrooptic device is manufactured, an evenness formation layer 14a having holes 13b (unevenness) is formed by exposing and developing photosensitive resin and then an intermediate film and a light-reflecting film for making the uneven shape smooth are formed.例文帳に追加

反射型あるいは半透過・半反射型の電気光学装置のTFTアレイ基板を製造する際、感光性樹脂を露光、現像して、孔13b(凹凸)を備えた凹凸形成層13aを形成した後、凹凸形状を滑らかにするための中間膜、光反射膜を形成する。 - 特許庁

The composite semiconductor substrate includes a silicon board (101) which has a principal plane having a (111) plane orientation and a plurality of protrusions formed thereon, and a nitride semiconductor layer (102) covering the principal plane, wherein an air void (103) is present in a space between each protrusion out of the plurality of protrusions.例文帳に追加

複合半導体基板は、(111)面方位を有しかつ複数の凸部が形成された一主面を有するシリコン基板(101)と、その一主面を覆う窒化物系半導体層(102)とを含み、複数の凸部間に空隙(103)が存在していることを特徴としている。 - 特許庁

A trench region 2 is formed between a source region 7 and a drain region 8 that are formed on a surface layer of a semiconductor substrate 1, an insulator is formed in the trench region 2, and holes are formed in a line in Z direction that intersects X direction (source-drain direction) in the insulator.例文帳に追加

半導体基板1の表面層に形成されたソース領域7とドレイン領域8の間にトレンチ領域2を形成し、トレンチ領域2内に絶縁物を形成し、絶縁物内にX方向(ソース−ドレイン方向)に交差するZ方向に並べて空孔を形成する。 - 特許庁

Consequently, an FET having a body (substrate) contact 216 for deep diffusion regions, i.e., P-type diffusion regions 206, 208, across the total thickness of an island 210 can be formed on the surface of an SOI layer 210 and a passage 211 is left beneath the diffusion regions 206, 208.例文帳に追加

この結果、SOI層210の表面にアイランド210の全厚さにわたる深い拡散領域であるP型拡散領域206、208に対するボディ(基板)コンタクト216を備えたFETを形成することができ、拡散領域206、208の下には経路211が残される。 - 特許庁

A 1st end part 94a of a relay wiring 94 of a double-sided flexible substrate 84 is exposed on the side of a 1st surface 84Sa, and a 2nd end part 94b of the relay wiring 94 is exposed on the side of a 2nd surface 84Sb of an insulating layer 84I.例文帳に追加

両面フレキシブル基板84の中継配線94の第1端部94aは絶縁層84Iの第1表面84Saの側に露出しており、中継配線94の第2端部94bは絶縁層84Iの第2表面84Sbの側に露出している。 - 特許庁

The plasma display is manufactured by the manufacturing method of the plasma display panel in which on a barrier rib material coating film installed on a glass substrate, a glass containing material to form a step forming layer is formed at a position of the vertical barrier rib in a stripe shape, and patterning of the lattice-shaped barrier rib is carried out afterwards.例文帳に追加

ガラス基板上に設けられた隔壁材料塗膜上に、段差形成層となるガラス含有材料を縦隔壁位置にストライプ状に形成し、その後格子状の隔壁をパターニングすることを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの製造方法により製造する。 - 特許庁

The optical thin film laminate has metallic gloss giving layers 2a, 2b, and 2c and dielectric layers 3a, 3b, and 3c laminated on the surface of a substrate 1, and the metallic gloss giving layers 2a, 2b, and 2c include layers including one electrically non-conductive metal layer.例文帳に追加

基板1の表面上に金属光沢付与層2a、2b、2cと、誘電体層3a、3b、3cが積層されてなる光学薄膜積層体であって、金属光沢付与層2a、2b、2cは、電気的に非導通金属層を少なくとも1層含む層から構成される。 - 特許庁

