「layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(752ページ目) - Weblio英語例文検索

Using the thermosensitive coating liquid comprising a thermosensitive color developing component, an aqueous emulsion based on ultraviolet-curable urethane acrylate, and a liquid toner receiving resin, an overcoat layer having liquid toner receptivity is formed on a prescribed portion of a sheet substrate surface.例文帳に追加

感熱発色成分と、紫外線硬化型ウレタンアクリレートを主成分とする水性エマルジョンと液体トナー受容性樹脂を含む感熱塗工液を用い、シート基材面の所定箇所に液体トナー受容性を有するオーバーコート層を形成したシートにより課題を解決できる。 - 特許庁

The iridescent pigment is produced by coating the surface of a flaky substrate with a multilayer coating layer having two or more metal oxide layers containing one or more metals selected from Ce, Sn, Ti, Fe, Zn and Zr.例文帳に追加

薄片状基質表面がＣｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、ＺｎおよびＺｒからなる群から選択される１種または２種以上の金属を含む金属酸化物層を少なくとも２層以上有する多層被覆層で被覆された虹彩顔料並びにその製造方法および使用に関する。 - 特許庁

A solid substrate which can carry oligonucleotide or a DNA fragment on its surface has a surface treatment layer of a hafnium carbide, niobium carbide, silicon carbide, tantalum carbide, thorium carbide, titanium carbide, uranium carbide, tungsten carbide, zirconium carbide, etc., on its surface.例文帳に追加

本発明の固体支持体は、オリゴヌクレオチドまたはＤＮＡ断片を表面に担持可能な固体支持体において、炭化ハフニウム、炭化ニオブ、炭化珪素、炭化タンタル、炭化トリウム、炭化チタン、炭化ウラン、炭化タングステンまたは炭化ジルコニウム等の表面処理層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

This instrument is provided with a semiconductor photoreceiving element having a semiconductor layer 21 including a nitride compound semiconductor containing at least one or more of IIIA group element and nitrogen element or a metal oxide semiconductor, and electrodes 23, 24, in order on a substrate 20.例文帳に追加

基板２０上に、少なくとも、１以上のIIIＡ族元素と窒素元素とを含む窒化物系化合物半導体又は金属酸化物系半導体を含有する半導体層２１、及び電極２３，２４をこの順に有する半導体受光素子を備えることを特徴とするオゾン濃度測定器である。 - 特許庁

To provide a window film which is a window film for thermocompression having an adhesive layer containing EVA which hardly deteriorates even in a prolonged use as a principal ingredient, and in which a defective appearance hardly causes even in a process including the pressurizing by a nip roll when being adhered to a transparent substrate.例文帳に追加

長期間の使用においても劣化し難いＥＶＡを主成分として含む粘着剤層を有する熱圧着用のウィンドウフィルムであって、透明基板に貼り付ける際にニップロールによる加圧を含む工程であっても、外観不良が生じ難いウィンドウフィルムを提供する。 - 特許庁

To improve reliability of a transistor constituted on a semiconductor substrate by relaxing a stress due to an insulating film to the silicide layer, which formed in an impurity range of a logic circuit, when the logic circuit is covered with the insulating films and protected in a manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において、ロジック回路を絶縁膜等で覆って保護する場合に、ロジック回路の不純物領域に形成したシリサイド層への絶縁膜による応力を緩和して、半導体基板上に構成されるトランジスタの信頼性を向上する。 - 特許庁

In a piezoelectric thin-film filter 1 including four piezoelectric thin-film resonators R11-R14, a filter section 11 including a piezoelectric thin film 111 that cannot carry its own weight by itself is bonded to a flat base substrate 13 for supporting the filter section 11 mechanically via an adhesive layer 12.例文帳に追加

４個の圧電薄膜共振子Ｒ１１〜Ｒ１４を含む圧電薄膜フィルタ１は、単独で自重に耐え得ない圧電体薄膜１１１を含むフィルタ部１１と、フィルタ部１１を機械的に支持する平坦なベース基板１３とを接着層１２を介して接着した構造を有している。 - 特許庁

In the color filter 10 provided with two or more colors of pixels on a transparent substrate, the dielectric loss tangent (tanδ) of a colored layer 12 composing at least one color of pixel is ≤0.030 in the frequency range of 10 to 100 Hz, and a pixel electrode is provided with a slit 14.例文帳に追加