The imprinting method comprises irradiating, with UV rays, an aggregate of two or more superimposed imprint structures whose imprint resist layer, on a substrate, composed of a UV-curable resin composition has been pressed with an irregular pattern of a mold in such a way that the rays penetrate the gravity-center part of the aggregate.例文帳に追加

基板上の紫外線硬化樹脂組成物からなるインプリントレジスト層にモールドの凹凸パターンを押し付けたインプリント構造体を複数重ね合わせてなる集合体に対し、該集合体の重心部を通過するように紫外線を照射するインプリント方法である。 - 特許庁

(II) At least one stream of the glass soot particles is directed to an essentially planar deposition supporting surface of a deposition substrate 301 rotating about a rotation axis, such that at least one layer of glass soot is deposited on the deposition supporting surface to form a soot preform 303.例文帳に追加

(II)ガラススート粒子の少なくとも1つの流れを、回転軸の周りで回転可能な堆積基体301の実質的に平面の堆積支持表面に向け、したがって、少なくとも1つの層のガラススートが堆積支持表面上に堆積されて、スートプリフォーム303を形成する。 - 特許庁

This invention relates to a device for chemical and mechanical polishing of the boundary of a semiconductor device, including a protruding residual topography in a peripheral region of a substrate resulting from a layer transfer process based on an ion implantation step, a bonding step and a detachment step, such as a Smart-Cut (R) method.例文帳に追加

本発明は、スマート・カット(登録商標)法のようなイオン注入ステップ、ボンディング・ステップ及び剥離ステップに基づく層転写プロセスによって生じる基板の周辺領域に隆起残余トポグラフィーを備える半導体装置の境界の化学的機械的研磨装置に関する。 - 特許庁

Furthermore, a grounding electrode 104 consists of a metal layer, and is arranged so as to cover the whole surface or approximately the whole surface of an area equivalent to the rear surface side in the area where the radiator 102 and the EBG 10 are arranged on the other surface of the dielectric substrate 101.例文帳に追加

さらに、接地電極104は、金属層から成り、誘電体基板101における他方の面において、放射器102およびEBG10が配置された領域における裏面側に相当する領域の全面または略全面を覆うように配置されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the light-emitting layer for the inorganic electroluminescence includes a process of film-forming ZnS:Cu, obtained by adding Cu of 1.0 atom% or more to ZnS on a substrate, a process of making the Cu component as chloride not contained in ZnS crystal grain, and a process of removing the chloride through rinsing.例文帳に追加

基体上にZnSへ1.0atomic%以上のCuが添加されたZnS:Cuを成膜する工程、該ZnS結晶粒に含有されないCu成分を塩化物とする工程、該塩化物を水洗にて除去する工程、を有することを特徴とする無機エレクトロルミネッセンス用発光層の製造方法。 - 特許庁

A shielding plate is arranged in an under side of of a sensor substrate having a plurality of coils, in a tablet 20 for detecting a position of an input pen 10 by electromagnetic induction action in a space with respect to the input pen 10, and a shielding layer comprising a ferromagnetic material is provided to be overlapped with the shielding plate.例文帳に追加

入力ペン10との間における電磁誘導作用によって入力ペン10の位置を検出するタブレット20において、複数のコイルを有するセンサ基板の下方にシールド板を配設し、このシールド板に重ねて、強磁性材料からなるシールド層を設けた。 - 特許庁

The high-density magnetic recording medium is constituted by forming a recording layer on a substrate and records and reproduces the polarization plane rotating angle by a Faraday effect as multivalue information on one spot of the recording medium.例文帳に追加

また、400nm以下の短波長レーザーを用いた記録再生が可能であり、かつ磁気光学効果の波長依存性が少ないために安定した記録再生が可能であり、更に光の回折が発生しないために、光を有効に利用できる多値化高密度磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

A thickness M of a magnetic layer 3b formed on a protruded part upper surface 31D of ruggedness 31 formed on a surface of a substrate 3a of the master disk 3 for magnetic transfer is formed thickly over a protruded part 32A of an outer periphery side from a protruded part 32A of an inner periphery side of master disk 3 for magnetic transfer.例文帳に追加

磁気転写用マスターディスク3の基板3aの表面に形成された凹凸31の凸部上面31Dに形成する磁性層3bの膜厚Mを、磁気転写用マスターディスク3の内周側の凸部32Aから外周側の凸部32Aにかけて厚く形成するようにした。 - 特許庁

The high conductivity printed wiring board 1, having a hollow conductor structure, at least includes a copper foil pattern 4 that is patterned on the outer surface of an insulating substrate 2, a conductor coat 9 which covers the copper foil pattern 4, and a foam hollow layer 7 formed between the copper foil pattern 4 and the conductor coat 9.例文帳に追加

この高伝導化プリント基板1は、中空導体構造よりなり、絶縁基材2の外表面にパターニングされた銅箔パターン4と、銅箔パターン4を被覆する導体被膜9と、銅箔パターン4と導体被膜9間に形成された発泡中空層7とを、少なくとも有している。 - 特許庁

A hard mask for etching the interlayer dielectric is formed by patterning the uppermost metal layer 5 of a multilevel interconnection insulated by the interlayer dielectric 3, and the interlayer dielectric 3 is etched using the mask to form the empty groove 4 which is located in the periphery of the semiconductor substrate 1 to makes its surface exposed.例文帳に追加

層間絶縁膜3により絶縁された多層配線の最上層の金属層5をパターニングして層間絶縁膜エッチング用ハードマスクを形成し、このマスクを用いて、層間絶縁膜3をエッチングして半導体基板1の周辺部分に基板表面が露出する空堀4を形成する。 - 特許庁

By the method for forming the dummy layer of the semiconductor device, the element separation film 402 for composing the dummy active region 403 is formed in the logic region on the semiconductor substrate 401, the first dummy pattern 404 is formed on the element separation film 402, and the second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404 is formed.例文帳に追加

本発明による半導体素子のダミー層形成方法によれば、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)を形成し、素子分離膜(402)上に第1ダミーパターン(404)を形成し、第1ダミーパターン(404)を包囲する第2ダミーパターン(405a)を形成する。 - 特許庁

The film-covered member is produced by forming a high-temperature-oxidation-resistant alloy film comprising MCrAlX containing 3-24 mass% Al on the surface of a substrate made of a heat-resistant alloy and forming a Cr_2O_3 film alone or together with a Cr film on the above alloy film via an Al_2O_3 layer.例文帳に追加

耐熱合金製基材の表面に、Alの含有量が3〜24mass%である下記MCrAlXからなる耐高温酸化性合金皮膜が設け、その合金皮膜の上には、Al_2O_3層を介し、Cr_2O_3皮膜またはCr_2O_3皮膜とCr皮膜が積層形成させる。 - 特許庁

A broad buffer structure is formed by irradiating proton to a semiconductor substrate and performing heat treatment, wherein the carbon concentration of a potion, in which the impurity concentration of a first semiconductor layer 1 become maximum, is 6.0×10^15 atoms/cm^3 or more and 2.0×10^17 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加

第1半導体層1の不純物濃度が極大となる箇所の炭素濃度が6.0×10^15atoms/cm^3以上2.0×10^17atoms/cm^3以下である半導体基板に、プロトンを照射して、熱処理をおこなうことでブロードバッファ構造を形成する。 - 特許庁

Heating S00 for heating a substrate, pretreatment S11 for removing a damaged layer formed on a surface of an organic film pattern, and development (second) S12 for reducing at least a part of the organic film pattern or removing a part of the organic film pattern are performed, in this order.例文帳に追加

基板を加熱する加熱処理S00と、有機膜パターンの表面に形成されたダメージ層を除去する前処理S11と、有機膜パターンの少なくとも一部を縮小するか又は前記有機膜パターンの一部を除去する現像処理(2回目)S12と、をこの順に行う。 - 特許庁