透明基板上に複数色の画素を備えるカラーフィルタ１０において、少なくとも１色の画素を構成する着色層１２の誘電正接（ｔａｎδ）が周波数１０Ｈｚ〜１００Ｈｚの範囲で０．０３０以下であり、画素電極にスリット１４を有すること。 - 特許庁

The black matrix BMM is constructed of a metal thin plate having an opening arranged in matrix, and a light transmitting adhesive layer DH having a convex part DHT swollen to an electron source side in the opening of the black matrix is provided between the front substrate SUB2 of this opening and the black matrix.例文帳に追加

ブラックマトリクスＢＭＭをマトリクス配置された開口を有する金属薄板から構成し、この開口の前面基板ＳＵＢ２との間に、ブラックマトリクスの開口内に電子源側に膨出した凸状部ＤＨＴが形成された光透過性接着層ＤＨを有する。 - 特許庁

The crush of the bump 17 when the pressure is applied from the outside is suppressed by constituting the bump 17 for connecting a packaging substrate 13 with a surface acoustic wave element 11 by providing a soldering material 18 in an external layer and a core member 19 relatively harder than the soldering material inside.例文帳に追加

実装基板１３と弾性表面波素子１１とを接続するバンプ１７を、外層がはんだ材料１８で、内部にはんだ材料よりも相対的に固いコア材料１９を有する構造とすることにより、外部から圧力が加わった際のバンプ１７の潰れを抑えている。 - 特許庁

The HIC 11 includes a plurality of vias 28 in a substrate layer 12, a plurality of mesas 20 having etched portions, a sealing ring 18, a plurality of internal conductive leads 26 formed on the first surface of the HIC 11, and a plurality of external conductive leads 30 formed on the second surface of the HIC 11.例文帳に追加

ＨＩＣ１１は、基板層１２の中の複数のバイア２８と、エッチングされた部分を有する複数のメサ２０と、シールリング１８と、ＨＩＣ１１の第１面上の複数の内部導電性リード２６と、ＨＩＣの第２面上の複数の外部導電性リード３０とを含む。 - 特許庁

In regard to the semiconductor device resin-sealed in the wafer level on a semiconductor substrate having a formed device, through the rewiring layer formation process, the metal post formation process and the resin sealing process, it is inhibited to lay out devices 33, 35, 37 at positions overlapped with the circumference of a metal post 21 when viewed from above.例文帳に追加

素子が形成された半導体基板に対して、再配線層形成工程、メタルポスト形成工程及び樹脂封止工程を経てウェハレベルで樹脂封止される半導体装置について、上方から見てメタルポスト２１の周縁と重なる位置に素子３３，３５，３７を配置しないようにする。 - 特許庁

After a transparent electrode film 18 is formed on a substrate 22, and a first metal thin film 31 is formed on a surface of the transparent electrode film 18, a second metal thin film 32 is formed on a surface of the first metal thin film 31 by a sputtering method, and thus a lower electrode layer 30 is provided.例文帳に追加

基板２２上に透明電極膜１８を形成し、透明電極膜１８の表面に第一の金属薄膜３１を形成してから、第一の金属薄膜３１表面にスパッタリング法で第二の金属薄膜３２を形成して下部電極層３０とする。 - 特許庁

In the first process, a paste for an air electrode is produced by mixing a Pt-holding carbon catalyst, a Nafion (R) solution and a highly water-absorbable polymer, and after coating the paste for the air electrode on a conductive substrate, the paste is dried to form an air electrode reactive layer 13a.例文帳に追加

第１工程において、Ｐｔ担持カーボン触媒とナフィオン（登録商標）溶液と高吸水性ポリマーとを混合して空気極用ペーストを作製し、この空気極用ペーストを導電性のある基材に塗布した後、乾燥させて空気極反応層１３ａを形成する。 - 特許庁

An adhesion balancing layer 24 for balancing the adhesion for the adhesive 23 between the one-side ends 18a of the electrodes 16 and 18 led to the outside of the display part 13 and other glass parts is formed on the bonding line S on the back face 12a of the glass substrate 12.例文帳に追加

ガラス基板１２の背面１２ａにおいて接着ラインＳ上には、表示部１３外へ引き出された電極１６，１８の一端部１８ａとそれ以外のガラス部分との接着剤２３に対する接着力をバランスさせるための接着力バランス層２４が形成されている。 - 特許庁