To provide such a gate insulation film for semiconductor device that has a high dielectric constant and less deterioration and can be made smaller in film thickness, and in which an reactive (diffusion) layer is difficult to be formed between the Si base on a substrate and itself and a stable characteristic with less leak current is given.例文帳に追加

誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することが可能であり、基板上のSi下地との間に反応(拡散)層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜を得ることを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a metal-insulation film-semiconductor (MIS) structure having a heavy hydrogen concentration equal to or more than10^19 cm^-3 in the neighborhood of an interface between a semiconductor substrate and films or layers formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation layer, and a protective insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体(MIS)構造を有する半導体装置とする。 - 特許庁

The organic light-emitting device is provided on a substrate, and comprises a mesh positive electrode designed so that light can transmit, a negative electrode opposite to the positive electrode, and an organic light emitting layer provided between the positive electrode and negative electrode.例文帳に追加

基板上に設けられ、光透過が可能なように設計されたメッシュ型正極と、正極に対向する負極と、正極と負極との間に設けられる有機発光層とを具備することを特徴とする有機電界発光素子によって、前記課題は解決される。 - 特許庁

To provide a member for display substrate which can endure chemicals treatment and high-temperature treatment in a display manufacturing process, has high gas barrier performance after the manufacturing thereof, leaves no silicone resin layer in the final product and is suitable for manufacturing a display having features such as being thin, light in weight, bendable and flexible.例文帳に追加

ディスプレイ製造工程においては薬品処理や高温処理に耐え、かつ製造後には高いガスバリア性を有し、最終製品にはシリコーン樹脂層が残らないようにし、薄い、軽い、ベンダブル、フレキシブルなどの特徴を有するディスプレイを製造するに適したディスプレイ基板用部材を提供する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element has a structure in which a plurality of compound semiconductor light-emitting units U that have a truncated cone shape and are made of a compound semiconductor having an active layer 232 serving as a light-emitting region are arranged via a reflective metal film 26 above a supporting substrate S having electrical conductivity.例文帳に追加

導電性を有する支持基板S上に、反射金属膜26を介して、円錐台形状を有し発光領域となる活性層232を有する化合物半導体からなる化合物半導体発光ユニットUを複数個並設した構造を有している。 - 特許庁

To provide a machine plate method for a photosensitive planographic printing plate by which photosensitive planographic printing plates each having a layer of a positive photosensitive composition containing a photothermal conversion material and an alkali-soluble resin on the surface of a substrate are imagewise exposed and stably developed over a prolonged period of time.例文帳に追加

光熱変換物質とアルカリ可溶性樹脂とを含有するポジ型感光性組成物の層を支持体表面に有する感光性平版印刷版を、画像露光した後、安定した現像処理を長期間にわたって実施できる感光性平版印刷版の製版方法を提供する。 - 特許庁

The MOS capacitor in which at least one field contact 24 is formed at the inside of a field 21 partitioned on the surface of a P-substrate and in which the field contact 24 is electrically connected to an aluminum electrode layer 25 is connected to a plurality of transistors which are mutually connected in series.例文帳に追加

P基板の表面に区画されたフィールド21の内部に少なくとも一つのフィールドコンタクト24が形成され、これらのフィールドコンタクト24がアルミニウム電極層25に電気的に接続されているMOS型コンデンサを、互いに直列に接続された複数のトランジスタのそれぞれに接続する。 - 特許庁

To provide an adhesive for connection of circuits capable of carrying out good connection when a so-called two-layer FPC prepared by directly applying a polyimide resin to copper foil or obtained by electrically forming a circuit on a polyimide resin is used as the substrate and to provide a connecting method using the adhesive and to provide a connecting structure.例文帳に追加

銅箔に直接ポリイミド樹脂を塗布して作製またはポリイミド樹脂に電気的に回路を形成した、いわゆる2層FPCを用いても良好な接続が可能な回路接続用接着剤及びそれを用いた接続方法、接続構造体を提供する。 - 特許庁