While a compressive stress acts on the PZT piezoelectric film 64 due to the difference between the coefficients of thermal expansion of the film 64 and ZrO_2 substrate 62, the film stress of the film 64 is compensated by interposing the stress buffer layer 66 having a coefficient of thermal expansion smaller than that of PZT and an appropriate thickness.例文帳に追加

ＰＺＴ圧電膜６４にはZrO2基板６２との熱膨張係数の差等により圧縮応力が働くが、ＰＺＴよりも熱膨張係数の小さい適宜の厚みの応力バッファ層６６を介在させることで、ＰＺＴ圧電膜６４の膜応力を相殺するよういしている。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting device which has excellent light-emitting property and in which a buffer layer is formed on a substrate by a reactive sputtering method and a group III nitride semiconductor with good crystallinity can be formed thereon, and provide a method for manufacturing thereof and a lamp.例文帳に追加

基板上に、反応性スパッタ法を用いてバッファ層を形成し、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることができ、優れた発光特性を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。 - 特許庁

When the planarized insulating layer 12 is formed, an insulating film is formed on a substrate 11, by applying a photosensitive resin over the whole surface, followed by planarizing the surface while partly removing the insulating film over the whole surface in a thickness direction by light exposure and development.例文帳に追加

平坦化絶縁層１２を形成する際には、基板１１上に、感光性樹脂を全面に亘って塗布することにより絶縁膜を形成したのち、この絶縁膜を、露光および現像により全面に亘って厚み方向に一部除去しつつその表面を平坦化する。 - 特許庁

A thermoplastic sheet 19 is arranged on the upper substrate 15 so as to cover a through-hole 18, the thermoplastic sheet 19 is deformed by being pressed by the heated pin 20 to the cantilever 17, and the switch 10 is closed by maintaining the connection state to the second wiring layer 13 of the cantilever 17.例文帳に追加

上部基板１５上には、貫通穴１８を覆うように熱可塑性シート１９を配置し、熱可塑性シート１９を加熱したピン２０でカンチレバー１７に押圧することで変形させてカンチレバー１７の第２の配線層１３への接続状態を維持させてスイッチ１０を閉じる。 - 特許庁

The process temperature of a process of growing a silicon epitaxial layer by a CVD method on the silicon crystal substrate doped with, for example, phosphorus and germanium together during the growth of silicon crystal is set within a range of 1,000 to 1,090°C (preferably, 1,050 to 1,080°C).例文帳に追加

シリコン結晶育成時に例えばリンとゲルマニウムが一緒に高濃度ドープされたシリコン結晶基板上に、シリコンエピタキシャル層をＣＶＤ法で成長させるプロセスにおいて、そのプロセス温度を１０００〜１０９０℃の範囲内（より望ましくは、１０５０〜１０８０℃）の範囲内にする。 - 特許庁

In an N-type MIS transistor, a carbon-injected layer 307 is formed by jointly injecting carbon into a halo region 306, into which boron has been injected as an N-type impurity, using the characteristic that carbon injected into a semiconductor substrate 300 attracts boron injected into the same region.例文帳に追加

Ｎ型ＭＩＳトランジスタにおいて、半導体基板３００に打ち込まれた炭素が、同じ領域に打ち込まれたホウ素を引き寄せる性質を利用し、ホウ素をＮ型の不純物として注入したハロー領域３０６に炭素を共注入して炭素注入層３０７を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 having an electrode pad 4, a rewiring layer 6 having an electricity feeding portion which feeds electricity to the electric pad 4, a conductor post 7, a sealing resin 8 supporting the conductor post 7 from its periphery, and an external electrode 9 formed at the top face of the conductor post 7.例文帳に追加

電極パッド４を有する半導体基板１と、この電極パッド４と導通する通電部を有する再配線層６と、導体ポスト７と、この導体ポスト７をその周囲から支持する封止樹脂８と、導体ポスト７の頂面に形成された外部電極９とを備える。 - 特許庁

The method includes a process of forming a silicon nitride film 2 by nitriding to a surface layer part of a single crystal silicon substrate 1, thereby obtaining a base material with the nitride film, and a process of injecting hydrogen ions from the side of the silicon nitride film 2 of the base material thereby introducing hydrogen as an element to be measured.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１の表層部の窒化によりに窒化シリコン膜２の形成を行って窒化膜付き基材を得る工程と、窒化膜付き基材の窒化シリコン膜２側から水素イオン注入によって測定対象元素たる水素の導入を行う工程とを有する。 - 特許庁

The polarizing element 10 is provided with: a grid-like rugged part 13 formed on a substrate 11 transparent to visible light; and a metal fine particle layer 14 made of aluminum or its alloy formed on an apex part of the rugged part 13 or at least one side surface part thereof.例文帳に追加

本発明の偏光素子１０は、可視光に対し透明な基板１１上に形成された格子状の凹凸部１３と、当該凹凸部１３の頂部又はその少なくとも一側面部に形成されたアルミニウム又はその合金からなる金属微粒子層１４とを備えている。 - 特許庁

This bottom cover tape for transporting an electronic parts in a bottom cover tape adhered by a carrier tape and heat to cover a bottom surface of a hole for storing electronic parts formed in the carrier tape in an electronic parts transporting member, wherein a substrate layer of the bottom tape is constituted of a plastic film.例文帳に追加

電子部品搬送用ボトムカバーテープは、電子部品搬送体におけるキャリアテープに形成されている電子部品収納用孔の底面を覆うようにキャリアテープと熱により接着されるボトムカバーテープであって、該ボトムテープの基材層がプラスチックフィルムにより構成されている。 - 特許庁

Then the chip component 6 is mounted on the resist layer 4 and, while an electrode 6a of the chip component 6 is brought into contact with the cream solder 5, the substrate 1 is heated in a reflow furnace to solder the electrode 6a of the chip component 6 to the land 4 through the fused cream solder 5.例文帳に追加

しかる後、レジスト層４上にチップ部品６を載置し、該チップ部品６の電極部６ａをクリーム半田５に接触させた状態で、基板１をリフロー炉内で加熱することにより、溶融したクリーム半田５を介してチップ部品６の電極部６ａをランド部３に半田付けした。 - 特許庁

In the active matrix type liquid crystal display device, with which pixels having TFT elements are configured in the form of a matrix on a transparent sapphire substrate, the liquid crystal display device is configured by forming a semiconductor layer comprising the TFT element from the transparent semiconductor of a band gap ≥2.9 eV.例文帳に追加

透明サファイア基板上に、ＴＦＴ素子を有する画素をマトリックス状に構成するアクティブマトリックス型液晶表示装置において、ＴＦＴ素子を構成する半導体層をバンドギャップが２．９ｅＶ以上である透明半導体により形成し液晶表示装置を構成する。 - 特許庁

The printed image for verification is provided on an infrared reflexible substrate by using each of at least three kinds of infrared-absorption printing inks different in absorption peak in an infrared area, and a printed layer for concealment is also provided in such a manner as to cover the printed image for verification.例文帳に追加

赤外線反射性基材の上に、赤外領域における吸収ピークが異なる少なくとも３種類の赤外線吸収性印刷インキのそれぞれにより検証用印刷画像を設けると共に、それらの検証用印刷画像を覆うように隠蔽用印刷層をさらに設ける。 - 特許庁

When a fin member 2 reaches a high temperature together with a fin 2B in busy condition, a low melting metal layer 4 sealed by an oxidated protective film 5 melts and contacts the contact face 2A of the fin member 2 and the outer face of a heat receiving substrate 1A of the thermoelectric generating module 1 mutually with no space in-between.例文帳に追加

使用状態においてフィン２Ｂと共にフィン部材２が高温となると、酸化保護皮膜５により密封された低融点金属層４が溶融してフィン部材２の接合面２Ａと熱電発電モジュール１の受熱基板１Ａの外面とを相互に隙間なく接触させる。 - 特許庁

This hard-carbon coated material is characterized by having the hard carbon film of an amorphous structure on the substrate, which contains fine particles of crystal diamond with the particle size of 100 nm or less, through an intermediate layer consisting of elements in the groups of IVa, Va, VIa, VIII, IIIb, and IVb in the periodic table, or nitrides or carbides thereof.例文帳に追加

基材上に元素周期表のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、IIIｂ族、IVｂ族の元素、もしくはその窒化物、炭化物からなる中間層を介して結晶粒径１００ｎｍ以下の微細ダイヤモンド結晶粒を含むアモルファス構造の硬質炭素膜を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