In this way, the aberration of the laser light 4 at the nearest part of the incident plane 51a is expanded, the intensity P of the laser light 4 is reduced, and the modified layer 61 can be formed while suppressing the thermal deformation of the quartz substrate 51, the generation of breakdown at the incident plane 51a or the like.例文帳に追加

これにより、入射面51a直近でのレーザ光4の収差が拡大してレーザ光4の強度Pが減少し、石英基板51の熱変形および入射面51aでのブレークダウンの発生などを抑制しつつ改質層61を形成可能である。 - 特許庁

To provide an abandonment processing method and an apparatus of an information writing disc, wherein reading a recorded information becomes impossible and at least a part of a substrate plate and an information recording layer, etc. can be easily peeled off or peeling-off of the same becomes easy.例文帳に追加

記録された情報の読み取りを不能としうるだけでなく、情報記録ディスクにおける基板と情報記録層等との少なくとも一部を、簡単に剥離させるか、または剥離容易な状態としうるようにした、情報記録ディスクの廃棄処理方法および装置を提供する。 - 特許庁

In this transparent plastic substrate for a liquid crystal touch panel which is provided with a thin film layer laminated by hardening resin materials on at least one face of the transparent plastic base material, the number of defects which are not less than 0.3 mmϕ is reduced to not more than 7/0.25 m^2.例文帳に追加

透明プラスチック基材の少なくとも片面に、樹脂材料を硬化させて積層した、薄膜層を有する透明プラスチック基板において、0.3mmφ以上の欠陥個数が7個以下/0.25m^2であることを特徴とする液晶タッチパネル用透明プラスチック基板。 - 特許庁

When the switch array is in an OFF state, the individual electrode 21 becomes a floating condition (a high impedance condition) and the individual electrode 21 has a voltage which is obtained such that the voltage of the voltage applying means 8 is divided by a capacity between the individual electrode 21 and the diaphragm 11 and a capacity between the individual electrode 21 and the substrate layer 25.例文帳に追加

スイッチアレイがOFFの状態では、個別電極21はフローティング(ハイインピーダンス)になり、個別電極21は電圧印加手段8の電圧を、個別電極21と振動板11の容量及び個別電極21と基板層25の容量で分圧した電位になる。 - 特許庁

A substrate to be treated where one portion of conductor layers (30, 32) such as a barrier metal layer 30 is exposed at least on a surface to be treated is dipped into treatment liquid containing a charged fine particle 49, and an electrode 44 is arranged so that it opposes the surface in the treatment liquid.例文帳に追加

荷電している微粒子49を含む処理液中に、少なくとも被処理表面にバリアメタル層30などの導電体層(30,32)の一部が露出している被処理基板を浸漬し、処理液中において被処理表面に対向するように電極44を配置する。 - 特許庁

In this case, since a light shielding film 1g is formed at the lower side of a photosensitive resin layer 12, a risk that light transmitted through the TFT-arrayed substrate 10 is reflected by the vacuum chuck 500 and thereby transfers marks and the like of suction holes 501, etc., to the photosensitive resin 13 can be avoided.例文帳に追加

この際、感光性樹脂層12の下層側に遮光膜1gが形成されているので、TFTアレイ基板10を透過した光が吸着チャック500で反射して吸引孔501の痕などが感光性樹脂13に転写されてしまうなどの不具合を回避することができる。 - 特許庁

例文

To avoid a deficiency in bonding force during mounting with respect to a semiconductor device such that the top surface of an upper-layer insulator film on a high-frequency integrated circuit provided at a top-surface center of a silicon substrate is defined as a wiring formation inhibition region for avoiding crosstalk with the high-frequency integrated circuit.例文帳に追加

シリコン基板の上面中央部に設けられた高周波集積回路上の上層絶縁膜の上面を高周波集積回路とのクロストークを避けるための配線形成禁止領域とした半導体装置において、実装時の接合力が不足しないようにする。 - 特許庁




  
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