To solve problems such that an adhesive layer having a fairly lower glass transition temperature than that of a substrate film, is melted and attaches to a punching machine by a high frictional heat on punching, for inducing frequent exchanges of the punching machine and the increase of washing costs, and decreasing the productivity of a leading frame attached with the composite film.例文帳に追加

基材フィルムよりガラス転移温度が相当低い接着剤層は、打抜き時の高摩擦熱によって打抜き機に溶着され、打抜き機の頻繁な交換、洗浄コストの増加などを招き、複合フィルム付着リードフレームの生産性を著しく低下させる。 - 特許庁

The hardened glass substrate has a compressively-stressed layer on the surface and comprises 40-71% SiO_2, 3-21% Al_2O_3, 0-3.5% Li_2O, 7-20% Na_2O and 0-15% K_2O by mass as glass composition.例文帳に追加

本発明の強化ガラス基板は、表面に圧縮応力層を有する強化ガラス基板であって、ガラス組成として、質量％でＳｉＯ_２ ４０〜７１％、Ａｌ_２Ｏ_３ ３〜２１％、Ｌｉ_２Ｏ ０〜３．５％、Ｎａ_２Ｏ ７〜２０％、Ｋ_２Ｏ ０〜１５％を含有することを特徴とする。 - 特許庁

The regulating force for alignment of a liquid crystal (anchoring energy) in a vertical alignment layer 241 close to a TFT substrate 21 is controlled to be lower in a region corresponding to the slopes 47-1 to 47-4 than in the other region (a region except for the region corresponding to the slopes 47-1 to 47-4).例文帳に追加

ＴＦＴ基板２１側の垂直配向膜２４１における液晶配向規制力（アンカリングエネルギー）が、傾斜部４７−１〜４７−４に対応する領域において、他の領域（傾斜部４７−１〜４７−４に対応する領域以外の領域）と比べて低くなるようにする。 - 特許庁

The liquid crystal display device 10 is provided with a pair of substrates 12a and 12b and a liquid crystal layer 18 interposed between the pair of substrates and characterized in that one substrate 12a of the pair of substrates 12a and 12b has 1/4 wavelength plate characteristics.例文帳に追加

一対の基板１２ａ及び１２ｂと、前記一対の基板に挟持された液晶層１８とを備え、且つ前記一対の基板１２ａ及び１２ｂのうち一方の基板１２ａが１／４波長板特性を有することを特徴とする液晶表示装置１０である。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an epitaxial silicon wafer for improving the uniformity in crystal structure, without making OSF rings to form on a single-crystal silicon wafer substrate, removing a metal contaminant in a silicon epitaxial layer, reducing the manufacturing time of the epitaxial silicon wafer, and hence reducing production unit costs.例文帳に追加

単結晶シリコンウェーハ基板にＯＳＦリングを形成させないで結晶構造の均一性を向上させ、シリコンエピタキシャル層内の金属汚染物を除去でき、エピタキシャルシリコンウェーハの製造時間を短縮し、生産単価を低減し得るエピタキシャルシリコンウェーハ製造方法を提供する。 - 特許庁

A film is formed on a long sheet substrate 1 comprising a polymer film by means of a vacuum vapor deposition process by using an iron-cobalt alloy as a vapor deposition source, and a magnetic layer 2 is formed, which comprises a thin film whose main component is a cobalt-containing maghemite which contains cobalt of 2-20 wt.%.例文帳に追加

高分子フィルムよりなる長尺状の基体１上に、鉄コバルト合金を蒸着源とし、真空蒸着工程により成膜を行い、コバルトの含有量が２〜２０重量％のコバルト含有マグヘマイトを主成分とする薄膜よりなる磁性層２を形成する。 - 特許庁

By forming a chromium carbide film A (surface treatment layer) in a necessary place of each of the surfaces of these molds 1 and 2 by depositing (surface treatment) by a vacuum film depositing method, the resin sealing molding of the electronic component 5 set on a substrate 6 can be carried out in mold cavities 3 and 4.例文帳に追加

本金型１・２の表面の所要個所に、炭化クロム膜Ａ（表面処理層）を真空成膜法により成膜（表面処理）して形成することにより、基板６に装着した電子部品５を金型キャビティ３・４内で樹脂封止成形することができる。 - 特許庁

Besides as the ultraviolet rays of ≤180 nm wavelength hardly pass through a transparent electrically conductive oxide such as ITO, the rays can be used to remove a polyimide alignment layer, with a defect such as defective printing, on a color filter substrate on a dyestuff part surface of which an ITO transparent electrode pattern is formed.例文帳に追加

また、１８０ｎｍ以下の紫外線は、ＩＴＯなどの透明導電酸化物をほとんど透過しないので、色素部の表面にＩＴＯの透明電極パターンが形成されたカラーフィルター基板上の、印刷不良などの欠陥のあるポリイミド配向膜を除去するのに用いることができる。 - 特許庁

The organic EL element S1 is formed by laminating a lower electrode 2, an organic film 3 comprising an organic luminescent material, and an upper electrode in order on a substrate 1, and the organic EL element S1 is sealed by covering with the sealing film 5 comprising alumina formed by an atomic layer growth method.例文帳に追加

有機ＥＬ素子Ｓ１は基板１の上に順次、下部電極２、有機発光材料からなる有機膜３、上部電極４が形成されてなり、この有機ＥＬ素子Ｓ１は原子層成長法により成膜されたアルミナからなる封止膜５により被覆され封止されている。 - 特許庁

A processing chamber (100) for performing atomic layer deposition (ALD), a substrate holder (120) provided within the process chamber, and a gas injection system (140) configured to supply a first process gas and a second process gas to the process chamber (100) are included in the subject apparatus.例文帳に追加

処理チャンバ（１００）と、前記処理チャンバ内に設けられた基板ホルダ（１２０）と、前記処理チャンバ（１００）に、第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを供給するように構成されたガス注入装置（１４０）とを含む、原子層堆積（ＡＬＤ）を実行する処理システム（１００）。 - 特許庁

According to the method, at least one thin film solar cell is formed on a transparent substrate, wherein each of the thin film solar cells includes at least an anode, a photoelectric conversion layer, and a cathode, while a portion of a surface of the anode is exposed from each of the thin film solar cells.例文帳に追加

その方法に従って、透明基板上に少なくとも１つの薄膜太陽電池を形成し、そのうち、薄膜太陽電池がアノード、光電変換層およびカソードを少なくとも含むとともに、アノードの一表面の一部が薄膜太陽電池から露出される。 - 特許庁

To provide an organic EL element, and its manufacturing method, which attains large-scale integration of a luminescent element array, enabling to effectively take out light emitted from an organic luminescent layer and reduce warping of a substrate due to membrane stress accompanying formation of luminescent elements which leads to lessen optical interface.例文帳に追加

発光素子アレイの高集積化を達成でき、有機発光層から出た発光を有効に外部に取り出し可能で、発光素子形成に伴う膜応力による基板の反りを低減でき、光学的界面を少なくできる有機ＥＬ素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a xerographic photoreceptor which removes foreign substances such as minute machining shavings and dust before a photosensitive layer formation process on the surface of a cylindrical substrate for the xerographic photoreceptor, and eliminates dots resulting from the foreign substances to attain high image quality by suppressing device costs and manufacturing tact.例文帳に追加

電子写真感光体用の円筒状基体表面において微小な切削切り粉やダストといった異物を、感光層形成工程前に除去し、異物に起因するポチをなくして高画質を実現する電子写真感光体を、装置コスト及び製造タクトを抑えて製造する。 - 特許庁

To provide a radiation curing composition having excellent coating properties and forming a coated film (coat) having high hardness and high refractive index and excellent scuff resistance and adhesiveness to a substrate and a low-refractive index layer on the surfaces of various kinds of substrates and to provide a cured film thereof.例文帳に追加

優れた塗工性を有し、かつ各種基材の表面に、高硬度及び高屈折率を有するとともに耐擦傷性並びに基材及び低屈折率層との密着性に優れた塗膜（被膜）を形成し得る放射線硬化性組成物、及びその硬化物を提供する。 - 特許庁

According to the above, the recessed/projecting parts to promote the bubble intrusion within a region including the signal forming portion are not formed in the inner peripheral portion of the created disk substrate and the optical disk of the higher quality in which the bubble intrusion into the light transmission layer is suppressed can be manufactured.例文帳に追加

これによれば、生成されるディスク基板の内周部分において、信号形成部分にかけての領域内に気泡混入を助長する凹／凸部が形成されず、光透過層内への気泡混入が抑制されたより高品質な光ディスクを製造することができる。 - 特許庁